《半导体物理与器件》习题库
《半导体物理学》试题与及答案
练习1-课后习题7
第二章 半导体中杂质和缺陷能级
锑化铟的禁带宽度E g = 0.18 e V ，相对介电常数 εr = 17 ，电子的 有效质量mn∗ = 0.015 m0， m 0为电子的惯性质量，求 ⅰ）施主杂质的电离能， ⅱ）施主的弱束缚电子基态轨道半径。
解：
练习2
第二章 半导体中杂质和缺陷能级
所以样品的电导率为： q(n0 n p0 p )
代入数据得，电导率为2.62 ×1013S/cm 所以，电场强度 E J 1.996103 mA / cm
作业-课后习题2
第四章 半导体的导电性
试计算本征Si 在室温时的电导率，设电子和空穴迁移率分别为1450cm2/V·S 和500cm2/V·S。当掺入百万分之一的As 后，设杂质全部电离，试计算其电 导率。比本征Si 的电导率增大了多少倍？（ni=1.5×1010cm-3; Si原子浓度为 =5.0×1022cm-3,假定掺杂后电子迁移率为900cm2/V·S)
m0为电子惯性质量，k1=1/2a; a=0.314nm。试求： （1）禁带宽度； （2）导带底电子有效质量； （3）价带顶电子有效质量； （4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。
练习2-课后习题2
第一章 半导体中的电子状态
2.晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m和107V/m 的电 场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。
所以，300k时，
nT 300
(1.05 1019
5.7
1018 )
exp(
0.67 1.61019 21.381023 300)
1.961013cm3
77k时，
半导体物理与器件课后练习题含答案
半导体物理与器件课后练习题含答案1. 简答题1.1 什么是p型半导体？答案： p型半导体是指通过加入掺杂物（如硼、铝等）使得原本的n型半导体中含有空穴，从而形成的半导体材料。
具有p型性质的半导体材料被称为p型半导体。
1.2 什么是n型半导体？答案： n型半导体是指通过加入掺杂物（如磷、锑等）使得原本的p型半导体中含有更多的自由电子，从而形成的半导体材料。
具有n型性质的半导体材料被称为n型半导体。
1.3 什么是pn结？答案： pn结是指将p型半导体和n型半导体直接接触形成的结构。
在pn结的界面处，p型半导体中的空穴和n型半导体中的自由电子会相互扩散，形成空间电荷区，从而形成一定的电场。
当外加正向电压时，电子和空穴在空间电荷区中相遇，从而发生复合并产生少量电流；而当外加反向电压时，电场反向，空间电荷区扩大，从而形成一个高电阻的结，电流几乎无法通过。
2. 计算题2.1 若硅片的掺杂浓度为1e16/cm³，电子迁移率为1350 cm²/Vs，电离能为1.12 eV，则硅片的载流子浓度为多少？解题过程：根据硅片的掺杂浓度为1e16/cm³，可以判断硅片的类型为n型半导体。
因此易知载流子为自由电子。
根据电离能为1.12 eV，可以推算出自由电子的有效密度为：n = N * exp(-Eg / (2kT)) = 6.23e9/cm³其中，N为硅的密度，k为玻尔兹曼常数（1.38e-23 J/K），T为温度（假定为室温300K），Eg为硅的带隙（1.12 eV）。
因此，载流子浓度为1e16 + 6.23e9 ≈ 1e16 /cm³。
2.2 假设有一n+/p结的二极管，其中n+区的掺杂浓度为1e19/cm³，p区的掺杂浓度为1e16/cm³，假设该二极管在正向电压下的漏电流为1nA，求该二极管的有效面积。
解题过程：由于该二极管的正向电压下漏电流为1nA，因此可以利用肖特基方程计算出它的开启电压：I = I0 * (exp(qV / (nkT)) - 1)其中，I0为饱和漏电流（假定为0），q为电子电荷量，V为电压，n为调制系数（一般为1），k为玻尔兹曼常数，T为温度。
半导体物理与器件考核试卷
B.硅化
C.硼化
D.镍化
17.在半导体工艺中，以下哪些步骤属于前道工艺？（）
A.光刻
