【CN209434185U】电源芯片封装结构【专利】
【CN209344254U】一种软包装锂离子电池封装装置【专利】
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CN 209344254 U
说 明 书
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以在锂离子电池意外起火时阻止火势蔓延，更加安全。 [0016] 5 .通过设置绝缘层为AB胶材料制成，可以有效提升封装壳体的绝缘性能，防止锂 离子电池漏电。
附图说明 [0017] 图1为本实用新型一种软包装锂离子电池封装装置的整体结构示意图。 [0018] 图2为本实用新型一种软包装锂离子电池封装装置的封装壳体剖面结构示意图。 [0019] 图3为本实用新型一种软包装锂离子电池封装装置的氯化镁吸湿剂包示意图。 [0020] 图4为本实用新型一种软包装锂离子电池封装装置的隔膜和极耳示意图。 [0021] 图中：1、正极片；2、负极片；3、极耳；4、封装壳体；5、防水层；6、陶瓷加强圈；7、中空 薄片；8、细孔；9、氯化镁吸湿剂包；10、隔膜；11、绝缘层；12、阻燃层。
权利要求书1页 说明书3页 附图3页
CN 209344254 U
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权 利 要 求 书
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1 .一种软包装锂离子电 池封装装置 ，包括封装壳体(4) 、中空薄片(7) 和陶瓷加强圈 (6) ，其特征在于：所述封装壳体(4)内卷绕有正极片(1)和负极片(2) ，所述正极片(1)和负 极片(2)最外围顶端均设置有极耳(3) ，所述封装壳体(4)下端设置有中空薄片(7) ，所述中 空薄片(7)内底部设置有氯化镁吸湿剂包(9) ，所述中空薄片(7) 和封装壳体 (4)之间设置有 陶瓷加强圈(6) ，所述封装壳体(4)内设置有空腔且空腔内表层设置有防水层(5) ，所述封装 壳体(4)外表层设置有阻燃层(12) ，所述封装壳体(4)内表层设置有绝缘层(11)。
背景技术 [0002] 锂离子电池是目前最先进的商品化二次电池，大量应用于各种电子产品中，为了 对软包装锂电 池进行封装 ，所以封装装置是十分必要的 ，以 往的封装装置强度低 ，防水吸湿 效果差，为此，我们提出一种软包装锂离子电池封装装置。
【CN209328884U】一种芯片封装结构【专利】
3 .根据权利要求2所述的一种芯片封装结构，其特征在于，所述金属屏蔽盖板(8)的下 方连接有四个固定插块 (801) ，所述基板 (1) 上开设有与固定插块 (801) 相匹配的插孔 (101) ，所述固定插块(801)插入插孔(101)内且每个固定插块(801)均连接有金属接地线 (802)。
( 57 )摘要 本实 用新型实 施 例公 开了一 种芯 片封装结
构，包括基板和芯片，所述基板上焊接有固定框， 所述芯片放置在固定框的内部，且所述固定框内 设置有用于卡紧芯片两边的两个限位块，用于所 述固定框的四个侧壁均开设有通孔，所述通孔内 安装有压线管，所述压线管的一端和通孔的内壁 固定连接且另一端向固定框外部延伸一段距离， 所述压线管内穿设有连接线，所述连接线的两端 通过焊接点分别与芯片和基板固定连接；本实用 新型的芯片固定在基板上的固定框内并通过连 接线与基板连接，并在连接线上穿设压线管对连 接线的翘曲段进行下压 ，避免了盖板压着连接 线，从而导致的连接线与芯片或基板之间短路或 脱焊等问题。
(74)专利代理机构 成都君合集专利代理事务所 (普通合伙) 51228
代理人 尹新路
(51)Int .Cl . H01L 23/32(2006 .01) H01L 23/10(2006 .01)
(10)授权公告号 CN 209328884 U (45)授权公告日 2019.08.30
( 54 )实用新型名称 一种芯片封装结构
权利要求书1页 说明书3页 附图2页
【CN209448654U】一种高精度电池化成电源【专利】
( 12 )实 用新型专利
(21)申请号 201920158071 .2 (22)申请日 2019 .01 .30 (73)专利权人 苏州瀚川智能科技股份有限公司
地址 215126 江苏省苏州市工业园区胜浦 镇佳胜路40号
(72)发明人 徐新 王丽国 (51)Int .Cl .
