材料表面结构-演讲PPT解析
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《材料表面与界面》PPT
![《材料表面与界面》PPT](https://img.taocdn.com/s3/m/9927db1c59eef8c75fbfb340.png)
•贝尔比层形成与作用 •动抛性光(熔时化抛)光, 在剂凝磨固去前表,面由层于原面子表,面下张面力一的层作在用瞬使间表内面保变持得流平
滑。
•由于金属有高的热导率,表面层又迅速地凝固成20Å 左右
的非晶态层。
• 对于金属和合金来说,它们的抛光表面大都有一层贝尔比
层,其成分是金属和它的氧化物的混合物。贝尔比层可起到 耐蚀、强化的作用。。
会吸附水分子,并解离成羟基(OH-),而使表面的物埋化表面:空气/表面组成/设计组成。 •表面组成:表面能小的氧化物易在玻璃表面富集,如PbO,
材料 铝
铁
加工方式与粗糙系数
加工条件 箔
板材抛光 阳极氧化层,厚20µm
2号金刚砂抛光,苯去脂 膜
粗糙系数 6 1.6
200~900
3.8 60
(3) 粗糙度对材料或应用的影响 材料表面受力的影响 由于固体的表面是不平整性,当两个表面相互接触时, 真实接 触面积与表观接触面积差别较大。
在实际应用中,表观面积与加工方式和负荷无关。 而真实接触面积会随受力负荷而改变:
几种调整的方式后形式清洁表面结构示意图
(1) 弛豫
•表面区原子(或离子)间的距离偏离体内的晶格常数,而晶胞
结构基本不变, 这种情况称弛豫。
• 离子晶体的表面容易发生弛豫,主要作用力是库仑静电力,
这是一种长程作用。
•弛豫产生原子位置偏移,主要在垂直表面方向。因此,一
般认为弛豫后表面原子排列的平移对称性不变,只是微观对 称性发生了变化。
贝尔比层 微晶区 明显变形区
磨料颗粒
•研磨时, 金属表面的温度可达500℃~1000℃,有时会产生熔
化。
•金属导热性好, 冷却迅速, 熔化的原子来不及回到平衡位置,
表面结构的表示法(ppt文档)
![表面结构的表示法(ppt文档)](https://img.taocdn.com/s3/m/08bd1fcdfab069dc5122010f.png)
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§15-2 表面结构的表示法
举例2:根据表中给定的表面结构要求,在视图中进行标注。
表面
表面结构要求
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⑴ 标注原则
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§15-2 表面结构的表示法
三、表面结构要求在图样和其他技术产品文件中的注法
2. 表面结构符号、代号的标注位置与方向
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§15-2 表面结构的表示法
三、表面结构要求在图样和其他技术产品文件中的注法
2.的图形符号和代号
1. 表面结构图形符号及其含义
标准规定的图形符号形状及画法如下所示。
图形符号的尺寸
数字与字母的高度h
2.5 3.5
5
7
10
14
20
符号的线宽d'
数字与字母的笔画宽度d 0.25 0.35 0.5
0.7
1
1.4
2
高度H1 高度H2 ( 最小值 )
3.5
5
7
10
14
20
28
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§15-2 表面结构的表示法
三、表面结构要求在图样和其他技术产品文件中的注法
1. 概述
表面结构要求对每一表面一般只标注一次,并尽可能注在相应的尺寸 及其公差的同一视图上。除非另有说明,所标注的表面结构要求是对完工 零件表面的要求。