B.蚀刻
C.离子注入
D.镀膜
18.以下哪些材料常用于半导体器件的互连？（）
A.铝
B.铜导线
C.镓
D.硅
19.在半导体物理中，以下哪些现象与载流子的复合有关？（）
A.发射
B.复合
C.陷阱
D.所有上述现象
20.以下哪些因素会影响半导体激光器的阈值电流？（）
半导体物理与器件考核试卷
考生姓名：__________答题日期：__________得分：__________判卷人：__________
一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）
1.半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间，主要因为其（）
C. Nitrogen（氮的）
D. Excess electrons（过剩电子）
5. P-N结在反向偏置时，其内部的电场强度（）
A.减小
B.增大
C.消失
D.不变
6.以下哪个不是太阳能电池的工作原理？（）
A.光电效应
B.热电效应
C.光生伏特效应
D.量子效应
7.在MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）中，MOS电容的C-V特性曲线中，积累区对应于（）
18. A, B
19. D
20. D
三、填空题
1.禁带
2.电子
3.降低
4.金属-氧化物-半导体
5.温度
6.栅氧化层质量
7.紫外光
8.能级
9.玻尔兹曼分布
10.温度
半导体物理与器件习题
第一章 固体晶格结构1．如图是金刚石结构晶胞，若a 是其晶格常数，则其原子密度是 。
2．所有晶体都有的一类缺陷是：原子的热振动，另外晶体中常的缺陷有点缺陷、线缺陷。
3．半导体的电阻率为10-3～109Ωcm 。
4．什么是晶体？晶体主要分几类？5．什么是掺杂？常用的掺杂方法有哪些？答：为了改变导电性而向半导体材料中加入杂质的技术称为掺杂。
常用的掺杂方法有扩散和离子注入。
6．什么是替位杂质？什么是填隙杂质？ 7．什么是晶格？什么是原胞、晶胞？第二章 量子力学初步1．量子力学的三个基本原理是三个基本原理能量量子化原理、波粒二相性原理、不确定原理。
2．什么是概率密度函数？3．描述原子中的电子的四个量子数是： 、 、 、 。
第三章 固体量子理论初步1．能带的基本概念⏹ 能带（energy band ）包括允带和禁带。
⏹ 允带（allowed band ）：允许电子能量存在的能量范围。
⏹ 禁带（forbidden band ）：不允许电子存在的能量范围。
⏹ 允带又分为空带、满带、导带、价带。
⏹ 空带（empty band ）：不被电子占据的允带。
⏹满带（filled band ）：允带中的能量状态（能级）均被电子占据。
导带：有电子能够参与导电的能带，但半导体材料价电子形成的高能级能带通常称为导带。
价带:由价电子形成的能带，但半导体材料价电子形成的低能级能带通常称为价带。
2．什么是漂移电流？漂移电流：漂移是指电子在电场的作用下的定向运动，电子的定向运动所产生的电流。
3．什么是电子的有效质量？晶格中运动的电子，在外力和内力作用下有： Ｆ总＝Ｆ外＋Ｆ内=ma, m 是粒子静止的质量。
Ｆ外=m*n a, m*n 称为电子的有效质量。
4．位于能带底的电子，其有效质量为正，位于能带顶电子，其有效质量为负。
5．在室温T=300K ，Si 的禁带宽度：Eg=1.12eV Ge 的禁带宽度：Eg=0.67eV GaAs 的禁带宽度：Eg=1.43eVEg 具有负温度系数，即T 越大，Eg 越小；Eg 反应了，在相同温度下，Eg 越大，电子跃迁到导带的能力越弱。
半导体物理与器件英文版第四版课后练习题含答案
