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模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术基础-知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的根底知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯洁的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
表达的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴，少子是电子〕。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子，少子是空穴〕。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为，锗材料约为。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管，锗管。
*死区电压------硅管，锗管。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的上下:假设 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1〕图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的上下: 假设 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术知识点总结
模拟电子技术知识点总结篇一：模拟电子技术基础知识汇总模拟电子技术第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*n型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7.Pn结*Pn结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
*Pn结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8.Pn结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V 阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2)等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V 阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳?微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在Pn结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章三极管及其基本放大电路一.三极管的结构、类型及特点1.类型---分为nPn和PnP两种。
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结共发射极、共基极、共集电极。
2.三极管的工作原理---基极输入信号控制发射结电流，从而控制集电极电流，实现信号放大。
3.三极管的放大倍数---共发射极放大倍数最大，共集电极放大倍数最小。
三.三极管的基本放大电路1.共发射极放大电路---具有电压放大和电流放大的作用。
2.共集电极放大电路---具有电压跟随和电流跟随的作用。
3.共基极放大电路---具有电压放大的作用，输入电阻较低。
4.三极管的偏置电路---通过对三极管的基极电压进行偏置，使其工作在放大区，保证放大电路的稳定性。
四.三极管的应用1.放大器---将弱信号放大为较强的信号。
2.开关---控制大电流的通断。
3.振荡器---产生高频信号。
4.稳压电源---利用三极管的负温度系数特性，实现稳定的输出电压。
模拟电子技术复资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体是介于导体和绝缘体之间的物质，如硅Si、锗Ge。
2.半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体是纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.载流子是带有正、负电荷的可移动的空穴和电子，是半导体中的两种主要载流体。
5.杂质半导体是在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
根据掺杂元素的不同，可分为P型半导体和N型半导体。
6.杂质半导体的特性包括载流子的浓度、体电阻和转型等。
7.PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结，具有单向导电性和接触电位差等特性。
8.PN结的伏安特性是指在不同电压下，PN结的电流和电压之间的关系。
二.半导体二极管半导体二极管是由PN结组成的单向导电器件。
1.半导体二极管具有单向导电性，即只有在正向电压作用下才能导通，反向电压下截止。
2.半导体二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似，具有正向导通压降和死区电压等特性。
3.分析半导体二极管的方法包括图解分析法和等效电路法等。
三.稳压二极管及其稳压电路稳压二极管是一种特殊的二极管，其正常工作状态是处于PN结的反向击穿区，具有稳压的作用。
模拟电子技术基础知识汇总
模拟电子技术第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅、锗)。
2.特性光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. 结* 结的接触电位差硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* 结的单向导电性正偏导通，反偏截止。
8. 结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性同ＰＮ结。
*正向导通压降硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性正常工作时处在结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1.类型分为和两种。
2.特点基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。
（完整版）模拟电子技术基础总结
（完整版）模拟电子技术基础总结第一章晶体二极管及应用电路一、半导体知识1．本征半导体·单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅（Si）和锗（Ge）（图1-2）。
