采用第一性原理方法研究Nb-Si-N表面单原子绕岛吸附与迁移

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采用第一性原理方法研究Nb-Si-N表面单原子绕岛吸附与迁

任元;刘学杰;李智
【期刊名称】《功能材料》
【年(卷),期】2016(047)001
【摘要】针对Nb-Si-N纳米复合薄膜在沉积过程中Nb、Si、N单原子与NbN 晶粒相遇之后聚集与分离情况进行了研究.采用基于密度泛函理论(DFT)第一性原理超软赝势平面波计算方法分别计算了Nb、Si、N各单原子在NbN(001)表面绕
2N2Nb岛的吸附作用和迁移过程.计算结果表明,Nb、Si、N单原子在2N2Nb岛旁边的吸附能最大位置分别为P3、P1、P2,吸附能分别为7.3067,5.3521和
6.7113 eV;Nb、Si、N单原子绕2N2Nb岛的迁移所需的激活能分别为2.62,1.35和5.094 eV.吸附能与迁移激活能较小的Si原子为激活元素促进了其它原子的扩散进而提高薄膜的致密性.沉积过程中具有较小激活能的Si原子极易围绕2N2Nb岛迁移将NbN晶粒分隔,阻止晶粒长大进而细化晶粒.
【总页数】5页(P1136-1139,1144)
【作者】任元;刘学杰;李智
【作者单位】内蒙古科技大学机械工程学院,内蒙古包头014010;内蒙古科技大学机械工程学院,内蒙古包头014010;内蒙古科技大学机械工程学院,内蒙古包头014010
【正文语种】中文
【中图分类】TB33
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