半导体物理与器件英文版第四版课后练习题含答案Chapter 1: Crystal PropertiesMultiple Choice Questions1.Which of the following statements is correct? A. The latticestructure of a crystal can be described by three crystal axes that are normal to each other. B. For a crystal with a primitive cubic unit cell, the coordination number is 8. C. In a crystal lattice with a face-centered cubic (FCC) unit cell, each atom has only six nearest neighbors. D. The Miller indices of a crystal planeperpendicular to the x-axis and passing through point (1, 2, 3) are (1, 2, 3).Answer: A2.Which of the following statements is correct? A. The crystalstructure of diamond is face-centered cubic (FCC). B. The density of silicon is smaller than that of germanium. C. The coordination number of germanium is 4. D. The Miller indices of a crystal plane parallel to the x-axis and passing through point (1, 2, 3) are (1, 0, 0).Answer: DShort Answer Questions1.What is the difference between a lattice and a unit cell?2.Define the concept of coordination number and give anexample of a coordination number 6 crystal structure.3.Define the concept of a crystal plane and expln how Millerindices are used to describe crystal planes.Answers:1.A lattice is an infinitely repeating arrangement of pointsin space that defines the basic symmetry of a crystal, while aunit cell is the smallest repeating unit of a crystal lattice that can be used to reconstruct the entire crystal by translation.2.Coordination number is the number of nearest neighbors of anatom in a crystal lattice. An example of a coordination number 6 crystal structure is the hexagonal close-packed (HCP) structure.3.A crystal plane is an imaginary flat surface in a crystalthat can be used to define the orientation of the crystal in space.Miller indices are a set of integers that describe the orientation of a crystal plane relative to the crystal axes. The Millerindices of a plane are determined by finding the reciprocals of the intercepts of the plane with the crystal axes and thenreducing these reciprocals to the smallest set of integers that give a unique designation of the plane.。
