CHP5半导体存储器
《半导体存储器》课件
嵌入式系统中的应用
半导体存储器广泛应用于 嵌入式系统，如智能家居、 汽车电子和工业控制。
计算机内存
半导体存储器是计算机主 存储器的重要组成部分， 用于临时存储数据和程序。
智能手机内存
手机内存运行应用程序和 存储数据，半导体存储器 提供了高速和可靠的数据 存取。
未来半导体存储器的发展方向
1 3D垂直存储器
《半导体存储器》PPT课 件
半导体存储器PPT课件大纲
什么是半导体存储器？
半导体存储器定义
半导体存储器是指使用半导体材料制造的存储器，它可以将数据存储在芯片内部的电子元件 中。
存储器的分类
常见的半导体存储器包括静态随机存取存储器（SRAM）、动态随机存取存储器（DRAM）和 闪存存储器。
常见的半导体存储器
通过增加垂直堆叠层数来增加存储容量，提高存储密度和性能。
2 非易失性存储器
开发更加稳定和可靠的非易失性存储器，提供更长久的数据存储和保护。
3 全新器件技术
研发新型的器件结构和材料，以满足不断增长的存储需求和更高的速度要求。
总结
半导体存储器的重要性
半导体存储器在现代计算和通信领域发挥着关键作用，对技术和社会的发展产生积极影响。
静态随机存取存储器 （SRAM）
SRAM具有快速读写速度和较 短的访问时间，适用于高性 能的应用。
动态随机存取存储器 （DRAM）
DRAM具有较大的存储容量和 较低的成本，广泛应用于个 人电脑和服务器。
闪存存储器
闪存存储器具有非易失性和 较高的耐用性，适用于便携 设备的存储需求。
半导体存储器的工作原理
1
SRAM的工作原理
SRAM使用触发器实现数据的存储和读取，具有较快的访问速度和数据保持能力。
ch51半导体存储器和PLD
ch51半导体存储器和PLD引言半导体存储器和可编程逻辑器件〔PLD〕是现代电子系统中的关键组成局部。
它们在数据存储和逻辑功能实现方面发挥着重要的作用。
本文将介绍ch51半导体存储器和PLD的根本概念、工作原理以及在电子系统中的应用。
半导体存储器概念半导体存储器是一种用于存储和读取数据的半导体器件。
它可以持久地保存数据，供电断开后仍能保持数据的存储状态。
半导体存储器根据存取速度、容量和本钱等因素可以分为不同的类型，如静态随机存取存储器〔SRAM〕和动态随机存取存储器〔DRAM〕等。
工作原理在半导体存储器中，数据是以二进制形式存储和表示。
存储器中的每一个存储单元都有一个地址，通过地址可以确定要访问的存储单元。
半导体存储器中的存储单元通常是由触发器或电容等元件构成。
在写入数据时，通过向存储单元施加电压来改变其状态，从而存储新的数据。
读取数据时，通过读取存储单元的状态来获取相应的数据。
应用半导体存储器广泛应用于各种电子设备中，包括计算机、手机、摄像机等设备。
在计算机系统中，半导体存储器被用作主存储器，用于存储正在运行的程序和数据。
而在外部存储器中，如固态硬盘〔SSD〕，也采用了半导体存储器作为存储介质。
可编程逻辑器件〔PLD〕概念可编程逻辑器件〔PLD〕是一种电子器件，可以根据需要进行编程，实现特定的逻辑功能。
PLD可以在不断电的情况下重新编程，因此具有很大的灵巧性。
PLD包括复杂可编程逻辑器件〔CPLD〕和场可编程门阵列〔FPGA〕等。
工作原理PLD中的逻辑门和触发器等根本逻辑单元通过可编程电路连接起来，可以根据编程所设定的逻辑功能来实现特定的逻辑操作。
在编程时，可以通过编程器或特定编程软件将逻辑功能描述转换为PLD所需的编程文件，并将其加载到PLD中。
PLD中的逻辑单元通过可编程连接器连接起来，可以根据编程文件的设定来完成特定的逻辑操作。
应用PLD广泛应用于数字电路设计和逻辑功能实现的领域。