源，包含电源管理单元、通信总线接口单元、数据 处理及信号控制单元、模拟信号输出单元、模拟 信号采集单元、若干路过压及过流保护单元、若 干路模拟前端及PWM控制单元、直流母线接口单 元 、若干路功率开关单元 、若干路电 池极性反转 接口单元，本实用新型的高精度电池化成电源具 有小型化 、能 量转换效 率高 、电 性能 参数控 制精 度高等优点。
权利要求书1页 说明书3页 附图3页
CN 209448654 U
CN 209448654 U
权 利 要 求 书
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1 .一种高精度电池化成电源，其特征在于，包含电源管理单元、通信总线接口单元、数 据处理及信号控制单元、模拟信号输出单元、模拟信号采集单元、若干路过压及过流保护单 元、若干路模拟前端及PWM控制单元、直流母线接口单元、若干路功率开关单元、若干路电池 极性反转接口 单元 ，所述数据处理及信号控 制单元分 别与所述通信总线接口 单元 、模拟信 号输出单元、模拟信号采集单元、若干路模拟前端及PWM控制单元连接，所述若干路模拟前 端及PWM控制单元分别与模拟输出单元、模拟信号采集单元、过压及过流保护单元、功率开 关单元连接，所述功率开关单元分别直流母线接口单元、电池极性反转接口用新型的目的在于，克服上述现有技术的不足，提供一种小型化、能量转换效 率高、电性能参数控制精度高的高精度化成电源。 [0005] 本实用新型的高精度电池化成电源，包含电源管理单元、通信总线接口单元、数据 处理及信号控制单元、模拟信号输出单元、模拟信号采集单元、若干路过压及过流保护单 元、若干路模拟前端及PWM控制单元、直流母线接口单元、若干路功率开关单元、若干路电池 极性反转接口 单元 ，所述数据处理及信号控 制单元分 别与所述通信总线接口 单元 、模拟信 号输出单元、模拟信号采集单元、若干路模拟前端及PWM控制单元连接，所述若干路模拟前 端及PWM 控制单元分别与模拟输出单元、模拟信号采集单元、过压及过流保护单元、功率开 关单元连接，所述功率开关单元分别直流母线接口单元、电池极性反转接口单元连接。 [0006] 优选的，本实用新型的高精度电池化成电源，所述模拟前端及PWM控制单元采用了 ADI 公司最新的化成电源专用的高精度PWM控制IC。 [0007] 优选的，本实用新型的高精度电池化成电源，所述直流母线接口与双向AC/DC变换 器连接。 [0008] 优选的 ，本实用新型的高精度电池化成电源，所述功率开关单元为场效应管、电 感、电容等组成Buck/Boost拓扑结构。 [0009] 本实用新型的高精度电池化成电源，精确控制充放电CC(恒流)电流和CV(恒压)电
【CN209544328U】一种超小型超低容值静电防护芯片封装结构【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201920254657.9(22)申请日 2019.02.28(73)专利权人 深圳市高特微电子有限公司地址 518000 广东省深圳市宝安区新安街道71区留仙二路D地段F栋新东兴商务中心二楼211(72)发明人 王海青 许贵铮 刘伟强 刘杰丰 李章夏 陈泽龙 (51)Int.Cl.H01L 23/495(2006.01)H01L 23/31(2006.01)H01L 23/29(2006.01)(54)实用新型名称一种超小型超低容值静电防护芯片封装结构(57)摘要一种超小型超低容值静电防护芯片封装结构，本实用新型涉及静电防护芯片封装结构技术领域，设置于左侧的金属引线框架上通过银胶固定设置有一号静电防护芯片，设置于右侧的金属引线框架上通过银胶固定设置有二号静电防护芯片，二号静电防护芯片的上表面上固定设置有金属球，一号静电防护芯片的上表面上固定设置有金属导线，金属导线的另一端固定设置在金属球上，金属引线框架、一号静电防护芯片、二号静电防护芯片、金属球、金属导线均密封填设在环氧聚酯膜内；其通过两个静电防护芯片进行串联，保证了结构整体的低电容值，其通过环氧聚酯膜进行封装，使得结构整体体积小巧，便于在便携式电子设备中使用。
