英飞凌IGBT模块产品选型参考

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注意选用英飞凌IGBT条件

选用英飞凌IGBT时，经常看到有不同的几个系列KE3，KT3，KT4，KS4。

不太清楚他们的应用场合，看PDF文档也没有直观的了解。

下面给大家分了几大类给大家介绍下，希望能帮到大家！英飞凌IGBT模块技术选型资料英飞凌(Infineon)，优派克(eupec)-600V系列IGBT模块1200V系列IGBT模块1600V系列IGBT模块1700V系列IGBT模块3300V系列IGBT模块6500V系列IGBT模块DN2系列：频率范围10KHZ-20KHZ，饱和压降：2.5V-3.1VDN2系列：频率范围4KHZ-8KHZ，饱和压降：2.1V-2.4VKS4系列：频率范围15KHZ-30KHZ，饱和压降：3.2V-3.85VKE3系列：频率范围4KHZ-10KHZ，饱和压降：1.7V-2.0VKT3系列：频率范围8KHZ-15KHZ，饱和压降：1.7V-1.9V600V系列IGBT模块两单元 BSM-DLC (Low Loss / IGBT2): BSM50GB60DLC BSM75GB60DLC BSM100GB60DLC BSM150GB60DLC BSM200GB60DLCBSM300GB60DLCFF-KE3 (IGBT3): FF200R06KE3 FF300R06KE3 FF400R06KE3四单元 F4-KL4 (Low Loss / IGBT2): F4-100R06KL4 F4-150R06KL4 F4-200R06KL4六单元 FS-L4 (Low Loss / IGBT2): FS10R06XL4 FS15R06XL4 FS20R06XL4 FS30R06XL4 FS50R06YL4 FS75R06KL4FS100R06KL4 FS150R06KL4 FS200R06KL4BSM-DLC (Low Loss / IGBT2): BSM30GD60DLC BSM50GD60DLC BSM75GD60DLC BSM100GD60DLC BSM150GD60DLCBSM200GD60DLCFS-VE3 (IGBT3): FS10R06VE3 FS15R06VE3 FS20R06VE3_B2 FS30R06VE3FS-KE3 (IGBT3): FS50R06KE3 FS75R06KE3 FS100R06KE3 FS150R06KE3 FS200R06KE3功率集成模块PIM FP-KL4: FP10R06KL4 FP15R06KL4 FP20R06KL4BSM-GP: BSM10GP60 BSM15GP60 BSM20GP60 BSM30GP60 BSM50GP60 BSM50GP60G BSM75GP60 BSM100GP60FP-YE3: FP10R06YE3 FP20R06YE3 FP30R06YE3EUPEC 1200V IGBT模块有五种类型供用户选择(按开关频率，从后缀区分)类型 DN2系列 DLC系列 KS4系列 KE3系列 KT3系列最佳开关频率范围fs 10KHZ-20KHZ 4KHZ-8KHZ 15KHZ-30KHZ 4KHZ-10KHZ 8KHZ-15KHZ饱和压降Vce(sat) Tc=25℃ 2.5V 2.1V 3.2V 1.7V 1.7VTc=125℃ 3.1V 2.4V 3.85V 2.0V 1.9V1200V系列IGBT模块一单元 GA -DN2 (Standard): BSM200GA120DN2 BSM300GA120DN2 BSM400GA120DN2FZ -KF4 (Standard): FZ800R12KF4 FZ1200R12KF4 FZ1600R12KF4 FZ1800R12KF4 FZ2400R12KF4GA -DLC (Low Loss): BSM200GA120DLCS BSM300GA120DLC BSM400GA120DLC BSM600GA120DLCFZ -KL4C (Low Loss): FZ800R12KL4C FZ1200R12KL4C FZ1600R12KL4C FZ1800R12KL4C FZ2400R12KL4CFZ -KS4 (Fast): FZ400R12KS4 FZ600R12KS4 FZ800R12KS4_B2FZ -KE3 (IGBT3): FZ300R12KE3G FZ400R12KE3 FZ600R12KE3 FZ800R12KE3 FZ1200R12KE3 FZ1600R12KE3FZ2400R12KE3 FZ3600R12KE3二单元 GB -DN2 (Standard): BSM50GB120DN2 BSM75GB120DN2 BSM100GB120DN2K BSM100GB120DN2 BSM150GB120DN2 BSM200GB120DN2FF -KF4 (Standard): FF400R12KF4 FF600R12KF4 FF800R12KF4GB –DLC (Low Loss): BSM50GB120DLC BSM75GB120DLC BSM100GB120DLCK BSM100GB120DLC BSM150GB120DLCBSM200GB120DLC BSM300GB120DLCFF -KL4C (Low Loss): FF400R12KL4C FF600R12KL4C FF800R12KL4CFF -KE3 (IGBT3): FF150R12KE3G FF200R12KE3 FF300R12KE3 FF400R12KE3 FF600R12KE3 FF800R12KE3FF1200R12KE3FF -KT3 (Fast IGBT3): FF150R12KT3G FF200R12KT3 FF300R12KT3 FF400R12KT3四单元 F4 -KS4 (Fast): F4-50R12KS4 F4-75R12KS4 F4-100R12KS4 F4-150R12KS4 F4-400R12KS4_B2六单元 GD -DN2(Standard): BSM15GD120DN2 