半导体器件物理复习题完整版
半导体器件物理复习题一． 平衡半导体： 概念题：1. 平衡半导体的特征（或称谓平衡半导体的定义）所谓平衡半导体或处于热平衡状态的半导体，是指无外界（如电压、电场、磁场或温度梯度等）作用影响的半导体。
在这种情况下，材料的所有特性均与时间和温度无关。
2. 本征半导体：本征半导体是不含杂质和无晶格缺陷的纯净半导体。
3. 受主（杂质）原子：形成P 型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子（一般为元素周期表中的Ⅲ族元素）。
4. 施主（杂质）原子：形成N 型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子（一般为元素周期表中的Ⅴ族元素）。
5. 杂质补偿半导体：半导体中同一区域既含受主杂质又含施主杂质的半导体。
6. 兼并半导体：对N 型掺杂的半导体而言，电子浓度大于导带的有效状态密度，费米能级高于导带底（0F c E E ->）；对P 型掺杂的半导体而言，空穴浓度大于价带的有效状态密度。
费米能级低于价带顶（0F v E E -<）。
7. 有效状态密度：穴的有效状态密度。
8. 以导带底能量c E 为参考，导带中的平衡电子浓度：其含义是：导带中的平衡电子浓度等于导带中的有效状态密度乘以能量为导带低能量时的玻尔兹曼分布函数。
9. 以价带顶能量v E 为参考，价带中的平衡空穴浓度：其含义是：价带中的平衡空穴浓度等于价带中的有效状态密度乘以能量为价带顶能量时的玻尔兹曼分布函数。
10.11.12.13. 14. 本征费米能级Fi E ：是本征半导体的费米能级；本征半导体费米能级的位置位于禁带中央附近，g c v E E E =-。
？15. 本征载流子浓度i n ：本征半导体内导带中电子浓度等于价带中空穴浓度的浓度00i n p n ==。
硅半导体，在300T K =时，1031.510i n cm -=⨯。
16. 杂质完全电离状态：当温度高于某个温度时，掺杂的所有施主杂质失去一个电子成为带正电的电离施主杂质；掺杂的所有受主杂质获得一个电子成为带负电的电离受主杂质，称谓杂质完全电离状态。
半导体物理与器件习题
半导体物理与器件习题目录半导体物理与器件习题 (1)一、第一章固体晶格结构 (2)二、第二章量子力学初步 (2)三、第三章固体量子理论初步 (2)四、第四章平衡半导体 (3)五、第五章载流子输运现象 (5)六、第六章半导体中的非平衡过剩载流子 (5)七、第七章pn结 (6)八、第八章pn结二极管 (6)九、第九章金属半导体和半导体异质结 (7)十、第十章双极晶体管 (7)十一、第十一章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 (8)十二、第十二章MOSFET概念的深入 (9)十三、第十三章结型场效应晶体管 (9)一、第一章固体晶格结构1．如图是金刚石结构晶胞，若a 是其晶格常数，则其原子密度是。
2．所有晶体都有的一类缺陷是：原子的热振动，另外晶体中常的缺陷有点缺陷、线缺陷。
3．半导体的电阻率为10-3～109Ωcm。
4．什么是晶体？晶体主要分几类？5．什么是掺杂？常用的掺杂方法有哪些？答：为了改变导电性而向半导体材料中加入杂质的技术称为掺杂。
常用的掺杂方法有扩散和离子注入。
6．什么是替位杂质？什么是填隙杂质？7．什么是晶格？什么是原胞、晶胞？二、第二章量子力学初步1．量子力学的三个基本原理是三个基本原理能量量子化原理、波粒二相性原理、不确定原理。
2．什么是概率密度函数？3．描述原子中的电子的四个量子数是：、、、。
三、第三章固体量子理论初步1．能带的基本概念◼能带（energy band）包括允带和禁带。
◼允带（allowed band）：允许电子能量存在的能量范围。
◼禁带（forbidden band）：不允许电子存在的能量范围。
◼允带又分为空带、满带、导带、价带。
