模拟电子技术期末试卷5答案..教学文稿

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模拟电子技术试卷五套含答案

模拟电子技术试卷五套含答案

模拟试卷一一、填空(16分)1.半导体二极管的主要特性是。

2.三极管工作在放大区时,发射结为偏置,集电结为偏置;工作在饱和区时发射结为偏置,集电结为偏置。

3.当输入信号频率为和时,放大倍数的幅值约下降为中频时的倍,或者是下降了,此时及中频时相比,放大倍数的附加相移约为。

4.为提高放大电路输入电阻应引入反应;为降低放大电路输出电阻,应引入反应。

5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流、静态时的电源功耗。

这类功放的能量转换效率在理想情况下,可到达,但这种功放有失真。

6.在串联型稳压电路中,引入了——负反应;为了正常稳压,调整管必须工作在区域。

二、选择正确答案填空(24分)1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,那么这只三极管是( )。

A.型硅管 B.型锗管 C.型硅管 D.型锗管2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为( )。

A.P沟道增强型管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型管D.N沟道耗尽型管3.在图示2差分放大电路中,假设 = 20 ,那么电路的( )。

A.差模输入电压为10 ,共模输入电压为10 。

B.差模输入电压为10 ,共模输入电压为20 。

C.差模输入电压为20 ,共模输入电压为10 。

D.差模输入电压为20 ,共模输入电压为20 。

4.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( )。

A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大5.在图示电路中为其输入电阻,为常数,为使下限频率降低,应( )。

A.减小C,减小 B.减小C,增大C.增大C,减小 D.增大C,增大6.如下图复合管,V1的 b1 = 30,V2的 b2 = 50,那么复合后的 b 约为( )。

A.1500 B.80 C.50 D.307.桥式正弦波振荡电路由两局部电路组成,即串并联选频网络和( )。

A.根本共射放大电路 B.根本共集放大电路C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路8.某电路输入电压和输出电压的波形如下图,该电路可能是( )。

(完整版)模拟电子技术5章习题答案.docx

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5 放大电路的频率响应自我检测题一.选择和填空1. 放大电路对高频信号的放大倍数下降,主要是因为C 的影响;低频时放大倍数下降, 主要是因为A的影响。

(A. 耦合电容和旁路电容; B. 晶体管的非线性;C. 晶体管的极间电容和分布电容 )2.共射放大电路中当输入信号频率为f L 、f H 时,电路放大倍数的幅值约下降为中频时的A;或者说是下降了DdB ;此时与中频相比, 放大倍数的附加相移约为 G度。

(A. 0.7 ,B. 0.5 ,C. 0.9) ; (D. 3dB ,E. 5dB ,F. 7dB); (G. -45°, H. -90 °, I. -180 ° )3. 某放大电路 &3 所示。

由图可见,该电路的中频电 | A v |的对数幅频响应如图选择题& ; 上限频率 f H = 10 8 Hz ; 下限频率 f L = 102Hz ; 压增益 | A vM | =1000当 ff H 时电路的实际增益 =57dB ;当 ff L 时电路的实际增益 =57dB 。

20lg A v / dB80 +20dB/ 十倍频程-20dB/ 十倍频程60 40 2011021041061081010 f / Hz图选择题 34. 若放大电路存在频率失真,则当v i 为正弦波时, v o D。

( A. 会产生线性失真B. 为非正弦波C.会产生非线性失真D. 为正弦波)D。

( A. 输5. 放大电路如图选择题 5 所示,其中电容C1增大,则导致入电阻增大B. 输出电阻增大C.工作点升高D.下限频率降低)?+V CCR 1R 2C 1???RLv s _R 3v o? _?图选择题 5二.判断题(正确的在括号内画√,错误的画×)1.改用特征频率 f T 高的晶体管, 可以改善阻容耦合放大电路的高频响应特性。

( √ )2.增大分布电容的容量,可以改善阻容耦合放大电路的低频响应特性。

(完整版)模电期末试题及答案-模拟电子技术

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(完整版)模电期末试题及答案-模拟电子技术-CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One1《模拟电子技术基础》试卷及参考答案1、在本征半导体中加入元素可形成N型半导体,加入元素可形成P型半导体。

A. 五价B. 四价C. 三价2、稳压管的稳压区是其工作在。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿3、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏4、(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。

A. 增大B. 不变C. 减小5、U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有。

A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管6、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。

A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定7、选用差分放大电路的原因是。

A.克服温漂B.提高输入电阻C.稳定放大倍数8、差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的,共模信号是两个输入端信号的。

A.差B.和C.平均值9、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e,将使电路的。

A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大10、在输入量不变的情况下,若引入反馈后,则说明引入的反馈是负反馈。

