模拟电子技术基础期末复习
模拟电子技术期末复习题及答案
《电子技术基础2》复习题一、判断题（本大题共10个小题，每小题2分，共20分）1、N型半导体的多数载流子是空穴。
（）2、P型半导体的多数载流子是空穴。
（）3、负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量相同。
（）4、运算电路中一般引入负反馈。
（）5、只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。
（）6、在放大电路中引入正反馈，主要目的是改善放大电路的性能。
（）7、在放大电路中引入负反馈，主要目的是改善放大电路的性能。
（）8、若放大电路的放大倍数为零，则引入的反馈一定是负反馈。
（）9、在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。
（）10、阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立。
（）11、阻容耦合多级放大电路只能放大交流信号。
（）12、直接耦合可以放大缓慢变化的信号。
（）13、只有电路既放大电流又放大电压，才算其有放大作用。
（）14、共发射极放大电路输出与输入反相。
（）15、共基极放大电路输出与输入反相。
（）16、共集电极放大电路输出与输入反相。
（）17、只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。
（）18、在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
（）19、在运算电路中，集成运放的输入端均可采用虚短和虚断。
（）20、运放的共模抑制比K CMR越大越好。
（）21、运放的共模抑制比K CMR越小越好。
（）22、运放的共模放大倍数越小越好。
（）23、运放的差模放大倍数越小越好。
（）24、功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。
（）25、当输入电压U I和负载电流I L变化时，稳压电路的输出电压是绝对不变的。
（）26、直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换成直流能量。
（）27、在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来的一半。
（）28、半波整流输出电压平均值是全波整流的一半。
（）29、用于滤波的电容通常串联连接。
模拟电子技术期末复习试题及答案
《模拟电子技术》期末复习试题及参考答案一、填空题（每空1分，共32分）1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。
2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。
3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。
4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。
5、场效应管的漏极电流I D=( ),所以它是（）控制文件。
6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β（）。
7、为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用（）负反馈。
为了稳定输出电流，采用（）负反馈。
8、负反馈使放大电路增益（），但（）增益稳定性。
9、（）称为负反馈深度，其中F=( ),称为（）。
10、差模信号是大小（），极性（），差分电路不抑制（）漂移。
11、甲乙类互补功率放大器，可以消除（）类互补功率（）失真。
12、用低频信号去改变高频信号的（）称为调幅，高频信号称为（）信号。
13、当频率升高时，晶体管电流放大系数（）共基极电路比共射极电路的高频特性（），fδ=（）fβ14、振荡电路的平衡条件是（），正反馈才能保证振荡电路的（）。
15半波整流电路电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（）。
二、选择题（每空2分，共30分）1、三端集成稳压器CW7906的输出电压是（）A -6VB -9vC -12v2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）型。
A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。
A 饱和B 截止C交越D频率4、差分放大电路是为了（）而设置的。
A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移5、K MCR是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（）能力。
《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)
《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。
二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。
0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。
掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。
烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。
最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。
0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。
击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。
I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。
波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。
晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。
0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。
1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。
(完整版)模拟电子基础的复习题及答案
模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ，输入电阻最 ，频带最宽 的电路是 ；只能放大电流，小 的电路是②，输出电阻最小 的电路是③② ；既能放大电流，又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③；只能放大电压，不能放大电流 的电路是②。
2、如图 1所示电路中，已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ，电流放大系BEQ数为β，B- E 间动态电阻为 r 。
填空：beV CC U BEQ（ 1）静态时， I 的表达式为BQ， I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ；，U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L （2）电压放大倍数 的表达式为A u，输入电阻 的表达式为r be，输出电阻 的表达式为R R // r be R R ；0 Ci B（3）若减小 R ，则 I 将 A ，r 将 C ，将 C ，R 将iC ，A B CQ bc u R 将 B 。
oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时， R 减小到一定程度，输出将产生 BA 失真。
A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为 10mV ，输出电压有效值为 1.5V ，则其电压放 大倍数 = 150 ；若已知此时信号源电压有效值为 20mV ，信号源内阻A u为 1k Ω，则放大电路 的输入电阻 R = 1 。
i（2）若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ，带 5 k Ω负载时变为 0.75V ， 则放大电路 的输出电阻 Ro（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。
增大或将截止失真，则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。
模拟电子技术基础期末考试试题及答案
模拟电子技术基础期末考试试题及答案《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。
217、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。
模拟电子技术基础(第四版)期末复习资料
该复习资料，不一定适用于本校，但有比没有要好。
第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管，锗管。
*开启电压------硅管，锗管。
分析方法------ ----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路或压降;若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
三、稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。
2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。
二. 三极管的工作原理1. 三极管的三种基本组态2. 三极管内各极电流的分配* 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件)CBO CEO B CBC)(1I I i iIIβββ+=∆∆==其中I CEO是穿透电流（越小越好），I CBO是集电极反向电流。
《模拟电子技术基础》复习资料
成考复习资料《模拟电子技术基础》复习资料1一、单选题1. 用万用表直流电压档测得电路中PNP型晶体管各极的对地电位分别是：Vb＝－12.3Ｖ，Ve ＝－12Ｖ，Vc＝－18Ｖ。
则三极管的工作状态为（）。
A. 放大B. 饱和C. 截止2. 某仪表放大电路，要求R i大，输出电流稳定，应选（）。