BSM25GD120DN2 BSM35GD120DN2 BSM50GD120DN2 BSM75GD120DN2 BSM100GD120DN2 BSM25GD120DN2E3224 BSM35GD120DN2E3224 BSM50GD120DN2E3226FS -KF4(Standard): FS300R12KF4 FS400R12KF4GD -DLC(Low Loss): BSM15GD120DLCE3224 BSM25GD120DLCE3224 BSM35GD120DLCE3224 BSM50GD120DLCBSM75GD120DLC BSM100GD120DLCFS -KS4(Fast): FS75R12KS4 FS100R12KS4FS -KE3(IGBT3): FS25R12KE3G FS35R12KE3G FS50R12KE3 FS75R12KE3 FS100R12KE3 FS150R12KE3 FS225R12KE3 FS300R12KE3 FS450R12KE3FS -KT3(Fast IGBT3): FS10R12YT3 FS15R12YT3 FS25R12KT3 FS35R12KT3 FS50R12KT3 FS75R12KT3 FS75R12KT3G FS100R12KT3 FS150R12KT3功率集成模块PIM BSM -GP(Low Loss): BSM10GP120 BSM15GP120 BSM25GP120 BSM35GP120 BSM35GP120G BSM50GP120FP –KS(Fast): FP15R12KS4C FP25R12KS4C FP35R12KS4CG FP50R12KS4CFP –KE3(IGBT3): FP10R12KE3 FP15R12KE3 FP25R12KE3 FP40R12KE3 FP40R12KE3G FP50R12KE3 FP75R12KE3FP –YT3(Fast IGBT3): FP10R12YT3 FP15R12YT3 FP15R12KT3 FP25R12KT3 FP40R12KT3 FP50R12KT3 FP75R12KT3 斩波模块choppermodules GAR: BSM75GAR120DN2 BSM300GAR120DLCGAL: BSM75GAL120DN2 BSM100GAL120DN2 BSM300GAL120DLCFD: FD200R12KE3 FD300R12KE31600V、1700V系列IGBT模块一单元 GA -DN2 (Standard): BSM200GA170DN2 BSM300GA170DN2 BSM300GA170DN2SFZ -KF4 (Standard): FZ800R16KF4 FZ1200R16KF4 FZ1800R16KF4GA –DLC (Low Loss with Emcon Diode): BSM200GA170DLC BSM300GA170DLC BSM400GA170DLCFZ -KF6C_B2 (Low Loss with Emcon Diode):FZ800R17KF6C_B2 FZ1200R17KF6C_B2 FZ1600R17KF6C_B2FZ1800R17KF6C_B2 FZ2400R17KF6C_B2FZ -KE3 (IGBT3): FZ400R17KE3 FZ600R17KE3 FZ1200R17KE3 FZ1600R17KE3 FZ2400R17KE3 FZ3600R17KE3二单元 GB -DN2 (Standard): BSM50GB170DN2 BSM75GB170DN2 BSM100GB170DN2 C# BSM150GB170DN2FF -KF4 (Standard): FF400R16KF4 FF600R16KF4GB -DLC (Low Loss with Emcon Diode): BSM100GB170DLC BSM150GB170DLC BSM200GB170DLCFF -KF6C_B2 (Low Loss with Emcon Diode): FF400R17KF6C_B2 FF600R17KF6C_B2 FF800R17KF6C_B2FZ -KE3 (IGBT3): FF200R17KE3 FF300R17KE3 FF600R17KE3 FF800R17KE3 FF1200R17KE3六单元 FS -KF4 (Standard): FS300R16KF4GD -DL (Low Loss): BSM50GD170DL BSM75GD170DLFS -KE3 (IGBT3): FS75R17KE3 FS100R17KE3 FS150R17KE3 FS225R17KE3 FS300R17KE3 FS450R17KE3斩波模块 FD -KF4 (Standard): FD400R16KF4 FD600R16KF4FD -KF6C_B2 (Low Loss with Emcon Diode): FD401R17KF6C_B2 FD600R17KF6C_B2 FD800R17KF6C_B23300V系列IGBT模块一单元 FZ - KF2C (Standard): FZ800R33KF2C FZ1200R33KF2CFZ - KL2C (Low Loss): FZ800R33KL2C FZ1200R33KL2C二单元 FF - KF2C (Standard): FF200R33KF2C FF400R33KF2C斩波模块 FD - KF2C (Standard): FD400R33KF2C FD400R33KF2C-K FD800R33KF2C FD800R33KF2C-K FD - KL2C-K_B5 (Low Loss with 10.2 kV Insulation Voltage): FD800R33KL2C-K_B56500V系列IGBT模块一单元 FZ - KF1 (Standard): FZ200R65KF1 FZ400R65KF1 FZ600R65KF1斩波模块 FD - KF1-K (Standard): FD200R65KF1-K FD400R65KF1-K。

