【CN110004420A】一种靶材制备方法【专利】
一种具有织构特征的靶材的制备方法
一种具有织构特征的铁酸铋靶材的制备方法1. 本发明的背景及意义铁酸铋(化学式：BiFeO3，简写为：BFO) 是目前唯一一种在室温下同时具有磁性有序和铁电有序的单相多铁性材料，在研制新型的存储器、集成电路、磁感器、电容器以及自旋电子器件等方面有着广泛的应用前景，因此有望以此为基础开发出同时具有铁电材料的高读取速度和铁磁材料的高写入速度特点的新型材料。
相对于陶瓷材料而言，薄膜可以改善材料的铁电性能，实现样品性能的多样化设计。
薄膜材料的优势在于膜和衬底之间存在失配，所以薄膜材料内应力很大，进而会引起材料的晶格畸变，使其表现出更大的电极化强度。
自八十年代起，铁电薄膜的制备方法和技术取得了迅速的发展。
制备薄膜的方法主要包括溶胶-凝胶方法(Sol-Gel)、化学溶液沉积法(CSD)、化学气相沉积方法(CVD)、脉冲激光沉积方法(PLD)、分子束外延(MBE) 和磁控溅射方法( Magnetron Sputtering)。
相对于其它方法而言，采用脉冲激光沉积(PLD) 法和分子束外延(MBE)更容易制备出高质量高纯度的BFO 薄膜。
这两种方法在制备BFO 薄膜的过程中都需要用到BFO 靶材，而高质量的靶材应具备特定的织构、较低的缺陷、较高的纯度(高的主相比例)。
因此，如何制备出具有特定织构、高纯度的靶材十分必要。
2.目前制备方法的不足之处目前靶材的制备工艺主要是先通过固相反应法、溶胶-凝胶法或者其它方法制备出粉末，然后将粉末进行压片，最后在高温下进行烧结而成，然而这些方法都很难获得具有特定织构的靶材。
针对目前方法制备的靶材存在的问题，本发明公开了一种定向烧结工艺制备出具有织构特征的靶材。
3.本发明所用到的设备及工艺图1，本发明用到的设备及工艺，(a) 实验用的微波烧结炉，(b) 为两头开口的坩埚管(c) 本发明准备加工的坩埚盒子示意图说明：本发明的坩埚如图1 (c) 所示。
坩埚的形状可以是立方体、长方体、圆柱体或者其它形状。
一种新型高密度ITO靶材制备方法[发明专利]
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专利名称：一种新型高密度ITO靶材制备方法专利类型：发明专利
发明人：唐安泰
申请号：CN201810901538.8
申请日：20180809
公开号：CN110818404A
公开日：
20200221
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明涉及靶材制造领域，具体为一种新型高密度ITO靶材制备方法。
该制备方法为：将粒度均一的氧化铟粉末和氧化锡粉末混合，经造粒、冷等静压成型和烧结后制得高密度ITO靶材。
利用氧化铟粉末和氧化锡粉末的表面亲和力，在造粒过程中不需要添加粘接剂和分散剂，同时在后续制备过程中无需脱脂。
本发明开创性的利用氧化铟和氧化锡之间的表面亲和力，减少了工艺流程，无需脱脂，提高了生产效率，节约了制备成本，制备的ITO靶材密度高，质量稳定，能大规模应用于工业化生产。
申请人：株洲火炬安泰新材料有限公司
地址：412000 湖南省株洲市天元区天易科技城A5栋
国籍：CN
代理机构：广州粤高专利商标代理有限公司
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高纯钴靶材的制备方法[发明专利]
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(10)申请公布号 CN 102423802 A(43)申请公布日 2012.04.25C N 102423802 A*CN102423802A*(21)申请号 201110430577.2(22)申请日 2011.12.20B22F 3/16(2006.01)C23C 14/34(2006.01)C23C 14/14(2006.01)(71)申请人宁波江丰电子材料有限公司地址315400 浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路198号(72)发明人姚力军 相原俊夫 大岩一彦潘杰 王学泽 袁海军(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司 11227代理人骆苏华(54)发明名称高纯钴靶材的制备方法(57)摘要本发明提供的高纯钴靶材的制备方法，包括：将钴粉装入模具；冷压成型；真空热压烧结。