2. 表面结构符号、代号的标注位置与方向
⑴ 有相同表面结构要求的简化注法
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§15-2 表面结构的表示法
三、表面结构要求在图样和其他技术产品文件中的注法
§15-2 表面结构的表示法
举例2:根据表中给定的表面结构要求,在视图中进行标注。
表面
表面结构要求
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⑴ 标注原则
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§15-2 表面结构的表示法
三、表面结构要求在图样和其他技术产品文件中的注法
2. 表面结构符号、代号的标注位置与方向
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§15-2 表面结构的表示法
三、表面结构要求在图样和其他技术产品文件中的注法
2.的图形符号和代号
1. 表面结构图形符号及其含义
标准规定的图形符号形状及画法如下所示。
图形符号的尺寸
数字与字母的高度h
2.5 3.5
5
7
10
14
20
符号的线宽d'
数字与字母的笔画宽度d 0.25 0.35 0.5
0.7
1
1.4
2
高度H1 高度H2 ( 最小值 )
3.5
5
7
10
14
20
28
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§15-2 表面结构的表示法
三、表面结构要求在图样和其他技术产品文件中的注法
1. 概述
表面结构要求对每一表面一般只标注一次,并尽可能注在相应的尺寸 及其公差的同一视图上。除非另有说明,所标注的表面结构要求是对完工 零件表面的要求。
2. 表面结构符号、代号的标注位置与方向
⑴ 有相同表面结构要求的简化注法
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§15-2 表面结构的表示法
三、表面结构要求在图样和其他技术产品文件中的注法
材料结构表征与应用ppt课件
![材料结构表征与应用ppt课件](https://img.taocdn.com/s3/m/65b3c58258f5f61fb736669b.png)
2表面结构定性分 析与表面化学研究
固体样品探 测深度
约0.4~2nm(俄歇电 约0.5~2.5nm(金属 子能量50~2000eV范 及金属氧化物);约 围内)(与电子能量 4~10nm(有机化合 及样品材料有关) 物和聚合物)。
28
X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)
XRD ,通过对材料进行X射线衍射,分析其衍射图谱, 获得材料的成分、材料内部原子或分子的结构或形态 等信息的研究手段。
XRD可以做定性,定量分析。即可以分析合金里面的相 成分和含量,可以测定晶格参数,可以测定结构方向、 含量,可以测定材料的内应力,材料晶体的大小等等。 一般主要是用来分析合金里面的相成分和含量。
10
三种组织分析手段的比较
扫描探针显微镜 扫描电子显微镜
观察倍率 ×10000000 ×1000000
×100000
×10000
光学显微镜
×1000
×100
分辨率
1000 0 10
1000 1
×10
100
10
1
0.1 nm
0.1
0.01
0.001 0.0001 μm
11
光学和电子显微镜
光学显微镜是利用光学原理,把人眼所不能分 辨的微小物体放大成像,以供人们提取微细结 构信息的光学仪器
应力分析等; (2)相变过程与产物的X射线研究:相变过程中产物
(相)结构的变化及最终产物、工艺参数对相变的影 响、新生相与母相的取向关系等; (3)固溶体的X射线分析:固溶极限测定、点阵有序化 (超点阵)参数、短程有序分析等; (4)高分子材料的X射线分析:高聚物鉴定、晶态与非 晶态及晶型的确定、结晶度测定、微晶尺寸测定等。