英飞凌采用TO-247PLUS封装的高功率密度单管IGBT

５０ｐｐｍ。这些技术创新使ＩＮ２０００一Ｓ在更宽的温度范围内实现

极高的线性度（３ｐｐｍ）和极低的零点误差（低于ｌＯｐｐｍ）。ＩＮ
２０００一Ｓ提供了一个２００匝的测试绕组，可用ｌＡ的电流进行功
助输出信号来指示传感器状态（低电平或高电平），并且带有ＬＥＤ指示灯来显示传感器的正常运行状态。其他同等测量水
平的高精度传感器通常由２部分构成：测量探头和电子处理电路，而ｌＮ２０００一Ｓ则将二者集成为一个整体，设计紧凑，采用盘式安装（平装或垂直）。该传感器通过了ＣＥ认证，享受莱姆五年质保服务。ｊ
老款２０００Ａ的高精度传感器，温度范围一般为＋１０。Ｃ到＋４０。Ｃ或＋５０。Ｃ，】Ｎ２０００一Ｓ将工作温度范围扩展到一４０。Ｃ到＋８５。Ｃ，使其可以用于除实验室以外的更多的领域，包括传统的工业测试设备、医疗设备（如ＭＲＩ、质子疗法等）、精密电
而提高散热能力。
对于想要降低开关损耗的设计师而言，ＴＯ一２４７ＰＬＵＳ４脚
需要高功率密度１２００ＶＩＧＢＴ的典型应用包括变频器、光伏逆变
封装具有额外的开尔文发射极引脚，可降低栅极一发射极控制

英飞凌变频器设计IGBT选型指南-仿真工具

Technical Documentation
Dimensioning program IPOSIM for loss and thermal calculation of Infineon IGBT modules
Introduction IPOSIM performs an approximate calculation of switching and conduction losses for IGBTs and free-wheeling diodes in a three phase inverter configuration under the assumption of sinusoidal output currents at inductive loads. With this tool a quick selection of a suitable Infineon IGBT module for an application is possible taking into account its average losses and thermal ratings. Be sure to always have the latest IPOSIM version on-hand. The actual program is available on
T0 / 2
Psw,IGBT = f sw,IGBT ⋅
1 T0
∫ (E
0
on
+ E off )( t, ˆ i )dt
Using the measured turn-on and turn-off energy dissipation per switching pulse (given in the datasheets at nominal current Inom) the energy of the single switching event at a temporary current i can be assumed linear. Furthermore the applied DC-link voltage at several applications may vary from the nominal DC voltage used for the determination of the losses. The practice shows, that a linear adjustment of the losses within a certain limit of the nominal voltage (here ± 20% ) is permissible.

