单结晶体管及张弛振荡实验
实验二单结晶体管触发电路实验优秀课件
(2) GTR
开通驱动电流应使GTR处于准饱 和导通状态，使之不进入放大区 ib 和深饱和区。
关断GTR时，施加一定的负基极
O
电流有利于减小关断时间和关断
t
损耗。
关断后同样应在基射极之间施加 一定幅值（6V左右）的负偏压。
图1-30 理想的GTR基极 驱动电流波形
1.6.3 典型全控型器件的驱动电路
所需发射极电压。
电压、电流。
单结晶体管的特点
（1） UE < UP时单结管截止；
B2
UE > UP时单结管导通，
UE < UV时恢复截止。
E
（2）单结晶体管的峰点电压UP与
B1
外加固定电压UBB及分压比
有关，外加电压UBB或分压比不同，则峰点电
压UP不同。
（3） 不同单结晶体管的谷点电压UV和谷点电流IV
1.6.1 电力电子器件驱动电路概述
分类
按照驱动信号的性质分，可分为电流驱动型和电压驱 动型。 驱动电路具体形式可为分立元件的，但目前的趋势是 采用专用集成驱动电路。
双列直插式集成电路及将光耦隔离电路也集成在内 的混合集成电路。 为达到参数最佳配合，首选所用器件生产厂家专门 开发的集成驱动电路。
1.6.2 晶闸管的触发电路
uL
六、思考题
➢ (1)单结晶体管触发电路的振荡频率与电路 中C1的数值有什么关系?
3.4项目三 制作电子电路 任务四 单结晶体管调光电路
项目四、制作电子电路实训4 单结晶体管调光电路一、实训目的1.进一步熟悉单结晶体管触发电路的工作原理2.掌握单结晶体管触发电路的安装工艺及方法3.掌握单结晶体管触发电路的故障检修技能二、实训器材序号代号名称型号数量1 V1～V4 二极管1N4007 42 V5 晶闸管BT151 13 V6 单结晶体管BT33 14 R1 电阻51k 15 R2 电阻300Ω 16 R3 电阻100Ω 17 R4 电阻18k 18 RP 带开关电位器470k 19 C 电容0.1μF、160V110 EL 灯泡220V、25W 1三、实验内容1、电气原理图图3—3 单结晶体管调光电路2、电路原理分析见图3—3，V6、R2、R3、R4、RP、C组成单结晶体管的张弛振荡器。
在接通电源前，电容C上电压为零；接通电源后，电容经由R4、RP充电使电压Ue逐渐升高。
当Ue到峰点电压时，V6的e～bl间变成导通，电容上电压经e～b1向电阻R3放电，在R3上输出一个脉冲电压。
由于R4、RP的电阻值较大，当电容上的电压降到谷点电压时，经由R4、RP供给的电流小于谷点电流，不能满足导通要求，于是单结晶体管恢复阻断状态。
此后，电容又重新充电，重复上述过程，结果在电容上形成锯齿状电压，在R3上形成脉冲电压。
在交流电压的每个半周期内，单结晶体管都将输出一组脉冲，起作用的第一个脉冲去触发V5的控制极，使晶闸管导通，灯泡发光。
改变RP的电阻值，可以改变电容充电的快慢，即改变锯齿波的振荡频率。
从而改变晶闸管V5的导通角大小，即改变了可控整流电路的直流平均输出电压，达到调节灯泡亮度的目的。
3、安装工艺步骤(1)根据元件明细表配齐元器件并检查元器件。
(2)清除空心铆钉板上及元件引脚上的氧化层，并上锡。
(3)平面布置，考虑好连线的方向，避免交叉。
(4)焊接并连线。
(5)检查有否漏焊，虚焊，错焊等。
(6)无误后通知指导老师并通电测试。
(7)完成实验，实训报告。
单结晶触发电路实训报告
一、实训目的1. 理解单结晶体管的工作原理及其在触发电路中的应用。
2. 掌握单结晶体管触发电路的设计与搭建方法。
3. 学习使用示波器等测试仪器对触发电路进行调试与测试。
4. 分析触发电路的输出波形，验证电路设计的正确性。
二、实训内容1. 单结晶体管的基本特性2. 单结晶体管触发电路原理3. 单结晶体管触发电路的搭建4. 触发电路的调试与测试5. 触发电路输出波形的分析三、实训原理1. 单结晶体管的基本特性单结晶体管（Unijunction Transistor，UJT）是一种具有负阻特性的半导体器件，其内部结构如图1所示。
UJT具有两个基极和一个发射极，当给UJT施加正向电压时，UJT导通；当施加反向电压时，UJT截止。