权利要求书1页 说明书2页 附图1页CN 209544328 U 2019.10.25C N 209544328U权 利 要 求 书1/1页CN 209544328 U1.一种超小型超低容值静电防护芯片封装结构，其特征在于：它包含金属引线框架（1）、银胶（2）、一号静电防护芯片（3）、二号静电防护芯片（4）、金属球（5）、金属导线（6）、环氧聚酯膜（7），其中银胶（2）固定设置在金属引线框架（1）的焊盘上，两个金属引线框架（1）左右对称设置，设置于左侧的金属引线框架（1）上通过银胶（2）固定设置有一号静电防护芯片（3），设置于右侧的金属引线框架（1）上通过银胶（2）固定设置有二号静电防护芯片（4），二号静电防护芯片（4）的上表面上固定设置有金属球（5），一号静电防护芯片（3）的上表面上固定设置有金属导线（6），金属导线（6）的另一端固定设置在金属球（5）上，金属引线框架（1）、一号静电防护芯片（3）、二号静电防护芯片（4）、金属球（5）、金属导线（6）均密封填设在环氧聚酯膜（7）内。
【CN209515801U】一种电池电芯封装结构【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201920391203.6(22)申请日 2019.03.26(73)专利权人 广东嘉拓新能源科技有限公司地址 523000 广东省东莞市石排镇燕窝村永威大厦1、2、3层(72)发明人 朱一虎 (74)专利代理机构 广州市一新专利商标事务所有限公司 44220代理人 刘兴耿(51)Int.Cl.H01M 2/10(2006.01)(54)实用新型名称一种电池电芯封装结构(57)摘要本实用新型涉及锂电池技术领域，具体公开了一种电池电芯封装结构，置于外壳内的电芯本体以及用于对所述电芯本体起限位固定作用的侧部紧固组件以及顶部紧固组件，所述外壳内底部固定设置有散热翅座，所述侧部紧固组件设置在散热翅座上。
本实用新型利用侧部紧固组件对电芯本体的侧部进行限位固定，利用顶部紧固组件用于对所述电芯本体的顶部进行压紧固定，通过设置的侧部紧固组件以及顶部紧固组件，有效的防止了电芯本体在封装过程中的前后偏移的问题，这样既保护了电芯本体，又防止电芯本体的偏移，增大了电芯本体封装过程的成功率，减小了成本，节约了原材料。
权利要求书1页 说明书3页 附图2页CN 209515801 U 2019.10.18C N 209515801U权 利 要 求 书1/1页CN 209515801 U1.一种电池电芯封装结构，其特征在于，置于外壳（1）内的电芯本体（4）以及用于对所述电芯本体（4）起限位固定作用的侧部紧固组件以及顶部紧固组件，所述外壳（1）内底部固定设置有散热翅座（6），所述侧部紧固组件设置在散热翅座（6）上；所述侧部紧固组件包括转动架设在散热翅座（6）上的丝杆（7）、通过螺纹连接方式安装在所述丝杆（7）上的矩形螺套（8）以及固定安装在矩形螺套（8）夹持面上且与所述电芯本体（4）侧部开设的限位槽（10）相配合的限位柱（11）；所述顶部紧固组件包括嵌设在所述外壳（1）顶板上的封盖（2）设置在所述封盖（2）底部且与所述电芯本体（4）顶端开设的压槽（13）相配合的压块（5）。
【CN209448308U】一种消防电源箱【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201920487122.6(22)申请日 2019.04.11(73)专利权人 上海金盾消防智能科技有限公司地址 200120 上海市浦东新区书院镇万松路88号8幢(72)发明人 周国华 李军 李玉忠 明勇 王剑秋 (74)专利代理机构 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙) 11210代理人 史静(51)Int.Cl.H02B 1/56(2006.01)H02B 1/28(2006.01)H02B 1/46(2006.01)H02J 7/00(2006.01)(54)实用新型名称一种消防电源箱(57)摘要本实用新型公开了一种消防电源箱，包括第一壳体，第一壳体内设置有多个蓄电池，第一壳体的外侧设置有第二壳体，第二壳体的外侧设置有第三壳体；第一壳体和第二壳体之间填充有保温材料，第二壳体和第三壳体之间填充有冷却液，第三壳体的外侧也设置有保温材料。
本实用新型在第二壳体和第三壳体之间填充有冷却液，可以大大提高电源箱的耐火时间。