A.输入电阻增大 B.输出量增大C.净输入量增大 D.净输入量减小11、交流负反馈是指。

A.阻容耦合放大电路中所引入的负反馈B.只有放大交流信号时才有的负反馈C.在交流通路中的负反馈12、功率放大电路的转换效率是指。

A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比B.最大输出功率与电源提供的平均功率之比C.晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比13、整流的目的是。

A. 将交流变为直流B. 将高频变为低频C. 将正弦波变为方波14、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。

A. 基准电压B. 采样电压C. 基准电压与采样电压之差15、开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是。

(完整版)模拟电子技术基础期末考试试题及答案

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《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。

2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。

3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。

6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集)放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(串联)负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=(1/ F )。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(),()称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补功率放大器。

13、OCL电路是()电源互补功率放大电路;OTL电路是()电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为()。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。

二、选择题(每空2分共30分)1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须(),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。

模拟电子技术期末试卷5套及答案

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《模拟电子技术》期末考试试卷12010.05班级_ ______ 学号___ ___ 姓名___ ___ 分数___ ___一.填空(25分)(1)本征硅中若掺入五价元素的原子,则多数载流子应是 电子 ,掺杂越多,则其数量一定越 多 ,相反,少数载流子应是 空穴 ,掺杂越多,则其数量一定越 少 。

(2)把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。

(3)当PN 结外加正向电压时,PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。

(4)硅二极管的导通电压值约为 0.6V ,锗二极管的导通电压约为 0.2V 。

(5)晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。

(6)对于由三极管组成的放大电路而言,就其输入回路和输出回路的公共端不同,可以组成 共基、 共射 、 共集电 三种组态。

(7)放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变,称为 幅频特性,而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变,称为 相频 特性。

(8)假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为unu u u A A A A ......321、、,那么多级放大电路的放大倍数uA = un u u A A A (21)(9)要使电路产生稳定的振荡,必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。

(10)小功率直流电源一般由四部分组成,分别是 电源变压器 、 整流 、 滤波和稳压电路。

二.选择题(每题2分,共20分)(1)为了减小输出电阻,应在放大电路中引入 ; 。

(A )电流负反馈 (B ) 电压负反馈 (C ) 直流负反馈 (D )交流负反馈(2)RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。

(A )感性 (B ) 阻性 (C )容性 (3)通用型集成运放的输入级多采用 。

(A )共基接法 (B )共集接法 (C )共射接法 (D ) 差分接法 (4)两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 。

模拟电子技术期末试卷5答案

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《模拟电子技术》期末考试试卷
一、填空题:(20分,每空1分)
1、BJT是电流控制器件,FET是电压
2、 多极放大电路的耦合方式有阻容 变压器。
控制器件。
直接
Q,交流电
3、二极管正向导通时,正向电流为5.2mA,则直流电阻为
阻为Q
4、 差动放大电路两个输入端的电流分别是1.1v和1v,则共模信号是1.05V,差模信号为—V0
1、PN结正向偏置时,其内电场被(
A、削弱B、增强
2、三极管工作在放大状态的条件是(A、发射极正偏,集电极正偏C、发射极反偏,集电极反偏
3、LC正弦波振荡电路的振荡频率为(
(3)当PN结外加正向电压时,PN结内多子扩散形成较大的正向电流。
(4)硅二极管的导通电压值约为0.6V,锗二极管的导通电压约为0.2V。
(5)晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的饱和区和截止区。
(6)对于由三极管组成的放大电路而言,就其输入回路和输出回路的公共端不同,可以组
成共基、共射、共集电三种组态。
(10)小功率直流电源一般由四部分组成,分别是电源变压器、整流、滤波
和稳压电路。
2.
(1) 为了减小输出电阻,应在放大电路中引入
为了稳定静态工作点,应在放大电路中引入
(A)电流负反馈(B)电压负反馈(C)
(2(6)
(7)
(8)
2RC时呈
(A)感性
通用型集成运放的输入级多采用。
(B)
(D)1+3
(B)
o
共射放大电路
uB
(A) |三|(B)<
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的
大(B)
在正弦波振荡器中,放大器的主要作用是,

模拟电子技术试卷五套(含答案)

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模拟试卷一一、填空(16分)1.半导体二极管的主要特性是___________ 。

2.三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置;工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置。

3.当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____ 。

4.为提高放大电路输入电阻应引入___反馈;为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈。

5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。

这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____,但这种功放有______失真。

6.在串联型稳压电路中,引入了——负反馈;为了正常稳压,调整管必须工作在____区域。

二、选择正确答案填空(24分)1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,V,则这只三极管是( )。

A.NPN 型硅管B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为( )。

A.P沟道增强型MOS管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管3.在图示2差分放大电路中,若uI = 20 mV,则电路的( )。