英飞凌1700V IGBT模块型号资料大全

2400A , 1700V , IGBT4 2400A , 1700V , IGBT4 2400A , 1700V , IGBT4 2400A , 1700V , IGBT4 3600A , 1700V , IGBT3 3600A , 1700V , IGBT4 3600A , 1700V , IGBT4
封装形式 EconoPACK 2 EconoPACK 3 EconoPACK 3 EconoPACK 3 EconoPACK 4 EconoPACK + EconoPACK 4 EconoPACK + EconoPACK + EconoPACK + EconoPACK + EconoPACK + EconoPACK + EconoPACK +
英飞凌1700V IGBT模块产品型号参数资料表按Ctrl+F可以查询型号 >>1600/1700V > 单管(1单元)
产品型号 FZ800R16KF4 FZ1200R16KF4 FZ1800R16KF4 BSM200GA170DLC BSM300GA170DLC BSM300GA170DN2 BSM400GA170DLC FZ400R17KE3 FZ400R17KE4 FZ600R17KE3 FZ600R17KE3_S4 FZ600R17KE4 FZ800R17KF6C_B2 FZ1200R17KE3_B2 FZ1200R17KE3 FZ1200R17KF6C_B2 FZ1200R17HP4_B2 FZ1200R17HP4 FZ1600R17KE3_B2 FZ1600R17KE3 FZ1600R17KF6C_B2 FZ1600R17HP4_B2 FZ1600R17HP4 FZ1800R17KE3_B2 FZ1800R17HP4_B9 FZ1800R17HP4_B29 FZ2400R17KE3 FZ2400R17KE3_B2 FZ2400R17KE3_B9 FZ2400R17KF6C_B2 参数说明 800A , 1600V , IGBT2 1200A , 1600V , IGBT2 1800A , 1600V , IGBT2 200A , 1700V , IGBT2 300A , 1700V , IGBT2 300A , 1700V , IGBT2 400A , 1700V , IGBT2 400A , 1700V , IGBT3 400A , 1700V , IGBT4 600A , 1700V , IGBT3 600A , 1700V , IGBT3 600A , 1700V , IGBT4 800A , 1700V , IGBT2 1200A , 1700V , IGBT3 1200A , 1700V , IGBT3 1200A , 1700V , IGBT2 1200A , 1700V , IGBT4 1200A , 1700V , IGBT4 1600A , 1700V , IGBT3 1600A , 1700V , IGBT3 1600A , 1700V , IGBT2 1600A , 1700V , IGBT4 1600A , 1700V , IGBT4 1800A , 1700V , IGBT3 1800A , 1700V , IGBT4 1800A , 1700V , IGBT4 2400A , 1700V , IGBT3 2400A , 1700V , IGBT3 2400A , 1700V , IGBT3 2400A , 1700V , IGBT2 封装形式 IHM 130 mm IHM 130 mm IHM 190 mm 62 mm 62 mm 62 mm 62 mm 62 mm 62 mm 62 mm 62 mm 62 mm IHM 130 mm IHM 130 mm IHM 130 mm IHM 130 mm IHMB 130 mm IHMB 130 mm IHM 130 mm IHM 130 mm IHM 130 mm IHMB 130 mm IHMB 130 mm IHM 190 mm IHMB 190 mm IHMB 190 mm IHM 130 mm IHM 190 mm IHM 190 mm IHM 190 mm