权利要求书1页 说明书2页 附图1页CN 209448308 U 2019.09.27C N 209448308U权 利 要 求 书1/1页CN 209448308 U1.一种消防电源箱，包括第一壳体（1），其特征在于，所述第一壳体（1）内设置有多个蓄电池（2），所述第一壳体（1）的外侧设置有第二壳体（3），所述第二壳体（3）的外侧设置有第三壳体（4）；所述第一壳体（1）和所述第二壳体（3）之间填充有保温材料（7），所述第二壳体（3）和所述第三壳体（4）之间填充有冷却液（5），所述第三壳体（4）的外侧也设置有所述保温材料（7）。
2.根据权利要求1所述的消防电源箱，其特征在于：所述第二壳体（3）的外侧和所述第三壳体（4）的内侧涂设有防腐涂层。
3.根据权利要求1所述的消防电源箱，其特征在于：所述冷却液（5）为纯净水。
【CN209626202U】一种芯片封装结构【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201920271910.1(22)申请日 2019.03.04(73)专利权人 无锡华润安盛科技有限公司地址 214028 江苏省无锡市新区锡梅路55号(72)发明人 谢雷 (74)专利代理机构 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415代理人 林祥(51)Int.Cl.H01L 23/31(2006.01)H01L 23/488(2006.01)H01L 23/495(2006.01)(54)实用新型名称一种芯片封装结构(57)摘要本实用新型提供了一种芯片封装结构，通过改变连接夹的结构，将其设置为夹体以及位于夹体的两端的焊接层，两端焊接层分别适于对位焊盘与对应引脚；夹体选择不与焊料浸润的材料，焊接层选择与焊料浸润的材料。
好处在于：在连接夹焊接过程中，焊料仅分布在焊接层，不会因为浸润夹体造成焊料在焊接层处流失，可以精确控制焊接区域面积，确保焊接牢固度，有助于提升封装结构的良率。
权利要求书1页 说明书4页 附图2页CN 209626202 U 2019.11.12C N 209626202U权 利 要 求 书1/1页CN 209626202 U1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：引线框架，所述引线框架包括若干引脚；芯片，所述芯片的正面暴露有若干焊盘；若干连接夹，每一连接夹包括夹体以及位于所述夹体的两端的焊接层；两端焊接层分别通过焊料焊接于焊盘与对应引脚，以使焊盘通过所述夹体电连接于对应引脚；所述焊接层与所述焊料浸润，所述夹体不与所述焊料浸润。
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述夹体的材料为铝或铝合金，所述焊料的材料为锡，所述焊接层的材料为铜、铜合金、钛镍银合金、镍钯金或镍金，所述镍钯金包括镍层、钯层与金层，所述镍金包括镍层与金层。
3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，当所述焊接层的材料为铜或铜合金时，所述焊接层的厚度大于2μm；当所述焊接层的材料为钛镍银合金时，所述焊接层的厚度范围为1μm～2μm；当所述焊接层的材料为镍钯金时，所述镍层的厚度范围为2μm～3μm，所述钯层的厚度范围为1.5μm～2.5μm，所述金层的厚度范围为0.03μm～0.08μm；当所述焊接层的材料为镍金时，所述镍层的厚度范围为2μm～3μm，所述金层的厚度范围为0.03μm～0.08μm。
【CN209544316U】一种晶圆级芯片封装结构【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201920675939.6(22)申请日 2019.05.13(73)专利权人 中芯长电半导体（江阴）有限公司地址 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号(72)发明人 徐罕 陈彦亨 吴政达 林正忠 (74)专利代理机构 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219代理人 余明伟(51)Int.Cl.H01L 23/31(2006.01)H01L 23/498(2006.01)H01L 21/56(2006.01)(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利(54)实用新型名称一种晶圆级芯片封装结构(57)摘要本实用新型提供一种晶圆级芯片封装结构，晶圆级芯片封装结构包括：基底；重新布线层，形成于所述基底上，所述重新布线层具有划片槽区域；封装层，形成于所述重新布线层上；凹槽，形成于所述封装层中，所述凹槽位于所述划片槽区域上。
