现代电子线路02半导体性质ppt课件
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现代电子线路02半导体性质
+4
束缚电子
+4
空穴 自由电子
在室温（300K）下，由于热激发，会使一些价电子获 得足够的能量而挣脱共价键的束缚，成为自由电子 （free electron），这种现象称为本征激发（intrinsic excitation）。
价电子成为自由电子后，共价键中就留下一个空位， 这个空位称为空穴（hole）。空穴的出现是半导体区 别于导体的一个重要特点。
价电子
Si
Ge
2020/10/2
硅原子
School of Physics, Peking University
锗原子
第二章 No.4
通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。 完全纯净的、结构完整的半导体晶体，称为本征半导体。
在硅和锗的本征半导体中，
每个原子与其相临的原子
之间形成共价键，共用一
对价电子。
N型半导体
在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷 （或锑），取代晶体点阵中的某些半导体
+4
+4
原子，磷原子的最外层有五个价电子，其
中四个与相临的半导体原子形成共价键，
而多余的一个价电子因无共价键束缚而很
容易被激发而形成自由电子。
+5
+4
在N型半导体中自由电子是多数载流子 （majority carrier），它主要由杂质原 子提供；空穴是少数载流子（minority carrier）, 由热激发形成。
(conductor)、绝缘体(insulator)和半导体。
绝缘体
半导体
导体
1020 1016 1014 1012 106 104
石云 橡硬纯硅
英母 胶玻水、
璃
半导体基本知识(PPT课件)
例开关电路如图所示.输入信号U1是幅值为5V频率为 1KHZ的脉冲电压信号.已知 β=125,三极管饱和时 UBE=0.7V,UCES=0.25V.试分析电路的工作状态和输出电压 的波形
三极管的三种接法
• 共射极电路： • 共基极电路: • 共集极电路（射极跟随器）
MOS场效应管
• 压控电流源器件 • 分类：
• 难点：
– １、载流子运动规律与器件外部特性的关系。 只须了解，不必深究
半导体基本知识
• 半导体：
– 定义:导电性能介于导体和绝缘之间的物质 – 材料:常见硅、锗 – 硅、锗晶体的每个原子均是靠共价键紧密
结合在一起。
本征半导体
• 本征半导体：纯净的半导体。0K时，价电子
不能挣脱共价键而参与导电，因此不导电。随 T上升晶体中少数的价电子获得能量。挣脱共 价键束缚，成为自由电子，原来共价键处留下 空位称为空穴。空穴与自由电子统称载流子。 • 自由电子：负电荷 • 空穴：正电荷 • 不导电– 增强源自、耗尽型 – PMOS管、NMOS管
• 特性曲线
– 转移特性曲线 – 输出特性曲线
MOS场效应管的主要参数
• 直流参数：
– 开启电压 UTN，UTP – 输入电阻 rgs
• 交流参数：
– 跨导gm – 导通电阻Rds – 极间电容
例NMOS管构成反相器如图示,其主要参数为UTN=2.0V， gM=1.3MA/V，rDS(ON)=875，电源电压UC=12V。输入脉 冲电压源辐值为5V,频率为1KHZ。试分析电路的工作状 态及输出电压UO的波形。
限幅电路如图示：假设输入UI为一周期性矩形 脉冲，低电压UIL=-5V，高电压UIH=5V。
• 当输入UI为-5V时，二极管D截止， • 视为“开路”，输出UO=0V。 • 当输入UI为+5V时，二极管D导通， • 由于其等效电阻RD相对于负载电 • 阻R的值小得多，故UI基本落在R上， • 即UO=UI=+5V。
半导体中的基本性质-PPT
Potential Energy, E(r)
Attraction
FA = Attractive force FN = Net force
ER = Repulsive PE E = Net PE
0
ro
0
Interatomic separation, r