A. 电流串联负反馈B. 电压并联负反馈C. 电流并联负反馈D. 电压串联负反馈3. 直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式）多级放大电路相比，低频响应（）。
A. 差B. 好C. 差不多4. 单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=（）Uz。
A. 0. 45B. 0. 9C. 1. 25. 某场效应管的转移特性如图2所示，该管为（）。
A. P 沟道增强型MOS 管B. P 沟道结型场效应管C. N 沟道增强型MOS 管D. N 沟道耗尽型MOS 管6. 某场效应管的电路符号如图1所示，该管为（）。
A. P 沟道增强型MOS 管B. P 沟道耗尽型MOS 管C. N 沟道增强型MOS 管D. N 沟道耗尽型MOS 管7. 在如图2所示电路中，电阻RE的主要作用是（）。
A. 提高放大倍数B. 稳定直流静态工作点C. 稳定交流输出D. 提高输入电阻8. 利用二极管的（）组成整流电路。
A. 正向特性B. 单向导电性C. 反向击穿特性9. 根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。
A. 可能B. 不能10. 带射极电阻Re的共射放大电路，在Re上并联交流旁路电容Ce后，其电压放大倍数将（）。
A. 减小；B. 增大；C. 不变；D. 变为零。
二、判断题1. ( )功率的放大电路有功率放大作用，电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。
2. ( )反相比例运算电路属于电压串联负反馈，同相比例运算电路属于电压并联负反馈。
3. （）负反馈放大电路不可能产生自激振荡。
4. （）任何实际放大电路严格说都存在某种反馈。
《模拟电子技术基础》复习资料
成考复习资料《模拟电子技术基础》复习资料1一、单选题1. 用万用表直流电压档测得电路中PNP型晶体管各极的对地电位分别是：Vb＝－12.3Ｖ，Ve＝－12Ｖ，Vc＝－18Ｖ。
则三极管的工作状态为（）。
A. 放大B. 饱和C. 截止2. 某仪表放大电路，要求R i大，输出电流稳定，应选（）。
A. 电流串联负反馈B. 电压并联负反馈C. 电流并联负反馈D. 电压串联负反馈3. 直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式）多级放大电路相比，低频响应（）。
A. 差B. 好C. 差不多4. 单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=（）Uz。
A. 0. 45B. 0. 9C. 1. 25. 某场效应管的转移特性如图2所示，该管为（）。
A. P 沟道增强型MOS 管B. P 沟道结型场效应管C. N 沟道增强型MOS 管D. N 沟道耗尽型MOS 管6. 某场效应管的电路符号如图1所示，该管为（）。
A. P 沟道增强型MOS 管B. P 沟道耗尽型MOS 管C. N 沟道增强型MOS 管D. N 沟道耗尽型MOS 管7. 在如图2所示电路中，电阻RE的主要作用是（）。
A. 提高放大倍数B. 稳定直流静态工作点C. 稳定交流输出D. 提高输入电阻8. 利用二极管的（）组成整流电路。
A. 正向特性B. 单向导电性C. 反向击穿特性9. 根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。
A. 可能B. 不能10. 带射极电阻Re的共射放大电路，在Re上并联交流旁路电容Ce后，其电压放大倍数将（）。
A. 减小；B. 增大；C. 不变；D. 变为零。
二、判断题1. ( )功率的放大电路有功率放大作用，电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。
2. ( )反相比例运算电路属于电压串联负反馈，同相比例运算电路属于电压并联负反馈。
3. （）负反馈放大电路不可能产生自激振荡。
4. （）任何实际放大电路严格说都存在某种反馈。
《模拟电子技术》期末总复习PPT课件
{ 硅管： IsnA级
•反向饱和电流Is 锗管： IsA级
•电压当量（室温下）： UT 26mV
半导体器件基础
3.2二极管的等效电阻 • 等效电阻为非线性电阻，与工作点有关。
•
直流电阻:
RD
UQ IQ
交流电阻：
rD
26mV IQ
半导体器件基础
3.3 二极管的主要参数 • 最大正向平均电IF; • 最大反向工作电压URM； • 反向电流IR； • 最高工作频率fM。 3.4 稳压二极管(利用电击穿特性) • 稳压条件： • 反向运用, • Iz,min<Iz<Iz,max，(或偏压大于稳压电压） • 加限流电阻R
形成漂移电流。
半导体器件基础
2.1PN结 • 形成过程：扩散扩散、漂移扩散＝漂移
•导通电压 硅（Si）: U 0.6 ~ 0.8V
锗（Ge）： U 0.2 ~ 0.3V 2.2 PN结伏安特性
（1）加正向电压：扩散>漂移，（耗尽层变窄）
正向电流
I
I eU D /UT s
（2）加反向电压：扩散<漂移， （耗尽层变宽 ）
《模拟电子技术》 期末总复习
总要求： 抓住基本概念基本知识和基本分析 方法； 注重知识的综合应用。
半导体器件基础
1.1半导体特性 • 掺杂可改变和控制半导体的电阻率 • 温度可改变和控制半导体的电阻率 • 光照可改变和控制半导体的电阻1.2 本征
半导体 • 排列整齐、纯净的半导体称为本征半导体。 • 两种载流子（电子、空穴），成对出现。 • 在电场作用下，载流子作定向运动形成漂
'