本实用新型的晶圆级芯片封装结构能释放封装结构内部的应力，降低晶圆的翘曲度，增加工艺稳定性，提升良率，增加产出。
权利要求书1页 说明书4页 附图3页CN 209544316 U 2019.10.25C N 209544316U权 利 要 求 书1/1页CN 209544316 U1.一种晶圆级芯片封装结构，其特征在于，包括：基底；重新布线层，形成于所述基底上，所述重新布线层具有划片槽区域；封装层，形成于所述重新布线层上；凹槽，形成于所述封装层中，所述凹槽位于所述划片槽区域上。
2.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于：所述凹槽位于所述划片槽区域内。
3.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于：所述凹槽贯穿所述封装层。
4.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于：所述凹槽未贯穿所述封装层，且所述凹槽的深度占所述封装层厚度的比例介于1/2～4/5之间。
【CN209544314U】一种静电防护阵列芯片封装结构【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201920222257.X(22)申请日 2019.02.22(73)专利权人 深圳市高特微电子有限公司地址 518000 广东省深圳市宝安区新安街道71区留仙二路D地段F栋新东兴商务中心二楼211(72)发明人 王海青 许贵铮 刘伟强 刘杰丰 李章夏 陈泽龙 (51)Int.Cl.H01L 23/31(2006.01)H01L 23/495(2006.01)H01L 23/49(2006.01)(54)实用新型名称一种静电防护阵列芯片封装结构(57)摘要一种静电防护阵列芯片封装结构，本实用新型涉及电子设备技术领域；它包含金属引线框架、绝缘固晶胶、静电防护阵列芯片、金属导线和树脂塑料外封；静电防护阵列芯片通过绝缘固晶胶固定在金属引线框架上，且静电防护阵列芯片通过金属导线与金属引线框架电性连接，树脂塑料外封包设在由金属引线框架、绝缘固晶胶、静电防护阵列芯片、金属导线组成的一个整体的外部。
减小后续应用在超高清多媒体设备印刷线路板上弯曲走线的数量；电容低、弯曲走线数量少，其保证了超高清多媒体数据传输完整性，实用性更强。
权利要求书1页 说明书2页 附图1页CN 209544314 U 2019.10.25C N 209544314U权 利 要 求 书1/1页CN 209544314 U1.一种静电防护阵列芯片封装结构，其特征在于：它包含金属引线框架（101）、绝缘固晶胶（102）、静电防护阵列芯片（103）、金属导线（104）和树脂塑料外封（105）；静电防护阵列芯片（103）通过绝缘固晶胶（102）固定在金属引线框架（101）上，且静电防护阵列芯片（103）通过金属导线（104）与金属引线框架（101）电性连接，树脂塑料外封（105）包设在由金属引线框架（101）、绝缘固晶胶（102）、静电防护阵列芯片（103）、金属导线（104）组成的一个整体的外部。
【CN209447964U】一种锂电池的封装装置【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201920312323.2(22)申请日 2019.03.11(73)专利权人 惠州赫能科技有限公司地址 516025 广东省惠州市仲恺高新区惠南产业园华泰路6号D栋、E栋工业厂房(72)发明人 聂梦州 (74)专利代理机构 广州三环专利商标代理有限公司 44202代理人 叶新平(51)Int.Cl.H01M 10/058(2010.01)H01M 2/02(2006.01)H01M 2/08(2006.01)(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利(54)实用新型名称一种锂电池的封装装置(57)摘要本实用新型一种锂电池的封装装置，整体外形呈矩形，从下到上依次包括下模座、上模座、至少一块套板、上盖板及螺丝。
