晶体管VDRM、IDRM、VRRM、IRRM参数测试仪操作规程
晶闸管的主要参数
晶闸管的主要参数一、额定电压（VDRM/VRRM）额定电压是指晶闸管能够承受的最大正向/反向电压。
在电力控制中，晶闸管通常用于控制交流电压，因此额定电压是一个重要的参数。
当晶闸管的电压超过额定电压时，可能会发生击穿现象，导致器件损坏。
二、额定电流（IDRM/IRRM）额定电流是指晶闸管能够承受的最大正向/反向电流。
晶闸管通常用于控制大电流，因此额定电流是一个关键参数。
当晶闸管的电流超过额定电流时，可能会导致器件过热甚至烧毁。
三、触发电流（IT）触发电流是指晶闸管正向电流达到一定数值时，晶闸管开始导通。
触发电流的大小决定了晶闸管的触发灵敏度和可靠性。
如果触发电流过高，会增加控制电路的复杂度和成本；如果触发电流过低，可能会导致误触发。
四、保持电流（IH）保持电流是指晶闸管在导通状态下需要供给的最小电流。
保持电流的大小决定了晶闸管的稳态工作能力。
过低的保持电流可能导致晶闸管无法稳定导通，而过高的保持电流会增加功耗和热损失。
五、封装类型晶闸管的封装类型决定了其外形和安装方式。
常见的封装类型有TO-220、TO-247等。
不同的封装类型适用于不同的应用场景，例如TO-220适用于小功率应用，而TO-247适用于大功率应用。
六、工作温度范围工作温度范围是指晶闸管能够正常工作的温度范围。
晶闸管在高温环境下工作时，可能会出现性能降低甚至失效的情况。
因此，工作温度范围是一个重要的参数。
七、开关速度开关速度是指晶闸管在从关断到导通或从导通到关断的切换速度。
开关速度的快慢影响着晶闸管的响应速度和效率。
较快的开关速度可以提高系统的响应速度，但也会增加开关损耗。
八、导通压降（VCE）导通压降是指晶闸管在导通状态下的正向电压降。
导通压降的大小直接影响着晶闸管的导通损耗和功率损耗。
较低的导通压降可以提高系统的效率。
九、关断电流（ICRM）关断电流是指晶闸管在关断状态下的漏电流。
关断电流的大小决定了晶闸管的关断能力和可靠性。
较小的关断电流可以减小系统的功耗。
多功能晶体管测试仪使用说明12864LCV2.011资料
多功能晶体管测试仪使用说明V2.01120150301 1、功能介绍1.1、晶体管测试仪可以完全自动识别及测量三极管、场效应管、IGBT、二极管、双二极管、电阻、双电阻、电容、电感等，可测电容ESR(非在线测量)等功能。
1.2、简易信号发生器(方波)：最高4MHz, 频率可调非连续输出，如4M、2M、1M、.... 100K ... 1KHz等。
单键调整输出稍麻烦一点，但可满足一般性使用。
输出信号电压：4.5V 串680欧电阻。
本功能状态下不自动关机，也不能手动关机，1.3、A频率计：0-3.8Mhz，输入信号电压2.5-5V.，分辨率1Hz。
可定制为7.6MHz高分辨率模式，0.1hz-130Khz 分辨率0.001hz, 100hz以下1-10秒，在测频状态下单击，屏幕上显示“Hi”，切换为高分辨率模式，超过130Khz自动切回正常模式。
已校准过B高精度频率计，16Hz-100Mhz.，输入信号电压2.5-5V，分辨率16Hz。
高分辨率模式，2hz-2.1Mhz 分辨率0.02hz, 1.6K以下1-10秒，在100M状态下单击，切换为高分辨率模式，屏幕上显示“Hi”，超过2.1M自动切回正常模式。
已校准过C高精度频率计，1024Hz-2.4Ghz.，输入信号电压30mV，分辨率1024Hz。
可用于对讲机发射频率测试。
高分辨率模式，102hz-137Mhz 分辨率1hz, 100K以下1-10秒，在2.4G状态下单击，切换为高分辨率模式,屏幕上显示“Hi”，超过137M自动切回正常模式。
由于易受干扰500K 以下不能很好测量。
非完全测试,2.4G没条件测试，500MHz测试ok。
已校准过,2.4G 灵敏度高，有时不接输入信号也会有输出，易受到干扰。
信号输入线宜用屏蔽线。
可自己DIY加个双掷开关切换 2.4G和100M 两档输入信号，并且双击切换档位，显示2.4G 或100M ABC为三选一功能1.4、可在线ESR: 测量时接入 1 3 口， 0.01-20欧，分辨率为0.01欧姆，且同时测量容量;精度不高但用来判断电容的好坏是没问题的。
晶闸管（可控硅）参数符号说明
晶闸管（可控硅）参数符号说明晶闸管(可控硅)参数符号说明以下参数符号说明的1～11符合1985年颁布的国家标准GB4940-851、断态及反向重复峰值电压VDRM和VRRM控制极断路，在⼀定的温度下，允许重复加在管⼦上的正向电压为断态重复峰值电压，⽤VDRM表⽰。
这个数值是不重复峰值电压VDSM的90％，⽽不重复峰值电压即为正向伏安特性曲线急剧弯曲点所决定的断态峰值电压。