A.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为10 mV。

B.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为20 mV。

C.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为10 mV。

D.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为20 mV。

4.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( )。

A.输入电阻高B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大5.在图示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应( )。

A.减小C,减小Ri B.减小C,增大RiC.增大C,减小Ri D.增大C,增大Ri6.如图所示复合管,已知V1的b1 = 30,V2的b2 = 50,则复合后的 b 约为( )。

模拟电子技术期末试卷及答案5套

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学院 202 -202 学年第 学期《模拟电子技术》试卷(A 卷 专业 级)考试方式: 闭卷 本试卷考试分数占学生总评成绩的 60 %(本题共5小题,每小题4分,共 20 分)一、填空题 1.多级放大电路常见的三种耦合方式中,若要求各级静态工作点互不影响,可选用 耦合方式;若要求能放大变化缓慢的信号或直流信号,可选用耦合方式;若要求能实现阻抗变换,使负载与输出级阻抗相匹配,可选用 耦合方式。

2. 某放大电路中,晶体管三个电极的电流测出分别为:I 1=1.2mA 、I 2=0.03mA 、I1=1.23mA 。

由此可知:电极1是 极,电极2是 极,电极3是极。

若已知I 1电流方向流入晶体管,则I 2电流方向与I 1电流方向 、I 3电流方向与I1电流方向 。

3. 硅二极管导通压降的典型值是 V 、锗二极管导通压降的典型值是 V ;NPN 型管的集电极电流和基极电流 晶体管;PNP 型管的集电极电流和基极电流 晶体管。

4. 线性失真和非线性失真都使得放大电路的输出波形不再与输入波形相同,其中饱和失真和截止失真属于 失真;幅频失真和相频失真属于 失真。

5. 若反馈量使放大电路的净输入量减小,称为 反馈;若反馈量使放大电路的净输入量增大,称为 反馈。

放大电路通常采取 反馈。

6. 小功率直流稳压电源系统中滤波环节最常采用的元件是 元件;串联型直流稳压电路的调整管正常工作在 状态;开关型直流稳压电路的调整管正常工作在 状态。

(本题共10小题,每小题1分,共10分)二、 判断正、误题 1. 因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ) 2. PN 结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。

( ) 3. 放大电路只有既放大电压又放大电流时,才能称为具有放大作用。

( ) 4. 发光二极管正常工作在正向导通区,其导通压降为0.7V 。

( )5. 为了获得更高的电流放大倍数而采用复合管,复合管的类型取决于第一个管子的类型。

《模拟电子技术》期末试卷及答案

《模拟电子技术》期末试卷及答案

《模拟电子技术》期末试卷及答案(本题每空1分,共20分)一、填空题:1. 二极管的伏安特性上分有四个区,分别是区、区、区和。

2. 双极型三极管属于控制型器件,单极型三极管属于控制型器件。

3. 理想运放的电路模型中,开环电压放大倍数A O=,差模输入电阻r i= ,输出电阻r O= ,共模抑制比K CMR= 。

4. 击穿属于碰撞式的击穿,击穿属于场效应式的击穿,这两种击穿均属于击穿,具有互逆性。

5. 共发射极组态、共集电极组态和共基组态这三种放大电路中,其中组态的放大电路放大能力最强,组态的放大电路只有电流放大能力而没有电压放大能力,组态的放大电路只有电压放大能力而没有电流放大能力。

6. 放大电路中的负反馈类型可分有负反馈、负反馈、负反馈和负反馈。

(本题每小题1分,共10分)二、判断下列说法的正确与错误:1. 二极管只要工作在反向击穿区,就一定会造成永久型损坏。

()2. 无论是双极型三极管还是单极型三极管,其导电机理是相同的。

()3. 甲类、乙类和甲乙类功放均存在“交越失真”现象。

()4. 射极输出器是典型的电流串联交流负反馈放大电路。

()5. 共模信号和差模信号都是放大电路需要传输和放大的有用信号。

()6. 所有放大电路的输入电压信号和输出电压信号都是反相的。

()7.设置静态工作点的目的,就是让交流信号叠加在直流载波上全部通过放大器。

()8.三极管工作中若耗散功率超过它的最大耗散功率P CM时,该管必须烧损。

()9. 理想集成运放构成的线性应用电路中,电压增益与其内部参数无关。

()10.即使是单门限电压比较器,其输出也必定是两种状态。

()(本题每小题2分,共16分)三、单选题1. P型半导体是在本征半导体中掺入微量的()价杂质元素构成的。

A.三价 B. 四价 C. 五价 D. 六价2. 测得NPN三极管各电极对地电压分别为V E=2.1V,V B=2.8V,V C=4.4V,则该管必工作在()。

模拟电子技术期末试卷5答案

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《模拟电子技术》期末考试试卷12010。

05一.填空(25分)(1)本征硅中若掺入五价元素的原子,则多数载流子应是电子,掺杂越多,则其数量一定越多 ,相反,少数载流子应是空穴 ,掺杂越多,则其数量一定越少。