2. 单结晶体管触发电路原理单结晶体管触发电路主要用于晶闸管（Thyristor，简称晶闸）等电力电子器件的触发控制。
图2所示为单结晶体管触发电路的基本原理图。
该电路主要由UJT、晶闸管、电阻、电容和触发信号源组成。
当触发信号源输出一个正脉冲信号时，UJT的发射极电压升高，UJT导通。
此时，UJT的负阻特性使得发射极电压下降，导致晶闸管的阳极与阴极之间的电压下降，当电压低于晶闸管的触发电压时，晶闸管导通。
3. 单结晶体管触发电路的搭建根据实训原理，搭建单结晶体管触发电路。
具体步骤如下：（1）准备所需元件：UJT、晶闸管、电阻、电容、触发信号源、示波器等。
（2）按照图2所示连接电路。
（3）检查电路连接是否正确，确保电路安全可靠。
4. 触发电路的调试与测试（1）使用示波器观察UJT的发射极电压波形，确保UJT能够正常导通。
（2）调整电阻和电容的参数，观察晶闸管的触发波形，确保晶闸管能够正常导通。
（3）测试触发电路的输出波形，观察晶闸管的触发效果。
5. 触发电路输出波形的分析通过示波器观察触发电路的输出波形，分析以下内容：（1）UJT的发射极电压波形，验证UJT的导通与截止特性。
（2）晶闸管的触发波形，验证晶闸管的触发效果。
实验一 单结晶体管触发电路和单相半波整流电路实验.
实验一单结晶体管触发电路和单相半波整流电路实验1.实验目的 (1熟悉单结晶体管触发电路的工作原理及电路中各元件的作用,掌握单结晶体管触发电路的调试步骤和方法。
(2掌握单相半波可控整流电路在电阻负载时的工作。
2.实验线路及实验原理 (1单结晶体管触发电路单结晶体管触发电路的工作原理为:利用单结晶体管(又称双基极二极管的负阻特性和RC 的充放电特性,可组成频率可调的自激振荡电路,如图1所示。
图中VT3为单结晶体管,其常用的型号有BT33和BT35两种,由等效电阻和C 组成RC 充电回路,由C -VT 3-脉冲变压器组成电容放电回路,调节RP 即可改变C 充电回路中的等效电阻。
U V图 1 单结晶体管触发电路原理图(2单相半波可控整流电路图2所示为单相半波可控整流电路接线图。
图2中的负载R 用挂件NMEL-03/4的可调电阻,电阻值为450Ω。
直流电压表及直流电流表从挂件NMEL-06/1上得到。
图2中的晶闸管VT1选用NMCL-050上的VT2。
单结晶体管触发电路的输出端“G ”和“K ”接到晶闸管的门极和阴极(此部分线缆为挂件内部已连接好的,不用自行接线。
图 2 单相半波可控整流电路原理图3.实验设备实验台主控制屏、NMCL31A 低压控制电路及仪表、NMCL-050晶闸管触发电路、MEL-03/4三相可调电阻、NMEL06/1直流电压/电流表、双踪示波器、万用表。
4.实验内容(1控制电路调试:单结晶体管触发电路的调试和波形观测点的波形记录设备给电:①将实验台左侧面上的三相调压器向内调到底,此时实验台三相电压输出为0。
同时将NMCL31A 中,低压电源的拨码开关拨到ON 位置。
②将电源控制屏的主电源开关闭合,即按下主控制屏绿色开关按钮,此时主控制屏U 、V 、W 端有电压输出,大小通过三相调压器调节。
本实验中,调节U uv=200V 。
③按下主控制屏红色开关按钮,主控制屏U 、V 、W 端没有电压输出。
实验一单结晶体管触发电路实验（1）
1实验一 单结晶体管触发电路实验一、实验目的(1)(1)熟悉单结晶体管触发电路的工作原理及电路中各元件的作用。
熟悉单结晶体管触发电路的工作原理及电路中各元件的作用。
熟悉单结晶体管触发电路的工作原理及电路中各元件的作用。
(2)(2)掌握单结晶体管触发电路的调试步骤和方法。
掌握单结晶体管触发电路的调试步骤和方法。
掌握单结晶体管触发电路的调试步骤和方法。
二、实验所需挂件及附件1. DJK01 电源控制屏电源控制屏电源控制屏2. DJK03-1 晶闸管触发电路晶闸管触发电路晶闸管触发电路3. 双踪示波器双踪示波器三、实验原理图1-1 单结晶体管触发电路单结晶体管触发电路利用单结晶体管利用单结晶体管((又称双基极二极管又称双基极二极管))的负阻特性和RC 的充放电特性，可组成频率可调的自激振荡电路，如图1-1所示。
