材料科学基础模拟试卷4

模拟试卷4

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一、名词解释(每小题3分，共15分)

1、类质同晶与同质多晶

2、非自发成核

3、二次再结晶

4、泥团可塑性

5、稳态扩散

二、填空（每小题2分，共30分）

1、等径球体最紧密堆积的两种方式分别是___________和_______。

2、除完全不润湿外，液固相变中的非均匀成核比均匀成核 。

3、化学键的特性是决定物质结构的主要因素，一般地说，具有 键和 键的离子才能生成玻璃。

4、对于固相反应，当物质扩散的速度远大于相界面上的化学反应速度，称之为 范围。

5、物质烧结的起始温度比其熔点温度＿＿。

6、硅酸盐熔体中，随碱金属氧化物含量增加熔体的粘度_______。

7、 的产生及其缺陷的浓度与气氛的性质及气压的大小有密切的关系。

8、K(AlSi

3O

8

)属 状结构。

9、扩散的真正推动力为＿＿。

12.扩散系数与温度的关系为D＝ 。

13.烧结中的二次再结晶会导致烧结体的致密程度 。

14.菲克第一定律的数学式为 。

15.石英熔体中引入碱金属氧化物后，O/Si值会 。

三、判断题（每小题1分，共10分）

1.空间格子是由实在的具体质点所构成。

2.固溶体是以原子尺度混合成为单相均匀晶态物质。

3.离子晶体通过形成表面双电层结构来降低表面能。

4.除H＋以外，粘土对不同价阳离子的稳定性为M+＜M2+＜M3+.

5.温度升高，大多数硅酸盐熔体的表面张力降低。

6.由固溶体引入的杂质离子缺陷引起的扩散为本征扩散。

7.液相烧结的主要传质方式有：蒸发－凝聚传质、流动传质合溶解－沉淀传质。

8. 二次再结晶对所有烧结都是有害的，所以我们要尽量克服。

9. r

k 为晶核的临界半径，当r

k

时，随r的增加，ΔG<0。

10.体系由一相变为另一相时，如两相的化学势相等但化学势的一级偏微商（一级导数）不相等的称为二级相变。

四、选择题（每小题2分，共10分）

1、若有n个等大球体作最紧密堆积时，就必定有 个八面体空隙和 个四面体空隙。

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A、n n

B、n 2n

C、 2n n

2、硅酸盐熔体随温度升高，酸盐熔体的粘度会 。

A、增加

B、降低

C、不变

3、当相变焓△H＞0时，相变自发进行的条件是T T

0 A、大于 B、小于 C、等于

4、有AX，BX，AY三种离子化合物，离子半径分别为r

X ＝0.181nm，r

Y

＝0.13nm，r

A

＝0.084nm，r

B

＝0.168nm，这三

个化合物正离子配位数大小顺序的排列是

A. BX>AX>AY

B. AX>AY>BX

C. BX>AY>AX

D. AY>BX>AX

5、多种聚合程度不等的负离子团同时并存而不是一种独存，是硅酸盐熔体结构远程无序的实质。当熔体的组成不

变时，熔体中各级聚合体的数量与温度的关系是：温度升高

A. 高聚体的数量多于低聚体的数量

B. 高聚体的数量少于低聚体的数量

C. 高聚体的数量增加

D. 高聚体的数量减少

6、在润湿角大于90 0时，固体表面 。

A. 越光滑越有利于润湿

B. 越粗糙越有利于润湿

C. 粗糙度不影响润湿性

D. 吸附膜存在有利于润湿

7．若有一个变价金属氧化物MO，在还原性气氛下形成缺氧型非化学计量化合物，金属正离子M和氧离子数之比为M:O=1.1∶1，则：其化学式为：

A.M

1.1O B. MO

0.89

C.MO

1.1

D. MO

0.91

8．钙钛矿(CaTiO3)结构中，正、负离子配位数Ca∶Ti∶O=12∶6∶6，其中与每个O2－配位的正离子为： 。

A. 4个Ti4+，2个Ca2+

B. 4个Ca2+, 2个Ti4+

C. 3个Ca2+, 3个Ti4+

D. 6个Ca2+

9．气体通过玻璃的渗透率随玻璃中以下物质含量的增加而增加

A. 网络形成离子

B. 网络中间离子

C. 网络改变离子

D. 杂质离子

10、粘土粒子破键引起的荷电与溶液介质的PH值有关，高岭石在酸性介质中，边面带 价电荷。

A、 －2

B、0

C、＋1

五、写出下列缺陷反应式：(每小题2.5分，共5分)

1.TiO

2掺入到Al

2

O

3

中形成空位型固溶体；

2.KCl溶入CaCl

2

中形成间隙型固溶体

六、(计算题，共5分)氧化铝瓷件表面上涂银后，已知1000℃时,γ

AL2O3(S)＝1Jm-2，γ

Ag(L)

＝0.92Jm-2，γ

AL2O3(S)/Ag(L)

＝

1.77Jm-2，计算润湿角有多大？液态银能否润湿氧化铝瓷件表面？

七、A-B-C三元相图如图所示（图在答题纸上），请回答下列问题：（共25分）

1.判断化合物D的性质；

2.判断界线性质并在图中标出界线上温度下降方向（转熔界线用双箭头表示）；

3.正确划分副三角形；

4.写出三元无变量点P和E点的平衡关系；

5.写出M熔体的冷却过程(并要在图中画出路线）；

6.计算M熔体刚到析晶结束点时各物质的百分比例（用线段比表示）

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