(2)把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做单向导电特性。

(3)当PN 结外加正向电压时,PN 结内多子扩散形成较大的正向电流。

(4)硅二极管的导通电压值约为 0。

6V ,锗二极管的导通电压约为 0.2V 。

(5)晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的饱和区和截止区。

(6)对于由三极管组成的放大电路而言,就其输入回路和输出回路的公共端不同,可以组成共基、共射、共集电三种组态。

(7)放大电路的频率特性是指放大倍数值随信号频率而变,称为幅频特性,而输出信号与输入信号的相位差 随信号频率而变,称为相频 特性。

(8)假设级放大电路的每一级的放大倍数分别为,那么多级放大电路的放大倍数= (9)要使电路产生稳定的振荡,必须满足振幅平衡和 相位平衡 两个条件。

(10)小功率直流电源一般由四部分组成,分别是电源变压器、整流 、滤波 和稳压电路.二.选择题(每题2分,共20分)(1;为了稳定静态工作点,应在放大电路中引入 。

(A )电流负反馈 (B )电压负反馈 (C )直流负反馈 (D )交流负反馈 (2)RC 串并联网络在时呈 .(A (C)容性 (3)通用型集成运放的输入级多采用 。

(A)共基接法 (B )共集接法 (C)共射接法 (4)两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 。

(A 2 (C )2β (5)在(A )、(B)、(C) ; 既能放大电流,又能放大电压的电路是 (A)共基放大电路 (B )共集放大电路 (C) (6)当NPN 型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为uC uB uE 。

)< (C)= (D)≤(7)硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。

《模拟电子技术基础》期末考试试卷标准答案

《模拟电子技术基础》期末考试试卷标准答案

河北科技大学 学年第 学期《 模拟电子技术基础 》期末考试试卷标准答案学院 班级 姓名 学号 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分得分一、选择填空题(每空1分,共10分)( A )1.在晶体管放大电路的三种基本接法中, 的输出电压与输入电压不同相。

A. 共射电路B.共集电路.C.共基电路( C )2.选用差分放大电路的原因是。

A.稳定放大倍数B.提高输入电阻C.克服温漂( A )3.若要实现电流—电压转换电路,应引入。

A.电压并联负反馈B.电流串联负反馈C.电流并联负反馈D.电压串联负反馈( A )4.二极管外加正向电压时处于_______状态。

A.导通B.放大C.截止( A )5.正弦波振荡电路必须由以下四个部分组成:放大电路、、正反馈网络和稳幅环节。

A.选频网络B.消除失真电路C.负反馈网络D.滤波环节( C )6.直流稳压电源中滤波电路的目的。

A.将高频变为低频B.将交流变为直流C.减小脉动,使输出电压平滑( B )7.在某电路中测得晶体管的e、b、c三个极的直流电位分别为0V 、0.7V、4.0V,则该晶体管工作在状态。

A.饱和B.放大C.截止( C )8.直流负反馈是指:。

A.只有放大直流信号时才有的负反馈B.直接耦合放大电路中引入的负反馈C.在直流通路中的负反馈( D )9.对于放大电路,所谓开环是指。

A.无负载B.无信号源C.无电源D.无反馈通路( D )10.集成运算放大器实质上是一个具有高电压放大倍数电路。

A. 阻容耦合多级放大B. 共发射极放大C. 变压器耦合多级放大D. 直接耦合多级放大模拟电子技术A卷,共( 6 )页,第( 1 )页模拟电子技术A 卷,共( 6 )页,第( 2 )页ZU R R R R Uo 3321++=ZU R R R R R Uo 32321+++=二、判断题(共10分)1.(请在括号中标明“√”或“×”;每空1分,共5分)( √ )1)阻容耦合多级放大电路各级Q 点相互独立,它只能放大交流信号。

模拟电子技术试卷五套(含答案)

模拟电子技术试卷五套(含答案)

模拟试卷一一、填空(16分)1.半导体二极管的主要特性是___________ 。

2.三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置;工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置。

3.当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____ 。

4.为提高放大电路输入电阻应引入___反馈;为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈。

5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。

这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____,但这种功放有______失真。

6.在串联型稳压电路中,引入了——负反馈;为了正常稳压,调整管必须工作在____区域。

二、选择正确答案填空(24分)1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是( )。

A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为( )。

A.P沟道增强型MOS管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管3.在图示2差分放大电路中,若uI = 20 mV,则电路的( )。