它可以用来设计和实现各种数字电路，包括计算机芯片、通信设备、嵌入式系统等。
五氯化钨 半导体
五氯化钨半导体一、引言五氯化钨（WCl₅）是一种无机化合物，其独特的物理和化学性质使其在众多领域具有潜在的应用价值，尤其是在半导体技术领域。
近年来，五氯化钨在电子器件、光电器件和传感器等领域的应用受到了广泛关注。
本文将对五氯化钨在半导体领域的应用进行详细探讨，并对其合成与加工技术进行概述。
二、五氯化钨的物理化学性质五氯化钨是一种橙黄色固体，具有强烈的刺激性气味。
它是一种强酸，可溶于许多有机溶剂和水中。
五氯化钨具有较高的导电性能和稳定的化学性质，这使得它在半导体领域具有潜在的应用价值。
三、五氯化钨在半导体领域的应用1.电子器件：五氯化钨可以作为电子器件的原料，用于制造晶体管、集成电路和薄膜晶体管等。
其导电性能和稳定性使其成为理想的候选材料。
2.光电器件：五氯化钨在光电器件领域的应用主要涉及光电导、光电二极管和光电晶体管等。
其优异的光电性能使得五氯化钨成为光电转换器件的重要候选材料。
3.传感器：五氯化钨还可以作为气体传感器和湿度传感器的敏感材料。
其导电性能会随着环境气氛的变化而发生变化，因此可以用于检测气体和湿度等环境参数。
4.催化剂：五氯化钨还具有催化活性，可用于多种化学反应的催化剂。
在有机合成、聚合反应等领域中具有广泛的应用。
5.高温超导材料：五氯化钨在高温超导材料领域也具有潜在的应用价值。
通过与其他元素的合成，可以制备出具有优异超导性能的新型材料。
四、五氯化钨的合成与加工技术1.合成方法：目前，五氯化钨的合成方法主要包括化学气相沉积法、溶胶-凝胶法、热解法等。
这些方法可以根据实际需求选择，以获得不同形貌和尺寸的五氯化钨粉末或薄膜。
2.加工技术：为了将五氯化钨应用到半导体器件中，需要对其进行加工处理。
常见的加工技术包括真空蒸发镀膜、化学气相沉积、物理气相沉积等。
这些技术可以根据实际需求选择，以获得具有优异性能的五氯化钨薄膜或器件。
3.掺杂与改性：为了提高五氯化钨的性能，通常需要进行掺杂与改性处理。
半导体存储器的分类
半导体存储器的分类作者去者日期 2010-3-20 14:27:002推荐1．按制造工艺分类半导体存储器可以分为双极型和金属氧化物半导体型两类。
双极型（bipolar）由TTL晶体管逻辑电路构成。
该类存储器件的工作速度快，与CPU处在同一量级，但集成度低，功耗大，价格偏高，在微机系统中常用做高速缓冲存储器cache。
金属氧化物半导体型，简称MOS型。
该类存储器有多种制造工艺，如NMOS, HMOS, CMOS, CHMOS等，可用来制造多种半导体存储器件，如静态RAM、动态RAM、EPROM等。
该类存储器的集成度高，功耗低，价格便宜，但速度较双极型器件慢。
微机的内存主要由MOS型半导体构成。
2．按存取方式分类半导体存储器可分为只读存储器（ROM）和随机存取存储器（RAM）两大类。
ROM是一种非易失性存储器，其特点是信息一旦写入，就固定不变，掉电后，信息也不会丢失。
在使用过程中，只能读出，一般不能修改，常用于保存无须修改就可长期使用的程序和数据，如主板上的基本输入/输出系统程序BIOS、打印机中的汉字库、外部设备的驱动程序等，也可作为I/O数据缓冲存储器、堆栈等。
RAM是一种易失性存储器，其特点是在使用过程中，信息可以随机写入或读出，使用灵活，但信息不能永久保存，一旦掉电，信息就会自动丢失，常用做内存，存放正在运行的程序和数据。
（1）ROM的类型根据不同的编程写入方式，ROM分为以下几种。
① 掩膜ROM掩膜ROM存储的信息是由生产厂家根据用户的要求，在生产过程中采用掩膜工艺（即光刻图形技术）一次性直接写入的。