下模座为上面敞开、四周壁与底面围拢，中间设有第一矩形凹区，第一矩形凹区的上端沿四边与四周壁上端形成第二矩形凹区，第二矩形凹区的四边中央各设有一个第三矩形凹槽，每个第三矩形凹槽靠四周壁上端外侧设有一个第四矩形凹槽，下模座的两条长壁上端分别设有至少两个向上凸柱。
下模座的一个左角上部，自靠近角端起至第一矩形凹区的左角上端设有半圆形管槽。
本方案能确保每一个封装锂电池的外包装热压封装后各条边受力及厚度均匀，密封性好，产品的一致性好、合格率高，提高了四电极的锂电池的生产效率。
权利要求书1页 说明书4页 附图2页CN 209447964 U 2019.09.27C N 209447964U权 利 要 求 书1/1页CN 209447964 U1.一种锂电池的封装装置，整体外形呈矩形，其特征在于：从下到上依次包括下模座、上模座、至少一块套板、上盖板及螺丝；所述下模座为上面敞开、四周壁与底面围拢，中间设有第一矩形凹区，第一矩形凹区的上端沿四边与四周壁上端形成第二矩形凹区，第二矩形凹区的四边中央各设有一个第三矩形凹槽，每个第三矩形凹槽靠四周壁上端外侧设有一个第四矩形凹槽，下模座的两条长壁上端分别设有至少两个向上凸柱；下模座的一个左角上部，自靠近角端起至第一矩形凹区的左角上端设有半圆形管槽，其管槽槽口向上；所述上模座为中间上下相通的矩形挖空、四周壁围拢，矩形挖空的下端沿四边与四周壁下端形成第五矩形凹区，第五矩形凹区的四边中央各设有一个第六矩形凹槽，每个第六矩形凹槽靠四周壁下端外侧设有一个第七矩形凹槽，上模座的两条长壁下端分别设有至少两个匹配所述凸柱的向下凹孔，上模座的四周壁上端的中央分别设有第一螺丝盲孔；上模座的一个左角下部，自靠近角端起至矩形挖空的左角下端设有半圆形管槽，其管槽槽口向下；所述套板为中间上下相通的矩形挖空，剩余四周框的中央分别设有第二螺丝通孔；所述上盖板为上面封闭、中间设有开口向下的第八矩形凹区，剩余四周框的中央分别设有第三螺丝通孔；通过所述螺丝将所述上盖板、所述套板紧固在所述上模座的上面。
【CN209357718U】一种应用于电池保护的半导体IC芯片【专利】
(51)Int .Cl . H01L 23/488(2006 .01) H01M 10/42(2006 .01)
(10)授权公告号 C9.06
( 54 )实用新型名称 一种应用于电池保护的半导体IC芯片
( 57 )摘要 本实 用新型提供一 种应 用于电 池保 护的 半
权利要求书2页 说明书6页 附图1页
CN 209357718 U
CN 209357718 U
权 利 要 求 书
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1 .一种应用于电池保护的半导体IC芯片，其特征在于，包括： 半导体IC芯片本体，所述半导体IC芯片本体的上表面包括第一侧边、第二侧边、第三侧 边、第四侧边，所述第一侧边、所述第四侧边、所述第二侧边、所述第三侧边沿顺时针方向依 次 相连 ，所述半导体IC芯片本体具有中心线 ，所述中 心线穿过所述第一 侧边 和所述第二 侧 边的中心； 电 源正极端焊盘 ，设置于所述半导体IC芯片本体上表面 ，所述电 源正极端焊盘位于所 述第二侧边与所述第四侧边的夹角区域； 第一栅极端焊盘 ，设置于所述半导体IC芯片本体上表面 ，所述 第一栅极端焊盘位于所 述第一侧边与所述中心线的夹角区域，所述第一栅极端焊盘位于所述中心线与所述第三侧 边之间； 第二栅极端焊盘 ，设置于所述半导体IC芯片本体上表面 ，所述 第二栅极端焊盘位于所 述第一侧边与所述中心线的夹角区域，所述第二栅极端焊盘位于所述中心线与所述第四侧 边之间； 第一负极端焊盘 ，设置于所述半导体IC芯片本体上表面 ，所述 第一负极端焊盘位于所 述第一侧边的边缘区域，所述第一负极端焊盘位于所述第一栅极端焊盘与所述第三侧边之 间； 第二负极端焊盘 ，设置于所述半导体IC芯片本体上表面 ，所述 第二负极端焊盘位于所 述第一侧边的边缘区域，所述第二负极端焊盘位于所述第二栅极端焊盘与所述第四侧边之 间； 熔断丝端焊盘，设置于所述半导体IC芯片本体上表面。 2 .