模拟电子技术期中试卷a2

2018—2019电子技术基础期中试题

姓名总分

一、填空题（每空1分，共20分）

1．P型半导体又称为____________型半导体，它由本征半导体掺入____________价元素形成，其多数载流子是____________，少数载流子是____________。

2．在室温附近，温度升高，杂质半导体中__________的浓度将明显增加。3．在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是____________作用下产生的，漂移运动是____________作用下产生的。

4．按照二极管的材料分，可分为_________二极管和锗二极管两种。5．稳压二极管稳压工作时，是工作在其特性曲线的___________区。6．三极管具有电流放大作用的外部条件是：发射结____________偏置，集电结____________偏置。

7．基本放大电路的非线性失真包括____________失真和____________失真。

8．图1所示电路，二极管VD1、VD2为理想元件，则U AB 为_______伏。图1图2 9．电路图如图2，已知R B = 240kΩ，R C = 3kΩ，晶体管β= 20，V CC = 12V。

现在该电路中的晶体管损坏，换上一个β= 40的新管子，若要保持原来的静态电流I C不变，且忽略U BE，应把R B调整为____________kΩ。10．在某放大电路中，晶体管三个电极的电流如图3所示。已量出I1= -1.2mA，I2 = -0.03mA，I3 = 1.23mA。由此可知：

(1) 电极①是__________极，电极②是__________极，电极③是

__________极。

(2) 此晶体管的电流放大系数β约为__________。

(3) 此晶体管的类型是__________型（PNP或NPN）。

I1

I2

I3

二、选择题（每小题2分，共20分）

11．PN结加正向电压时，其空间电荷区会( ) A．不变B．变窄

C．变宽D．不定

12．在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于( ) A．本征半导体B．温度

①

②

③

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C．杂质浓度D．掺杂工艺

13．从提高晶体管放大能力出发，除了将晶体管基区做得很薄，且掺杂浓度很低之外，工艺上还要采取如下措施( ) A．发射区掺杂浓度高，集电结面积小

B．发射区掺杂浓度高，集电结面积大

C．发射区掺杂浓度低，集电结面积小

D．发射区掺杂浓度低，集电结面积大

14．半导体三极管的特点是( ) A．输入电流控制输出电流B．输入电压控制输出电压

C．输入电流控制输出电压D．输入电压控制输出电流15．NPN型与PNP型三极管的区别是( ) A．由两种不同材料硅和锗制成B．掺入杂质元素不同

C．P区或N区的位置不同D．死区电压不同

16．某放大电路中的晶体三极管，测得其管脚电位为：①脚U1 = 0V，②脚U2 = -0.3V，③脚U3 = 8V，则可判定该管是( )

A．锗管①为e极B．锗管②为e极

C．硅管③为c极D．锗管③为e极

17．某电路中的三极管符号如图4所示，测得其管脚电位标在图上，则该管是( ) A．放大状态

B．截止状态

C．饱和状态

D．状态不能确定18．三种基本放大电路中电压放大倍数近似等于1的是( ) A．共基极放大电路B．共集电极放大电路

C．共发射极放大电路D．无法确定

19基本放大电路中Q点不稳的原因主要是( )

A．电阻阻值有误差B．三极管参数的分散性

C．三极管参数受温度影响D．电源电压不稳定

20．基本放大电路输出波形如下图，这是什么失真，怎么消除( )

A饱和失真增大Rb B饱和失真调小Rb

C截止失真增大Rb D截止失真调小Rb

三、分析题（共60分）

21．限幅电路如图5所示，u i= 2sinωt，V1、V2均为硅管，导通电压为0.7V。

试据输入电压波形画出输出电压波形（必须考虑二极管的导通电压）

图 5

u o / V

t / s

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22．对于图7所示放大电路：

(1) 画出放大电路的交.、直流通路电路。

23、（8分）一硅稳压管稳压电路如图8所示，其中硅稳压管的稳定电压

U Z= 8V，动态电阻r Z及未击穿的反向电流均可忽略，未经稳压的直流输入电压U I = 30V。试求：

(1) U o、I o、I及I Z的值。

(2) 当U I降低为15V时的U o、I o、I及I Z的值。

图8 24（12分）电路如图10所示，三极管的U BE = 0.6V，β = 80。试分析当开关S分别接通A、B、C三位置时，三极管的工作状态，并求出相应的集电极电流I c的值。

S

A

B

C

12V

20KΩ

500KΩ40KΩ4KΩ

12V

T

图10

25、（16分）如图11(a)所示单管共发射极放大电路及特性曲线中，已知电路中的三极管β = 40，

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图11

(1) 简述共发射极放大电路的特点。

(2) 试估算静态工作点。

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