固体样品探 测深度
约0.4~2nm(俄歇电 约0.5~2.5nm(金属 子能量50~2000eV范 及金属氧化物);约 围内)(与电子能量 4~10nm(有机化合 及样品材料有关) 物和聚合物)。
28
X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)
XRD ,通过对材料进行X射线衍射,分析其衍射图谱, 获得材料的成分、材料内部原子或分子的结构或形态 等信息的研究手段。
XRD可以做定性,定量分析。即可以分析合金里面的相 成分和含量,可以测定晶格参数,可以测定结构方向、 含量,可以测定材料的内应力,材料晶体的大小等等。 一般主要是用来分析合金里面的相成分和含量。
10
三种组织分析手段的比较
扫描探针显微镜 扫描电子显微镜
观察倍率 ×10000000 ×1000000
×100000
×10000
光学显微镜
×1000
×100
分辨率
1000 0 10
1000 1
×10
100
10
1
0.1 nm
0.1
0.01
0.001 0.0001 μm
11
光学和电子显微镜
光学显微镜是利用光学原理,把人眼所不能分 辨的微小物体放大成像,以供人们提取微细结 构信息的光学仪器
应力分析等; (2)相变过程与产物的X射线研究:相变过程中产物
(相)结构的变化及最终产物、工艺参数对相变的影 响、新生相与母相的取向关系等; (3)固溶体的X射线分析:固溶极限测定、点阵有序化 (超点阵)参数、短程有序分析等; (4)高分子材料的X射线分析:高聚物鉴定、晶态与非 晶态及晶型的确定、结晶度测定、微晶尺寸测定等。
材料结构表征与应用第一章-绪论-课件
![材料结构表征与应用第一章-绪论-课件](https://img.taocdn.com/s3/m/06acac66366baf1ffc4ffe4733687e21af45ffee.png)
1表面成分分析 (可作深度分析)
2表面能带结构分 析
3表面结构定性分 析与表面化学研究
约0.4~2nm(俄歇 约0.5~2.5nm(金属
电子能量
及金属氧化物);
50~2000eV范围内) 约4~10nm(有机化
(与电子能量及样 合物和聚合物)。
品材料有关)
1表面能带结构分 析 2表面结构定性分 析与表面化学研究
第一章 绪论
方法或仪器
分析原理
透射电镜(TEM)透射与衍射
检测信号
基本应用
透射电子与衍 射电子
1形貌分析(显微组织、晶体缺陷) 2晶体结构分析 3成分分析(配附件)
扫描电镜(SEM)电子激发二次 电子;电子吸 收和背散射
二次电子、背 散射电子和吸 收电子
电子探针 (EPMA)
电子激发特征X X光子 射线
第一章 绪论
材料分析是通过对表征材料的物理性质或 物理化学性质参数及其变化(称为测量信号或 表征信息)的检测实现的。即材料分析的基本 原理(或称技术基础)是指测量信号与材料成 分、结构等的特征关系。采用各种不同的测量 信号形成了各种不同的材料分析方法。
材料结构的表征(或材料的分析方法)就 其任务来说,主要有三个,即成分分析、结构 测定和形貌观察。
7、拉曼光谱分析:是一种散射光谱分析方法。
第一章 绪论
分析方法
基本分析项目与应用
原子发射光谱分析 (AES)
原子吸收光谱分析 (AAS) X射线荧光光谱分析 (XFS) 紫外、可见(分子) 吸收光谱分析(UV、 VIS)
元素定性、半定量、定量分析。对 于无机物分析是最好的定性、半定 量分析方法。 元素定量分析
约0.4~2.0nm(光 电子能量 10~100eV范围内)。
表面结构PPT课件
![表面结构PPT课件](https://img.taocdn.com/s3/m/70c0178a4128915f804d2b160b4e767f5bcf8012.png)