所示。
图中V6为单结晶体管，由等效电阻V5和C1组成组成RC 充电回路，由C1C1，，V6和脉冲变压器组成电容放电回路，和脉冲变压器组成电容放电回路，调节调节RP1即可改变C1充电回路中的等效电阻。
阻。
工作原理简述如下：工作原理简述如下：由同步变压器副边输出由同步变压器副边输出60V 60V 60V的交流同步电压，的交流同步电压，经VD1VD1半波整流，半波整流，再由稳压管再由稳压管V1V1V1、、V2V2进行削波，进行削波，进行削波，从而得到梯形波电压，从而得到梯形波电压，从而得到梯形波电压，其过零点与电源电压的过零点同步，其过零点与电源电压的过零点同步，其过零点与电源电压的过零点同步，梯形波梯形波通过通过R7R7R7及等效可变电阻及等效可变电阻及等效可变电阻V5V5V5向电容向电容向电容C1C1C1充电，充电，当充电电压达到单结晶体管的峰值电压U P 时，单结晶体管时，单结晶体管V6V6V6导通，电容通过脉冲变压器原边放电，脉冲变压器副边输出导通，电容通过脉冲变压器原边放电，脉冲变压器副边输出脉冲。
单结晶体管
什么是 UJT单结晶体管单结晶体管又叫双基极二极管，是由一个PN结和三个电极构成的半导体器件。
在一块N型硅片两端，制作两个电极，分别叫做第一基极B1和第二基极B2；硅片的另一侧靠近B2处制作了一个PN结，相当于一只二极管，在P区引出的电极叫发射极E。
为了分析方便，可以把B1、B2之间的N型区域等效为一个纯电阻RBB，称为基区电阻，并可看作是两个电阻RB2、RB1的串联。
值得注意的是RB1的阻值会随发射极电流IE的变化而改变，具有可变电阻的特性。
如果在两个基极B2、B1之间加上一个直流电压UBB，则A 点的电压UA为：若发射极电压UE<UA，二极管VD截止；当UE大于单结晶体管的峰点电压UP(UP=UD ＋UA)时，二极管VD导通，发射极电流IE注入RB1，使RB1的阻值急剧变小，E点电位UE随之下降，出现了IE增大UE反而降低的现象，称为负阻效应。
发射极电流IE继续增加，发射极电压UE不断下降，当UE下降到谷点电压UV以下时，单结晶体管就进入截止状态。
为了说明它的工作原理，我们单独画出单结晶体管张弛振荡器的电路(图1)。
它是由单结晶体管和RC充放电电路组成的。
合上电源开关S后，电源UBB经电位器RP向电容器C充电，电容器上的电压UC按指数规律上升。
当UC上升到单结晶体管的峰点电压UP时，单结晶体管突然导通，基区电阻RB1急剧减小，电容器C通过PN结向电阻R1迅速放电，使R1两端电压Ug发生一个正跳变，形成陡峭的脉冲前沿〔图8(b)〕。
随着电容器C的放电，UE按指数规律下降，直到低于谷点电压UV时单结晶体管截止。
这样，在R1两端输出的是尖顶触发脉冲。
此时，电源UBB又开始给电容器C充电，进入第二个充放电过程。
这样周而复始，电路中进行着周期性的振荡。
调节RP可以改变振荡周期。
为了实现整流电路输出电压“可控”，必须使晶闸管承受正向电压的每半个周期内，触发电路发出第一个触发脉冲的时刻都相同，这种相互配合的工作方式，称为触发脉冲与电源同步。
单节晶体管的应用
单节晶体管的应用UJT是一种三端子半导体器件，具有负电阻和开关特性，可用作相位控制应用中的张弛振荡器单结晶体管或者UJT，是另一种固态三端器件，可用于门脉冲，定时电路和触发发生器应用，以切换和控制晶闸管和三端双向可控硅开关，用于交流电源控制型应用。
与二极管类似，单结晶体管由单独的P型和N型半导体材料构成，在器件的主导电N型沟道内形成单个（因此称为Uni-Junction）PN 结。
/ p>虽然Unijunction Transistor 具有晶体管的名称，但其开关特性与传统的双极或场效应晶体管的开关特性非常不同，因为它不能用于放大信号而是用作ON-OFF开关晶体管。
UJT具有单向导电性和负阻抗特性，在击穿过程中更像是可变分压器。
与N沟道FET类似，UJT由单个实心N型半导体材料组成，形成主电流通道，其两个外部连接标记为 Base 2 （ B 2 ）和 Base 1 （ B <子> 1 ）。