(RL ' RC / /RL )(需看射极是否有偏置电阻及旁路电容）
模拟电子技术基础期末复习
模拟电子技术基础期末复习work Information Technology Company.2020YEAR一、填空1. 二极管最主要的特性是（），反映正向特性的的两个主要参数是（）。
2. 三极管工作在三个区域的条件是：放大区（），饱和区（）截止区（）。
３. 场效应管从结构上分成（）和（）两大类型，它属于（）控制型器件。
４. 集成运算放大器是一种采用（）耦合方式的放大电路，最常见的问题是（）。
５. 差动放大电路的基本功能是对差模信号的（）作用和对共模信号的（）作用。
６. 小功率直流稳压电源由变压器、（）、（）、（）四部分组成。
7. 用一只万用表不同的欧姆档测得某个二极管的电阻分别为250Ω和1.8KΩ，产生这种现象的原因是。
8. 测得某NPN管的VBE=0.7V,VCE=0.2V,由此可判断它工作在区。
9. 放大电路的互补输出的采用共集形式是为了使。
10. 在放大电路中为了稳定静态工作点，应引入反馈，稳定放大倍数，应引入反馈，改输入和输出电阻，应引入反馈，展宽频带应引入反馈。
11. 为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波。
12. 比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地，而比例运算电路中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。
13. 功率放大电路与电压放大电路的区别是。
14. 在直流稳压电路中，变压的目的是，整流的目的是，滤波的目的是，稳压的目的是。
15. 试决定下列情况应选用的滤波器类型。
当有用信号频率低于500Hz时，宜选用；当希望抑制50Hz交流电源干扰时，宜选用；当希望抑制1KHz以下的信号时，宜选用。
16. 对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电压放大，可选用组态，若希望带负载能力强，应选用组态，若希望从信号源索取电流小，应选用组态，若希望高频性能好，应选用组态。
17. 电流源电路在集成运放中，常作为电路和电路；前者的作用是，后者的作用是。
18. 差分放大电路有种输入输出连接方式，其差模电压增益与方式有关，与方式无关。
(完整版)模拟电子技术基础期末考试试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。
模拟电子技术基础试卷及答案(期末)
模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分）1．二极管最主要的特性是2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为V，桥式整流后(不滤波)的输出电压为，经过电容滤波后为，二极管所承受的最大反向电压为 14 V。
3．差分放大电路，若两个输入信号uI1 uI2，则输出电压，uOu I1=100μV，u I2=80μV则差模输入电压uId μV；共模输入电压uIcV。
4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz时，可选用滤波器；有用信号频率高于10 kHz时，可选用高通滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰时，可选用带阻滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用带通滤波器。
5．若三级放大电路中Au1 Au2 30 dB，Au3 20 dB，则其总电压增益为dB，折合为4倍。
6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQPDC=效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有交越失真。
7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为V。
二、选择正确答案填空（20分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（ A ）。
A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。
A．P沟道增强型MOS管 B、P沟道结型场效应管 C、N沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。
A．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大4.在图示电路中,Ri 为其输入电阻，RS 为常数，为使下限频率fL 降低，应（ D ）。
A．减小C，减小Ri B. 减小C，增大RiC. 增大C，减小 RiD. 增大C，增大 Ri 5.如图所示复合管，已知V1的β1 = 30，V2的β2 = 50，则复合后的β约为（ A ）。
模拟电子技术模拟期末试卷和答案
模拟电子技术基础期末试卷及参考答案一、选择题（本大题共10道小题，每小题2分，共10分。
在每小题给出的四个备选项中，只有一项是符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内）1．利用微变等效电路可以计算晶体三极管放大电路的（ ）。
(a) 直流参数 (b) 交流参数(c) 静态工作点 (d) 交流和直流参数2．整流电路的主要目的是将（ ）。