A.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为10 mV。

B.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为20 mV。

C.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为10 mV。

D.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为20 mV。

4.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( )。

A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大5.在图示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应( )。

A.减小C,减小Ri B.减小C,增大RiC.增大C,减小Ri D.增大C,增大 Ri6.如图所示复合管,已知V1的 b1 = 30,V2的 b2 = 50,则复合后的 b 约为( )。

模拟电子技术期末试卷5答案(最新编写)

模拟电子技术期末试卷5答案(最新编写)
《模拟电子技术》期末考试试卷 1
2010.05
班级_ ______ 学号___ ___ 姓名___ ___ 分数___ ___







总分
分号
阅卷
得分
阅卷
一.填空(25 分)
(1)本征硅中若掺入五价元素的原子,则多数载流子应是 电子 ,掺杂越多,则其数量 一定越 多 ,相反,少数载流子应是 空穴 ,掺杂越多,则其数量一定越 少。 (2)把 PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。 (3)当 PN 结外加正向电压时,PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。
D、不确定
2、三极管工作在放大状态的条件是( )。
A、发射极正偏,集电极正偏
B、发射极正偏,集电极反偏
C、发射极反偏,集电极反偏
D、发射极反偏,集电极正偏
3、LC 正弦波振荡电路的振荡频率为( )。
A、f0=1/LC
B、f0=1/ LC
C、f0=1/2π LC
D、f0=1/2π
LC
4、场效应管的工作原理是( )。
2、功率放大电路如图所示,设三极管的饱和压降 UCES 为 1V,为了使负载电阻获得 12W 的功率,请问: ① 正负电源至少应为多少伏?
Ui
② 三极管的 IM,BVCEO 至少应为多少?
3、在如图所示电路是具有电容滤波的单相桥式整流电 路,已知负载电阻 RL=200Ω,交流电源频率 f=50HZ, 则当直流输出电压为 U。=30v 时,求: ① 每个二极管中流过的平均电流 ID;
四.简答题(每题 5 分,共 15 分)
(1)简述放大电路的作用和本质。
答:放大电路作用是把微弱的电信号(包括电压、电流、功率)增强到负载所需要数值。 其本质是一种换能器,它利用电子器件的控制作用,在输入信号的作用下,将直流电 源提供的功率转换成输出信号功率。

模拟电子技术期末试卷答案

模拟电子技术期末试卷答案

《模拟电子技术》期末考试试卷12010.05一.填空(25分)(1)本征硅中若掺入五价元素的原子,则多数载流子应是 电子 ,掺杂越多,则其数量一定越 多 ,相反,少数载流子应是 空穴 ,掺杂越多,则其数量一定越 少 。

(2)把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。

(3)当PN 结外加正向电压时,PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。

(4)硅二极管的导通电压值约为 0.6V ,锗二极管的导通电压约为 0.2V 。

(5)晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。

(6)对于由三极管组成的放大电路而言,就其输入回路和输出回路的公共端不同,可以组成 共基、 共射 、共集电 三种组态。

(7)放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变,称为 幅频特性,而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变,称为 相频特性。

(8)假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为unu u u A A A A ......321、、,那么多级放大电路的放大倍数uA = un u u A A A (21)(9)要使电路产生稳定的振荡,必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。

(10)小功率直流电源一般由四部分组成,分别是 电源变压器 、 整流 、 滤波 和稳压电路。

二.选择题(每题2分,共20分)(1)为了减小输出电阻,应在放大电路中引入 ; 。

(A )电流负反馈 (B ) 电压负反馈 (C ) 直流负反馈 (D )交流负反馈(2)RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。

(A )感性 阻性 (C )容性 (3)通用型集成运放的输入级多采用 。

(A)共基接法(B)共集接法(C)共射接法差分接法(4)两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为。

(A)ββ2(C)2β(D)1+β(5)在(A)、(B)、(C)三种电路中输出电阻最小的电路是;既能放大电流,又能放大电压的电路是。

模拟电子技术模拟期末试卷和答案

模拟电子技术模拟期末试卷和答案

模拟电子技术基础期末试卷及参考答案一、选择题(本大题共10道小题,每小题2分,共10分。

在每小题给出的四个备选项中,只有一项是符合题目要求的,把所选项前的字母填在题后的括号内)1.利用微变等效电路可以计算晶体三极管放大电路的( )。

(a) 直流参数 (b) 交流参数(c) 静态工作点 (d) 交流和直流参数2.整流电路的主要目的是将( )。

(a) 交流信号变成直流信号 (b) 直流信号变成交流信号(c) 正弦波变成方波 (d) 高频信号变成低频信号3.若要设计一个振荡频率在kHz 1~Hz 100范围内可调的正弦波振荡电路,则应采用最为合适的振荡电路为( )正弦波振荡电路。