前者是制造半导体IC的材料（三五价化合物砷化镓GaAs 是微波毫米波半导体器件和IC 的重要材料）。
·纯净（纯度>7N）且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。
在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发或产生）（图1-3）。
本征激发产生两种带电性质相反的载流子——自由电子和空穴对。
温度越高，本征激发越强。
+载流子。
空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶·空穴是半导体中的一种等效q+电荷的空位宏观定向运动（图1-4）。
格中的空位，使局部显示q·在一定的温度下，自由电子与空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为载流子复合。
复合是产生的相反过程，当产生等于复合时，称载流子处于平衡状态。
2．杂质半导体·在本征硅（或锗）中渗入微量5价（或3价）元素后形成N型（或P型）杂质半导体（N型：图1-5，P型：图1-6）。
·在很低的温度下，N型（P型）半导体中的杂质会全部电离，产生自由电子和杂质正离子对（空穴和杂质负离子对）。
·由于杂质电离，使N型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴，而P型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子。
·在常温下，多子>>少子（图1-7）。
多子浓度几乎等于杂质浓度，与温度无关；两少子浓度是温度的敏感函数。
·在相同掺杂和常温下，Si的少子浓度远小于Ge的少子浓度。
3．半导体中的两种电流在半导体中存在因电场作用产生的载流子漂移电流（这与金属导电一致）；还存在因载流子浓度差而产生的扩散电流。
4．PN结·在具有完整晶格的P型和N型材料的物理界面附近，会形成一个特殊的薄层——PN结（图1-8）。
模拟电子技术基础知识
模拟电子技术基础知识一、模拟电子技术基础- -模拟信号与模拟电路1、模拟信号我们将连续性的信号称为模拟信号，而将离散型的信号称为数字信号。
2、模拟电路模拟电路是对模拟信号进行处理的电路，其最基本的处理是对信号的放大，含有功能和性能各异的放大电路。
二、模拟电子技术基础- -电子信息系统的组成电子信息系统由信号的提取、信号的预处理、信号的加工和信号的驱动与执行四部分构成，如下列图所示。
三、模拟电子技术基础- -半导体1、基本概念导体：极易导电的物体;绝缘体：几乎不导电的物体;半导体：导电性介于导体和绝缘体之间的物质;2、本征半导体共价键：在硅和锗的结构中，每个原子与其相邻的原子之间形成共价键，共用一对价电子;自由电子：由于热运动，具有足够能量而摆脱共价键束缚的价电子;空穴：由于自由电子的产生，使得共价键中产生的空位置;复合：自由电子与空穴相碰同时消逝的现象;载流子：运载电荷的粒子;导电机理：在本征半导体中，电流包括两部分，一部分是自由电子移动产生的电流，另一部分是由空穴移动产生的电流，因此，本征半导体的导电技能取决于载流子的浓度。
温度越高，载流子浓度越高，本征半导体导电技能越强。
3、本征半导体共价键：在硅和锗的结构中，每个原子与其相邻的原子之间形成共价键，共用一对价电子;自由电子：由于热运动，具有足够能量而摆脱共价键束缚的'价电子;空穴：由于自由电子的产生，使得共价键中产生的空位置;复合：自由电子与空穴相碰同时消逝的现象;载流子：运载电荷的粒子;导电机理：在本征半导体中，电流包括两部分，一部分是自由电子移动产生的电流，另一部分是由空穴移动产生的电流，因此，本征半导体的导电技能取决于载流子的浓度。
温度越高，载流子浓度越高，本征半导体导电技能越强。
模拟电子技术知识点总结
模拟电子技术知识点总结篇一：模拟电子技术基础知识汇总模拟电子技术第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*n型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7.Pn结*Pn结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
*Pn结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8.Pn结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V 阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2)等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V 阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳?微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在Pn结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章三极管及其基本放大电路一.三极管的结构、类型及特点1.类型---分为nPn和PnP两种。
模拟电子技术基础知识总结
模拟电子技术基础知识总结一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴，少子是电子)。
*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子，少子是空穴)。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
7. PN结* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
* PN结的导通电压---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V 阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点 1.类型---分为NPN和PNP两种。
2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小;集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。
模拟电子技术基础-知识点总结-(最新版-已修订)
模拟电子技术基础-知识点总结-（最新版-已修订）
模拟电子技术基础知识是指使用有限的模拟电信号表征的知识，用于建立模拟电子系
统的原理和基本技术。
基础理论是研究模拟电子系统的基础，有助于专业工作者更好地理解、设计和应用这类系统。
模拟电子技术基础以电子技术作为核心，具备以下特点：
1、以信号源、电路、仪器学等做出反应为基础，注重反应的物理特性，探讨信号可
以如何传播、处理和控制，以及电子元件的功能与作用；
2、侧重探究电子系统的工作原理，掌握其组成的基本元件及其工作原理，熟悉其参
数的确定及其表达方法与测量；
3、认识和掌握电子设备调节原理和方法，懂得如何修改电子设备以及采用综合技术
来改善其性能；