◼空带（empty band）：不被电子占据的允带。
◼满带（filled band）：允带中的能量状态（能级）均被电子占据。
导带：有电子能够参与导电的能带，但半导体材料价电子形成的高能级能带通常称为导带。
价带:由价电子形成的能带，但半导体材料价电子形成的低能级能带通常称为价带。
半导体物理练习题（ＰＤＦ）
b） 结的耗尽区宽度主要在 N 型侧 c）流过 结的反向电流成分中没有复合电流 d）降低 N 区的掺杂浓度可以提高 结的反向击穿电压 4. 下面四块半导体硅单晶，除掺杂浓度不同外，其余条件均相同，由下面给出的数 据可知：电阻率最大的是（ ），电阻率最小的是（ ）
a）
b）
，
c）
d）
5. 下列叙述正确的是（ ） a）非平衡载流子在电场作用下，在寿命 时间内所漂移的距离叫牵引长度 b）非平衡载流子在复合前所能扩散深入样品的平均距离称为扩散长度 c）使半导体导带底的电子逸出体外所需的最小能量叫电子亲和
A.禁带中心能级 Ei
B.施主或受主能级
C.费米能级 EF
10.对于某 n 型半导体构成的金－半阻挡层接触，加上正向电压时，随着电压增加，
阻挡层的厚度将逐渐（）。
A. 变宽
B. 不变
C. 变窄
综合练习题三
一、单项选择题（总分 16 分，每小题 2 分）
1. 若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定（ ）
1. 关于霍耳效应，下列叙述正确的是（ ）。
a）n 型半导体的霍耳系数总是负值。 b）p 型半导体的霍耳系数可以是正值，零或负值。
c）利用霍耳效应可以判断半导体的导电类型。 d）霍耳电压与样品形状有关。 2. 下列（ ）不属于热电效应。
a）塞贝克效应 b）帕耳帖效应
c）汤姆逊效应 d）帕斯托效应
3. 半导体 pn 结激光的发射，必须满足的条件是（ a）形成粒子数分布反转
a） 不含施主杂质
b）不含受主杂质
c）本征半导体
d）处于绝对零度
2. 半导体中载流子扩散系数的大小决定于其中的（ ）
a） 散射机构
b） 能带结构
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
《半导体物理与器件》习题库目录《半导体物理与器件》习题库 (1)第1章思考题和习题 (2)第2章思考题和习题 (3)第3章思考题和习题 (6)第4章思考题和习题 (10)第5章半导体器件制备技术 (12)第6章Ga在SiO2/Si结构下的开管掺杂 (13)第1章思考题和习题1. 300K时硅的晶格常数a=5.43Å，求每个晶胞内所含的完整原子数和原子密度为多少？2. 综述半导体材料的基本特性及Si、GaAs的晶格结构和特征。
3. 画出绝缘体、半导体、导体的简化能带图，并对它们的导电性能作出定性解释。
4. 以硅为例，简述半导体能带的形成过程。
5. 证明本征半导体的本征费米能级E i位于禁带中央。
6. 简述迁移率、扩散长度的物理意义。
7. 室温下硅的有效态密度Nc=2.8×1019cm-3,κT=0.026eV,禁带宽度Eg=1.12eV，如果忽略禁带宽度随温度的变化，求：（a）计算77K、300K、473K 3个温度下的本征载流子浓度。
（b） 300K本征硅电子和空穴的迁移率分别为1450cm2/V·s和500cm2/V·s，计算本征硅的电阻率是多少？8. 某硅棒掺有浓度分别为1016/cm3和1018/cm3的磷，求室温下的载流子浓度及费米能级E FN的位置（分别从导带底和本征费米能级算起）。
9. 某硅棒掺有浓度分别为1015/cm3和1017/cm3的硼，求室温下的载流子浓度及费米能级E FP的位置（分别从价带顶和本征费米能级算起）。
10. 求室温下掺磷为1017/cm3的N+型硅的电阻率与电导率。
11. 掺有浓度为3×1016cm-3的硼原子的硅，室温下计算：（a）光注入△n=△p=3×1012cm-3的非平衡载流子，是否为小注入？为什么？（b）附加光电导率△σ为多少？（c）画出光注入下的准费米能级E’FN和E’FP(E i为参考)的位置示意图。
（d）画出平衡下的能带图，标出E C、E V、E FP、E i能级的位置，在此基础上再画出光注入时，E FP’和E FN’，并说明偏离E FP的程度是不同的。