第三个连接，容易被标记为 Emitter （ E ）位于通道上。
发射极端子由从P型发射极指向N型基极的箭头表示。
通过将P型材料熔合到N中，形成单结晶体管的发射极整流pn 结。
型硅通道。
然而，也可以使用带有N型发射极端子的P沟道UJT，但这些都很少使用。
发射极结沿着通道定位，因此它更靠近终端 B 2 比 B 1 。
在UJT 符号中使用箭头，其指向基部，指示发射器端子是正的并且硅棒是负材料。
下面显示了UJT的符号，结构和等效电路。
Unijunction晶体管符号和结构请注意，单结晶体管的符号与结型场效应晶体管或JFET的符号非常相似，只是它有一个代表发射极（E ）输入的弯曲箭头。
虽然它们的欧姆通道相似，但JFET和UJT的运行方式却截然不同，不应混淆。
那么它是如何工作的呢？从上面的等效电路可以看出，N型通道基本上由两个电阻器组成 R B2 和 R B1 与等效（理想）二极管串联，D 表示连接到其中心点的pn结。
[精品]LC与晶体振荡器实验报告
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[精品]LC与晶体振荡器实验报告1. 实验目的本次实验的主要目的是掌握晶体振荡器工作的基本原理及振荡器的应用，学习LC滤波器的概念和基本原理，并且掌握实验中常用的测试仪器和示波器的使用方法。
2. 实验原理2.1 晶体振荡器原理晶体振荡器的主要作用是产生稳定的高频信号。
其基本原理是利用晶体的特殊结构和性质，在电场的作用下引起晶体的机械振动，使晶体在某一频率上产生谐振。
当晶体处于谐振状态时，振荡回路中的谐振电路产生的电压将驱动振荡器的输出电路产生稳定高频信号。
2.2 LC滤波器原理LC滤波器是由电容器和电感器组成的，可以对电路中的电信号进行滤波和衰减。
一般分为高通滤波器和低通滤波器两种。
当在电路中串联一个电感表征的元件和一个电容表征的元件时，可以得到LC电路。
在LC电路中，当电容和电感阻抗相等时，电路处于共振状态。
在这种状态下，电路产生的衰减最小，是一个理想的振荡器。
3. 实验设备和器件本次实验所使用的设备和器件如下：2. 电脑3. 示波器4. 稳压电源6. 电阻、电容、电感4. 实验步骤1. 将晶体振荡器模块插入LC滤波器板上的插槽，将示波器连接在输出端口。
2. 将稳压电源的电源线插入电源插孔，并将稳压电源的输出端口插入晶体振荡器模块的电源端口。
3. 打开稳压电源，调节电压输出值以满足晶体振荡器的工作电压需求，并使用示波器检测晶体振荡器产生的高频信号。
2. 连接电源，切换到低通滤波器模式。
调节电源输出电压以适应电路中元件的电压需求。
3. 调整电阻的值以改变电路中的电阻值。
使用示波器检测电路中产生的信号。
4. 在低通模式下，串联一个电容电路，使用示波器检测电路中产生的信号。
5. 实验结果与分析通过实验，我们得到了晶体振荡器的输出示波图。
可以看出，晶体振荡器生成的信号频率稳定，波形清晰明显。
通过实验，我们得到了电路中低通滤波器和高通滤波器的效果图。
我们可以看到电路中的信号被过滤和衰减，得到了不同的输出效果。
晶体振荡实验报告
晶体振荡实验报告刘润杰03电A 2003131108 摘要:由于学习了课本里的振荡电路,老师要求我们每个学生做一个振荡器,要求是RC或晶体振荡.考虑到种种因素,我决定做晶体振荡器.关键词：晶体振荡正弦波一、方案选择:对比LC振荡器，我们可知影响LC振荡电路振荡频率无的因素主要是LC 并联谐振回路的Q值，可以证明，Q值愈大，频率稳定度愈高。
由电路理论知道，。
为了提高Q值，应尽量减小回路的损耗电阻R并加大L/C值。
但一般的LC振荡电路，其Q值只可达数百，在要求频率稳定度高的场合，往往采用石英晶体振荡电路。
1、并联型晶体振荡电路2、串联型晶体振荡电路。
1）当石英晶体发生串联谐振时，它呈纯阻性，相移是0。
若把石英晶体作为放大电路的反馈网络，并起选频作用，只要放大电路的相移也是0，则满足相位条件，形成图9.19所示的串联型石英晶体正弦波振荡电路。
