思考题-第8章-光刻

负光刻胶的差别？光学光刻胶成份？ 正、负光刻胶的差别？光学光刻胶成份？ 光刻胶的主要参数有哪些？ 光刻胶的主要参数有哪些？为何正胶的分辨 率高于负胶？ 率高于负胶？提高光刻胶与衬底黏附力的方 法。影响匀胶后胶膜厚度的因素。了解多层 影响匀胶后胶膜厚度的因素。 光刻胶工艺（光刻胶图形的硅化学增强（Si光刻胶工艺（光刻胶图形的硅化学增强（ CARL）工艺、涂覆对比增强层工艺、硅烷 ）工艺、涂覆对比增强层工艺、 基化光刻胶表面成像工艺的工艺过程？）。 基化光刻胶表面成像工艺的工艺过程？）。 光刻中的驻波效应是如何形成的？对光刻有 光刻中的驻波效应是如何形成的？ 何影响？如何消除？ 何影响？如何消除？
紫外光曝光的光源有哪些？对应波长？ 紫外光曝光的光源有哪些？对应波长？ 紫外曝光的方法有哪些？ 紫外曝光的方法有哪些？说明各自特 点。在X射线曝光中影响分辨率的主要 射线曝光中影响分辨率的主要 原因？ 原因？在X射线曝光中对射线源的要求 射线曝光中对射线源的要求 有？X射线源有哪些？为何波段选择在 射线源有哪些？ 射线源有哪些 2-40Å？电子束曝光主要应用在哪些 ？ 方面？其中的邻近效应是如何产生的？ 方面？其中的邻近效应是如何产生的？
第三章 思考题
光刻？ ULSI中对光刻的基本要求包括那些 中对光刻的基本要求包括那些？ 光刻？ ULSI中对光刻的基本要求包括那些？光 刻工艺流程？为何在涂胶前对硅片进行烘焙？ 刻工艺流程？为何在涂胶前对硅片进行烘焙？前烘 的目的、热处理方式、真空热平板烘烤的优点？ 的目的、热处理方式、真空热平板烘烤的优点？正 负胶的显影过程有何不同？影响显影的因素？显影 负胶的显影过程有何不同？影响显影的因素？ 后的显微镜检查内容包括哪些？坚膜有哪些作用？ 后的显微镜检查内容包括哪些？坚膜有哪些作用？ 去胶方法？举例说明几步工艺之间的相互影响？ 去胶方法？举例说明几步工艺之间的相互影响？分பைடு நூலகம்辨率R？光学光刻中能达到的最高分辨率？ 辨率R 光学光刻中能达到的最高分辨率？