12. 室温下施主杂质浓度N D=4×1015 cm-3的N型半导体，测得载流子迁移率μn=1050cm2/V·s，μp=400 cm2/V·s, κT/q=0.026V,求相应的扩散系数和扩散长度为多少？第2章思考题和习题1．简述ＰＮ结空间电荷区的形成过程和动态平衡过程。
2．画出平衡ＰＮ结，正向ＰＮ结与反向ＰＮ结的能带图，并进行比较。
3．如图２-６９所示，试分析正向小注入时，电子与空穴在５个区域中的运动情况。
4．仍如图２-６９为例试分析PN结加反向偏压时，电子与空穴在５个区域中的运动情况。
5试画出正、反向PN结少子浓度分布示意图，写出边界少子浓度及少子浓度分布式，并给予比较。
6. 用平衡PN结的净空穴等于零的方法，推导出突变结的接触电动势差U D表达式。
7．简述正反向PN结的电流转换和传输机理。
8．何为正向PN结空间电荷区复合电流和反向PN结空间电荷区的产生电流。
9．写出正、反向电流_电压关系表达式，画出PN结的伏安特性曲线，并解释pN结的整流特性特性。
10．推导硅突变结空间电荷区电场分布及其宽度表达式。
并画出示意图。
11．推导线性缓变变结空间电荷区电场分布及其宽度表达式。
并画出示意图。
12．什么叫PN结的击穿与击穿电压，简述PN结雪崩击穿与隧道击穿的机理，并说明两者之间的不同之处。
13．如何提高硅单边突变结的雪崩击穿电压？14．如何提高线性缓变结的雪崩击穿电压？15．如何减小PN结的表面漏电流？16．什么叫PN结的电容效应、势垒电容和扩散电容？17．什么叫做二极管的反向恢复过程和反向恢复时间？提高二极管开关速度的途径有哪些？18．以N 型硅片为衬底扩硼制备PN 结，已知硼的分布为高斯函数分布，衬底浓度N D =1×1015/cm 3，在扩散温度为1180℃下硼在硅中的扩散系数D=1.5×10-12cm 2/s ，扩散时间t=30min ，扩散结深X j =2.7μm 。
试求：①扩散层表面杂质浓度N s ？②结深处的浓度梯度a j ？③接触电势差U D ？19. 有两个硅PN 结，其中一个结的杂质浓度cmN D 315105−⨯=,cm N A 317105−⨯=;另一个结的cm N D 319105−⨯=，cm N A 317105−⨯=，求室温下两个PN 结的接触电动势差。
并解释为什么杂质浓度不同，接触电动势差的大小也不同。
20. 计算一硅PN 结在300K 时的内建电场，cm N A 31810−=，cm N D 31510−=。
21. 已知硅PN 结：,10,105316316cm N cm N D A −−=⨯=cm D n 221=，s cm D P 210=，,1057s n P −⨯==ττ截面积cm A 24102−⨯=，求 ①理想饱和电流J 0？②外加正向电压为V 5.0时的正向电流密度J ？③电子电流与空穴电流的比值？并给以解释。
22. 仍以上题的条件为例，假设,τττp n g ==计算V 4反向偏压时的产生电流密度。
23.最大电场强度（T=300K ）？求反型电压300V 时的最大电场强度。
24. 对于一个浓度梯度为cm 42010−的硅线性缓变结，耗尽层宽度为m μ5.0。
计算最大电场强度和结的总电压降。
25. 一硅P +N 结，其cm N cm N D A 31531910,10−−==，面积,10123cm A −⨯=计算反向偏压U 分别等于V 5和V 10的么势垒电容C T 、空间电荷区宽度X M 和最大电场强度E M 。
26. 计算硅P +N 结的击穿电压，其cm N D 31610−=（利用简化式）。
27. 在衬底杂质浓度cm N D 316105−⨯=的N 型硅晶片上进行硼扩散，形成PN 结,硼扩散后的表面浓度,10318cm N S −=结深m μ5X j =。
试求结深处的浓度梯度a j ，施加反向偏压V 5时的单位面积势垒电容和击穿电压U B 。
28. 设计一P +N 突变结二极管。
其反向电压为V 130，且正向偏压为V 7.0时的正向电流为mA 2.2。
并假设s p 1070−=τ。
29. 一硅P +N 结，cm N D 31510−=，求击穿时的耗尽层宽度，若N 区减小到m μ5计算击穿电压并进行比较。