Eo
ro
r
Attraction
Repulsion
FR = Repulsive force
进一步的研究显示，可以根据导电能 力的温度依赖特征更好地区分金属、
半导体、超导体
不同的电阻温 度特性，说明 不同材料之间 具有不同的导 电机制
半导体与金属
的电阻率独特
的温度特性，
Si
常被用来鉴别
半导体材料与
金属。
•真正了解半导体的性质和特征，需要从能带论出发
北北京京大大学学 微微电电子子学学研研究究所所
北北京京大大学学 微微电电子子学学研研究究所所
2.1.4 晶体的晶面（实例）
z x
(010) (010)
z
(010) (010)
(010)
y
x
(001)
y
(110)
(100)
z
z
(110)
(111)
–y
y
x
x –z
(b) Various planes in the cubic lattice
(111)
化合物半导体的闪锌矿晶体结构
S a
Zn a
a
北北京京大大学学 微微电电子子学学研研究究所所
第二章 半导体中的基本性质
半导体材料的结构和性质之间存在相似性（四面体结构），这 种相似性与什么有关？答案是：与原子之间的相互作用有关。
《半导体的基本知识》PPT课件
2 掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度: n=5×1016/cm3
杂质半导体中，尽管掺入的杂质浓度很小， 但通常由杂质原子提供的载流子数却远大于本征
载流子数。
整理ppt
1.1.2 杂质半导体
4.杂质半导体的性质：
1.杂质半导体保持电中性 多子电荷总量=少子+离子电荷总量。
2.载流子仍为自由电子和空穴. 3.掺入杂质后，载流子浓度大大增加,导电能力 增强.多子的浓度主要由掺杂浓度决定,所以受温度影 响小.
导体－－铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电 子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。
绝缘体－－惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原 子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导 电。
半导体－－硅（Si）、锗（Ge），均为四价元素，它们原 子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。
整理ppt
1.1.2 杂质半导体
• 半导体特性
掺杂特性 掺入杂质则导电率增加几百倍
热敏特性 温度增加使导电率大为增加
半导体器件 热敏器件
光敏特性 光照不仅使导电率大为增加还可以产生电动势
本小 节的 有关 概念
•本征半导体、杂质半导体 •施主杂质、受主杂质 •N型半导体、P型半导体 •自由电子、空穴 •多数载流子、少数载流子
磷（P）
整理ppt
1.1.2 杂质半导体
N 型半导体中的载流子是什么？
1.由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。 2.本征激发成对产生的电子和空穴。 掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以， 自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多 数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少 子）。
# 正离子不能自由运动，不能自由运动参加导电，不是载流子。
杂质半导体中，尽管掺入的杂质浓度很小， 但通常由杂质原子提供的载流子数却远大于本征
载流子数。
整理ppt
1.1.2 杂质半导体
4.杂质半导体的性质：
1.杂质半导体保持电中性 多子电荷总量=少子+离子电荷总量。
2.载流子仍为自由电子和空穴. 3.掺入杂质后，载流子浓度大大增加,导电能力 增强.多子的浓度主要由掺杂浓度决定,所以受温度影 响小.