与传统的通过高真空电子束熔炼炉获得高纯钴锭、然后对钴锭反复进行塑性变形和退火制得钴靶坯的工艺相比，本发明通过粉末冶金的真空热压烧结技术直接由粉末制得钴靶坯，获得致密且分布均匀的可用于半导体靶材制造用的钴靶坯，克服了钴靶材由于质地坚硬易碎，而在塑性变形加工过程中容易产生裂纹而导致报废率高的问题。
(51)Int.Cl.(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书 1 页 说明书 4 页 附图 1 页1.一种高纯钴靶材的制备方法，其特征在于，工艺步骤包括：将钴粉装入模具；冷压成型；真空热压烧结。
2.如权利要求1所述的高纯钴靶材的制备方法，其特征在于，在所述真空热压烧结后还包括实施停炉冷却、脱模取料、机加工的工艺步骤。
3.如权利要求1所述的高纯钴靶材的制备方法，其特征在于，所述钴粉的纯度为99.99％以上。
4.如权利要求1所述的高纯钴靶材的制备方法，其特征在于，所述冷压成型的压强为0.6～1MPa。
5.如权利要求1所述的高纯钴靶材的制备方法，其特征在于，所述真空热压烧结的方式为：先抽真空至少到真空度50Pa，升温至800℃，保温1小时，再升温到1000～1200℃，充入氩气保温2小时，然后缓慢加压到30MPa以上，保温保压2～3小时。
一种氧化铝靶材的制备方法[发明专利]
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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202011324764.8(22)申请日 2020.11.23(71)申请人 先导薄膜材料（广东）有限公司地址 511517 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号A区(72)发明人 刘文杰 钟小华 童培云 朱刘 (74)专利代理机构 广州三环专利商标代理有限公司 44202代理人 颜希文(51)Int.Cl.C04B 35/10(2006.01)C04B 35/622(2006.01)C04B 35/64(2006.01)(54)发明名称一种氧化铝靶材的制备方法(57)摘要本发明提供了一种氧化铝靶材的制备方法，属于靶材领域。
本发明将靶材原料经混合球磨、喷雾干燥、压制成素坯、冷等静压压制、升温脱脂烧结以及升温有氧烧结后，先进行降温有氧烧结，再进行升温烧结，这样得到的氧化铝靶材密度更大，且无需进行真空烧结，对设备要求低，易于实现批量生产，并且能生产大尺寸平面靶材，如1m ×1m的靶材，所得大尺寸平面靶材不易出现弯曲和开裂的问题。
权利要求书1页 说明书5页CN 112390628 A 2021.02.23C N 112390628A1.一种氧化铝靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：(1)将靶材原料混合，球磨，得到混合浆料，其中靶材原料包括氧化铝粉末、粘结剂和水；(2)将步骤(1)所得混合浆料进行喷雾干燥，得到混合物粉粒；(3)将步骤(2)所得混合物粉粒置于模具中进行压制，得到素坯，再将素坯进行冷等静压处理；(4)将经冷等静压处理后的素坯升温进行脱脂烧结；(5)通入氧气，并先进行升温烧结，再进行降温烧结；(6)升温烧结，即得所述氧化铝靶材。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)中的升温烧结为分阶段烧结。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)中的升温烧结分为两阶段烧结，先以0.1～0.5℃/min速率升温至1000～1300℃，保温1～4h，再以0.1～0.5℃/min 速率升温至1500-1550℃，保温4～8h。
一种银合金靶材及其制备方法和应用
一种银合金靶材及其制备方法和应用
一种银合金靶材及其制备方法和应用
发明内容：
该发明涉及一种银合金靶材，以及其制备方法和应用。
所述银合金靶材由银和至少一种第二金属组成，所述第二金属选自铱、钨、铂、钼、锇、铼、铂和钒等。
制备方法：
制备所述银合金靶材的方法包括以下步骤：
1. 准备所需金属材料，包括银和所述第二金属。
2. 将所述银和所述第二金属按一定比例混合均匀。
3. 将混合均匀的金属粉末进行压制，以得到所述银合金的坯体。
4. 对所述坯体进行高温处理，使其形成致密的银合金靶材。
应用：