反向重复峰值电压⽤VRRM表⽰，它也是在控制极开路条件下，规定⼀定的温度，允许重复加在管⼦上的反向电压，同样，VRRM为反向不重复峰值电压VRSM的90％。
“重复”是指重复率为每秒50次．持续时间不⼤于10ms。
VDRM和VRRM随温度的升⾼⽽降低，在测试条件中，将对温度作严格的规定。
⽣产⼚把VDRM和VRRM中较⼩的⼀个数值作为管⼦的额定电压。
2、断态漏电流IDRM和反向漏电流IRRM对应VDRM和VRRM的漏电流为断态漏电流和反向漏电流，分别⽤IDRM 和IRRM表⽰。
这个数值⽤峰值表⽰。
3、额定通态电流IT在环境温度为40℃和规定的冷却条件下，在单相⼯频(即50Hz)正弦半波电路中，导通⾓为不⼩于170°，负载为电阻性，当结温稳定且不超过额定结温时，管⼦所允许的最⼤通态电流为额定通态电流。
这个值⽤平均值和有效值分别表⽰。
4、通态电压VTM在规定环境温度和标准散热条件下，管⼦在额定通态电流IT时所对应的阳极和阴极之间的电压为通态电压，即⼀般称为管压降。
此值⽤峰值表⽰。
这是⼀个很重要的多数，晶闸管导通时的正向损耗主要由IT与VTM之积决定，希望VTM越⼩越好。
5、维持电流IH在室温下，控制极开路，晶闸管被触发导通后，维持导通状态所必须的最⼩电流。
也就是说，在室温下，在控制极回路通以幅度和宽度都⾜够⼤的脉冲电流，同时在阳极和阴极之间加上电压，使管⼦完全开通。
然后去掉控制极触发信号，缓慢减⼩正向电流，管⼦突然关断前瞬间的电流即为维持电流。
晶体管测试仪使用说明
晶体管测试仪使用说明输入电压：直流6.8V-12V工作电流30mA左右，输入7.5V直流电压时实测●晶体管测试仪控制测试仪由一个旋转编码器开关控制，旋转编码器开关一共可以有4种操作，短按、长按、左旋、右旋。
在关机状态下短按一次，就能打开电源，开始测试。
在一次测试完成后，如果没有检测到器件。
长按开关或者左右旋转开关可以进入功能菜单，进入功能菜单后，左旋或者右旋开关可以在菜单项上下选择，要进入某一个功能项，则短按一次开关。
当需要从某个功能里退出时，则长按开关。
●测试器件测试仪一共有3个测试点，TP1、TP2、TP3。
这三个测试点在测试座里的分布如下：在测试座的右边是贴片元件的测试位置，上面分别有数字1,2,3,各代表TP1、TP2、TP3测试只有2个引脚的元件时，引脚不分测试顺序，2个引脚任意选择2个测试点，3个脚的器件引脚分别放到三个测试点中，不分顺序。
经过测试后，测试仪自动识别出元件的引脚名称、所在的测试点，并显示在屏幕上。
测试只有2个脚的元件时，如果使用的是TP1和TP3两个测试点，则测试完成后自动进入连续测试模式，这样可以连续的同步测量TP1和TP3上的元件，不用再按开关。
如果使用的是“TP1和TP2”或者“TP2和TP3”测试，则只测试一次。
要再一次测试则按一次开关。
测试电容器前，先给电容器放电，再插入测试座测量，否则有可能损坏测试仪的单片机。
●校准测试仪校准是用于消除自身元器件的误差，使得最后的测试结果更加精确。
校准分为快速校准和全功能校准。
快速校准的操作方法：用导线将三个测试点TP1、TP2、TP3短接，然后按下测试按钮，同时注意观察屏幕。
屏幕颜色会变成黑底白字，在出现提示信息”Selftest mode..? ”后，按一下测试按钮，就进入到快速校准过程；如果在出现提示信息“Selftest mode..?”后，2秒钟内没有按键，则进行一次正常的测试过程，最后显示出短接TP1、TP2、TP3三个测试点导线的电阻值。
电参数综合测试仪设备操作规程
电参数综合测试仪设备操作规程第一章总则第一条为了保证电参数综合测试仪设备的正常运行，保护设备和人员的安全，制定本操作规程。
第二条本操作规程适用于电参数综合测试仪设备的操作人员。
第三条所有操作人员应严格遵守本操作规程，严格执行操作要求，确保操作过程顺利进行。
第二章设备基本知识第四条电参数综合测试仪是一种用于测试电力系统、电力设备及相关电器设备电气参数的设备。
第五条电参数综合测试仪设备由主机、外接电缆、测量传感器、测试软件等组成。
第六条电参数综合测试仪设备主机应放置在通风良好、干燥、无腐蚀气体的室内。
第七条电参数综合测试仪设备应有专门的仪器柜或操作台，整洁有序。
第三章设备操作要求第八条操作人员在使用电参数综合测试仪设备前，应仔细阅读设备的操作手册和技术资料，熟悉设备的使用方法和相关注意事项。
第九条操作人员应正确接线，避免短路或错接导致设备损坏或事故发生。
第十条操作人员应严格按照操作步骤进行设备操作，不得擅自更改设备的参数或运行模式。
第十一条操作人员在操作设备过程中要保持清醒状态，严禁饮酒、吸烟等影响工作的行为。
第四章设备日常维护第十二条操作人员应定期对设备进行检查，确保设备的正常运行。
第十三条在使用过程中发现任何异常情况，应及时停止使用设备，并向上级报告。
第十四条操作人员应定期对设备进行保养，包括清洁设备外壳、检查仪器仪表的工作状态等。