掩膜ROM一旦制成后，其内容不能再改写，因此它只适合于存储永久性保存的程序和数据。
② PROMPROM（programmable ROM）为一次编程ROM。
它的编程逻辑器件靠存储单元中熔丝的断开与接通来表示存储的信息：当熔丝被烧断时，表示信息“0”；当熔丝接通时，表示信息“1”。
由于存储单元的熔丝一旦被烧断就不能恢复，因此PROM存储的信息只能写入一次，不能擦除和改写。
半导体存储器研究报告
半导体存储器研究报告半导体存储器是计算机中最常用的存储器之一，它具有速度快、可靠性高、体积小、功耗低等优点，已经成为现代计算机的核心部件之一。
本文主要介绍了半导体存储器的分类、工作原理、发展历程以及未来发展趋势。
关键词：半导体存储器、分类、工作原理、发展历程、未来发展趋势一、引言半导体存储器是计算机中最常用的存储器之一，它广泛应用于个人电脑、服务器、手机、平板电脑等各种计算机设备中。
半导体存储器具有速度快、可靠性高、体积小、功耗低等优点，已经成为现代计算机的核心部件之一。
本文主要介绍了半导体存储器的分类、工作原理、发展历程以及未来发展趋势。
二、半导体存储器的分类半导体存储器主要分为静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM）两种。
SRAM是一种基于触发器的存储器，它的速度非常快，但是价格比较高，体积也比较大，主要应用于高速缓存中。
DRAM是一种基于电容器的存储器，它的价格比较低，但是速度比SRAM慢，主要应用于主存中。
除了SRAM和DRAM之外，还有一些其他的半导体存储器，如闪存、EEPROM、EPROM等。
这些存储器具有不同的特点和应用场景，闪存主要应用于移动设备中，EEPROM主要应用于电子产品中的存储器芯片，EPROM主要应用于一些需要长期存储数据的场合。
三、半导体存储器的工作原理半导体存储器的工作原理是基于电荷存储的原理。
在DRAM中，每个存储单元由一个电容器和一个晶体管组成。
当晶体管的栅极接收到电信号时，会导通电容器，电容器会存储电荷，表示1或0。
在SRAM 中，每个存储单元由两个互补的触发器组成，每个触发器可以存储一个二进制位。
当一个触发器的输入为1时，它的输出为0，当输入为0时，输出为1。
四、半导体存储器的发展历程半导体存储器的发展历程可以分为以下几个阶段：1. 早期存储器：20世纪60年代，半导体存储器刚刚问世，存储容量非常小，速度也很慢。
当时最常用的存储器是磁芯存储器。
半导体存储的发展
半导体存储的发展
半导体存储器的发展可以分为几个阶段：
1.早期阶段（1947年-1970年代）：这一阶段的存储器主要采用磁存储技术，包括磁鼓存储器、磁芯存储器、磁带驱动器和磁泡存储器等。
此外，还有威廉姆斯-基尔伯恩管，它是世界上最早的全电子化存储器。
2.半导体存储器时代（1970年代-至今）：从1970年代开始，半导体存储器逐渐成为主流，主要包括动态随机存取存储器（DRAM）、静态随机存取存储器（SRAM）和闪存（Flash memory）。
3.DRAM和SRAM的发展：DRAM和SRAM是计算机内存的主要类型。
DRAM 存储密度更高，但需要周期性刷新以保持数据；SRAM则具有更快的片上缓存，但发展受制于单元面积和读取速度。
DRAM技术起源于早期的随机存取存储器（RAM），罗伯特·丹纳德发明了使用单个晶体管和存储电容器的RAM存储单元，奠定了现代DRAM的基础。
4.闪存的崛起：闪存在1980年代问世，它是一种非易失性存储器，具有较高的存储密度和较快的读写速度。