4、参数优化：根据电路设计要求，选择合适的电路结构，确定部件参数，优化系统
性能，提供充分的有关信息；
5、系统设计与模拟：根据客户要求，将电子系统的不同部件结构组合起来，通过模
拟设计、调节和优化，使其性能达到最优；
6、工具硬件和软件调试：根据电子原理图和程序，熟悉工具硬件和软件的调试技术，熟练掌握编程技术和系统调试技术。
模拟电子技术可以很好地提高系统的性能，并为用户带来更多便利。
然而，要达到理
想的效果，必须熟悉模拟电子技术基础知识，才能根据具体实践需要和环境，通过相关技
术合理应用，使模拟电子技术发挥出最大威力。
模拟电子技术基础-知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Ｓｉ、锗Ge)。
２．特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3．本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
４. 两种载流子 -－-－带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
５.杂质半导体---－在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
＊P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴,少子是电子)。
＊N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子，少子是空穴)。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型-－-通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结＊ PＮ结的接触电位差---硅材料约为０．６~0.8V，锗材料约为0．2~0．3V。
* PＮ结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
８. PＮ结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性--－--－正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性-－--同PＮ结。
*正向导通压降-－--－－硅管0．6~0.7V,锗管0.2~０.３V。
＊死区电压-－--－-硅管0.5V，锗管0.1V。
３.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若Ｖ阳＞Ｖ阴（正偏 )，二极管导通（短路）;若 V阳 <V阴( 反偏）,二极管截止(开路)。
1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2）等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段-－--将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路）。
＊三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在ＰN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。
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1）图解分析法
该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点
微变等效电路法
稳压二极管及其稳压电路
正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章§2-1三极管及其基本放大电路
2. 三极管内各极电流的分配
表明三极管是电流控制器件式子
U CES表示
发射结正偏，集电结反偏。
*电路参数对静态工作点的影响
）改变R b：Q点将沿直流负载线上下移动。
）改变R c：Q点在I BQ所在的那条输出特性曲线上移动。
）改变V CC：直流负载线平移，Q点发生移动。
（1）截止失真
*产生原因---Q点设置过低
*失真现象---NPN管削顶，PNP管削底。
*当（U CEQ－U CES）＜（V CC’ －U CEQ）时，受饱和失真限制，
*当（U CEQ－U CES）＝（V CC’ －U CEQ），放大器将有最大的不失真输出电压。
六. 放大电路的等效电路法
（2）Q点在放大区的条件
＞βRc。
放大倍数
输入电阻
* 输出电阻
7.分压式稳定工作点共射
在R e两端并一电解电容C e后
输入电阻
* 输入电阻
3. 电路特点
2. 输出特性曲线
（可变电阻区、放大区、截止区、击穿区）
绝缘栅型场效应管（MOSFET）
）和耗尽型（DMOS）两种。
的输出特性曲线
的转移特性曲线
时所对应的i D值。
的输出特性曲线
可正、可零、可负。
转移特性曲线上i D=0处的值是夹断电压U P，此曲线表示式与结型场
5.低频跨导g m (表明场效应管是电压控制器件
四. 场效应管的小信号等效模型
---
若带有C s，则
2.分压式偏置放大电路
，则
或，
动态分析
，
，得
单端输出时(设VT1集电极接R L)
对于VT2：
单从VT1单端输出：
从VT2单端输出：
）差模输入电阻
双端输出：
:
虚短”和“虚断”:
---
---
usm=常数，相频曲线是φ=-180o。
‘
．完整的基本共射放大电路的频率特性
分压式稳定工作点电路的频率响应2．上限频率的估算
1. 频响表达式
2. 波特图
＊开环放大倍数－－－Ａ
＊闭环放大倍数－－－Ａ
下降，这种反馈称为负反馈。
提高放大倍数的稳定性
若表示为幅值和相位的条件则为：
R2
2.同相比例运算电路
R2=R1//
3.反相求和运算电路
4. 同相求和运算电路
5.加减运算电路
2.积分和微分运算电路1.积分运算
微分运算
:
：
:
RC移相式正弦波振荡电路
正弦波振荡电路
变压器耦合式LC振荡电路
2.三点式LC振荡器
射同基反”或“三步曲法”
）电感反馈三点式振荡器(哈特莱电路)
）电容反馈三点式振荡器(考毕兹电路)
）串联改进型电容反馈三点式振荡器（克拉泼电路）
四. 石英晶体振荡电路
1.并联型石英晶体振荡器
2.串联型石英晶体振荡器
输出功率
3. 直流电源提供的平均功率
4. 管耗P=0.2P
效率
甲乙类互补对称功率放大电路
1.问题的提出
电源变压器：将电网交流电压变换为符合整流电路所需要的交流电压。
整流电路：将正负交替的交流电压整流成为单方向的脉动电压。
．输出电压的脉动系数S
．正向平均电流I D(AV)
．最大反向电压U RM
三. 单相全波整流电路
2．输出电压的脉动系数S
3．正向平均电流I D(AV)
4．最大反向电压U RM
2.输出电压的平均值
4 .整流二极管的平均电流I D(AV)
三种单相整流电容滤波电路的比较
七．并联型稳压电路
1. 稳压电路及其工作原理
*当负载不变，电网电压
变化时的稳压过程:
*当电网电压不变，负载变化时的稳压过程: 2. 电路参数的计算
R的范围是：
八．串联型稳压电路。