第十五条设备长时间不使用时，应切断电源，并将设备包好防尘存放。
第五章安全注意事项第十六条操作人员在操作设备时，应穿戴好防护用具，避免触电、烫伤等事故发生。
第十七条操作人员应严格遵守电气安全操作规程，确保用电安全。
第十八条操作人员在操作设备时应注意长时间高柱、高压等工况对身体的影响，适时休息。
第十九条操作人员在操作设备时，应保持设备周围的通道畅通，避免杂物堆放引发事故。
第六章违章处理第二十条对于违反本操作规程的操作人员，根据违纪程度轻重，将视情况给予批评教育、通报批评、暂停操作资格等处理，并可以追究相应的法律责任。
晶体管测试仪使用方法
晶体管测试仪使用方法
晶体管测试仪是一种用于测试晶体管性能和功能的设备。
以下是晶体管测试仪的使用方法：
1. 准备工作：
- 确保晶体管测试仪的电源已接通并处于工作状态。
- 将待测试的晶体管正确插入测试仪的测试座，并确保与测试仪的接口连接牢固。
2. 设置测试参数：
- 通过测试仪的控制面板或操作界面，设置需要测试的参数，如电压、电流、频率等。
这些参数根据测试需求和晶体管规格进行设置。
3. 进行测试：
- 将测试仪的测试电源接通，并调整到适当的电压、电流或频率值。
- 开始测试时，观察测试仪的显示屏或指示灯，确保测试仪正常工作。
- 确保测试过程中晶体管没有异常现象，如短路、过载等。
如果发现异常，及时停止测试并检查故障原因。
4. 结果分析：
- 将测试仪测量得到的数据记录下来，包括电压、电流、频率等。
- 根据测试结果进行分析，判断晶体管的性能和功能是否符合要求。
常见的
测试项目包括开关特性、放大特性、输入输出特性等。
5. 维护保养：
- 测试完成后，及时关闭测试仪的电源，并进行清洁和保养。
如清除灰尘、调整测试座位等，以确保下次测试的准确性和可靠性。
- 定期检查测试仪的各个部件和连接线，确保其正常工作和连接牢固。
请注意，以上是一般的晶体管测试仪使用方法，不同型号和品牌的测试仪可能会有一些细微的差异。
在使用前请仔细阅读测试仪的说明书，并遵循厂家提供的操作指南。
电参数测试仪操作规程
电参数测试仪操作规程一、设备运行前检查1、开启后看设备是否正常，如无不良噪声、运行平衡，无不良振动现象。
2、日常保持设备外观整洁，并负责设备的日常保养。
3、做好设备的定期维护，并按规定做好检定、校验，并做好相应记录，保证检测仪器在检定有效期内使用测试数据准确。
对所使用的检验测量和试验设备行之有效的控制，发现问题并能采取相应的措施。
二、使用说明1、先将仪表的电源线按标准接法接到电源上。
2、将负载用电源接到固定的端子上。
3、按下仪表电源开关，接通仪表电源。
4、接通负载电源，并使负载通电，此时仪表应显示被测负载的各被测参数值。
如测量参数超出量程，则在相应的超量程参数窗口显示“OVER”，此时应立即终止测量，并切断负载电源，以免损坏仪表。
三、运行检查1、用仪器功能检查器做运行检查。
具体方法如下:将电参数测量仪在两个输出端分别连接到检查器的功率两表棒测试端，电参数测量仪的测量值显示为30W 5%即在(28.5W-31.5W)之间，则仪器功能正常。
规定每次使用前对电参数测试仪进行运行检查，并做好相应的运行检查记录。
2、如发现运行检查结果不能满足规定要求时，应能及时追溯至已检查过的产品，必要时，对这些产品重新进行检测。
并把功能失效的设备送专门的检测维修机构进行检修，并做好相应的检修记录。
注意事项/故障解决办法:1、在被测电器通电运行时，请不要触摸仪表后面板的接线柱，以免触电。
2、打开仪表电源开关，仪表无显示:电源插座保险管熔断或接触不良，请更换同型保险丝。
本仪表保险管规格为0.3A。
3、电压显示，电流、功率等显示为零:a、检查后面板上接线是否有松动，如有应上紧。
b、如电流是 220mA/2A 量程，请检查后面板上接线柱旁保险管是否熔断，如是，更换规格为同型保险管。
c、检验查输出端子与被测用电器的回路是否导通。
4、打开仪表电源开关，仪表电源指示灯亮，数码管无显示:关机 10 秒左右再开。
晶体管测试仪使用说明
晶体管测试仪使用说明一、准备工作1.将晶体管测试仪放置在平稳的台面上，并插入电源插头。
2.确保晶体管测试仪的电源开关处于关闭状态。
二、连接测试电路1.将待测晶体管正确插入测试仪的晶体管插座中，确保引脚与插座相对应。
2.连接测试电路。
根据待测晶体管的类型和测试要求，将测试仪的输入和输出端子连接到电路中。
可以通过连接线将测试仪的输入端子与输入信号源连接，将输出端子与负载电阻连接。
三、调整测试仪参数1.打开晶体管测试仪的电源开关，待测试仪开始运行。
2.调整测试仪的工作模式。
根据待测晶体管的类型和测试要求，设定测试仪的工作模式，例如共射、共基或共集模式。
3.调整输入信号源的频率和幅值。
根据测试要求，设定输入信号源的频率和幅值。
可以通过测试仪上的旋钮或按钮进行调节。
四、进行测试1.运行测试仪，开始测试。