2）当频率在f s与f p之间，石英晶体呈感性，可将它与两个C构成电容三点式正弦波振荡电路，形成并联型石英晶体正弦波振荡电路如图9.20所示。
实践证明，两者虽然都可行，但串联型晶体振荡较为容易做。
故初步打算用这种方案，其典型电路图如下：此图的起振频率，和晶振的一致，其计算公式就是式中，L的值就是L2的值。
C的值是C5，C6，C7三个电容的等效值。
C5是可调电容，其作用是对电路的频率起微调作用，提高系统稳定性。
R3是偏置电阻，使三极管工作在放在状态。
C7是用来消除寄生振荡干扰的。
二、制作过过程在实际制作的时候，我用万能板搭了一块电路，实际买到的元器件中，9018的放大值有132。
而电感L2的Q值，才45，有点偏低，实验室的老师说应该还是可以的，所以，就没打算自己绕。
搭好所有的电路后，就是不出现所有的波形。
一些杂波干扰非常严重。
几乎不像是正弦波。
只是在杂波中隐隐约约能看到一些类似正弦波的波形，但不是只有一条，有好几条。
所以认为是杂波干扰。
检查了N次电路，发现，电路并没有搭错。
单结晶体管触发电路(解析)教学文案
单结晶体管触发电路浏览2695发布时间2009-03-20单结晶体管触发电路之一图1（a）是由单结晶体管组成的张弛振荡电路。
可从电阻R1上取出脉冲电压ug。
(a) 张弛振荡电路(b) 电压波形图1 单结晶体管张弛振荡电路假设在接通电源之前，图1(a)中电容C上的电压uc为零。
接通电源U后，它就经R向电容器充电，使其端电压按指数曲线升高。
电容器上的电压就加在单结晶体管的发射极E和第一基极B1之间。
当uc等于单结晶体管的峰点电压UP时，单结晶体管导通，电阻RB1急剧减小（约20Ω），电容器向R1放电。
由于电阻R1取得较小，放电很快，放电电流在R1上形成一个脉冲电压ug，如图1(b)所示。
由于电阻R取得较大，当电容电压下降到单结晶体管的谷点电压时，电源经过电阻R供给的电流小于单结晶体管的谷点电流，于是单结晶体管截止。
电源再次经R向电容C充电，重复上述过程。
于是在电阻R1上就得到一个脉冲电压ug。
但由于图1（a）的电路起不到如后述的“同步”作用，不能用来触发晶闸管。
单结晶体管触发电路之二单结晶体管触发电路如图2所示，带有放大器。
晶体管T1和T2组成直接耦合直流放大电路。
T1是NPN型管，T2是PNP型管。
UI是触发电路的输入电压，由各种信号叠加在一起而得。
UI经T1放大后加到T2。
当UI增大时，IC1就增大，而使T1的集电极电位UC1，即T2的基极电位UB2降低，T2更为导通，IC2增大，这相当于晶体管T2的电阻变小。
同理，UI减小时，T2的电阻变大。
因此，T2相当于一个可变电阻，随着UI的变化来改变它的阻值，对输出脉冲起移相作用，达到调压的目的。
输出脉冲可以直接从电阻R1上引出，也可以通过脉冲变压器输出。
图2 单结晶体管触发电路因为晶闸管控制极与阴极间允许的反向电压很小，为了防止反向击穿，在脉冲变压器副边串联二极管D1，可将反向电压隔开，而并联D2，可将反向电压短路。
单结晶体管触发电路之三——单相半控桥式整流电路图3 由单结晶体管触发的单相半控桥式整流电路改变电位器R P的数值可以调节输出脉冲电压的频率。
7 张弛振荡器解析
b2
发射极
e
图1
b1
第一基极
图2虚线框内是单结管的等效电路，其中Rb1、Rb2分 别为发射极e至两个基极b1、 b2之间的等效电阻。
b2 Rb2 R U1 Ue D
Ue
Up
Ubb
P
特性曲线
B
Rb1 b1
Ub1
Uv
0
V
Ie
图2 单结管的等效电路
截止区
负阻区
饱和区
在正置电压 Ubb作用下Rb1两端的电压为:
4、单相半波可控硅整流电路
0 2
0
2
0
2
图5
0
2
实验原理
1、0—：可控硅SCR虽承受正向电压，但触发脉 冲电压ug为零，所以SCR处于正向阻断状态。 2、—：SCR仍承受正向电压，且在t=时刻 出现触发脉冲电压ug,使SCR触发导通，导通后
0 0
2
2
SCR两端压降很小，这时触发脉冲虽然消去了
3.分析说明图6电路中主回路与控制回路的同步原理。
4.回答思考题: 单结管张弛振荡器的频率主要是由什么决定的？
