AMD平台超频手册——高级篇

AMD平台超频手册——高级篇

一、如何进一步优化内存参数，提升系统性能？

1.步步进阶，AMD K8内存参数逐个抓

面对着AMD K8处理器众多的内存控制参数，我们应该如何根据自身的实际情况，进行相关的内存参数优化，来进一步的提升我们的系统性能呢？

你都了解上述这些参数设置的意义吗？它们会对性能有哪些的影响呢？

下面就让我们逐个逐个为大家介绍。

CAS Latency Control（tCL）

Settings = Auto，1、1.5、2、2.5、3、3.5、4、4.5

这是最重要的内存参数之一，通常玩家说明内存参数时把它放到第一位，例如3-4-4-8@275mhz，表示cl为3。通常2可以达到更好的性能，但3能提供更佳的稳定性。值得注意的是，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。

CAS表示列地址寻址（Column Address Strobe or Column Address Select），CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存

矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。

这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2。5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。

影响：主要影响稳定性，轻微影响带宽

建议设置：1.5，2，2.5，和3

RAS to CAS Delay（tRCD）

Settings = Auto、0、1、2、3、4、5、6、7

这个是说明内存参数时排到第二位的数值，例如3-4-4-8@275mhz，表示tRCD为4。

该参数可以控制内存行地址选通脉冲（RAS，Row Address Strobe）信号与列地址选通脉冲信号之间的延迟。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，出于最佳性能考虑可将该参数设为2，如果系统无法稳定运行则可将该参数设为3。同样的，调高此参数可以允许内存运行在更高的频率上，用户超频内存遇到困难时可以尝试提高tRCD。

影响：主要影响带宽和稳定性

建议设置：2-5。2能达到最高性能，为达到内存最高频率可设为4或5。

MinRAS Active Timing（tRAS）

Settings = Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。

这个是说明内存参数时排到第四位的数值，例如3-4-4-8@275mhz，表示tRAS为8。

这个选项控制内存最小的行地址激活时钟周期数（tRAS），它表示一个行地址从激活到复位的时间。tRAS过长，会严重影响性能。减少tRAS可以使得被激活的行地址更快的复位，然而，tRAS太短也会造成不够时间完成一次突发传送，数据会丢失或者覆盖。最佳设置是越低越好。通常，tRAS应该设为tCL+tRCD+2个时钟周期。例如如果tCL和tRCD分别为2和3个时钟周期，则最佳的tRAS值为7。但如果产生内存错误或系统不稳定，就必须提高tRAS值了。

事实上tRAS是极具争议的一个数值。很多人认为00，05或者10是最快最稳定的。但这也未必对每个用户都适用，它根据内存有所不同。通常设为10后内存能达到最好的超频能力。

影响：轻微影响带宽和稳定性

建议设置：00，5-10。

RowPrecharge Timing（tRP）

Settings = Auto，0，1，2，3，4，5，6，7

这个是说明内存参数时排到第三位的数值，例如3-4-4-8@275mhz，表示tRP为4。

tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作。因此，在稳定的前提下建议tRP设为2，万一不够稳定就必须增加到3或4。

影响：主要影响带宽和稳定性

简直设置：2-4。2为最佳性能，4-5能达到内存的极限频率。

RowCycle Time（tRC）

Settings = Auto，7-22，步进为1。

这个参数用来控制内存的行周期时间。tRC决定了完成一个完整的循环所需的最小周期数，也就是从行激活到行充电的时间。根据方程，tRC=tRAS+tRP。因此，在设定tRC之前，必须参考一下tRAS和rRP的数值。如果行周期时间过长，会延迟完成一个周期后激活新的行地址的时间。然而，太短会导致被激活的行还未充分充电就开始下一个初始化，这样会造成数据丢失或覆盖。一般情况下根据tRC= tRAS + tRP 把tRC设为一个较低的值，例如tRAS 为7个时钟周期，tRP为4个时钟周期，则理想的tRC值为11。

影响：主要影响稳定性和内存带宽

建议设置：7为最佳性能，15-17为超频建议参数，可以从16开始逐步调低直到稳定。记住公式tRC = tRAS +tRP 。

RowRefresh Cycle Time（tRFC）

Settings = Auto，9-24 ，步进为1。

这个设定代表在同一bank中刷新一个单独的行所需的时间。同时还是同一bank中两次刷新指令的间隔时间。tRFC应该比tRC高。

影响：主要影响内存带宽和稳定性。

建议设置：通常不能达到9，而10为最佳设置。17-19是内存超频建议值。可以从17开始逐步往下调节。大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期。

Rowto Row Delay（也称为RAS to RAS delay）（tRRD）

Settings = Auto，0-4，步进1

此参数表示连续的激活指令到内存行地址的最小间隔时间，也就是预充电时间。延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。对于桌面电脑，建议使用2个时钟周期的延迟，此时的数据膨胀可以忽视。tRRD设为2可以提高DDR内存的读写性能，当2才稳定时才应该设为3。影响：轻微影响内存带宽和稳定性

建议设置：00是最佳性能参数，4超频内存时能达到最高的频率。通常2是最合适的值，00看上去很奇怪，但有人也能稳定运行在00-260MHz。