导体－－铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电 子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。
绝缘体－－惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原 子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导 电。
半导体－－硅（Si）、锗（Ge），均为四价元素，它们原 子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。
整理ppt
1.1.2 杂质半导体
• 半导体特性
掺杂特性 掺入杂质则导电率增加几百倍
热敏特性 温度增加使导电率大为增加
半导体器件 热敏器件
光敏特性 光照不仅使导电率大为增加还可以产生电动势
本小 节的 有关 概念
•本征半导体、杂质半导体 •施主杂质、受主杂质 •N型半导体、P型半导体 •自由电子、空穴 •多数载流子、少数载流子
磷（P）
整理ppt
1.1.2 杂质半导体
N 型半导体中的载流子是什么？
1.由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。 2.本征激发成对产生的电子和空穴。 掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以， 自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多 数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少 子）。
# 正离子不能自由运动，不能自由运动参加导电，不是载流子。
半导体的基础知识与PN结(ppt 24页)
2、 P 型半导体
在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素，如 硼、镓、铟等，即构成 P 型半导体(或称空穴型半导 体）。
空穴浓度多于自由电子浓度 空穴为多数载流子(简称多子）， 电子为少数载流子(简称少子)。
+3
(本征半导体掺入 3 价元素后，原来 晶体中的某些硅原子将被杂质原子 代替。杂质原子最外层有 3 个价电 子，3与硅构成共价键，多余一个空 穴。)
扩散运动使空间电荷区增大，扩散电流逐渐减小；
随着内电场的增强，漂移运动逐渐增加；
当扩散电流与漂移电流相等时，PN 结总的电流等于零， 空间电荷区的宽度达到稳定。
即扩散运动与漂移运动达到动态平衡时，形成PN结。
P
PN结
N
二、 PN 结的单向导电性 空间电荷区变窄，有利
1. PN结 外加正向电压时处于导通于状扩态散运动，电路中有
外电场使空间电荷区变宽；
不利于扩散运动，有利于漂移运动，漂移电流大于扩 散电流，电路中产生反向电流 I ；
由于少数载流子浓度很低，反向电流数值非常小。
P
耗尽层
N
IS
内电场方向
外电场方向
V
R
图 1.1.7 PN 结加反向电压时截止
反向电流又称反向饱和电流。对温度十分敏感，
随着温度升高， IS 将急剧增大。
P
空间电荷区
N
—— PN 结，耗 尽层。
（动画1-3）
3. 空间电荷区产生内电场
空间电荷区正负离子之间电位差 Uho —— 内电场； 内电场阻止多子的扩散 —— 阻挡层。
4. 漂移运动 内电场有利 于少子运动—漂 移。
少子的运动 与多子运动方向 相反
阻挡层
半导体的基本知识.ppt
绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡 皮、陶瓷、塑料和石英。
半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘 体之间，称为半导体，如硅、锗、砷化镓 和一些硫化物、氧化物等。
2.1 半导体的基本知识
半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具 有不同于其它物质的特点。例如：
• 当受外界热和光的作用时，它的导电能 力明显变化。
在 P 型半导体中，空 穴是多数载流子；自由电 子是少数载流子。
空穴
+4
+4
+3
+4
空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负 离子。三价杂质 因而也称为受主杂质。
3.杂质半导体的示意表示法
－－－－ － － －－－－ － － －－－－ － － －－－－ － －
+ +++++ + +++++ + +++++ + +++++
N型半导体：在本征半导体中掺入五价元素 ，
如磷、砷等，就会构成 N 型半导体。
P型半导体：在硅或锗的晶体中掺入少量的三
价杂质元素，如硼、镓、铟等，就会构成 P 型半导体。
1. N型半导体
因五价杂质原子中只有四个价电子 能与周围四个半导体原子中的价电子形 成共价键，而多余的一个价电子因无共 价键束缚而很容易形成自由电子。