(a) 交流信号变成直流信号 (b) 直流信号变成交流信号(c) 正弦波变成方波 (d) 高频信号变成低频信号3．若要设计一个振荡频率在kHz 1~Hz 100范围内可调的正弦波振荡电路，则应采用最为合适的振荡电路为（ ）正弦波振荡电路。
(a) RC 型 (b) LC 型(c) 石英晶体 (d) 555G 5 4．在放大电路中，场效应管应工作在（ ）。
(a) 可变电阻区 (b) 饱和区(c) 截止区 (d)击穿区5 .阻容耦合放大电路的直流负载线与交流负载线的关系为（ ）。
（a ） 不会重合 （b ）一定会重合 （c ） 平行 （d ）有时会重合 6．功率输出级电路如题1.6图所示，已知V sin 102i t u ω=，V 18=CC V ，Ω=8L R 则电路的输出功率约为（ ）。
(a) 12.5W (b) 25W(c) 50W (d) 100W 题1.6图7．电路如题1.7图所示，122R R =，Ω=k 3R ，μF 047.0=C ，该电路能输出（ ）。
(a) 1.13kHz 方波 (b) 1.13kHz 三角波(c) 520Hz 正弦波 (d) 1.13kHz 正弦波 8. 共模抑制比CMR K 越大，表明电路（ ）。
放大倍数越稳定(b) 交流放大倍数越大(c) 抑制温漂的能力越强(d) 输入信号中的差模成份越大9．为了抑制零点漂移，集成运放的输入级一般采用( )。
(a) 共射极放大电路 (b) 共集电极放大电路（c ）共基极放大电路 (d) 差动放大电路 题1.7图 10 .题1.10图所示电路的负载L R 中所获得的电流=L I ( )。
模拟电子技术基础期末复习总结
第一章本征半导体：完全纯净、结构完整的半导体晶体称为本征半导体。
其特点：在外部能量激励下产生本征激发，成对产生电子和空穴；电子和空穴均为载流子，空穴是一种带正电的粒子；温度越高，电子和空穴对的数目越多。
两种掺杂半导体：N型半导体：电子是多子，空穴是少子；还有不能自由移动的正离子。
P型半导体：空穴是多子，电子是少子；还有不能自由移动的负离子。
二极管PN结及其单向导电性（正反接法，特点）二极管的伏安特性（画伏安特性曲线）二极管主要参数稳压管三极管类型：NPN型、PNP型；硅管、锗管。
三种工作状态：（特例NPN型）放大状态：发射结正向偏置，集电结反向偏置；（U BE>0,U BC<0,）饱和状态：发射结和集电结均正向偏置；（U BE>0,U BC>0,）截止状态：发射和集电结均反向偏置；(U BE<0,U BC<0),三个工作区：放大区：晶体管于放大状态，i c= i b有放大作用；饱和区：晶体管工作于饱和状态，i c主要受的影响u ce，无放大作用；截止区：晶体管工作于截止状态，i c≈0,无放大作用。
基本放大电路的组成原则：直流偏置：发射结正向偏置，集电极反向偏置；信号的输入和输出：信号源及负载接入放大电路时，就不影响晶体管原有的直流偏置，仍应保持发射结正偏，集电结反偏。
要求隔“直”，又能使信号顺利通过。
放大电路的主要性能指标有：电压放大倍数AU、输入电阻Ri，输出电阻Ro，频带宽度fbw，全谐波失真度D及动态范围Uop-p等。
三种基本分析方法：估算法：也称近似计算法，用于静态工作点的计算。
分析过程为：画直流通路，由直流通路列出输入回路的直流负载方程，并设UBEQ值（硅管（NPN）为0.6V或0.7V，锗管（PNP）为0.2V，0.3V），代入方程，求出静态工作点。
图解法：微变等效电路法：半导体三极管的偏置与电流分配： 1、 当晶体管工作在放大区时：电极电位的特点：NPN 型的(U C >U B >U E );PNP 型的U C <U B <U E 。
模拟电子技术基础期末复习总结
模拟电子技术基础期末复习总结内部编号：（YUUT-TBBY-MMUT-URRUY-UOOY-DBUYI-0128）本征半导体：完全纯净、结构完整的半导体晶体称为本征半导体。
其特点：在外部能量激励下产生本征激发，成对产生电子和空穴；电子和空穴均为载流子，空穴是一种带正电的粒子；温度越高，电子和空穴对的数目越多。
两种掺杂半导体：N型半导体：电子是多子，空穴是少子；还有不能自由移动的正离子。
P型半导体：空穴是多子，电子是少子；还有不能自由移动的负离子。
二极管PN结及其单向导电性（正反接法，特点）二极管的伏安特性（画伏安特性曲线）二极管主要参数稳压管三极管类型：NPN型、PNP型；硅管、锗管。
三种工作状态：（特例NPN型）放大状态：发射结正向偏置，集电结反向偏置；（UBE >0,UBC<0,）饱和状态：发射结和集电结均正向偏置；（UBE >0,UBC>0,）截止状态：发射和集电结均反向偏置；(UBE <0,UBC<0),三个工作区：放大区：晶体管于放大状态，ic = ib有放大作用；饱和区：晶体管工作于饱和状态，ic 主要受的影响uce，无放大作用；截止区：晶体管工作于截止状态，ic≈0,无放大作用。
基本放大电路的组成原则：直流偏置：发射结正向偏置，集电极反向偏置；信号的输入和输出：信号源及负载接入放大电路时，就不影响晶体管原有的直流偏置，仍应保持发射结正偏，集电结反偏。
要求隔“直”，又能使信号顺利通过。
放大电路的主要性能指标有：电压放大倍数AU、输入电阻Ri，输出电阻Ro，频带宽度fbw，全谐波失真度D及动态范围Uop-p等。
三种基本组态的判别三种基本分析方法：估算法：也称近似计算法，用于静态工作点的计算。
分析过程为：画直流通路，由直流通路列出输入回路的直流负载方程，并设UBEQ值（硅管（NPN）为或，锗管（PNP）为，），代入方程，求出静态工作点。