根据测试仪的提示或指示灯，逐步进行测试。
2.测试参数的测量。
根据测试仪的操作说明，逐个测量待测晶体管的参数，例如电流放大倍数、输出阻抗和截止频率等。
可以使用测试仪上的按钮或旋钮进行参数测量，并观察测试仪的显示屏或指示灯。
五、结束测试1.结束测试。
根据测试要求，停止输入信号源的工作，并将测试仪的电源开关关闭。
2.拔出待测晶体管。
轻轻拔出待测晶体管，注意不要损坏晶体管或测试仪的插座。
3.关闭电源。
将晶体管测试仪的电源开关关闭，并拔出电源插头，以确保安全和省电。
六、注意事项1.在进行测试之前，确保待测晶体管和测试电路没有电流，并断开电源。
2.在测试时，可以参考晶体管的参数手册，并根据其引脚配置和测试要求进行正确连接和调整。
3.在进行高频测试时，尽量减少测试线的长度，以减少信号衰减和干扰。
4.在使用过程中，注意安全，避免触摸高压或高温区域。
5.使用完毕后，及时清理晶体管测试仪上的灰尘和杂物，并妥善保管，以确保下次使用时的正常运行。
DBC-023型晶闸管测试仪
DBC-023型晶闸管测试仪技术说明书目录1 概述 (2)2 技术参数 (2)3 结构特征 (2)4 使用方法 (2)5 注意事项 (5)1 概述本仪器是晶闸管断态电压(VDSM 、VDRM)及断态电流(IDSM、IDRM)、反向电压(VRSM、V RRM )及反向电流(IRSM、IRRM)的专用测试设备。
适用于各种晶闸管、整流管及晶闸管、整流管模块的参数测试。
本仪器设计先进，操作简便，采用数字表显示测试结果，具有精度高，重复性好，对被测器件自动保护等特点。
其测试原理符合GB4024-83标准的规定，是电力半导体器件生产厂和使用单位最为理想的检测设备。
2 技术参数2.1 断态及反向电压(VDRM ，VRRM)测量范围：0—3000V(023B为0—5000V)2.2 电压分辨率：1V2.3 电流(IDRM ，IRRM)测量范围：0—100mA2.4 断态及反向电流分辨率：0.01mA2.5 保护电流设定范围：0—99mA2.6 示波器连接端子输出 X 1：1000V Y 50mV：1mA2.7 工作条件电源电压:AC 220V±10% 50HZ工作温度：0—40℃2.8 功耗：小于0.5KVA2.9 重量：约15Kg2.10 外型尺寸：440×440×150mm3 结构特征本仪器为箱式结构，长、宽分别为440mm，高150mm，仪器前部面板上装有数字显示表、各种控制按键(钮)及接线端子等。
仪器后盖板上配有三芯电源插座、保险丝盒(保险丝管为2A/250V)和示波器接线端子。
4 使用方法图4.1 面板图4.1 面板部件功能(参见面板图)4.1.1 “电源”开关此开关掷向开时，内藏指示灯亮，电源接通。
4.1.2 “A、K”接线端子A接被测器件阳极(或双向晶闸管T2极)，K接被测器件阴极(或双向晶闸管T1极)。
4.1.3 “保护电流设定”拨码开关电流设定范围为1—99毫安。
MOS管测试仪操作规程
MOS-1（N/P）型功率场效应管测试仪操作程序JL-001-2007 一、准备：按操作规程开启本仪器，接通本机电源，打开电源开关，预热5分钟。
二、（N）型功率场效应管检测参数为例使用步骤如下：1、击穿电压VDSS与栅极开启电压VGS（th）的测量：将Idss开关上的电流值选择到250Ua，把高压开关拨到ON，调节“高压调节”电位器使数字表显示100V左右，再把高压开关拨到OFF上。
1.1、被测的场效应管插入VDSS/VGS（th）测试座，MOS管中间的D极对应的插入插座中间孔“D”中，此同时测试盒右测开关拨至VDSS位置，然后按下仪器右下方的VDSS按钮，VDSS/VGS（th）电压表显示的电压值就是被测MOS管的击穿电压（VDSS）值。
1.2、把测试盒开关拨至VGS（th）位，按下仪器右下方的VGS（th）按钮，VDSS/VGS（th）电压表显示的电压值就是被测MOS管的栅极开启电压VGS（th）值。
2、跨导Gfs的测试：2.1、跨导Gfs时必须连接两根附加测试线，红色为“+”极，黑色为“—”极，测试前仪器右上角的Idm开关必须拨在OFF上。
2.2、插上被测管，两根测试线“+”、“—”极连接仪器与测试盒相对应。
并把S2线的鳄鱼夹头，夹住被测管的S1脚根部（注意：不要和D极短路）。
把Idm开关至ON，会看到短路指示灯亮后即灭，仪器内蜂鸣器响后又停，属正常现象。
2.3、调节脉冲电流Idm粗调和细调电位器，至被测场效应管测试Gfs参数时的电流值为30A，当数字稳定后按下脉冲电流Idm2测试按钮，并读取电流值。
2.4、本仪器跨导Gfs电流值的计算方法：S=（Idm2-Idm1）×10，一般用心算即可读取。
三、注意事项：1、开机前应把Idm开关和高压开关拨在OFF位置上。
2、测量Idm和Gfs时必须先插好被测管，夹好S2夹头后方可打开Idm测量开关，测量完毕后必须先关断Idm开关，才可松开S2鳄鱼夹头。