载流子浓度分布的不均匀引起的定向 运动称为扩散运动。相应产生的电流称为 扩散电流。
小结
1. 半导体是依靠自由电子和空穴两种载流子导电的。
2. 掺入不同杂质，形成N型和P型两种杂质半导体。 N型半导体：多子是自由电子，少子是空穴； P型半导体：多子是空穴，少子是自由电子。
半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘 体之间，称为半导体，如硅、锗、砷化镓 和一些硫化物、氧化物等。
2.1 半导体的基本知识
半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具 有不同于其它物质的特点。例如：
• 当受外界热和光的作用时，它的导电能 力明显变化。
在 P 型半导体中，空 穴是多数载流子；自由电 子是少数载流子。
空穴
+4
+4
+3
+4
空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负 离子。三价杂质 因而也称为受主杂质。
3.杂质半导体的示意表示法
－－－－ － － －－－－ － － －－－－ － － －－－－ － －
+ +++++ + +++++ + +++++ + +++++
N型半导体：在本征半导体中掺入五价元素 ，
如磷、砷等，就会构成 N 型半导体。
P型半导体：在硅或锗的晶体中掺入少量的三
价杂质元素，如硼、镓、铟等，就会构成 P 型半导体。
1. N型半导体
因五价杂质原子中只有四个价电子 能与周围四个半导体原子中的价电子形 成共价键，而多余的一个价电子因无共 价键束缚而很容易形成自由电子。
载流子浓度分布的不均匀引起的定向 运动称为扩散运动。相应产生的电流称为 扩散电流。
小结
1. 半导体是依靠自由电子和空穴两种载流子导电的。
2. 掺入不同杂质，形成N型和P型两种杂质半导体。 N型半导体：多子是自由电子，少子是空穴； P型半导体：多子是空穴，少子是自由电子。
20-半导体基础知识PPT模板
电工电子技术
半导体之所以被作为制造电子器件的主要材料在于它 具有热敏性、光敏性和掺杂性。
热敏性：是指半导体的导电能力随着温度的升高而迅 速增加的特性。利用这种特性可制成各种热敏元件，如热 敏电阻等。
光敏性：是指半导体的导电能力随光照的变化有显著 改变的特性。利用这种特性可制成光电二极管、光电.1 半导体的基本特性
根据导电性能的不同，自然界的物质大体可分为导体、 绝缘体和半导体三大类。其中，容易导电、电阻率小于 10-4Ω·cm的物质称为导体，如铜、铝、银等金属材料；很难 导电、电阻率大于104Ω·cm的物质称为绝缘体，如塑料、橡 胶、陶瓷等材料；导电能力介于导体和绝缘体之间的物质 称为半导体，如硅、锗、硒及大多数金属氧化物和硫化物 等。
（2）反向偏置
给PN结加反向偏置电压，即N区接电源正极，P区接电源 负极，称PN结反向偏置，如下图所示。
由于外加电场与内电场的 方向一致，因而加强了内电场， 促进了少子的漂移运动，阻碍 了多子的扩散运动，使空间电 荷区变宽。此时，主要由少子 的漂移运动形成的漂移电流将 超过扩散电流，方向由N区指向 P区，称为反向电流。由于常温 下少子的数量很少，所以反向 电流很小。此时，PN结处于截 止状态。
（2）P型半导体
在本征半导体硅（或锗）中掺入微量三价元素硼，由 于硼原子只有3个价电子，它与周围硅原子组成共价键时， 因缺少一个价电子而形成一个空穴，相邻的价电子很容易 填补这个空穴，形成新的空穴。这种半导体导电主要靠空 穴，所以称为空穴型半导体或P型半导体，如下图所示。P 型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子。
2．PN结的单向导电性
（1）正向偏置
给PN结外加正向偏置电压，即P区接电源正极，N区接电 源负极，称PN结为正向偏置，如下图所示。
现代电子线路02半导体性质ppt课件
本征载流子的浓度对温度十分敏感。而且随着温度的升高，基本上按 指数规律增加。
2020/5/22
.
第二章 No.9
2、掺杂半导体（doped semiconductor）
导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流 子（电子，空穴）浓度大大增加。
是微量的价电子数较为接近的三价或五价元素。
N型半导体：掺入五价杂质元素（如磷、锑），主要载 流子为电子，也称作电子型半导体；
容易被激发而形成自由电子。
+5
+4
在N型半导体中自由电子是多数载流子 （majority carrier），它主要由杂质原 子提供；空穴是少数载流子（minority carrier）, 由热激发形成。
多余电子
提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成 为不能移动的正离子，因此五价杂质原子也称 为施主杂质（donor impurities）。