闪存广泛应用于各类电子设备，如智能手机、电脑、数据中心等。
5.存储器技术的不断创新：为了满足不断提高的存储需求，半导体存储器技术不断演进。
例如，3D NAND闪存、新型存储器（如电阻式存储器、相变存储器等）以及光存储等技术正在逐步推向市场。
6.国家政策支持：近年来，我国政府出台了一系列政策，支持半导体存储产业的发展。
这有助于推动国内存储器企业的技术创新和产业升级，提高国内半导体存储器的竞争力。
半导体存储器的发展历程充满了技术创新和迭代。
随着新型存储技术的发展和政策的支持，未来半导体存储器产业将继续保持高速发展态势。
半导体存储器的历史与现状
半导体存储器的历史与现状半导体存储器是现代计算机中一个极为重要的组成部分，它可以包括动态随机存取存储器，静态随机存取存储器以及闪存存储器等。
在当今的科技发展中，半导体存储器产业也随之迅速发展。
本篇文章将从半导体存储器的起源及其历史、现在半导体存储器的发展现状、半导体存储器的未来三个部分进行较为详细地探讨。
一、半导体存储器的起源及其历史半导体存储器的发展始于20世纪50年代末到60年代初，当时的计算机运算速度非常缓慢，而计算机使用的纸带和磁带等传统存储介质也存在一系列问题。
为了解决这些问题，人们开始研制半导体存储器。
早期的半导体存储器主要是采用磁芯存储器、电容存储器等集成电路实现。
1970年代，随着半导体器件工艺和技术的迅速发展，电子存储器的应用开始迅速普及。
80年代，动态随机存取存储器（DRAM）和静态随机存取存储器（SRAM）逐渐发展成为主要的半导体存储器类型，并广泛应用于微处理器、计算机、手机等电子设备中。
在存储容量和速度方面，半导体存储器也在不断提升，形成了DRAM、SRAM、闪存等多种类型，这些存储器以不同的价格和功能等作为不同物理尺寸的计算机系统中存储器层次结构的不同层。
二、现在半导体存储器的发展现状当今，半导体存储器产业不仅是一个庞大、复杂的系统，而且是一个进步非常迅速的系统。
现在，半导体存储器的使用和数量已经飙升。
目前，电子存储器的使用已经广泛应用到了计算机、手机、便携设备等各类电子设备中，并且代表性质的半导体存储器如DRAM、NAND闪存等也已加入了存储器层次结构等多个方面。
随着移动互联网的兴起，越来越多的人们开始使用手机、平板电脑和笔记本电脑等便携设备。
这对半导体存储器产业提出了新的挑战，即提高其功耗和性能等方面。
在这方面，半导体存储器的技术不断进步，DRAM、NAND闪存、SRAM和TF/CF卡等多种存储器类型已进入产业化阶段。
此外，半导体存储器产业已经形成了以三星、SK海力士、东芝、西部数据等为代表的几大存储器生产商，并逐渐成为一种重要的技术产业。
半导体存储器的组成与基本结构
半导体存储器的组成与基本结构
半导体存储器的组成与基本结构
1 半导体存储器是由多种元件以及组件组成的，包括：
(1) 存储元件：用于空间上存储信息的元件，包括行选择元件、门电极、存取道和存储单元；
(2) 读写元件：与存储元件有关的元件，用于读取或写入存储元件中
的信息，包括数据信号电极和控制信号电极；
(3) 连接元件：用于彼此连接存储元件、读写元件和外部接口的元件，包括连接电路和接口；
(4) 功能组件：控制与调节半导体存储器工作的元件，包括电源、锁
存器和计时器；
(5) 封装元件：用于保护内部机构结构，提供与外界连接的元件，包
括封装、连接器和防火片；
2 半导体存储器的基本结构有：
(1) 存储元件：存储元件通常包括门电极、存取道和存储单元，采用
多位或多级结构空间上存储信息；
(2) 读写元件：读写元件与存储元件有关，利用电声的静电双向效应
实现存取动作，包括数据信号电极和控制信号电极；