详细描述
随着新型表面结构和纳米材料的不断涌现,表面结构在能源 、环境、生物医学等领域的应用前景将更加广阔。未来研究 将更加注重表面结构的调控和优化,以实现更加高效、稳定 和环保的纳米科技应用。
CHAPTER 06
表面结构的模拟与计算
表面结构的分子动力学模拟
分子动力学模拟是一种基于物理的模拟 方法,用于研究表面结构的动态行为和
这些变化会影响表面的物理、化学和 生物学性质,进而影响材料的性能和 应用。
演化过程包括表面形貌的变化、表面 成分的改变、表面粗糙度的增加等。
影响表面结构演化的因素
影响表面结构演化的因素包括环 境因素和人为因素。
环境因素包括温度、湿度、光照 、氧气等,这些因素会影响表面
结构的化学和生物学性质。
人为因素包括加工方法、涂层技 术、表面处理等,这些因素会影
表面结构在材料制备中的作用
控制晶体取向和晶体结构
通过表面结构调控晶体生长过程,实现特定晶体取向和晶体结构 的制备。
优化薄膜制备
通过调整表面结构,提高薄膜的均匀性、致密性和附着力,降低缺 陷和应力。
促进纳米材料合成
利用表面结构调控纳米材料的形貌、尺寸和分布,实现高性能纳米 材料的制备。
表面结构在材料改性中的应用
蒙特卡洛模拟的计算效率较高,适用于研究大规模表面结构和复杂表面 的性质。
THANKS FOR WATCHING
感谢您的观看
CHAPTER 05
表面结构在纳米科技中的应 用
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
表面结构在纳米材料制备中的应用
总结词
表面结构在纳米材料制备中具有重要作用,可以影响材料的物理和化学性质。
详细描述
表面结构决定了纳米材料的形貌、晶体结构和化学稳定性,从而影响其光学、 电学、磁学和催化性能。通过控制表面结构,可以制备出具有特定性能的纳米 材料,如半导体材料、金属氧化物、碳纳米管等。
随着新型表面结构和纳米材料的不断涌现,表面结构在能源 、环境、生物医学等领域的应用前景将更加广阔。未来研究 将更加注重表面结构的调控和优化,以实现更加高效、稳定 和环保的纳米科技应用。
CHAPTER 06
表面结构的模拟与计算
表面结构的分子动力学模拟
分子动力学模拟是一种基于物理的模拟 方法,用于研究表面结构的动态行为和
这些变化会影响表面的物理、化学和 生物学性质,进而影响材料的性能和 应用。
演化过程包括表面形貌的变化、表面 成分的改变、表面粗糙度的增加等。
影响表面结构演化的因素
影响表面结构演化的因素包括环 境因素和人为因素。
环境因素包括温度、湿度、光照 、氧气等,这些因素会影响表面
结构的化学和生物学性质。
人为因素包括加工方法、涂层技 术、表面处理等,这些因素会影
表面结构在材料制备中的作用
控制晶体取向和晶体结构
通过表面结构调控晶体生长过程,实现特定晶体取向和晶体结构 的制备。
优化薄膜制备
通过调整表面结构,提高薄膜的均匀性、致密性和附着力,降低缺 陷和应力。
促进纳米材料合成
利用表面结构调控纳米材料的形貌、尺寸和分布,实现高性能纳米 材料的制备。
表面结构在材料改性中的应用
蒙特卡洛模拟的计算效率较高,适用于研究大规模表面结构和复杂表面 的性质。
THANKS FOR WATCHING
感谢您的观看
CHAPTER 05
表面结构在纳米科技中的应 用
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
表面结构在纳米材料制备中的应用
总结词
表面结构在纳米材料制备中具有重要作用,可以影响材料的物理和化学性质。
详细描述
表面结构决定了纳米材料的形貌、晶体结构和化学稳定性,从而影响其光学、 电学、磁学和催化性能。通过控制表面结构,可以制备出具有特定性能的纳米 材料,如半导体材料、金属氧化物、碳纳米管等。
无机非金属材料结构的基础表面分析课件