图解法：微变等效电路法：半导体三极管的偏置与电流分配：1、当晶体管工作在放大区时：电极电位的特点：NPN型的(UC >UB>UE);PNP型的UC<UB<UE。
电子技术基础-模拟部分(第五版)期末复习指南
电子技术基础复习指南模拟部分〔第五版〕一、绪论1.3模拟信号和数字信号区别:在时间和幅度上均是连续的信号称为模拟信号，在时间和幅度上不是连续的而是离散的，这种信号称为模拟信号〔数字信号较为稳定〕。
1.4放大电路模型四种增益(1)电压增益————i A υυυ=0 (2)电流增益————i i i A i =0 (3)互阻增益————i r i A =0υ (4)互导增益————ig A i υ=0 1.5放大电路的主要性能指标二、运算放大器2.1传输特性2.2理想运算放大器解题步骤(1)根据虚短 0=id v ⇒ N p v v =(2)根据虚断 0=id i ⇒ 未接反馈端电位(3)列电流方程〔接反馈〕(4)结果例题1：分析(1)根据虚短 N p v v =(2)根据虚断 0=idi ，又接地 0=N v (3)因 f i i i =有：30100R v R v i -=- (4)结果)(0i v f v =;例题2**、二输入运算放大电路（1）根据虚短 N p v v =（2）根据虚断 0=id i ，又接地 0=N v（3）因 f i i i i i =+21 有：402010021R v R v R v i i -=-+- （4）结果),(210i i v v f v=;例题3***、三输入运算放大电路（1）根据虚短 N p v v =（2）根据虚断 0=id i ，又接地 0=N v（3）因 f i i i i i i i =++321 有：402010021R v R v R v i i -=-+- （4）结果),(210i i v v f v=; 三、二极管及其基本电路3.半导体3.1.1 P 型半导体杂质离子:3价元素杂质〔硼〕，空穴数远大于自由电子数，空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。
3.1.2 N 型半导体杂质离子:5价元素杂质〔磷，砷 等〕，自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子。
模拟电子技术期末考试复习资料
《模拟电子技术》课程综合复习资料一、判断题1.P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。
答案：错2.阻容耦合放大电路只能放大交流信号，不能放大直流信号。
答案：对3.同相求和电路跟同相比例电路一样，各输入信号的电流几乎等于零。
答案：错4.差动放大电路可以放大共模信号，抑制差模信号。
答案：错5.共集电极放大电路放大动态信号时输入信号与输出信号相位相反。
答案：错一、单选题1．测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为UE =3V，UB=3.7V，UC=3.3V，则该管工作在（）。
A．放大区B．饱和区C．截止区D．击穿区答案：B2.放大器的增益是随着输入信号频率的改变而改变的，当输入信号的频率为Hf时，放大器增益的幅值将（）。
A．降为1B．降为中频时的1/2倍C．降为中频时的1/D．降为中频时的倍答案：C3.三级放大电路中Av1=Av2=10dB，Av3=15dB，则总的电压增益为（）dB。
A．35C．45D．60答案：A4.某三极管各个电极的对地电位如图所示，可判断其工作状态是（）。
A．放大B．饱和C．截止D．已损坏答案：D5.二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压Vo为（）。
（设二极管的导通压降为0.7V）A．-5VB．-4.3VC．-5.7VD．-10V答案：C6.测得图示放大电路中晶体管各电极的直流电位如图所示，由此可知该管为（）。
A．Ge，PNP管B．Ge，NPN管C．Si，PNP管D．Si，NPN管答案：B7.在单级放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察vo和vi的波形，当放大电路为共集电极放大电路时，则vo和vi的相位（）。
A．同相B．反相C．相差90D．不定答案：A8.在单级放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察vo和vi的波形，当放大电路为共发射放大电路时，则vo和vi的相位（）。
A．同相B．反相C．相差90D．不定答案：B9.理想运放的开环差模增益AOd为（）。
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一、填空1. 二极管最主要的特性是（），反映正向特性的的两个主要参数是（）。
2. 三极管工作在三个区域的条件是：放大区（），饱和区（）截止区（）。
３. 场效应管从结构上分成（）和（）两大类型，它属于（）控制型器件。
４. 集成运算放大器是一种采用（）耦合方式的放大电路，最常见的问题是（）。
５. 差动放大电路的基本功能是对差模信号的（）作用和对共模信号的（）作用。
６. 小功率直流稳压电源由变压器、（）、（）、（）四部分组成。
7. 用一只万用表不同的欧姆档测得某个二极管的电阻分别为250Ω和Ω，产生这种现象的原因是。
8. 测得某NPN管的VBE=,VCE=,由此可判断它工作在区。
9. 放大电路的互补输出的采用共集形式是为了使。
10. 在放大电路中为了稳定静态工作点，应引入反馈，稳定放大倍数，应引入反馈，改输入和输出电阻，应引入反馈，展宽频带应引入反馈。