3、可控硅整流元件 可控硅的图形符号及特性均线如图4所示。
图4
工作原理
1.正向性能: 当阳极a加正电压，阴极c加负电压 （称为正向）时，若控制极g不加控制电压，管 子处于截止状态，仅有很小的漏电流IF，称为 正向阻断状态，见特性曲线的OA段。 2.反向性能: 当阳极加负电压，阴极加正电压时， 其特性和二极管反向特性相似，称为反向阻断 状态，见特性曲线的OD段。 3.当元件处于正向阻断状态时，若所加阳极电压 上升太快（虽未超过正向转折电压），也会使 元件由正向阻断状态变为导通状态，这在实际 工作中是应该避免的。
【电子电路的安装、调试与维修8】晶闸管触发电路的安装与调试
《电子电路的安装调试与维修》
授课人
XXX
电工电子
晶闸管触发电路的 安装与调试
《电子电路的安装调试与维修》
授课人
XXX
晶闸管触发电路的安装与调试
1. 掌握晶闸管触发电路 的电路原理。 2. 能熟练完成闸管触发 电路的安装与调试操作。
目录 Contents
1 电路原理与分析 2 晶闸管直流调光电路
的安装与调试
01
电路原理与分析
电路原理与分析
电路原理与分析
试
晶闸管直流调光电路的安装与调试
二、晶闸管直流调光电路的安装与调试
基本操作步骤描述：配齐元器件→插装元器件→焊接元 器件→清扫现场。
（1）先准备好常用的无线电常用工具，根据晶闸管调光 电路电原理图整理出相应的明细表，准备好相应的元器件， 并检测元器件，判别二极管及晶闸管的管脚电极。
一、电路原理与分析
V5、R2、R3、R4、RP、C组成单结晶体管的张弛振荡器。 在接通电源前，电容C上电压为零；接通电源后，电容经由 R4、RP充电使电压Ue逐渐升高。当Ue达到峰点电压时，单 结管e-b1间变成导通，电容上电压经e-b1向电阻R3放电，在 R3上输出一个脉冲电压。由于R4、RP的电阻值较大，当电 容上的电压降到谷点电压时，经由R4、RP供给的电流小于谷 点电流，不能满足导通要求，于是单结晶体管恢复阻断状态。
晶闸管直流调光电路的安装与调试
（2）将元器件插装后再焊接固定，用硬铜导线根据电路的电气连 接关系进行布线并焊接固定，接线规范，布线美观，横平竖直，接线 牢固，无虚焊，焊点符合要求。
组装好的电路板及其焊接面：
组装好的电路板
晶闸管调光电路的焊接面
晶闸管直流调光电路的安装与调试
实验一 单结晶体管触发电路实验
实验一单结晶体管触发电路实验一、实验目的(1)熟悉单结晶体管触发电路的工作原理及电路中各元件的作用。
(2)掌握单结晶体管触发电路的调试步骤和方法。
二、实验所需挂件及附件DJK01电源控制屏、DJK03-1晶闸管触发电路、双踪示波器三、实验线路及其原理单结晶体管又称双基极二极管，利用单结晶体管的负阻特性和RC的充放电特性，可组成频率可调的自激振荡电路，如图1所示。
图1 单结晶体管触发电路原理图图中V6为单结晶体管，其常用的型号有BT33和BT55两种，由等效电阻V5和C1组成RC充电回路，由C1-V6-脉冲变压器组成电容放电回路，调节RP1即可改变C1充电回路中的等效电阻。
单结晶体管触发电路的工作原理为：由同步变压器副边输出60V的交流同步电压，经VD1半波整流，再由稳压管V1、V2进行削波，从而得到梯形波电压，其过零点与电源电压的过零点同步，梯形波通过R7及等效可变电阻V5向电容C1充电，当充电电压达到单结晶体管的峰值电压UP时，单结晶体管V6导通，电容通过脉冲变压器原边放电，脉冲变压器副边输出脉冲。
同时由于放电时间常数很小，C1两端的电压很快下降到单结晶体管的谷点电压UV，使V6关断，C1再次充电，周而复始，在电容C1两端呈现锯齿波形，在脉冲变压器副边输出尖脉冲。
在一个梯形波周期内，V6可能导通、关断多次，但只有输出的第一个触发脉冲对晶闸管的触发时刻起作用。
充电时间常数由电容C1和等效电阻等决定，调节RP1改变C1的充电的时间，控制第一个尖脉冲的出现时刻，实现脉冲的移相控制。
四、实验内容(1)单结晶体管触发电路的调试。
(2)单结晶体管触发电路各点电压波形的观察五、预习要求阅读本实验讲义及电力电子技术教材中有关内容，弄清楚单结晶体管触发电路的工作原理。