(3) 连接元件：连接元件用于连接存储元件与读写元件，以及外部的
接口，包括连接电路和接口；
(4) 功能组件：功能组件用于控制与调节半导体存储器的工作，包括
电源、锁存器和计时器；
(5) 封装元件：封装元件用于提供与外界连接，保护内部机构结构，常见的封装元件有封装、连接器和防火片。
半导体存储器
第7章半导体存储器内容提要半导体存储器是存储二值信息的大规模集成电路，本章主要介绍了（1）顺序存取存储器（SAM）、随机存取存储器（RAM）、只读存储器（ROM）的工作原理。
（2）各种存储器的存储单元。
（3）半导体存储器的主要技术指标和存储容量扩展方法。
（4）半导体存储器芯片的应用。
教学基本要求掌握：（1）SAM、RAM和ROM的功能和使用方法。
（2）存储器的技术指标。
（3）用ROM实现组合逻辑电路。
理解SAM、RAM和ROM的工作原理。
了解：（1）动态CMOS反相器。
（2）动态CMOS移存单元。
（3）MOS静态及动态存储单元。
重点与难点本章重点：（1）SAM、RAM和ROM的功能。
（2）半导体存储器使用方法（存储用量的扩展）。
（3）用ROM 实现组合逻辑电路。
本章难点：动态CMOS 反相器、动态CMOS 移存单元及MOS 静态、动态存储单元的工作原理。
7.1■■■■■■■■■半导体存储器是存储二值信息的大规模集成电路，是现代数字系统的 重要组成部分。
半导体存储器分类如下：I 融+n 右西方性翼静态（SRAM ）（六管MO 白静态存储单元） 随机存取存储器〔^^'｛动态侬^1口3网又单管、三管动态则□吕存储单元） 一固定艮cmil 二极管、M 口号管） 可编程RDM （PROM ）［三极管中熠丝上可擦除可编程ROM （EPROM ）［叠层栅管、雪崩j1-电可擦除可编程良口财（EEPROM^【叠层栅管、隧道）按制造工艺分，有双极型和MOS 型两类。
双极型存储器具有工作速度快、功耗大、价格较高的特点。
MOS 型存储器具有集成度高、功耗小、工艺简单、价格低等特点。
按存取方式分，有顺序存取存储器（SAM ）、随机存取存储器（RAM ）和只读存储器（ROM ）三类。
（1）顺序存取存储器（简称SAM ）：对信息的存入（写）或取出（读）是按顺序进行的，即具有“先入先出”或“先入后出”的特点。
（2）随机存取存储器（简称RAM ）：可在任何时刻随机地对任意一个单元直接存取信息。
半导体存储器的分类和特点
半导体存储器的分类和特点
1. 嘿，咱先来说说半导体存储器里的随机存储器（RAM）呀。
就好比
你的书桌，随时能放东西上去，也能随时拿走，可方便啦！比如你的手机运行程序时，这些数据就可以随时被读写，快速得很呢！
2. 然后呢，还有只读存储器（ROM）哦。
这就像是一本固定的百科全书，
里面的知识是预先存好的，不能随便改，但是却能一直被读取。
像电脑的BIOS 就是用它呢，稳定得很呐！
3. 再说说闪存（Flash）呀。
这个可厉害啦，就像一个超灵活的小仓库！比
如我们的 U 盘，能存好多东西，随时携带，随时用，多棒呀！
4. 静态随机存储器（SRAM）也不能忽略呀！它的速度那叫一个快，就像短跑运动员一样迅猛。
像一些高速缓存就常用它，是不是很了不起？
5. 动态随机存储器（DRAM）呢，虽然速度比SRAM 慢点，但它容量大呀，像个大容量的储存箱。
电脑的内存很多就是用的它呢！
6. 还有一种叫可编程只读存储器（PROM）呢，就好比一个可以自己设定规则的小天地。
一旦设定好，就按照你的想法来，多有意思！
7. 最后是电可擦可编程只读存储器（EEPROM）呀，它就像一个可以反复
修改的笔记，想怎么改就怎么改。
像一些需要经常更新数据的地方就常用它啦！