根据权利要求1所述的应用于电池保护的半导体IC芯片，其特征在于：所述熔断丝端 焊盘包括：第一熔断丝端焊盘、第二熔断丝端焊盘、第三熔断丝端焊盘、第四熔断丝端焊盘、 第五熔断丝端焊盘、第六熔断丝端焊盘、第七熔断丝端焊盘，所述第一侧边与所述第一负极 端焊盘之间由所述第三侧边到所述中心线依次排列有所述第七熔断丝端焊盘、所述第六熔 断丝端焊盘、所述第五熔断丝端焊盘、所述第四熔断丝端焊盘，所述第二侧边与所述第一负 极端焊盘之间由所述第三侧边到所述中心线依次排列有所述第一熔断丝端焊盘、所述第二 熔断丝端焊盘、所述第三熔断丝端焊盘，所述第一熔断丝端焊盘、所述第二熔断丝端焊盘、 所述第三熔断丝端焊盘、所述第四熔断丝端焊盘、所述第五熔断丝端焊盘、所述第六熔断丝 端焊盘、所述第七熔断丝端焊盘位于所述第一负极端焊盘的边缘区域。 3 .根据权利要求2所述的应用于电池保护的半导体IC芯片，其特征在于：以所述半导体 IC芯片本体的所述第二侧边与所述第三侧边的交点为原点建立直角坐标系，所述直角坐标 系以 沿所述第二侧边向所述第四 侧边延伸的方向为X轴正方向 ，所述直 角坐标系以 沿所述 第三侧边向所述第一侧边延伸的方向为Y轴正方向。 4 .根据权利要求3所述的应用于电池保护的半导体IC芯片，其特征在于：所述电源正极 端焊盘的坐标包括 (724μm～744μm ，243μm～263μm) ，所述第一栅极端焊盘的坐标包括 (360μ m～380μm，527μm～547μm) ，所述第二栅极端焊盘的坐标包括(518μm～538μm，527μm～547μ m) ，所述第一负极端焊盘的坐标包括(78μm～98μm，474μm～494μm)，所述第二负极端焊盘的 坐标包括(723μm～743μm，538μm～558μm)。 5 .根据权利要求3所述的应用于电池保护的半导体IC芯片，其特征在于：所述第一熔断
电源芯片封装
电源芯片封装电源芯片封装是指将电源芯片集成电路封装成可用于电路板上的芯片模块的过程。
封装的主要目的是保护芯片不受外界环境的影响，并提供与其他元件连接的接口。
电源芯片封装可以分为多种类型，常见的有DIP封装、SOP封装、QFN封装、BGA封装等。
不同的封装类型适用于不同的应用场景，具有不同的封装密度、散热性能和连接方式。
DIP封装是最早应用的一种封装形式，其引脚直插于封装壳体的底部。
这种封装形式具有良好的可维修性和方便性，但占用空间较大，无法实现高密度集成。
SOP封装是一种表面贴装封装形式，引脚呈两排排列，并焊接于电路板的表面。
这种封装形式适用于小型电子设备，封装密度较高，有利于空间的节约。
QFN封装是一种无引脚封装形式，引脚被压接在封装的底部，通过焊盘与电路板连接。
这种封装形式具有较好的散热性能和较小的尺寸，适用于高密度、高功率的应用场景。
BGA封装是一种球栅阵列封装形式，引脚被排列成一组小球，并与电路板焊接。
这种封装形式具有高密度和高可靠性的特点，适用于大功率、高集成度的电源芯片。
在电源芯片封装过程中，除了选择合适的封装形式，还需要考虑封装材料、封装工艺和封装设备。
常见的封装材料包括塑料、陶瓷、金属等，不同材料具有不同的导热性、耐温性和阻燃性能。
封装工艺主要包括焊接、引脚排列和封装粘接等步骤。
焊接过程中，需要使用焊锡或焊膏将引脚连接到电路板上，确保良好的电气连接。
引脚排列是根据封装形式和引脚功能需求进行安排，以实现与其他元件的连接。
封装粘接是将芯片粘接到封装材料上，以保护芯片免受外界环境的损害。
封装设备包括封装机、焊接设备和测试设备等。
封装机主要用于封装流程的自动化，提高生产效率和封装质量。
焊接设备能够实现精确的焊接过程控制，确保焊接质量和连接可靠性。
测试设备用于对封装后的芯片进行功能测试和电气特性测试，以确保封装的质量和性能。
总之，电源芯片封装是将电源芯片集成电路封装成可用于电路板上的芯片模块的过程。
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201920284989.1
(22)申请日 2019.02.28
(73)专利权人 深圳市泰德半导体有限公司
地址 518000 广东省深圳市南山区粤海街
道粤海路深圳动漫园3栋405号
(72)发明人 孙洪涛
(74)专利代理机构 成都市鼎宏恒业知识产权代
理事务所(特殊普通合伙)
51248
代理人 魏敏
(51)Int.Cl.