11. 为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波。
12. 比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地，而比例运算电路中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。
13. 功率放大电路与电压放大电路的区别是。
14. 在直流稳压电路中，变压的目的是，整流的目的是，滤波的目的是，稳压的目的是。
15. 试决定下列情况应选用的滤波器类型。
当有用信号频率低于500Hz时，宜选用；当希望抑制50Hz交流电源干扰时，宜选用；当希望抑制1KHz以下的信号时，宜选用。
16. 对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电压放大，可选用组态，若希望带负载能力强，应选用组态，若希望从信号源索取电流小，应选用组态，若希望高频性能好，应选用组态。
17. 电流源电路在集成运放中，常作为电路和电路；前者的作用是，后者的作用是。
18. 差分放大电路有种输入输出连接方式，其差模电压增益与方式有关，与方式无关。
19. 已知放大电路输入信号电压为1mV，输出电压为1V，加入负反馈后，为达到同样输出时需要的输入信号为10mV，该电路的反馈深度为，反馈系数为。
20. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别，前者通常工作在状态或状态，因此，它的输出一般只有高电平和低电平两个稳定状态。
22. 多级放大电路与单级放大电路相比，总的通频带一定比它的任何一级都。
级数愈多则上限频率越。
23. 由于在功放电路中，功放管常常处于极限工作状态，因此，在选择功管时要特别注意、和三个参数。
24. 电流源作为放大电路的有源负载，主要是为了提高，因为电流源的大。
25. 当电路的闭环增益为40dB时，基本放大器的增益变化10%，反馈放大器的闭环增益相应变化1%，则此时电路的开路的开环增益为 dB。
26. 单限比较器只有个门限电压值，而迟滞比较器则有个门限电压值。
27. 在串联型石英晶体振荡电路中，晶体等效为。
28. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
29. 3种基本放大电路中电压放大系数近似为1的是。
30. 直接耦合多级放大电路与阻容耦合多级放大电路相比，低频响应。
31. 集成运放中，由于电路结构引起的零输入对应非零输出的现象称为，主要原因是造成的。
32. 例运算电路的输入电阻R i很大，而比例运算电路的输入电阻很小。
33. 在电容滤波和电感滤波中，适用于大电源负载，的直流输出电压高。
34. 三极管工作在三个区域的条件是：放大区（），饱和区（）截止区（）。
35. 在放大电路中为了稳定静态工作点，应引入反馈，稳定放大倍数，应引入反馈，改输入和输出电阻，应引入反馈，展宽频带应引入反馈。
二、选择题1. 集成运放的输入所采用差分放大电路是因为可以（）。
Ａ. 减小温漂Ｂ.增大放大倍数Ｃ. 提高输入电路Ｄ. 减小噪声2. 欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入（）负反馈。
Ａ. 电压串联Ｂ. 电压并联Ｃ. 电流串联Ｄ. 电流并联3. 欲实现Au＝-100的放大电路，应选用（）电路。
A.反相比例运算B. 同相比例运算C. 加法运算D. 微分运算5. 场效应管是一种（）的器件。
A.电压控制电压B. 电压控制电流C. 电流控制电压D. 电流控制电流6. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（）A.电阻阻值有误差B. 晶体管参数的分散性C. 晶体管参数受温度影响D. 电流电压不稳定7. 欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（）负反馈。
A. 电压串联B. 电压并联C. 电流串联D. 电流并联8. 功率放大电路中的转换效率是指（）。
A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比B. 最大输出功率与电流提供的平均功率之比C. 晶体管所消耗的功率与电流提供的平均功率之比D. 输出功率与输入功率之比9. 串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是（）。
A.基准电压B. 取样电压C. 取样电压与基准电压之差D. 输出电压10 反馈放大电路的含义是（）。
A.输出与输入之间有信号通路B.电路中存在反向传输的信号通路C.除放大电路以外还有信号通路D.电路中存在使输入信号削弱的反向传输通路11 为了放大缓慢变化的微弱信号，放大电路应采用（）耦合方式。
A. 阻容B. 直接C. 变压器D. 光电12 差分放大电路由双端输入变为单端输入，差模电压增益是（）。
A.增加一倍B. 为双端输入时的1/2C. 不变D. 不确定13 负反馈放大电路产生自激振荡的条件是（）。
A. AF=0B. AF=1C. AF=∞D. AF=-114 当PN结加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层（）。
A.变宽B. 变窄C. 不变D. 不确定15 单管放大电路中，若输入电压为正弦波，用示波器观察U O和U i的波形，当放大电路为共射电路时，则V O和V i的相位。
（）A. 同相B. 反相C. 相差90oD. 不变16 三级放大电路中，A u1=A u2=30Db，A u3=20dB，则总的电压增益为（）dB。