总之啊，半导体存储器的分类可多啦，每种都有自己独特的特点和用处，真的是超级厉害呢！。
半导体存储器概述
半导体存储器概述半导体存储器是一种电子设备，用于存储计算机和其他电子设备中的数据。
它是一种非易失性存储器，意味着即使断电也可以保持存储的数据。
本文将对半导体存储器进行概述，包括其基本工作原理、不同类型的半导体存储器以及其在计算机和其他应用中的主要用途。
半导体存储器的基本工作原理是根据半导体上存储器细胞的电荷状态来存储和检索数据。
在半导体存储器中，每个存储器单元称为位（bit）。
位是最小的存储单元，由一个晶体管和一个电容器组成。
晶体管可用于控制电荷的读取和写入，而电容器可用于储存电荷，从而表示存储的数据。
RAM 是一种易失性存储器，意味着当断电时，其中存储的数据将丢失。
然而，RAM 具有快速和随机访问数据的能力，适用于计算机内存。
RAM 可以分为静态RAM（Static RAM，SRAM）和动态RAM（Dynamic RAM，DRAM）两类。
SRAM使用了多个晶体管来构成每个存储单元，能够存储数据的时间更长，但相应地也需要更多的面积。
因此，SRAM内存更快但价格更昂贵，通常用于高速缓存和寄存器文件等需要快速访问的应用。
DRAM使用一个传输线和一个电容来存储一个位。
传输线用于读取和写入数据，电容用于存储电荷。
由于电容器电荷会逐渐泄漏，DRAM需要经常刷新来保持存储的数据，所以在功耗和速度上相对较差。
然而，DRAM的密度更高，价格更低，通常用于计算机的主存储器。
ROM是一种只能读取的存储器，用于存储程序和数据，无法修改。
ROM是非易失性存储器，意味着断电后其中存储的数据不会丢失。
几种常见的ROM包括PROM、EPROM和EEPROM。
PROM（Programmable Read Only Memory）是一种在制造时没有写入数据的 ROM，可以通过电气操作编程或擦除。
EPROM（Erasable Programmable Read Only Memory）是一种可以擦除和重新编程的 ROM，需要 UV 紫外线擦除器来擦除数据。
微机原理半导体存储器
位地址线）。
虚拟存储器程序占用存储空间，可达246字节。
实存储器
由32位 RAM
地址
ROM
232＝4G
虚存储器 磁盘 设备
246＝64T
•虚拟存储器实际上是由磁盘等外存储器旳支持来 实现旳，即由操作系统把磁盘存储器当主存来使 用，以扩大内存。
所以，存储器和CPU旳连接，有三个部分： （1）、地址线旳连接； （2）、数据线旳连接； （3）、控制线旳连接。 在详细连接时应考虑下面问题：
1、CPU总线旳负载能力
在微机系统中，CPU经过总线与数片存储器和若干I/O 芯片相连，而这些芯片可能为TTL器件，或MOS器 件，所以构成系统时CPU总线能否支持其负载是必须 考虑旳问题。
24 ——VCC ——A8 ——A9 ——WE ——OE ——A10 ——CE ——D7 ——D6 ——D5 ——D4
13 ——D3
引脚功能
D0－D7 8位数据输入／输出 A0-A10地址输入 ,11位
CE 片选（芯片允许） WE 写允许 OE 输出允许
一般RAM都有这三个控制端
• 2K*8=2024*8=16384个基本元电路，用11根地址 线对其进行译码，以便对2K个单元进行选择，选 中旳8bit位同步输入/输出，数据旳方向由CE， WE，OE一起控制。
旳存取时间tRC或tWC；一般以CPU旳时序来拟定对存储
器旳存储速度旳要求 ；在存储芯片已拟定旳情况下， 则应考虑是否需要迁入TW周期等。
• 背面设计，假设能配合，不考虑插入电路。