H01L 25/16(2006.01)
H01L 23/495(2006.01)
(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
(54)实用新型名称
电源芯片封装结构
(57)摘要
本实用新型公开了一种电源芯片封装结构，
包括金属导线架，所述金属导线架上横向排列有
电源芯片和控制芯片，所述电源芯片与金属导线
架之间覆盖有导电接合材，并且该电源芯片的上
方设置有导电接合材电极，所述电源芯片的源极
和泄极均通过叉型导电架与导电接合材电极电
性接合，所述控制芯片通过金属导线与金属导线
架的各电极进行电性接合，并且该控制芯片通过
金属导线与电源芯片门极接点电性接合。
本实用
新型由于电源芯片和控制芯片横向排列，缩小了
封装面积，除了降低封装成本，系统电路板面积
亦可大幅缩小,
整体成本下降。
权利要求书1页 说明书3页 附图2页CN 209434185 U 2019.09.24
C N 209434185
U
权 利 要 求 书1/1页CN 209434185 U
1.一种电源芯片封装结构，其特征在于：包括金属导线架（1），所述金属导线架（1）上横向排列有电源芯片（2）和控制芯片（3），所述电源芯片（2）与金属导线架（1）之间覆盖有导电接合材（4），并且该电源芯片（2）的上方设置有导电接合材电极（6），所述电源芯片（2）的源极和泄极均通过叉型导电架（5）与导电接合材电极（6）电性接合，所述控制芯片（3）通过金属导线（7）与金属导线架（1）的各电极进行电性接合，并且该控制芯片（3）通过金属导线（7）与电源芯片门极接点（8）电性接合。
2.根据权利要求1所述的电源芯片封装结构，其特征在于：所述控制芯片（3）与金属导线架（1）之间设置有第二导电接合材（9），并且该控制芯片（3）的上方设置有第二导电接合材（9）的电极，所述金属导线架（1）的各电极通过金属导线（7）与控制芯片（3）上的第二导电接合材（9）的电极电性接合。
3.根据权利要求1所述的电源芯片封装结构，其特征在于：电源芯片（2）上覆盖的导电接合材电极（6）呈间隔设置，并且所述电源芯片门极接点（8）设置在靠近控制芯片（3）的位置处。
4.根据权利要求3所述的电源芯片封装结构，其特征在于：所述叉型导电架（5）是由一横向导电架（51）连接多个竖向导电架（52）构成的，所述横向导电架（51）连接在金属导线架（1）上的导电接合材（4）上，所述竖向导电架（52）连接在电源芯片（2）上的导电接合材电极（6）并与该导电接合材（4）上的电极一一对应。
5.一种电源芯片封装结构，其特征在于：包括金属导线架（1），所述金属导线架（1）上横向排列有电源芯片（2）和控制芯片（3），所述电源芯片（2）与金属导线架（1）之间覆盖有导电接合材（4），并且该电源芯片（2）的上方设置有导电接合材电极（6），所述电源芯片（2）的源极和泄极均通过叉型导电架（5）与导电接合材电极（6）电性接合，所述控制芯片（3）通过支电性接合凸块（10）与金属导线架（1）电性接合。
6.根据权利要求5所述的电源芯片封装结构，其特征在于：所述控制芯片（3）下方的支电性接合凸块（10）通过电源芯片门极电性导线与电源芯片门极接点（8）连接。
7.根据权利要求5所述的电源芯片封装结构，其特征在于：电源芯片（2）上覆盖的导电接合材电极（6）呈间隔设置，并且所述电源芯片门极接点（8）设置在靠近控制芯片（3）的位置处。
8.根据权利要求7所述的电源芯片封装结构，其特征在于：所述叉型导电架（5）是由一横向导电架（51）连接多个竖向导电架（52）构成的，所述横向导电架（51）连接在金属导线架（1）上的导电接合材（4）上，所述竖向导电架（52）连接在电源芯片（2）上的导电接合材电极（6）并与该导电接合材（4）上的电极一一对应。
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