30. 一个理想的硅突变结cm N cm N D A 31531810,10−−==，求①计算K 250、K 300、K 400、K 500下的内建电场U D ，并画出U D 对温度T 的关系曲线。
②用能带图讨论所得结果。
③求K 300下零偏压的耗尽层宽度和最大电场。
第3章 思考题和习题1. 画出PNP 晶体管在平衡和有源工作模式下的能带图和少子分布示意图。
2. 画出正偏置的NPN 晶体管载流子输运过程示意图，并解释电流传输和转换机理。
3. 解释发射效率γ0和基区输运系数β0＊的物理意义。
4. 解释晶体管共基极直流电流放大系数α０，共发射极直流电流放大系数β０的含义，并写出α０、β０、γ0和β0＊的关系式。
5. 什么叫均匀基层晶体管和缓变基区晶体管？两者在工作原理上有什么不同？6. 画出晶体管共基极、共发射机直流输出、输出特性曲线、并讨论它们之间的异同。
7. 晶体管的反向电流ＩＣＢＯ、ＩＥＢＯ、ＩＣＥＯ是如何定义的？写出ＩＣ之间的关系式并加以讨论。
ＥＯ与ＩＣＢＯ8. 晶体管的反向击穿电压ＢＵＣＢＯ、ＢＵＣＥＯ、ＢＵＥＢＯ是如何定义的？写出ＢＵＣＥＯ与ＢＵＣＢＯ之间的关系式，并加以讨论。
9. 高频时晶体管电流放大系数下降的原因是什么？10. 描写晶体管的频率参数主要有哪些？它们分别的含义是什么？11. 影响特征频率ｆＴ的因素是什么？如何特征频率ｆＴ？12. 画出晶体管共基极高频等效电路图和共发射极高频等效电路图。
13. 大电流时晶体管的β０、ｆＴ下降的主要原因是什么？14. 简要叙述大注入效应、基区扩展效应、发射极电流集边效应的机理。
15. 什么叫晶体管最大耗散功率ＰＣＭ？它与哪些因素有关？如何减少晶体管热阻ＲＴ？16. 画出晶体管的开关波形，图中注明延迟时间τｄ、上升时间ｔｒ、储存时间ｔｓ、下降时间ｔｆ，并解释其物理意义。
17. 解释晶体管的饱和状态、截止状态、临界饱和和深饱和的物理意义。
18. 以ＮＰＮ硅平面为例，当发射结正偏、集电结反偏状态下，分别说明从发射极进入的电子流，在晶体管的发射区、发射结势垒区、基区、集电结势垒和集电区的传输过程中，以什么运动形式（指扩散或漂移）为主。
19. 试比较ｆα、ｆβ、ｆＴ的相对大小。
20. 画出晶体管饱和态时的载流子分布，并简述超量存储电荷的消失过程。
21. 画出普通晶闸的基本结构图，并简述其基本工作原理。
22. 有一低频小功率合金晶体管，用N型Ge作基片，其电阻率为1.5Ωcm，用烧铟合金方法制备发射区和集电区，两区掺杂浓度约为3×1018/cm3，求r o（已知W b=50mμ，L ne=5mμ）。
23. 某一对称的P+NP+锗合金管，基区宽度为5mμ，基区杂质浓度为5×1015cm-3，基区空穴寿命为10sμ（A E=A C=10-3cm2）。
计算在U EB=0.26V、U CB=-50V 时的基极电流I B？求出上述条件下的α0和β0（r0≈1）。
24. 已知均匀基区硅NPN晶体管的γ0=0.99，BU CBO=150V,W b=18.7mμ，基区中电子寿命тb=1us（若忽略发射结空间电荷区复合和基区表面复合），求α0、β0、β0*和BU CEO（设D n=35cm2/s).25. 已知NPN双扩散外延平面晶体管，集电区电阻率ρc=1.2Ωcm，集电区厚度W c=10mμ，硼扩散表面浓度N BS=5×1018cm-3，结深X jc=1.4mμ。
求集电极偏置电压分别为25V和2V时产生基区扩展效应的临界电流密度。
26. 已知P+NP晶体管，其发射区、基区、集电区德杂质浓度分别为5×1018cm-3、2×1016cm-3、1×1015cm-3，基区宽度W b=1.0m，器件截面积为0.2mm2,当发射结上的正向偏压为0.5V，集电结反向偏压为5V时，计算：（1）中性基区宽度？（2）发射结少数载流子浓度？27. 对于习题26中的晶体管，少数载流子在发射区、基区、集电区德扩散系数分别为52cm2/s、40cm2/s、115cm2/s，对应的少数载流寿命分别为10-8s、10-7s、10-6s，求晶体管的各电流分量？28. 利用习题26、习题27所得到的结果，求出晶体管的端点电流I E、I C和I B。