3、存储器旳地址分配和片选问题
因为目前单片存储器旳容量依然是有限旳，所以 总是要由许多片才干构成一定容量旳存储器。
半导体存储器
第七章半导体存储器7.1 概述半导体存储器是一种能存储大量二值信息(或称为二值的数据)的半导体器件。
在电子计算机以及其他一些数字系统的工作过程中，都需要对大量的数据进行存储。
因此，存储器也就成了这些数字系统不可少的组成部分。
由于计算机处理的数据量越来越大，运算速度越来越快，这就要求存储器具有更大的容量和更快的存取速度。
通常都把存储量和存取速度作为评价存储器性能的重要指标。
目前动态存储器的容量已达到109位每片，一些高速随机存储器的存取时间为10ns左右。
因为半导体存储器的存储单元数目极其庞大而器件的引脚数目有限，所以在电路结构上就不可能像寄存器那样把每个存储单元的输入和输出直接引出。
为了解决这个问题，在存储器中给每个存储单元编了一个地址，只有被输入地址代码指定的那些存储单元才能与公共的输入/输出引脚接通，进行数据的读出或写入。
半导体存储器的种类很多，从功能上可以分为只读存储器和随机存储器两大类。
只读存储器在正常工作状态上只能从中读取数据，不能快速地随时修改或重新写入数据。
ROM的优点是电路结构简单，而且在断电以后数据不会丢失，它的缺点是只适用于存储那些固定数据的场合。
只读存储器中又有掩模ROM、可编程ROM和可擦除的可编程ROM几种不同类型。
掩模ROM 中的数据在制作时已经确定，无法更改。
PROM中的数据可以由用户根据自己的需要写入，但一经写入以后就不能再修改了。
EPROM里的数据则不但可以由用户根据自己的需要写入，而且还能擦除重写，所以具有更大的使用灵活性。
随机存储器与只读存储器的根本区别在于，正常工作状态下就可以随时向存储器里写入数据或从中读出数据。
根据所采用的存储单元工作原理的不同，又将随机存储器分为静态存储器和动态存储器。
由于动态存储器存储单元的结构非常简单，所以它能达到的集成度远高于静态存储器。
但是动态存储器的存取速度不如静态存储器快。
7.2 只读存储器(ROM)7.2.1掩模只读存储器ROM根据用户要求专门设计的掩模板把数据：“固化”在ROM中电路结构ROM的电路结构框图地址译码器：将输出的地址代码翻译成相应的控制信号，把指定单元选出，其数据送输出缓冲器输出缓冲器❖提高存储器带负载的能力❖实现输出状态三态控制，与系统总线连接地址译码器存储矩阵输出缓冲器WW1W2－1nAA1An－1三态控制信息单元(字)存储单元……………存储矩阵是存放信息的主体，它由许多存储单元排列组成。
ch51半导体存储器和PLD
INPUT/GCLRn 6 ~10根输出使能信号
6 ~ 10根输出使能信号
2 ~ 16 I/O
I/O 2 ~ 16 控制块
6 ~ 10
2 ~ 16 I/O
I/O 2 ~16 控制块
LAB A 宏单元 1~16
缺点：当存储器的存储容量很大时，地址译码器输出的 字线将会非常多，译码器的电路结构也变得十分复杂，
0 A0 0 A1 0 A2 0 A3 0 A4
行译码器
x0
x1 0
32
1
33
x31
31
63
992 993
1023
D D
1111100000B
=3E0H=992
y0
y1
y31
列译码器
A5 A6 A7 A8 A9 11 1 1 1
0 0 0 1 0 1 0 0 1 0 出0、0、0、1、
0 0 1 0 0 1 0 1 0 0 0、0、0、1、
0 0 1 1 1 1 0 1 1 1 0、0、0、1、
0 1 0 0 0 1 1 0 0 1 1、1、1、1依
0
1
0
1
0
1
1
0
1
1
次存入SRAM 中的存储单元.