(a) RC 型 (b) LC 型(c) 石英晶体 (d) 555G 5 4.在放大电路中,场效应管应工作在( )。

(a) 可变电阻区 (b) 饱和区(c) 截止区 (d)击穿区5 .阻容耦合放大电路的直流负载线与交流负载线的关系为( )。

(a ) 不会重合 (b )一定会重合 (c ) 平行 (d )有时会重合 6.功率输出级电路如题1.6图所示,已知V sin 102i t u ω=,V 18=CC V ,Ω=8L R 则电路的输出功率约为( )。

(a) 12.5W (b) 25W(c) 50W (d) 100W 题1.6图7.电路如题1.7图所示,122R R =,Ω=k 3R ,μF 047.0=C ,该电路能输出( )。

(a) 1.13kHz 方波 (b) 1.13kHz 三角波(c) 520Hz 正弦波 (d) 1.13kHz 正弦波 8. 共模抑制比CMR K 越大,表明电路( )。

放大倍数越稳定(b) 交流放大倍数越大(c) 抑制温漂的能力越强(d) 输入信号中的差模成份越大9.为了抑制零点漂移,集成运放的输入级一般采用( )。

(a) 共射极放大电路 (b) 共集电极放大电路(c )共基极放大电路 (d) 差动放大电路 题1.7图 10 .题1.10图所示电路的负载L R 中所获得的电流=L I ( )。

模拟电子技术期末试卷答案

模拟电子技术期末试卷答案

《模拟电子技术》期末考试试卷12010.05一.填空(25分)(1)本征硅中若掺入五价元素的原子,则多数载流子应是 电子 ,掺杂越多,则其数量一定越 多 ,相反,少数载流子应是 空穴 ,掺杂越多,则其数量一定越 少 。

(2)把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。

(3)当PN 结外加正向电压时,PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。

(4)硅二极管的导通电压值约为 0.6V ,锗二极管的导通电压约为 0.2V 。

(5)晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。

(6)对于由三极管组成的放大电路而言,就其输入回路和输出回路的公共端不同,可以组成 共基、 共射 、共集电 三种组态。

(7)放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变,称为 幅频特性,而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变,称为 相频 特性。

(8)假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为unu u u A A A A ......321、、,那么多级放大电路的放大倍数uA = un u u A A A (21)(9)要使电路产生稳定的振荡,必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。

(10)小功率直流电源一般由四部分组成,分别是 电源变压器 、 整流 、 滤波 和稳压电路。

二.选择题(每题2分,共20分)(1)为了减小输出电阻,应在放大电路中引入 ; 。

(A )电流负反馈 (B ) 电压负反馈 (C ) 直流负反馈 (D )交流负反馈(2)RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。

(A )感性 阻性 (C )容性 (3)通用型集成运放的输入级多采用 。

(A )共基接法 (B )共集接法 (C )共射接法 差分接法 (4)两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 。

(A)ββ2(C)2β(D)1+β(5)在(A)、(B)、(C)三种电路中输出电阻最小的电路是;既能放大电流,又能放大电压的电路是。

模拟电子技术试卷五套(含答案)

模拟电子技术试卷五套(含答案)

模拟试卷一一、填空(16分)1.半导体二极管的主要特性是___________ 。

2.三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置;工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置。

3.当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____ 。

4.为提高放大电路输入电阻应引入___反馈;为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈。

5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。

这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____,但这种功放有______失真。

6.在串联型稳压电路中,引入了——负反馈;为了正常稳压,调整管必须工作在____区域。

二、选择正确答案填空(24分)1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是( )。

A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为( )。

A.P沟道增强型MOS管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管3.在图示2差分放大电路中,若uI = 20 mV,则电路的( )。

A.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为10 mV。

B.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为20 mV。

C.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为10 mV。

D.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为20 mV。

4.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( )。

A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大5.在图示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应( )。

A.减小C,减小Ri B.减小C,增大RiC.增大C,减小Ri D.增大C,增大 Ri6.如图所示复合管,已知V1的 b1 = 30,V2的 b2 = 50,则复合后的 b 约为( )。

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《模拟电子技术》期末考试试卷12010.05班级_ ______ 学号___ ___ 姓名___ ___ 分数___ ___一.填空(25分)(1)本征硅中若掺入五价元素的原子,则多数载流子应是 电子 ,掺杂越多,则其数量一定越 多 ,相反,少数载流子应是 空穴 ,掺杂越多,则其数量一定越 少 。