一般掺杂浓度为1014/cm3~1018/cm3，常温下这些粒子都会激发出 载流子，即半导体中载流子浓度等于杂质粒子浓度（远大于本征 半导体载流子浓度1010/cm3 ），因此，掺杂可以大大增强半导体 的导电能力。
2020/5/22
+ +++++ + +++++ + +++++ + +++++
N型半导体
齐纳击穿：多发生于掺杂浓度高，PN结薄的情形， PN结处的强电场能破坏
（Zener
共价键而把电子分离出来形成电子空穴对。
breakdown）
2020/5/22
《电工电子技术》课件——第六章 半导体
01
杂质半导体
杂质半导体
N型半导体
在纯净的硅（或锗）中掺入微量的磷或砷等五价元素，杂质原子就替 代了共价键中某些硅原子的位置，杂质原子的四个价电子与周围的硅原 子结成共价键，剩下的一个价电子处在共价键之外，很容易挣脱杂质原 子的束缚被激发成自由电子。同时杂质原子由于失去一个电子而变成带 正电荷的离子，这个正离子固定在晶体结构中，不能移动，所以它不参 与导电。
空穴
自由 电子
• 在半导体中同时存在自由电子和空穴两种载流子参与导电，这种导 电机理和金属导体的导电机理具有本质上的区别。
多参数组合的正弦交流电路
小 结
2.PN结 目录 CONTENTS
01 杂质半导体
02 PN结示意图
杂质半导体
相对金属导体而言，本征半导体中载流子数目极少， 因此导电能力仍然很低。在如果在其中掺入微量的 杂质，将使半导体的导电性能发生显著变化，我们 把这些掺入杂质的半导体称为杂质半导体。杂质半 导体可以分为N型和P型两大类。
• 一般情况下，本征半导体中的载流子浓度很小，其导电能力较弱， 且受温度影响很大，不稳定，因此其用途还是很有限的。
本征半导体与杂质半导体
当半导体的温度升高或受到光照等外界因素的影响时，某些共价键中的价电子因热激发而获得足够的能 量，因而能脱离共价键的束缚成为自由电子，同时在原来的共价键中留下一个空位，称为“空穴” 。
1.半导体的基本知识 目录 CONTENTS
01 半导体的独特性能
02 本征半导体与杂质半导体
多参数组合的正弦交流电路
物质按导电能力的不同可分为导体、半导体和绝 缘体3类。日常生活中接触到的金、银、铜、铝等 金属都是良好的导体，；而像塑料、云母、陶瓷等 几乎不导电的物质称为绝缘体，；导电能力介于导 体和绝缘体之间的物质称为半导体。自然界中属于 半导体的物质有很多种类，目前用来制造半导体器 件的材料大多是提纯后的单晶型半导体，主要有硅 (Si)、锗(Ge)等。
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+4
+4
+4
+4
外电场E
半导体导电的特殊性：两种载流子参与导电。 自由电子导电：形成电子电流 空穴导电：形成空穴电流
空穴（可看作带正电的粒子）的运动是靠相邻 共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。
电流方向相同）。
2020/8/12
.
第二章 No.8
negative
positive
3 EG
本征半导体载流子浓度： n(T)p(T)AT2e2kT
z
0,0,
1 2
12,
12,
1 2
共价键正四面体，键之间的夹角 109°28′：每个原子处于四面体 中心，而有四个其它原子位于四 面体的顶点。
14,
14,
1 4
y 空间利用率约34％，杂质粒子很
0,
1 2
,0
容易在晶体内运动并存在于体内，
x
12 ,0,0
且为替位杂质的扩散运动也提供 了足够的条件。
硅、锗的晶体结构
2、在纯净的半导体中掺入微量的某些杂质，其导电能力会有 显著的增加。
常见的半导体有：硅、锗、Ⅲ-Ⅴ族化合物（如GaN、GaAs）、 Ⅱ-Ⅵ族化合物（如一些硫化物和氧化物）等，目前，硅半导体 制品约占整个半导体市场的95%。
2020/8/12
.
第二章 No.3
二、共价键（covalent bond）结构
在硅和锗的本征半导体中，
每个原子与其相临的原子
之间形成共价键，共用一
对价电子。
+4
+4
共价键内的两个电子称
为束缚电子（bonded
electron）。
形成共价键后，每个原子 的最外层电子是八个，构 成稳定结构。
+4
+4
2020/8/12
.
共价键 共用电 子对
第二章 No.5
共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。
容易被激发而形成自由电子。
+5
+4
在N型半导体中自由电子是多数载流子 （majority carrier），它主要由杂质原 子提供；空穴是少数载流子（minority carrier）, 由热激发形成。
多余电子
提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成 为不能移动的正离子，因此五价杂质原子也称 为施主杂质（donor impurities）。
1、本征半导体（intrinsic semiconductor）
以最常见的半导体硅和锗为例，它们的最外层电子（即 价电子，valence electron）都是四个。
价电子
Si
Ge
2020/8/12
硅原子
.