晶体片测试仪技术安全操作规程
晶体片测试仪技术安全操作规程前言晶体片测试仪（Crystal Tester）是一种用于测试晶体管、二极管、三极管等元器件参数的重要设备。
在使用晶体片测试仪时，必须严格按照操作规程进行操作，以确保测试的准确性和安全性，避免出现设备故障或人身伤害等事故的发生。
本文档旨在规范晶体片测试仪的安全操作，以帮助用户避免潜在的风险。
设备准备在使用晶体片测试仪前，需要先进行设备准备工作。
具体步骤如下：1.根据设备供应商提供的操作说明，正确连接晶体片测试仪与电源、被测元器件等相关设备。
2.启动晶体片测试仪，进行系统自检，确保设备正常。
3.根据被测元器件的类型和参数要求，选择相应的测试模式和测试方法。
操作流程1.将待测元器件正确插入设备测试插座，注意端口标识和插头引脚引线的正确对接。
2.根据被测元器件的类型选择相应的测试模式，开启测试程序。
3.等待测试结果测出后，确认测试结果准确无误并记录。
如不准确可再次进行测试，直至测试结果准确。
4.在测试过程中，严禁碰触设备的内部元器件，以及非设备使用者的干预操作。
安全注意事项1.在设备操作前，需确保操作者已经熟知文档中规程条及技术描述。
2.晶体片测试仪的电源功率较大，使用前需要确认设备连接到符合标准的电源插座，电流稳定传输且安全可靠。
在使用过程中，应该注意日常检查电线缆及插头的状态和接头是否松动等，如有问题请立即停止使用，并联系维修人员处理。
3.未经设备生产商或相关专业人员授权，严禁对晶体片测试仪进行拆卸、维修等非专业操作。
4.使用过程中禁止触碰设备插座以及按钮区域，确保插头表面干燥，空气环境干燥和稳定。
5.在清洁设备表面时，应该使用干燥、清洁、柔软的布进行清理，严禁使用酸性、碱性或研磨性物质。
6.在测试过程中，应该注意库房或实验室内杂物堆放等安全问题，避免打翻容易燃的物质，或引发火灾。
总结晶体片测试仪的操作规程与安全操作，是关乎到我们实验室中电子元器件测试的准确性和人员安全的重要规范。
DBC-023A晶闸管测试仪操作规程
一、试验设备DBC-23A 晶闸管 测试仪二、测试产品所有晶闸管 三、准备工作1． 接通测试仪电源，开启仪器的电源开关，内藏指示灯亮。
2． 将被测器件的阳极（或晶闸管的T2极）与测试仪的“A ”端相连接，阴极（或晶闸管的T1极）与“K ”端相连接。
3． “保护电流设定”拨码开关（如图中标注1位所示）电流设定范围为1～99毫安此拨码开关个位设定值为0～9十个数码，十位设定值为0～9十个数码，如：数码20表示测量电流到20毫安时，如果测量值超过设定值时，仪器自动切断A 、K 输出电流、电压。
4． “电流（mA ）”显示表（如图中标注2位所示） 显示被测器件的峰值电流。
单位为毫安。
其显示的电流范围由“电流”量程切换开关决定。
5． “电流”量程切换开关（如图中标注3位所示）此键按出时（20 mA ），“电流（mA ）”显示表显示的最大电流为20 mA 。
此键按入时（200 mA ），“电流（mA ）”显示表显示的最大电流为200mA 。
6． “电压（V ）”显示表（如图中标注4位所示）显示被测器件的峰值电压，单位伏特。
与“电压”量程切换开关配合读出电压值。
7． “电压”量程切换开关（如图中标注5位所示） 此键按出时（×1），“电压（V ）”显示表显示的数值为实际测量电压，单位伏特。
此键按出入（×10），“电压（V ）”显示表显示的数值×10为实际测量电压，单位伏特。
V DRM I DRMV RRM I RRM123465788．“极性选择切换开关（如图中标注6位所示），此键按出时（正向），接线端子A为电源正极，K为负极。
按入时（反向），接线端子A为电源负极，K为正极。
9．“复位（单次）”开关（如图中标注7位所示），本仪器输出电流超过保护电流设定值后，“保护指示”灯亮，按动此开关，使仪器恢复到正常状态（“保护指示”灯灭）。
10．“电压调节”钮（如图中标注8位所示）顺时针调节使A、K间电压增大，逆时针调节使A、K间电压减小。
可控硅参数说明
符号说明：VRRM--反向重复峰值电压：在控制极断路和额定结温的条件下，可以重复加在可控硅上的交流电压。
此电压小于反向最高测试电压100V。
反向最高测试电压，规定为反向漏电流急速增加，反向特性曲线开始弯曲时的电压。
VRSM--反向不重复峰值电压；在控制极断路和额定结温的条件下，不允许加在可控硅上的交流电压。
VDRM――断态重复峰值电压；断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压.国标规定重复频率为50H，每次持续时间不超高10ms。
规定断态重复峰值电压VDRM为断态不重复峰值电压（即断态最大瞬时电压）UDSM的90%.断态不重复峰值电压应低于正向转折电压Ubo。