A. 180 dBB. 80 dBC. 60 dBD. 50 dB17 多级直接耦合放大器中，影响零点漂移最严重和一级是（）。
A.输入级B. 中间级C. 输出级D. 增益最高的一级19 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（）。
A. 电阻阻值有误差B. 晶体管参数的分散性C. 参数受温度影响D. 电源电压不稳定20 欲得到电流—电压转换电路，应在放大电路中引入（）负反馈。
A.电压串联B. 电压并联C. 电流串联D. 电流并联21 欲将方波电压转换成三角波电压，应选用（）。
A. 反相比例运算电路B. 同相比例运算电路C. 微分运算电路D. 积分运算电路22 若要组成输出电压可调，最大输出电流为3A的直流稳压电源，则应采用（）。
A. 电容滤波稳压管稳压电路B. 电感滤波稳压管稳压电路C. 滤波串联型稳压电路D. 电感滤波串联型稳压电路23 可以放大电压,但不能放大电流的是( )组态放大电路。
A. 共射B. 共集C. 共基D. 不定28 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
A.温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷30 欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（）负反馈。
A. 电压串联B. 电压并联C. 电流串联D. 电流并联三、判断题1. 只有电路即放大电压又放大电流，才称其有放大作用。
（）2. 现测得两个共射放大电路载时的放大倍数为-100，将它们连两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
（）3. 若放大电路引入负反馈，则负载变化时，输出电压基本不变。
（）4. 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
（）5. 在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。
（）1. 处于线性工作状态下的集成运放，反相输入端可按“虚地”来处理。
（）2. 负反馈只能改善反馈环路内的放大性能，对反馈环路之外无效。
（）3. 功率放大电路的主要作用是向负载提供足够大的电压信号。
（）4. 桥式整流电路在接入电流滤波后，输出直流电压将减小。
（）5. 反相比例运算电路属于电压串联负反馈，同相比例运算电路属于电压并联负反馈。
（）7. 直流负反馈是指直流通路中的负反馈。
（）10 差动放大电路的基本功能是实现对共模信号的放大作用。
（）11 集成运算放大器实质上是一种采用阻容耦合的多级放大器。
（）12 同相比例运算电路可实现A u<0的放大。
（）13 由于功放管的输入电压、电流幅值均很大，功放管特性的非线性不可忽略。
（）14 整流电路利用二极管的单向导电性，使交流电变为单向脉动直流电。
（）15 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
（）16直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。
（）17 放大电路在低频信号作用时，放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。
（）18 若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。
（）19电路中一般均引入负反馈。
（）20 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）21 可以说任何放大电路都有功率放大作用。
（）22 阻容耦合多级放大电路Q点相互独立，它只能放大交流信号。
（）25 放大电路在低频信号作用时，放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。
（）四、分析计算2. 同相输入放大电路如图所示，A为理想运放，电位器Rw用来调节输出直流电位。
①当Ui=0时，调节电位器，输出直流电压Vo的可调范围是多少②电路的Auf=3. 电路如图所示，β=100，VBE=,rbb’=100Ω.试求:①静态工作点,②Au, Ri, Ro.4. 在图示电路中，A1和A2均为理想运放，试写出Uo的表达式。
5. 图示电路中，A1，A2，A3均为理想运放。
①A1，A2，A3分别组成何种基本运算电路；②列出V O1，V O2，V O3的表达式。
A100k200k 50k 33kA u o100k100k50k50kA200k100k 50kUi1Ui2Ui3Uo1Uo27. 电路如图所示：① 判断级间反馈组态；② 写出深度负反馈时的电压增益表达式。
A1A2R1R2R3R4RfUoUi9、试说明如下电路中存在哪些反馈支路，并判断其反馈的极性和组态，要求在电路中标出瞬时极性。
10、电路如图所示：1、画出下列电路的交流通路。
2、画出下列电路的直流通路。
3、画出下列电路的微变等效电路。
11、计算题1、如图所示，已知：VU BE 7.0,20,4021===ββ，112, 3.9,C Vcc V R k ==Ω22200, 3.3,2C e Rs R k R k =Ω=Ω=Ω，假设当外加输入信号Us=0时输出电压Uo=0，要求：(1)估算当Uo=0时电路中各处的电流和电压值；(2)画出微变等效电路图，计算出o i US R R A ,,,.的值。