锗原子
第二章 No.4
通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。 完全纯净的、结构完整的半导体晶体，称为本征半导体。
2020/8/12
.
第二章 No.6
+4
+4
在绝对零度（即T=0K）和无外界激发（光照、电 磁辐射）时，共价键中的价电子被束缚，在本征 半导体内没有可以自由运动的带电粒子——载流 子（carrier），此时半导体相当于绝缘体。
+4
束缚电子
+4
空穴 自由电子
在室温（300K）下，由于热激发，会使一些价电子获 得足够的能量而挣脱共价键的束缚，成为自由电子 （free electron），这种现象称为本征激发（intrinsic excitation）。
电子浓度 空穴浓度
式中，A为与材料有关的系数，T为绝对温度，k为波耳兹曼常数， EG为禁带宽度（eV），表示热力学零度时挣脱共价键所需要的能量。
T=300K时，本征硅的电子和空穴浓度为：
np1.41100/cm 3
本征半导体中虽然存在两种载流子，但因本征载流子的浓度很低（本 征硅的原子浓度为5×1022/cm3），所以总的来说导电能力很差（电阻 率为104Ω·cm）。
N型半导体表示法
＋
2020/8/12
.
第二章 No.11
P型半导体
在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素硼 （或铟），取代晶体点阵中的某些半导 体原子，硼原子的最外层只有三个价电 子，与相临的半导体原子形成共价键时 会产生一个空穴，这个空穴很容易吸引 周围的束缚电子来填充而在其它半导体 原子处产生一个空穴。
本征载流子的浓度对温度十分敏感。而且随着温度的升高，基本上按 指数规律增加。
2020/8 semiconductor）
导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流 子（电子，空穴）浓度大大增加。
是微量的价电子数较为接近的三价或五价元素。
N型半导体：掺入五价杂质元素（如磷、锑），主要载 流子为电子，也称作电子型半导体；
在P型半导体中空穴是多数载流子， 它主要由杂质原子提供；自由电子是 少数载流子, 由热激发形成。
+4
+4
+3
+4
填充
空穴
得到束缚电子的三价杂质原子因带负电荷而成 为不能移动的负离子，因此三价杂质原子也称 为受主杂质（acceptor impurities）。
价电子成为自由电子后，共价键中就留下一个空位， 这个空位称为空穴（hole）。空穴的出现是半导体区 别于导体的一个重要特点。
在本征半导体内，自由电子与空穴总是成对出现的（称为电子—空穴对）。 因此，在任何时刻，本征半导体中的自由电子和空穴数总是相等的。
2020/8/12
.
第二章 No.7
本征半导体的导电（电子—空穴对导电）
第二章：半导体器件的特性
本章内容： §2.1 半导体基本知识 §2.2 PN结及二极管 §2.3 双极型晶体管
2020/8/12
.
第二章 No.1
§2.1 半导体基本知识
一、什么是半导体（semiconductors）
根据物体导电能力（电阻率 ）的不同，可以将物体分为导体
(conductor)、绝缘体(insulator)和半导体。
绝缘体
半导体
导体
10 20 10 16 10 14 10 12 10 6 10 4
石云 橡硬纯硅
英母 胶玻水、
璃
锗
10 3
(cm )
半导体的电阻率介于10-3~106之间。
2020/8/12
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第二章 No.2
半导体的导电机制不同于其它物质，所以它具有不同 于其它物质的特点：
1、当受外界热和光的作用时，半导体的导电能力将发生显著 变化；（光敏电阻、热敏电阻）
P型半导体：掺入三价杂质元素（如硼、铟），主要载 流子为空穴，也称作空穴型半导体。
2020/8/12
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第二章 No.10
N型半导体
在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷 （或锑），取代晶体点阵中的某些半导体
+4
+4
原子，磷原子的最外层有五个价电子，其
中四个与相临的半导体原子形成共价键，
而多余的一个价电子因无共价键束缚而很