IT(AV)/IF(AV)--通态/正向平均电流；在环境温度+40℃和额定结温下，导通角不小于170°阻性负载电路中，允许通过的50Hz正弦半波电流的平均值。
IT(RMS), IF(RMS)――通态/正向方均根电流；是指在额定结温,允许流过器件的最大有效电流值，用户在使用中须保证，在任何条件下流过器件的电流有效值，不超过对应壳温下的方均根电流值ITSM,IFSM--通态/正向浪涌电流；指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流（半个正弦波t=10ms, 50Hz）I2t--表示可控硅所通过的电流产生的能量，是电流的平方乘以时间，表示可控硅的发热特性。
PGM--门极峰值功率；门极触发电压与最大触发电流的乘积；PG(AV)--门极平均功率；门极触发电压与正常触发电流的乘积；di/dt--通态电流临界上升率；指在额定结温下，可控硅能承受的最大通态电流上升率（如果电流上升太快，可能造成局部过热而使可控硅损坏）VISO--绝缘电压；芯片与可控硅的底板之间的绝缘电压。
Tj--工作结温；可控硅在正常工作条件下允许的PN结温度。
Tjm--额定结温；可控硅在正常工作条件下允许的最高PN结温度。
DBC-028-652阻断特性测试仪操作规范
DBC-028-652晶闸管阻断特性测试仪操作规程PT/JS-编制：谢思明审核：王桂华会签：批准：哈尔滨帕特尔科技股份有限公司二○一五年五月十二日发布○一五年五月十三日实施哈尔滨帕特尔科技股份有限公司工艺技术文件技术代号：PT/JS- DBC-028-652晶闸管阻断特性测试仪操作规程第页共 6 页股份有限公司DBC-028-652晶闸管阻断特性测试仪操作规程第页共 6 页1.适用范围本试验守则适用于可控硅的阻断特性试验。
DBC-028型晶闸管阻断特性测试仪的测试方法符合国际电工委员会(IEC)标准及行业标准JB/T7626-94。
本测试仪可用以测试晶闸管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及二极管、各种模块的VRRM、IRRM等参数。
该测试仪具有漏电流自动保护功能，阻断电压和漏电流均采用数字表显示，读数准确、直观，可以直接通过外接示波器接线端子观测阻断特性曲线。
2.主要技术指标2.1 断态及反向重复峰值电压：0～6500V；连续可调；控制精度：200～6500V分辨率：10V；精度：±3%2.2 断态及反向重复峰值电流：1～200mA；分辨率：0.1mA；精度：±0.2mA，±3%2.3 测试频率：50Hz、5Hz2.4 使用条件：电源电压：~AC220V±5%，50Hz周围介质温度：+10℃～+35℃周围介质平均相对湿度：<85%周围应无震动及强磁场干扰源3.使用方法3.1面板功能介绍（操作面板示意图如下图所示）1)“电源关”开关此按钮开关为不带锁开关，连接外接电源，“电源关”开关里内含的指示灯点亮。
任何情况下按下此按钮，设备均关闭。
2)“电源开”开关此按钮开关为不带锁开关，按下此开关，控制电路带电，电压和电流表显示为“000”。
同时“电源开”开关里面内含的指示灯点亮。
资料来源编制谢思明自编校核王桂华标审审定标记处数更改文件号签字日期提出部门技术中心批准股份有限公司DBC-028-652晶闸管阻断特性测试仪操作规程第 页共 6 页I 设定!高压K电源电源关开A 电压（V DRM 、V RRM ）I 设定✠✋☜☹✋I 显示kV反向换向测量电压调节9✞✋mA保护正向✠✋☜☹✋电流（I DRM 、I RRM ）50Hz 5Hz21348756西安电力电子技术研究所DBC-028-652 阻断特性测试仪图1 前面板示意图3) “测量”开关此按钮开关为带锁开关，按下此开关，开关里面内含的指示灯点亮，高压电路接通，调节“电压调节”旋钮即可调整被测元件上的峰值电压。
电参数测量仪操作规程
4、可接触测量仪后面的接线端子，谨防触电。
5、测量仪应该定期送有关部门进行校对。
编制
审核
批准
4.调节电压在额定电压下，即220V或仪器铭牌上注明的额定电，以准备完成功率测试。
二、日常点检
1 .上电后，检查各显示功能是否正常，调节各功能按键，检查按键是否可调；
2 .点检完毕后，拔掉产品的电源
三、操作步骤方法
1、在确认一切准备工作正确无误的情况下，合上负载电源的输出开关，测量仪显示负载的电压值、频率值。将被测负载开关打开，测量仪显示被测负载的电流值、电压值、频率值，并计算显示负载功率值。
电参数测量仪操作规程
文件编号
页数
版本号
A
QMCU-J09.002-2011a
P. 1/1
修改号
0
设备名称
电参数测量仪
一、操作前准备
1、请专业人员连接好仪器连线，确认无误。
2、接通电源，打开测量仪，每次上班前打开测量仪预热10分钟，确保仪器工作正常。