![无机非金属材料结构的基础表面分析课件](https://img.taocdn.com/s3/m/e4ebbba7f605cc1755270722192e453610665bc3.png)
维尔威(Verwey)晶体表面结构学说: 新形成的理想表面由 于周期性重复排列中断而具有很高的表面能,体系不稳定,通 过自发地变化,来降低能量而趋于稳定。
变化过程:松弛(极化变形,降低表面能)和重建(离子重 排,进一步降低表面能)。
2024/7/26
无机非金属材料结构的基础表面分析
11
表面离子重排结果: ①正离子的配位数下降,6 5; ②表面形成厚度为0.02nm的双电层; ③晶体表面好象被一层负离子所屏蔽。
2)由于表面质点配位数的减少,相对于体内环境,处于表面上的质点其迁移 和扩散运动要容易得多,因为所要克服的能量势垒较低。质点的迁移扩散必然引起 表面质点的重新排列及相关元素的重新分布。对于合金、掺杂金属氧化物、含添加 剂的聚合物及异质多层沉积膜,还会发生表面偏析现象。
2024/7/26
无机非金属材料结构的基础表面分析
(3)吸附膜还会改变金属材料的功函数,从而改变它们的电子发
射特性和化学活性。
功函数是指电子从金属中所占据的最高能级迁移到真空介质时 所需要的功。当吸附物的电离能小于吸附剂的功函数时,电子则 从吸附物移到吸附剂的表面。结果如下图所示,在吸附膜与吸附 界面上形成一个正端朝外的电矩,并降低金属的功函数。
设 U ib U is
n ib n is
U ib n ib U is n is
2024/7/26
2
2无机非金属材料结构的基础表面分析
21
第i个原子在晶体表面与内部的能量差:
( U s bU )i2 n b ib U i2 n sis U i2 n b ib ( 1 n n i ib s ) U N 0 ( 1 n n i ib s )
总之,表面上质点的几何排列、电子结构、元素组成及化学状态与体相是完全 不同的,因而在宏观上显示出固体材料表面特有的物理化学现象,并表现出特殊的 物理化学性质。
变化过程:松弛(极化变形,降低表面能)和重建(离子重 排,进一步降低表面能)。
2024/7/26
无机非金属材料结构的基础表面分析
11
表面离子重排结果: ①正离子的配位数下降,6 5; ②表面形成厚度为0.02nm的双电层; ③晶体表面好象被一层负离子所屏蔽。
2)由于表面质点配位数的减少,相对于体内环境,处于表面上的质点其迁移 和扩散运动要容易得多,因为所要克服的能量势垒较低。质点的迁移扩散必然引起 表面质点的重新排列及相关元素的重新分布。对于合金、掺杂金属氧化物、含添加 剂的聚合物及异质多层沉积膜,还会发生表面偏析现象。
2024/7/26
无机非金属材料结构的基础表面分析
(3)吸附膜还会改变金属材料的功函数,从而改变它们的电子发
射特性和化学活性。
功函数是指电子从金属中所占据的最高能级迁移到真空介质时 所需要的功。当吸附物的电离能小于吸附剂的功函数时,电子则 从吸附物移到吸附剂的表面。结果如下图所示,在吸附膜与吸附 界面上形成一个正端朝外的电矩,并降低金属的功函数。
设 U ib U is
n ib n is
U ib n ib U is n is
2024/7/26
2
2无机非金属材料结构的基础表面分析
21
第i个原子在晶体表面与内部的能量差:
( U s bU )i2 n b ib U i2 n sis U i2 n b ib ( 1 n n i ib s ) U N 0 ( 1 n n i ib s )
总之,表面上质点的几何排列、电子结构、元素组成及化学状态与体相是完全 不同的,因而在宏观上显示出固体材料表面特有的物理化学现象,并表现出特殊的 物理化学性质。
材料表面结构-演讲PPT解析
![材料表面结构-演讲PPT解析](https://img.taocdn.com/s3/m/564a07fcd1f34693daef3eff.png)
重构
