几种新型半导体发光材料的研究进展(精)

几种新型半导体发光材料的研究进展

摘要：概述了三种新型半导体发光材料氮化镓、碳化硅、氧化锌各自的特性，评述了它

们在固态照明中的使用情况，及其研究现状，并对其未来的发展方向做出了预测。

关键词：LED发光二极管；发光材料；ZnO, SiC，GaN

1引言

在信息技术的各个领域中，以半导体材料为基础制作的各种各样的器件，在人们的生活中几乎无所不及，不断地改变着人们的生活方式、思维方式，提高了人们的生活质量，促进了人类社会的文明进步。它们可用作信息传输，信息存储，信息探测，激光与光学显示，各种控制等等。半导体照明是一种基于半导

体发光二极管新型光源的固态照明，是21世纪最具发展前景的高技术领域之一，已经成为人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次飞跃。固态照明是一种新型的照明技术，它具有电光转换效率高、体积小、寿命长、安全低电压、节能、环保等优点。发展固态照明产业可以大规模节约能源，对有效地保护环境，有利

于实现我国的可持续发展具有重大的战略意义。从长远来看，新材料的开发是重

中之重。发光材料因其优越的物理性能、必需的重要应用及远大的发展前景而在材料行业中备受关注。

本文综述了近几年来对ZnQ SiC, GaN三种新型半导体发光材料的研究进展。

2几种新型半导体发光材料的特征及发展现状

在半导体的发展历史上，1990年代之前，作为第一代的半导体材料以硅(包括锗)材料为主元素半导体占统治地位•但随着信息时代的来临，以砷化镓(GaAS 为代表的第二代化合物半导体材料显示了其巨大的优越性•而以氮化物(包括SiC、ZnO等宽禁带半导体)为第三代半导体材料，由于其优越的发光特征正成为最重要的半导体材料之一.以下对几种很有发展前景的新型发光材料做简要介绍•

2.1氮化傢(GaN)

2.1.1氮化镓的一般特征

GaN是一种宽禁带半导体(Eg=3.4 ev),自由激子束缚能为25mev,具有宽的直接带隙，川族氮化物半导体InN、GaN和A lN的能带都是直接跃迁型，在性质上相互接近，它们的三元合金的带隙可以从1.9eV连续变化到6.2eV,这相应于覆盖光谱中整个可见光及远紫外光范围•实际上还没有一种其他材料体系具有如此宽的和连续可调的直接带隙•

GaN!优良的光电子材料，可以实现从红外到紫外全可见光范围的光发射和红、黄、蓝三原色具备的全光固体显示，强的原子键，高的热导率和强的抗辐射能力，其光跃迁几率比间接带隙的高一个数量级.GaNM有较高的电离度，在川-V的化合物中是最高的(0.5或0.43).在大气压下，GaN一般是六方纤锌矿结构.它的一个原胞中有4个原子,原子体积大约为GaAS勺一半.GaN是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材

：1

GaN室温禁带宽度为3. 4 eV，是优良的短波长光电子材料，其发光特性一般是在低温(2 K、12 K、15 K或77 K)下获得的“,文献较早地报道了低温下纤锌矿结构GaN 的荧光(PL)谱,文献⑹报道了闪锌矿结构GaN的阴极荧光光谱。通过在低温(2K)下对高质量的GaN材料进行光谱分析，观察到A、B、C三种激子, 它们分别位于(3. 474 ± 0.002) eV、(3.480 土 0.002) eV和(3.490 ± 0. 002) eV：7: GaN勺光学特性,可在蓝光和紫光发射器件上应用•作为一种宽禁带半导体材料，GaF能够激发蓝光的独特物理和光电属性使其成为化合物半导体领域最热的研究领域，近年来在研发和商用器件方面的快速发展更是使得GaNS相关产业

充满活力。当前,GaN基的近紫外、蓝光、绿光发光二极管已经产业化，激光器和光探测器的研究也方兴未艾。

2.1.2氮化傢研究的发展现状

阻碍GaN研究的主要困难之一是缺乏晶格及热胀系数匹配的衬底材料 .SiC 与GaN晶格匹配较好，失配率仅为3.5%,但SiC价格昂贵.蓝宝石与GaN有14%的晶格失配，但价格比SiC便宜,而且通过在其上面生长过渡层也能获得高质量的 GaN薄膜，因而蓝宝石是氮化傢基材料外延中普遍采用的一种衬底材料，因为其耐热、透明、可大面积获得，并具有与GaN相似的晶体结构.一般都选用c面-(0001) 作为衬底，但蓝宝石与GaN的失配率仍较高，难以获得高质量的GaN薄膜.

对于GaF材料，虽然长期以来衬底单晶没有解决，异质外延缺陷密度相当高，但是器件水平已可实用化。

第一个基于GaN的LED是20世纪70年代由Pankove等人研制的，其结构为金属-半导体接触型器件.在提高了 GaN外延层质量和获得了高浓度p型GaN 之后,Amano 等首先实现了 GaN pn结蓝色发光管.其后Nakamura等在进一步提高材料质量，特别是大大提高了 p型GaN的空穴浓度后，报告了性能更佳的 GaN pn结蓝色发光管，其外量子效率达0.18 %.随着1993年GaF材料的P型掺杂突破，GaNS材料成为蓝绿光发光材料的研究热点.1994年,Nakamura开发出第一个蓝色InGaNPAlGaN双异质结(DH) LED. 1995年及其后两年,Nakamura等人又实现了蓝色、绿色、琥珀色、紫色以及紫外光InGaN量子阱LED ：8］，把蓝绿光氮化傢基发光管的发光效率提高到10 %左右,亮度超过10个烛光，寿命超过100000 h.

1995年日亚化学所制成Zed蓝光(450nmLE) 绿光12cd(520nmLED);日本1998年制定一个采用宽禁带氮化物材料开发LED勺7年规划，其目标是到2005年研制密封在荧光管内、并能发出白色光的高能量紫外光LED，这种白色LED勺功耗仅为白炽灯的

1/8，是荧光灯的1/2,其寿命是传统荧光灯的50咅〜100倍。这证明GaF材料的研制工作已取相当成功，并进入了实用化段」nGaN系混晶的生成，InGaN/AIGaN 双质结LED，InGaN单量子阱LED，InGaN多量子阱LED等相继开发成功.6cd的 InGaN-SQW-LE 高亮度纯绿茶色、2cd高亮度蓝色LED已制作出来，今后，与AIGaP、 AIGaAs系红色LED&合形成亮亮度全色显示就可实现.这样三原色混成的白色光