3.在确认被测负载开关断开的情况下，将其连接到测量仪上去，确保其连接正确。
2、看功率值是否符合功率铭牌的规定值，是则完成测量，否则记录并完成测量。
1.如测量结果需要打印或上传位机，则需要连接打印端口或串行通讯接口。
四、注意事项
1、使用测量仪前，应认真阅读使用手册。
2、如测量仪开机后出现错误信息（显示E001、E002、E003），则表示仪表硬件出现故障，必须请专业人员进行维修。
晶体管测试仪使用方法
晶体管测试仪使用方法晶体管测试仪是一种用于检测和测试晶体管性能的仪器。
晶体管测试仪可以帮助我们了解晶体管的工作状态和参数，从而判断其是否正常工作，以及是否符合设计要求。
下面是晶体管测试仪的使用方法的详细介绍。
首先，使用晶体管测试仪之前，我们需要准备好所需的设备和材料。
除了晶体管测试仪本身外，还需要晶体管样品和连接晶体管的测试电路。
同时还需要一些测试引线和测试探头。
在使用晶体管测试仪之前，我们需要确保仪器和测试电路的电源已经连接好，并检查各个连接口和电源线是否牢固。
接下来，我们可以按照以下步骤来使用晶体管测试仪。
第一步是将待测的晶体管样品插入晶体管测试仪的测试插槽中。
在插入之前，需要先检查晶体管的引脚是否正确对应测试插槽的引脚。
插入晶体管后，要确保其引脚与测试插槽的引脚有良好的接触。
接下来，我们可以选择所需的测试模式和测量范围。
晶体管测试仪通常具有多种测试模式和测量范围可供选择，以适应不同类型和参数的晶体管。
通过仪器面板上的旋钮或按钮，我们可以选择所需的测试模式和测量范围，并通过仪器上的显示屏来查看测试结果。
在选择测试模式和测量范围之后，我们需要根据具体的测试要求和参数设置一些测试条件。
例如，我们可以设置测试的输入电压或电流的大小，以及测试的频率范围等。
这些测试条件可以通过仪器上的按钮或旋钮进行设置。
接下来，我们可以启动晶体管测试仪，并进行测试。
在测试过程中，我们需要仔细观察仪器上显示的测试结果，并记录下来。
同时，我们还可以通过仪器上的其他功能和参数来了解晶体管的更多信息，如输出功率、增益、频响等。
最后，在测试完成后，我们需要通过仪器上的按钮或旋钮来停止测试，并将测试结果进行保存和记录。
同时，还需要将晶体管从测试插槽中取出，并确保其他连接线和测试电路的电源已经关闭。
总结一下，晶体管测试仪是一种用于检测和测试晶体管性能的仪器。
在使用晶体管测试仪之前，我们需要准备好所需的设备和材料，并确保仪器和测试电路的电源已经连接好。
元器件参数测试仪设备安全操作规程
元器件参数测试仪设备安全操作规程本文档旨在制定元器件参数测试仪设备的安全操作规程，以确保设备的正常运行和使用者的人身安全。
所有使用设备的人员应严格遵守本规程并遵循设备的使用说明进行操作。
设备使用前的准备工作在使用元器件参数测试仪设备之前，需要进行以下准备工作：1.检查设备是否处于完好无损的状态，如发现任何异常情况都应立即停用设备并通知相关人员进行处理。
2.确认设备是否接地正确，以保障使用者的人身安全。
3.根据设备的说明书和实验要求，安装测试用具，并检查测试用具是否合适。
4.检查设备是否正确连接电源，并确认电源符合相应标准。
设备的操作流程在进行元器件参数测试仪设备的操作时，需要按照以下步骤进行：1.先将设备连接电源，通知LED指示灯亮起后，按下设备上的电源开关。
等待设备启动。
2.根据实验要求，调节设备上相应的参数，如电压、电流等。
3.将待测元器件安装到测试用具上，并使用测试用具正确连接元器件。
4.按下设备上的测试按钮进行测试，等待测试完成。
5.根据测试结果判断元器件质量，确认测试完成。
6.操作完成后，先关闭设备的电源开关，等待设备停止工作。
设备的维护与保养为了保障设备的正常使用，需要进行设备的维护与保养：1.定期对设备进行清洗，并检查设备的各个部件是否正常工作。
2.定期对设备进行校准，保证测试结果的准确度。
3.检查设备的电源线和其它连接线是否正常，有无损伤或老化现象，并修复或更换损坏的部分。
4.对设备电源开关、旋钮、按钮等部件进行定期保养，保持其灵敏度和正常工作状态。
设备的安全注意事项在使用元器件参数测试仪设备的过程中，需要注意以下事项：1.使用设备时，应严格按照操作规程进行操作，不得随意调节设备参数或进行非法操作。
2.警惕电源电压过大，可能会导致设备和使用者的伤害，应使用符合要求的电压。
3.严禁对设备的电源线和连接线随意插拔，操作时需保证它们的安全可靠连接。
4.禁止试图去拆卸设备壳体内部部件。
5.如发现设备短路、过负荷等异常情况，应立即停止使用设备，并关闭设备电源开关，通知相关人员进行处理。
晶体管VDRM、IDRM、VRRM、IRRM参数测试仪操作规程
三、测试步骤：“电压调节”
1.“电压调节”钮逆时针调节到底。
2.打开“电源”开关。
3.“保护电流设定”开关选择一组需要值。
4.将被测器件接在接线端子上。
上海华晶整流器有限公司
（含浙江华晶整流器有限公司）