六、思考题(1)单结晶体管触发电路的振荡频率与电路中C1的数值有什么关系？(2)单结晶体管触发电路的移相范围能够达到180 ?七、实验方法(1)单结晶体管触发电路的观测将DJK01电源控制屏的电源选择开关打到“直流调速”侧，使输出线电压为200V(不能打到“交流调速”侧工作)，用两根导线将200V交流电压接到DJK03-1的“外接220V”端，按下“启动”按钮，打开DJK03-1电源开关，这时挂件中所有的触发电路都开始工作，用双踪示波器观察单结晶体管触发电路，经半波整流后“1”点波形，经稳压管削波得到“2”点的波形，调节移相电位器RP1，观察“4”点锯齿波的周期变化及“5”点的触发脉冲波形；最后观测输出的“G、K”触发电压波形，其能否在30~170。
单结晶体管触发电路实验报告
竭诚为您提供优质文档/双击可除单结晶体管触发电路实验报告篇一：单结晶体管触发电路(解析)单结晶体管触发电路浏览2695发布时间20XX-03-20单结晶体管触发电路之一图1（a）是由单结晶体管组成的张弛振荡电路。
可从电阻R1上取出脉冲电压ug。
(a)张弛振荡电路(b)电压波形图1单结晶体管张弛振荡电路假设在接通电源之前，图1(a)中电容c上的电压uc为零。
接通电源u后，它就经R 向电容器充电，使其端电压按指数曲线升高。
电容器上的电压就加在单结晶体管的发射极e和第一基极b1之间。
当uc 等于单结晶体管的峰点电压up时，单结晶体管导通，电阻Rb1急剧减小（约20Ω），电容器向R1放电。
由于电阻R1取得较小，放电很快，放电电流在R1上形成一个脉冲电压ug，如图1(b)所示。
由于电阻R取得较大，当电容电压下降到单结晶体管的谷点电压时，电源经过电阻R供给的电流小于单结晶体管的谷点电流，于是单结晶体管截止。
电源再次经R向电容c充电，重复上述过程。
于是在电阻R1上就得到一个脉冲电压ug。
但由于图1（a）的电路起不到如后述的“同步”作用，不能用来触发晶闸管。
单结晶体管触发电路之二单结晶体管触发电路如图2所示，带有放大器。
晶体管T1和T2组成直接耦合直流放大电路。
T1是npn型管，T2是pnp型管。
uI是触发电路的输入电压，由各种信号叠加在一起而得。
uI经T1放大后加到T2。
当uI增大时，Ic1就增大，而使T1的集电极电位uc1，即T2的基极电位ub2降低，T2更为导通，Ic2增大，这相当于晶体管T2的电阻变小。
同理，uI减小时，T2的电阻变大。
因此，T2相当于一个可变电阻，随着uI的变化来改变它的阻值，对输出脉冲起移相作用，达到调压的目的。
输出脉冲可以直接从电阻R1上引出，也可以通过脉冲变压器输出。
图2单结晶体管触发电路因为晶闸管控制极与阴极间允许的反向电压很小，为了防止反向击穿，在脉冲变压器副边串联二极管D1，可将反向电压隔开，而并联D2，可将反向电压短路。
单结晶体管触发电路实验原理
单结晶体管触发电路实验原理单结晶体管触发电路实验原理单结晶体管触发电路是一种常用的电路，在实际电路中得到广泛应用，主要用于实现时间延迟、脉冲放大、钟形波形产生等功能。
单结晶体管触发电路由一个单结晶体管和少量的外部元件组成，其中单结晶体管作为开关管，在电路中起到触发的作用。
实验目的：1. 掌握单结晶体管的基本性质及其工作原理。
2. 了解单结晶体管触发电路的组成原理及其工作性能。
3. 学会使用示波器和万用表等仪器进行电气测量，掌握电路参数的测量方法。
实验器材：1. 单结晶体管（2N3904）一个2. 电容器（10μF）一个3. 电感线圈（33mH）一个4. 变阻器（10kΩ）一个5. 电源（12V）一个6. 示波器一个7. 万用表一个实验原理：单结晶体管是一种半导体器件，它由一个PN结构组成，该结构具有正极性和负极性两个区域。
当单结晶体管处于正向偏置状态时，P区的空穴和N区的自由电子在PN结处相遇，发生复合现象，并释放出能量。
这些能量以光子的形式从PN结的两侧发射出来，形成光子流。
光子流引起PN结区域的电流急剧上升，使得单结晶体管处于导通状态。
当单结晶体管处于反向偏置状态时，P区的空穴和N区的自由电子被PN结的势垒隔离，不能通过PN结流过去，因此单结晶体管处于截止状态。