(2)把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。

(3)当PN 结外加正向电压时,PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。

(4)硅二极管的导通电压值约为 0.6V ,锗二极管的导通电压约为 0.2V 。

(5)晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。

(6)对于由三极管组成的放大电路而言,就其输入回路和输出回路的公共端不同,可以组成 共基、 共射 、 共集电 三种组态。

(7)放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变,称为 幅频特性,而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变,称为 相频 特性。

(8)假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为unu u u A A A A ......321、、,那么多级放大电路的放大倍数uA = un u u A A A (21)(9)要使电路产生稳定的振荡,必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。

(10)小功率直流电源一般由四部分组成,分别是 电源变压器 、 整流 、 滤波和稳压电路。

二.选择题(每题2分,共20分)(1)为了减小输出电阻,应在放大电路中引入 ; 。

(A )电流负反馈 (B ) 电压负反馈 (C ) 直流负反馈 (D )交流负反馈(2)RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。

(A )感性 (B ) 阻性 (C )容性 (3)通用型集成运放的输入级多采用 。

(A )共基接法 (B )共集接法 (C )共射接法 (D ) 差分接法 (4)两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 。

(A )β (B ) β2 (C )2β D )1+β (5)在(A )、(B )、(C )三种电路中输出电阻最小的电路是 (B ) ; 既能放大电流,又能放大电压的电路是 (C ) 。

(A )共基放大电路 (B ) 共集放大电路 (C ) 共射放大电路 (6)当NPN 型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为uC > uB > uE 。

(A ) > (B ) < (C ) = (D )≤ (7)硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。

(A ) 大 (B ) 小 (C ) 相等 (8)在正弦波振荡器中,放大器的主要作用是( )。

(A ) 保证振荡器满足振幅平衡条件,能持续输出振荡信号 (B )保证电路满足相位平衡条件 (C )把外界的影响减弱(9)图1中能组成复合管的是 (C ) ,其类型是 (B ) 。

(A 、PNP B 、NPN)(10)甲乙类互补对称电路与乙类互补对称电路相比,主要优点是( )。

(A )输出功率大 (B )效率高 (C ) 交越失真小 (D )电路结构简单三.判断题(每题2分,共30分)(1)在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”。

( × ) (2)电压负反馈稳定输出电压,电流负反馈稳定输出电流。

( √ ) (3)使输入量减小的反馈是负反馈,否则为正反馈。

( × ) (4)产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。

( √ ) (5)利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。

( √ ) (6)本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。

( √ ) (7)未加外部电压时,PN 结中电流从P 区流向N 区。

( × )(8)集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。

( √ ) (9)只要引入正反馈,电路就会产生正弦波振荡。

( × ) (10)直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。

( √ ) (11)稳定振荡器中晶体三极管的静态工作点,有利于提高频率稳定度。

( √ ) (12)只要工作点合适,晶体管放大器就不会使输出信号的波形产生失真。

( × ) (13)同一放大电路,若要其增益增大,则其通频带宽度将减小。

( √ )(14)差动(差分)放大器的电压增益仅与其输出方式(单端或双端)有关,而与输入方式无关。

( √ )(15)为使输出电压稳定,稳压电源的输出电阻应愈大愈好。

( × )四.简答题(每题5分,共15分)(1)简述放大电路的作用和本质。

答:放大电路作用是把微弱的电信号(包括电压、电流、功率)增强到负载所需要数值。

其本质是一种换能器,它利用电子器件的控制作用,在输入信号的作用下,将直流电源提供的功率转换成输出信号功率。

(2)三极管导通的内部和外部条件是什么?答:内部导通条件:发射区浓度高,基区浓度低且薄,集电结面积大于发射结面积。

外部导通条件:发射结正偏,集电结反偏。

(3)理想集成运放的主要特点是什么?答:1.开环差模电压放大倍数→uo A ; 2.输入电阻→id R ∞; 3.输出电阻→O R ;4.带宽BW →∞;转换速率→R S ∞;5.共模抑制比→CMR K ∞。

五.计算题(每题5分,共10分)(1)在如图所示的电路中,三极管的β为50,设三极管的BE U =0.7V ,CC V +=+15V ,Ω=k R b 475,Ω=k R c 3求电路的静态工作点BQ I 、CQ I 、CEQ U 。

+V R CC解:由电路可知,静态工作点A R U V I b BE CC BQ μ304757.015=-=-=集电极电流mA I I BQ CQ 5.103.050=⨯==β三极管C 、E 间静态管压降V R I V U C CQ CC CEQ 5.1035.115=⨯-=•-=(2) 如图所示电路中,已知变压器次级电压 )V (sin 2352t u ω=,稳压管V 7的稳压值V 3.6Z =U ,晶体管均为硅管。