0110011 101
0111111 111
Altera 公司MAX7000S系列，MAX3000A系 列，MAX II系列。
基于E2PROM工艺，3.3V供电； 支持在系统编程（In System Programmable，ISP）技术； 多电压I/O接口，可以与3.3V和5V器件接。
特性
EPM3032A EPM3064A EPM3128A EPM3256A EPM3512A
半导体存储器概述
半导体存储器概述半导体存储器（Semiconductor Memory）是一种用于存储和读取数字信息的电子设备，广泛应用于计算机、通信设备、嵌入式系统等各种电子设备中。
相比于传统的磁性存储器，半导体存储器具有速度快、功耗低以及体积小等优点，因此在现代电子设备中得到广泛使用。
半导体存储器的基本构成单元是存储单元，它是由一个或多个存储单元组成，每个存储单元可以存储一个或多个二进制位的信息。
存储单元可以分为静态存储单元（Static Random Access Memory，SRAM）和动态存储单元（Dynamic Random Access Memory，DRAM）两类。
静态存储单元由6个晶体管组成，其中包括两个交叉连接的反相非门（Inverter），一个传输门（Transfer Gate）和两个位线连接器（Bit Line）。
SRAM主要用于高速缓存等需要快速访问和读写的场景中，速度快、性能好，但是价格昂贵且功耗较高。
动态存储单元则由一个电容和一个开关管组成，电容用于存储信息，开关管用于控制读写操作。
DRAM的存储单元面积小，功耗低，但是随着时间的推移，电容中存储的电荷会逐渐泄漏导致信息丧失，因此需要定期刷新。
DRAM被广泛应用于主存储器（Main Memory）中。
除了SRAM和DRAM之外，还有一些其他的半导体存储器类型，如闪存（Flash Memory）、EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）和EPROM（Erasable Programmable Read-Only Memory）等。
闪存是一种非易失性存储器，主要用于嵌入式系统和便携设备中。
它通过划分为多个块并使用电荷来存储信息，可以被分别擦除和写入。
闪存的特点是存储密度高、功耗低、可擦写次数有限。
EEPROM是可以通过电压改编信息的一种可擦写存储器，通常用于存储配置参数、固件等不需要频繁修改的数据，具有很高的擦写次数和可靠性。
ch51半导体存储器和PLD
特性
EPM3032A EPM3064A EPM3128A EPM3256A EPM3512A
可用门
600
1250
2500
5000
10000
宏单元
32
64
128
256
512
逻辑阵列块
2
4
8
16
32
最多I/O引脚
34
68
98
161
208
fCNT（MHz）
227.3
222.2
192.3
126.6
116.3
Altera 公司MAX7000S系列，MAX3000A系 列，MAX II系列。
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ch51半导体存储器和PLD
•5.2.2复杂可编程逻辑器件 CPLD
•MAX3000A系列CPLD特点
•基于E2PROM工艺，3.3V供电； •支持在系统编程（In System Programmable，ISP）技术； •多电压I/O接口，可以与3.3V和5V器件接。
ch51半导体存储器和PLD
• 5.1.1 只读存储器
（ROM）
•（ 1 ） 地 址 译 码 器
•W0=A1A0
•A •B
•VC
C
•R
•Y=AB
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•A •＆
•Y
•B
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• 5.1.1 只读存储器
（ROM）
•地址译码器的等效电路
•地址译码器真值 表 A1 A0 W0 W1 W2 W3 00 1 0 0 0
•寄存器型输出结构PAL
•适合于实现计数器、移位寄存器等时序逻辑电路
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