单结晶体管触发电路是基于单结晶体管的开关特性设计的电路。
它由单结晶体管、电容器、电感线圈、变阻器和电源组成。
当电源加上电路时，电容器开始充电，直到电压达到单结晶体管的开启电压为止，单结晶体管导通，电容器的电荷被释放，产生一个脉冲输出信号，同时电感线圈的磁场也会随之变化，这会产生一个反向的电压，使得单结晶体管再次处于截止状态。
实验步骤：1. 连接电路：将单结晶体管、电容器、电感线圈、变阻器和电源按照电路图相连接，注意极性。
2. 调节变阻器：使用万用表测量电路中各个元件的参数，并调节变阻器使得单结晶体管触发电路的电压到达开启电压。
3. 测量电路输出波形：将示波器的探头分别接在单结晶体管的发射极和集电极上观察输出波形，并使用示波器测量输出脉冲的频率。
单结晶体管张弛振荡器可控硅逆变电路
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力学振荡实验力学振荡实验力学振荡实验力学振荡实验
(5)
dt 2
dt
⇒
d2x dt 2
+
λ
ห้องสมุดไป่ตู้
dx dt
+
ω02 x
=
0
(6)
由(6)式可得到一符合現實狀況之振盪方程式
−λ t
x(t) = x0e 2 cos[(
ω02
−
λ2 4
)t
+φ
]
(7)
根據(7)式可歸納出以下三種不一樣的圖形：
(i) 若 ω02
− λ2 4
<0
時 ， 此 振 盪 稱 之 為 過 阻 尼 振 盪 (overdamping
力學振盪實驗
一、 目的： 利用 rotary motion sensor 來觀察簡諧振盪、阻尼振盪、強
迫振盪的運動狀態。
二、 原理： (一)簡諧振盪(simple harmonic oscillation)：
在一般的彈簧系統中，一個物體如離開平衡點時，根據虎克 定律其所受到的恢復力為
F = −kx
(1)
div/turn，在 power amplifier II 設定輸出電壓 2.0V 以下，頻率在 0.3~3Hz 中，並先選擇 off。
4. 測定自由振盪，對鋁板施一小力，繪出 x - t 圖，求 λ 、ω0 。 5. 測定阻尼振盪，在鋁板後加一強力磁鐵，對鋁板施一小力，繪出 x - t
圖，求 λ 、ω0 。 6. 測定強迫振盪，改變頻率大小，並把 off 改成 auto，對鋁板施一小
力，繪出 x - t 圖，求 ωR 、 Q 。 7. 測定強迫振盪，改變頻率大小，並把 off 改成 auto，在鋁板後加一
強力磁鐵，並對鋁板施一小力，繪出 x - t 圖，求 ωR 、 Q 。
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单节晶体管结构
单结晶体管e极向b1极发射的是空穴载流子，所以也叫发射极，这与晶体管e极向b极发射电子载流子正好相反。
Multisim中用到的单节晶体管2N6027的参数
如何设定变比
实验1单结晶体管构成的张弛振荡电路
工作原理：
2N6027的变比设定：η=R1/(R1+R2)
在电源和地之间接两个电阻，用于设定变比，中间位置接G。
控制发射极A和阴极K的电压，使得单结晶体管导通或截止。
上电后，V1通过R1，Re对电容C充电，当电容上的电压Uc>=η*Vcc+0.6 时，单结管导通。
发射极A 向阴极注入大量空穴载流子，使得阴极电阻骤然减小，形成低阻回路，电容通过AK结对R6放电，由于电容和电阻的值都非常小，所以电容C的放电时间非常短，这样就在R6上产生一个很窄的脉冲电压。
当电容电压下降到低于AK结的导通电压时，单结管截止，电容重新充电。
各个电阻的作用：
Re是使电路起振的最小电阻，阻值再小，当单结管导通后，如果流过它的电流>单结管的谷点电流，那管子就不会截止，电容无法充电，电路就不起振了。
R1是一个可变电阻，它用来调节C2的充电时间，由于放电周期很短，所以这个时间基本上就是振荡周期T了。
R5用来在管子导通期间获得一个脉冲电压，它可以用来调节脉冲宽度。
输出波形：红色为电容电压，绿色为脉冲电压，通过调节R1可以改变振荡周期T。