三、覆盖表面 当其他原子进到表面出现另外的表面结构,这种表面成为 覆盖表面,其中,这些原子可以来自外部,也可以来自内 部杂质原子。
(表面的化学组成和排列都与体内不同,分为吸附、偏 析或化合等形式)
吸附
化合
偏析
四、实际表面 指经过一定加工处理(切割、研磨、抛光、清洗等)的表面。
与清洁表面相比较,有下列一些重要特点:
晶面2
(立面)
晶面3
(连接面)
台阶
2、弛豫表面 ---指表面层之间以及表面和体内原子层之间的垂直间距 ds和体内原子层间距d0相比有所膨胀和压缩的现象。
表面
ds
d0
内部Байду номын сангаас
弛豫
3、重构表面 --- 指表面原子层在水平方向上的周期性不同于体内, 但在垂直方向上的层间间距d0与体内相同。
表面
d0
内部
d0
1、薄膜制备过程中的各种条件; 2、基底材料种类与晶面; 3、薄膜与基底之间的界面。 所以,薄膜表面结构非常复杂。
2.1.4 固体的界面
界面:两相之间的接触面。如相界面、内界面、晶界等。
一、界面类型
界面类型
平移界面 从晶体学角度: 孪晶界面
反演界面
从实用角度:
气固界面 半导体界面 超晶格界面 薄膜界面
台阶2弛豫表面内部表面指表面原子层在水平方向上的周期性不同于体内但在垂直方向上的层间间距d内部表面重构三覆盖表面当其他原子进到表面出现另外的表面结构这种表面成为覆盖表面其中这些原子可以来自外部也可以来自内部杂质原子
2.1 固体表面结构与性能
2.1.1 固体的表面结构 2.1.2 表面自由能与界面润湿
大角度范围:复杂,有待进一步解释。
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2、表面单胞与体内单胞在表面的投影相等;
3、表面键长与体内键长相近;
4、垂直于表面的最上层与第二层的间距接近于体内的值,变动
小于5%。一些(较少)非紧密堆积的晶面,约有5% - 15%的
缩短;
5、非紧密堆积的原子比紧密堆积的原子更趋向于松弛;
6、有些晶面上吸附原子后,表面和体内的键长差别减小甚至消
薄膜本身的结构和成分多种多样,如单晶、多晶、 非晶、无定形、合金等; 薄膜常含有不同程度的杂质和缺陷; 各种结构和成分的基底; 等等。
7、陶瓷晶界结构
1、电容器陶瓷晶界 2、压电陶瓷晶界 3、半导体陶瓷晶界 4、超导体陶瓷晶界
二、界面的微观结构
指晶粒间界的结构,是在晶体结晶过程中形成的,存在于 多晶材料中。晶界区的晶粒表面原子,由于受到相邻晶粒势场 的作用,这些原子将在晶界区重新排列并达到平衡状态。 据晶界结构相邻晶粒取向差别角度的大小,可分为小角度 晶界和大角度晶界。 晶粒1
固体的界面
界面:两相之间的接触面。如相界面、内界面、晶界等。
一、界面类型
平移界面 从晶体学角度: 孪晶界面
反演界面 界面类型
从实用角度: 气固界面 半导体界面 超晶格界面 薄膜界面
1、平移界面
A.P.B
R
SF
R
在结构相同的晶体中,一部分相对于另一部分平滑移动一个位 移矢量 R。其间的界面称为平移界面。
表面
d0
内部
d0 重构
三、覆盖表面
当其他原子进到表面出现另外的表面结构,这种表面成为 覆盖表面,其中,这些原子可以来自外部,也可以来自内 部杂质原子。
(表面的化学组成和排列都与体内不同,分为吸附、偏 析或化合等形式)
吸附
化合
偏析
四、实际表面
指经过一定加工处理(切割、研磨、抛光、清洗等)的表面。
与清洁表面相比较,有下列一些重要特点:
残余应力,按其作用范围大小可分为宏观内应力和微观内应力。 <5>表面氧化,吸附和粘污:固体与气体的作用有三种形式:吸附、吸
收和化学反应。
2.1.3
常见的表面结构
目前已确定有100多种表面结构。以下主要介绍金属表面结 构、半导体表面结构、氧化物表面结构以及薄膜表面结构。
一、金属表面结构
清洁的金属表面,低能电子衍射(LEED)研究表明具有 如下特点: 1、其Miller指数面的表面单胞多为(1 × 1)结构;