(1) 求整流二极管承受的最大反向电压;(2) 说明电容C 的作用,并求U I 的大小; (3) 求U O 的可调范围(求出最大值和最小值)。

解:(1) V 5.4935222RM ≈⨯==U U(2) 电容C 起滤波作用。

V 42352.12.12I =⨯==U U(3) V 10V )7.03.6(2.05.05.02.03.0)(BE Z 2P P 21Omin =+⨯+++=++++=U U R R R R R UV 35V )7.03.6(2.05.02.03.0)(BE Z 2P 21Omax =+⨯++=+++=U U R R R R U故输出电压U O 的可调范围为10V~35V 。

计算的最后结果数字:(1)V 5.49RM ≈U(2) V 42I =U(3) U O 的可调范围为10V~35V《模拟电子技术》期末考试试卷2一、填空题:(20分,每空1分)1、BJT是电流控制器件,FET是电压控制器件。

2、多极放大电路的耦合方式有阻容、直接、变压器。

3、二极管正向导通时,正向电流为5.2mA,则直流电阻为Ω,交流电阻为Ω。

4、差动放大电路两个输入端的电流分别是1.1v和1v,则共模信号是 1.05 v,差模信号为v。

5、要获得低频信号,可选用RC 振荡器;要获得高频信号可选用LC 振荡器。

6、电流并联负反馈可以稳定放大电路的输出电流,并使其输入电阻减小。

7、影响放大电路通频带下限频率的是耦合电容和旁路电容。

电路分布极间8、理想运算放大器工作在线性区的条件是深度负反馈。

9、串联型反馈式稳压电路是由、、和等四部分构成。

9、基准电压、调整环节、取样电路、比较放大二、选择题:(20分,每题2分)1、PN结正向偏置时,其内电场被()。

A、削弱B、增强C、不变D、不确定2、三极管工作在放大状态的条件是()。

A、发射极正偏,集电极正偏B、发射极正偏,集电极反偏C、发射极反偏,集电极反偏D、发射极反偏,集电极正偏3、LC正弦波振荡电路的振荡频率为()。

A、f0=1/LCB、f0=1/LCC、f0=1/2πLCD、f0=1/2πLC4、场效应管的工作原理是()。

A、输入电流控制输出电流B、输入电流控制输出电压C、输入电压控制输出电压D、输入电压控制输出电流5、为了使放大电路的输入电阻增大,输出电阻减小,应采用()。

A、电压串联负反馈B、电压并联负反馈C、电流串联负反馈D、电流并联负反馈6、半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于()。

A、反向偏置击穿状态B、反向偏置未击穿状态C、正向偏置导通状态D、正向偏置未导通状态7、某NPN型三极管的输出特性如图所示,当U ce=6V时。

其电流放大系数β为()。

A、β=100B、β=50C、β=150D、β=258、右图所示电路为()。

A、甲类OCL功率放大电路B、乙类OTL功率放大电路C、甲乙类OCL功率放大电路D、甲乙类OTL功率放大电路9、右图为单相桥式整流滤波电路,U1为正旋波,其有效值为U1=20V,f=50HZ。

若实际测得其输出电压为28.28V,这是由于()的结果。

A、C开路B、C的容量过小C、C的容量过大D、RL开路10、右图为两级放大电路,接入RF后引入了极间()。

A、电流并联负反馈B、电流串联负反馈C、电压并联负反馈D、电压串联负反馈三、判断题:(8分,每题1分)1、P型半导体中的多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子。

()2、在三极管放大电路的三种基本组态中,共集电极放大电路带负载的能力最强。

()3、负反馈可以提高放大电路的放大倍数的稳定值。

()4、功率放大电路工作在大信号状态,要求输出功率大,且转换效率高。

()5、因为差动放大电路采用了直接耦合方式,故只能放大直流信号。

()6、要稳定放大电路工作点,可以引入直流负反馈。

()7、二极管的正向偏置电压升高时,其正向电阻增大。

()8、多极放大电路的级数越多,其放大倍数越大,且其通频带越窄,()四、判断下列各图中,哪些电路能进行正常的放大:(6分)9题10题( ) ( ) ( ) 五、①写出右图所示电路名称?(3分)②标出反馈电压U F 的位置及极性?(3分)六、综合题:(40分)1、放大电路如右图所示:① R b 起何作用?② 当R b 的阻值变小时,对直流工作点有何影响?③ R e 及R L 变化时,对电压放大倍数有何影响?2、功率放大电路如图所示,设三极管的饱和压降U CES 为1V ,为了使负载电阻获得12W 的功率,请问: ① 正负电源至少应为多少伏?② 三极管的I M ,BV CEO 至少应为多少?3、在如图所示电路是具有电容滤波的单相桥式整流电路,已知负载电阻R L =200Ω,交流电源频率f=50HZ ,则当直流输出电压为U 。

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