所述银合金靶材可用于各种应用领域，包括电子器件制造、光学薄膜制备、导电涂层、热散热材料等。
由于银具有良好的导电和导热性能，而第二金属的加入可以改变银的性能，使得银合金靶材具有更加优异的性能，适用于更多的应用场景。
优点：
相比传统的纯银靶材，该银合金靶材具有以下优点：
1. 提高了银的硬度和强度，使其更加耐磨、耐腐蚀。
2. 改善了银的导电和导热性能，提高了器件的性能。
3. 降低了银的材料成本，提高了靶材的使用寿命。
4. 扩展了银合金靶材的应用领域。
因此，本发明提供了一种新型的银合金靶材及其制备方法和应用，具有较好的经济效益和实际应用价值。
一种氧化铝靶材及其制备方法与流程
一种氧化铝靶材及其制备方法与流程氧化铝是一种重要的高温材料，具有高强度、高硬度、高耐磨性、高抗腐蚀性等优异性能，被广泛应用于制造高温结构材料、电子元件、高温陶瓷、化学仪器等领域。
氧化铝靶材作为电子薄膜行业中的一种重要原材料，主要用于制备薄膜材料和涂层材料，逐渐成为各行各业的必需品。
本文将介绍一种氧化铝靶材及其制备方法与流程。
一、氧化铝靶材的特点和应用氧化铝靶材主要由氧化铝、高纯度金属铝和添加剂组成。
氧化铝是主要组分，能够提供较高的离子源通量、良好的膜品质、高的化学稳定性和高热稳定性。
同时，添加少量的其它元素，如锆、钛、钽等，可以显著提高氧化铝膜的质量和性能。
氧化铝靶材具有以下特点：1.高化学纯度，能够更好地满足电子工业的要求；2.低杂质含量，保证了膜层的纯度和稳定性；3.良好的膜形成能力和稳定性，有利于薄膜和涂层的均匀性和稳定性；4.优异的化学性质和热稳定性，能够在高温和恶劣的环境下稳定工作。
氧化铝靶材主要应用于以下领域：1.光学薄膜：用于制备高折射率的光学薄膜；2.电子薄膜：用于制备金属铝、钨、钼等金属材料的电子薄膜；3.陶瓷工业：用于制备高温陶瓷材料和瓷砖；4.化学仪器：用于制造高温化学反应器和高温储罐等化学仪器。
二、氧化铝靶材的制备方法氧化铝靶材的制备方法可以分为物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）两种：1. 物理气相沉积（PVD）物理气相沉积是将纯净的气体物理上沉积在材料表面，经过集束照射、蒸发、沉积等过程，产生高质量且良好品质的薄膜。
其中，镀膜材料被置于真空室内，在一定条件下通入气体或对材料进行激发，将材料表面的原子排布“强制”改变到其最稳定的状态，形成薄膜。
PVD方法的优点是：薄膜制备速度快、温度低、成分均匀、厚度可控等。
PVD方法的具体步骤如下：1.材料准备：将氧化铝和高纯度金属铝粉末按照一定比例混合，并将添加剂如锆、钛、钽等添加至混合粉末中，混合均匀后进行筛分。
然后将混合后的粉末压成块状或圆柱状的坯体；2.坯体加工：将压缩成坯体的混合粉末进行切割、研磨、抛光等加工，使其达到所需尺寸的要求。
一种高纯钨靶材的制备方法[发明专利]
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专利名称：一种高纯钨靶材的制备方法
专利类型：发明专利
发明人：王亚峰,王占卫,彭立培,冀延治,冀嘉梁,林坤,王志民,冯海波
申请号：CN202111161994.1
申请日：20210930
公开号：CN114457319A
公开日：
20220510
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明涉及一种高纯钨靶材的制备方法，属于难熔金属制备特种技术领域。
所述方法利用化学气相沉积通过控制核心参数制备高纯钨板，进一步采用高温轧制和热处理再结晶进行加工，最后通过机械加工后与背板焊接得到高纯钨靶。
所述方法制备出的钨靶材纯度高达99.9999％以上，较利用粉末冶金制备出的钨靶材相比纯度更高，杂质更少，这使得在磁控溅射中，有效避免了钨靶材在电子轰击作用下内部杂质元素被转移到终端产品上，可大幅度提高终端产品的良率。
申请人：中国船舶重工集团公司第七一八研究所
地址：056027 河北省邯郸市展览路17号
国籍：CN
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910254092.9
(22)申请日 2019.03.31
(71)申请人 柳州呈奥科技有限公司
地址 545616 广西壮族自治区柳州市官塘
大道52号
(72)发明人 黎品英 谢元鸣 梁莉丝
(74)专利代理机构 广州凯东知识产权代理有限
公司 44259
代理人 李勤辉
(51)Int.Cl.