相邻晶粒的面间距பைடு நூலகம்差不多时,可完全共格; 面间距相差较大时,出 现部分共格。
共有原子
5、晶界能 晶界能:晶界处的界面能。 小角度范围(<10º )时:小角度晶界的能量主要来自位错 能量,而位错密度又决定于晶粒间的位向差,所以,小角度晶 界能γ也和位向差θ有关:
失(可能是表面断裂的键由于吸附杂质原子而获得恢复)。
二、半导体表面结构
清洁的半导体表面,具有如下特点: 1、表面普遍发生重构现象; 2、半导体表面结构具有各自稳定性的温度范围,温度太 高或太低,表面会从一种结构转变为另一种结构;
三、氧化物表面结构
对于氧化物表面,一般都出现重构现象,主要原因是非化学 计量的诱导和氧化态变化造成的。
晶面1
(平面)
晶面2
(立面)
晶面3
(连接面)
台阶
2、弛豫表面 --- 指表面层之间以及表面和体内原子层之间的垂直间距 ds和体内原子层间距d0相比有所膨胀和压缩的现象。
表面
ds
d0
内部
弛豫
3、重构表面 --- 指表面原子层在水平方向上的周期性不同于体内, 但在垂直方向上的层间间距d0与体内相同。
四、薄膜表面结构
对于薄膜表面,交换着原子、离子、电子、光子以及其它粒 子,并决定薄膜一系列的光学、电学、磁学、力学、生物学等性 质。对于薄膜表面结构,受到如下因素的影响: 1、薄膜制备过程中的各种条件; 2、基底材料种类与晶面; 3、薄膜与基底之间的界面。 所以,薄膜表面结构非常复杂。
2.1.4
5、超晶格界面结构
在制膜过程中,如果逐层沉积不同结构或成分的材料,控
制膜厚,形成厚度方向的周期性结构,就会得到超晶格薄膜。
获得: 在分子束外延或金属有机物化学沉积中,通过计算 机严格控制,使每层的厚度控制在10-100Å范围,交替沉积,构
成多层结构,从而获得超晶格薄膜。
6、薄膜界面结构
薄膜界面结构非常繁杂,因为:
A.P.B --- R 等于点阵矢量,称反相界面;
SF --- R
不等于点阵矢量,称层错。
2、孪晶界面
孪晶界面又称取向界面。
3、混合界面 孪晶界面与平移界面混合后的界面。
4、反演界面
左侧
IB
右侧
当晶体结构由中心对称向非中心对称转变时,由反演
操作联系起来的两个畴之间形成反演界面IB。
反演界面两侧点阵相同,但通过一个反演中心联系着。
晶界
晶粒2
晶界原子排列示意图
2、小角度晶界
倾斜晶界、扭转晶界、重合晶界
两个相邻晶粒取向差别角度在0-10º 之间。
P54 图
小角倾转晶界示意图
3、大角晶界 当两个相邻晶粒取向差别角度超过10º 时为大角倾斜晶界, 此时晶界内位错密集,当超过35º 时,位错覆盖整个界面。 4、共格晶界 界面两边相邻晶粒的原子成一一对应的相互匹配关系。界 面上的原子为相邻两个晶体所共有。
3、不考虑外界对表面的物理-化学作用等;
理想表面示意图
4、认为体内原子的位置与结构是无限周期 性的,则表面原子的位置与结构是半无限 的,与体内完全一样。
二、清洁表面
不存在吸附、催化反应或杂质扩散等一系列物理、化学效应的表面。
清洁表面通常分为三种: 台阶表面、弛豫表面 、重构表面 1、台阶表面 --- 表面不是平面,由规则或不规则台阶组成。
<1>表面粗糙度:表面有明显的起伏,同时还可能有裂缝、空洞等。 <2>拜尔贝层:在表面约10nm的深度内,形成一种非晶态薄层-----拜
尔贝 (Beilby)层。
<3>表面存在大量的活性晶格点: 比电解抛光或低温退火预处理后的表 面更活泼。
<4>残余应力:机加工后,除了表面产生拜尔贝层之外,还存在着各种
2.1
固体表面结构与性能
固体的表面结构 表面自由能与界面润湿
2.1.1 2.1.2
2.1.1
固体的表面
(指固体材料与气体或液体的分界面,包 括理想、清洁、覆盖和实际表面)
一、理想表面 表面
理论上结构完整的二维点阵平面。 理论前提: d 1、不考虑晶体内部周期性势场在晶体表面 中断的影响;
内部
2、不考虑表面原子的热运动、热扩散、热 缺陷等;