管理程序
编号：HJ/JC-004
发行日期：2008.4.1
版本次号：A
修改次号：0
第1页，共1页
项目
晶体管VDRM、IDRM、VRRM、IRRM参数测试仪操作规程
一、试仪是断态电压及电流VDRM、IDRM和反向电压及电流VRRM、IRRM的专用测试设备，适用于检测各种晶闸管、整流管及可控、整流模块。
8.顺时针调节“电压调节”钮，同时从“电流(mA)”显示表和“电压(V)”显示表中读取数值。
9.测试完毕后必须将“电压调节”来自逆时针调节。注：①“电压(V)”显示表显示值不为零时，不能改变“极性”选择键。
②测试电压值达到3000V以上时，其测试持续时间不能大于30秒。
编制：
审核：
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5.“电流”量程键，选择需要位置。为了保证测量精度，优选20mA档。如果测试电流大于20mA，“电源(mA)”显示表显示“1”。
6.“电压”量程键选择需要位置。为了保证测量精度，优选X1档。如果测试电压大于2000V，“电压(V)”显示表显示“1”。
7.按动“复位”键(如保护指示灯灭，可不按此按钮)。
某公司晶体管类验收操作规范
晶体管类验收操作规范1. 主题：晶体管类的验收要求、项目、方法及抽样方案的规范。
2. 常规检验项目2.1 外观和标识2.1.1技术要求：外观表面应整洁无污垢，本体无裂纹，包封无明显损伤及露接点，编带无分层脱落裂开等不良，标识完整正确清晰不易擦除，引脚无明显氧化、引脚毛刺无明显刮手。
2.1.2检验方法：目视法，手感法，刮纸法（将引脚毛刺处贴平A4复印纸面，自然快速移动，观察纸面是否有刮坏痕迹）。
2.2 尺寸2.2.1技术要求：外形结构尺寸、编带尺寸，应符合产品规格书所规定的图纸要求及我司相关补充EDE规定。
2.2.2检验方法：用卡尺测量与目测法相结合。
2.3 电性能参数测试2.3.1 项目：整流二极管、桥堆：正向导通电压、V RRM反向重复峰值电压；发光管、发射管：正向导通电压、反向电压；稳压二极管：稳压电压、动态电阻；数码显示管：正向导通电压、反向电压。
2.3.2技术要求：符合产品规格书及我司相关补充EDE所规定要求。
2.3.3检验方法：使用晶体管测试仪进行测试。
3. 特殊检验项目3.1 三极管测试项目：BVcbo集电极—基极间反向击穿电压、BVceo集电极-发射极间反向击穿电压、hfe共发射极直流电流增益；3.1.1 技术要求：符合产品规格书及我司相关补充EDE所规定要求。
3.1.2 检验方法：使用晶体管测试仪进行测试。
3.1.3 抽样方案：3.2 丝印附着力3.2.1 技术要求：试验后丝印无明显残缺、难以辨认现象。
3.2.2 检验方法：用手对丝印字体用约1Kg的力搓10次。
3.2.3 抽样方案：每批抽样3pcs（Ac=0,Re=1）。
4. 试验项目：按《常规试验规范》执行。
5. 检验不合格分类5.1 A类不合格：无EDE、混规、短路、开路、电性能不符、管体表面有可见裂纹。
5.2 B类不合格：料单不符、标识错、无标识或不全、标识不良不可辩认，尺寸超差影响使用、编带不良、丝印附着力不良。
5.3 C 类不合格：来料超期、尺寸略超差不影响使用、标识不良但可辩认、外观不良。
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三、测试步骤：“电压调节”
1.“电压调节”钮逆时针调节到底。
2.打开“电源”开关。
3.“保护电流设定”开关选择一组需要值。
4.将被测器件接在接线端子上。
5.“电流”量程键，选择需要位置。为了保证测量精度，优选20mA档。如果测试电流大于20mA，“电源(mA)”显示表显示“1”。
6.“电压”量程键选择需要位置。为了保证测量精度，优选X1档。如果测试电压大于2000V，“电压(V)”显示表显示“1”。
7.按动“复位”键(如保护指示灯灭，可不按此按钮)。
上海华晶整流器有限公司
（含浙江华晶整流器有限公司）
管理程序
编号：HJ/JC-004
发行日期：2008.4.1
版本次号：A修改次号Leabharlann 0第1页，共1页项目
晶体管VDRM、IDRM、VRRM、IRRM参数测试仪操作规程
一、试仪是断态电压及电流VDRM、IDRM和反向电压及电流VRRM、IRRM的专用测试设备，适用于检测各种晶闸管、整流管及可控、整流模块。
8.顺时针调节“电压调节”钮，同时从“电流(mA)”显示表和“电压(V)”显示表中读取数值。
9.测试完毕后必须将“电压调节”钮逆时针调节。
注：①“电压(V)”显示表显示值不为零时，不能改变“极性”选择键。
②测试电压值达到3000V以上时，其测试持续时间不能大于30秒。
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