C23C 14/35(2006.01)
(54)发明名称
一种靶材制备方法
(57)摘要
本发明公开了一种靶材制备方法，该靶材制
备方法包括以下步骤：清洗原料，对清洗完成的
靶材进行热处理，对具有一定形状的靶材进行冷
等静压作业，对其常温升压，并且保持8-15min
后，并且采用顶电极不加持的方式进行退火处理
去除靶材表面压力；将处理后的靶材放置在磁控
溅射的样品台上，在靶材底部通入氩气，对其进
行预溅射，再通入高纯氩气和氧气的混合气体，
对其进行溅射，最终制得靶材；本发明所述的一
种靶材制备方法，靶材质量得到提高，可以保证
不同铝靶材之间晶粒大小的均一性，可以提高了
生产效率，降低了生产成本，同时制得的靶材纯
度高、致密性好、成膜均匀性好；操作工艺简单、
能耗低、无污染且易于实现工业化，具有很好的
应用前景。
权利要求书1页 说明书3页CN 110004420 A 2019.07.12
C N 110004420
A
权 利 要 求 书1/1页CN 110004420 A
1.一种靶材制备方法，其特征在于，该靶材制备方法包括以下步骤：
步骤一、清洗原料，对靶材原料进行清洗，用喷枪除去靶材原料表面的灰尘和污垢；
步骤二、对清洗完成的靶材进行热处理，经过热处理后，将靶材放置冷藏密封容器中冷藏30-50min,保持靶材温度在160-180℃之间，随后取出降温后的靶材对其进行锻打形成靶材胚料，将靶材锻打形成靶材胚料靶材进行第二次热处理，热处理时间为1-2h,最终形成具有一定形状的靶材；
步骤三、对步骤二中具有一定形状的靶材进行冷等静压作业，对其常温升压，并且保持8-15min后，并且采用顶电极不加持的方式进行退火处理去除靶材表面压力；
步骤四、将处理后的靶材放置在磁控溅射的样品台上，在靶材底部通入氩气，对其进行预溅射，再通入高纯氩气和氧气的混合气体，对其进行溅射，最终制得靶材。
2.根据权利要求1所述的一种靶材制备方法，其特征在于：靶材原料的电阻小于0.6Ω，其中靶材内银含量为30%，且靶材粉末体积电阻率小于2×10-3Ωcm。
3.根据权利要求1所述的一种靶材制备方法，其特征在于：所述靶材基距为60-100mm，工作气压0.3-0.9Pa。
4.根据权利要求1所述的一种靶材制备方法，其特征在于：所述预溅射时间不少于6min，溅射时间为40-80min。
5.根据权利要求1所述的一种靶材制备方法的制备工艺，其特征在于：靶材溅射功率60-90W，靶材基底温度为120℃。
6.根据权利要求1所述的一种靶材制备方法，其特征在于：步骤三中退火处理时注入氮气，且其加热温度为500-750℃，保温时间为20-30s。
2。