英飞凌的IGBT选型问题

本文介绍一下Infineon的IGBT选型问题。

Infineon的IGBT模块：可以从开始的2个字得出大概的内部拓扑图。

·2单元的半桥IGBT拓扑：以BSM和FF开头。

·4单元的全桥IGBT拓扑：以F4开头。

这个目前已经停产，大家不要选择。

·6单元的三项全桥IGBT拓扑：以FS开头。

·三项整流桥+6单元的三项全桥IGBT拓扑：以FP开头。

·专用斩波IGBT模块：以FD开头。

其实这个完全可以使用FF半桥来替代。

只要将另一单元的IGBT处于关闭状态，只使用其反向恢复二极管即可。

IGBT模块主要是根据工作电压，工作电流，封装形式和开关频率来进行选择。

·工作电压：Infineon的IGBT模块常用的电压为：600V，1200V，1700V。

这个电压为系统的直流母线工作电压。

普通的交流220V供电，使用600V的IGBT。

交流380V 供电，使用1200V的IGBT。

Infineon也有大功率的3300V，4500V，6500V的IGBT可供选择，一般用于机车牵引和电力系统中。

最近，电动汽车概念也火的一塌糊涂，Infineon推出了650V等级的IGBT，专门用于电动汽车行业。

不过，这些IGBT是汽车级别的，属于特种模块，价格偏贵。

这里跑题一下：一般电子器件的等级分为5个等级：航空航天—军工—汽车—工业—民用。

一听名字，就知道他们的价格趋势。

Infineon的IGBT，除了电动汽车用的650V以外，都是工业等级的。

貌似IGBT都没有军工等级的，也不知道军队用的IGBT是怎么弄出来的，这里汗一个！！！·工作电流和封装形式：这2个参数要同时介绍。

因为，不同封装形式的IGBT，其实主要就是为了照顾IGBT的散热。

IGBT属于功率器件，散热不好，就会直接烧掉。

当然，封装也涉及到IGBT内部的杂散电感之类的问题，这里就先不介绍了。

单管IGBT：TO-247这种形式的封装。

英飞凌 FS100R12N2T7_B15 EconoPACK 2 模块数据表

EconoPACK ™2 模块采用第七代沟槽栅/场终止IGBT7和第七代发射极控制二极管带有温度检测NTC 特性•电气特性-V CES = 1200 V-I C nom = 100 A / I CRM = 200 A -沟槽栅IGBT7-低 V CEsat-过载操作达175°C•机械特性-高功率循环和温度循环能力-集成NTC 温度传感器-铜基板-低热阻的三氧化二铝 Al 2O 3 衬底-焊接技术可选应用•辅助逆变器•电机传动•伺服驱动器产品认证•根据 IEC 60747、60749 和 60068 标准的相关测试，符合工业应用的要求。

描述FS100R12N2T7_B15EconoPACK ™2 模块内容描述 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1可选应用 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1产品认证 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1内容 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2 1封装 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 2IGBT, 逆变器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 3二极管,逆变器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5 4负温度系数热敏电阻 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6 5特征参数图表 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7 6电路拓扑图 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12 7封装尺寸 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12 8模块标签代码 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13修订历史 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14免责声明 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .151封装表 1绝缘参数特征参数代号标注或测试条件数值单位绝缘测试电压V ISOL RMS, f = 50 Hz, t = 1 min 2.5kV 模块基板材料Cu内部绝缘基本绝缘 (class 1, IEC 61140)Al2O3爬电距离d Creep端子至散热器10.0mm 电气间隙d Clear端子至散热器7.5mm 相对电痕指数CTI>200相对温度指数 (电)RTI封装140°C 表 2特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值杂散电感,模块L sCE26nH 模块引线电阻,端子-芯片R CC'+EE'T C=25°C, 每个开关 2.7mΩ储存温度T stg-40125°C 模块安装的安装扭距M根据相应的应用手册进行安装M5, 螺丝36Nm 重量G180g 注:The current under continuous operation is limited to 50 A rms per connector pin.2IGBT, 逆变器表 3最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位集电极－发射极电压V CES T vj = 25 °C1200V 连续集电极直流电流I CDC T vj max = 175 °C T C = 95 °C100A 集电极重复峰值电流I CRM t P = 1 ms200A 栅极－发射极峰值电压V GES±20V表 4特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值集电极－发射极饱和电压V CE sat I C = 100 A, V GE = 15 V T vj = 25 °C 1.50 1.80VT vj = 125 °C 1.64T vj = 175 °C 1.72栅极阈值电压V GEth I C = 2.5 mA, V CE = V GE, T vj = 25 °C 5.15 5.80 6.45V 栅极电荷Q G V GE = ±15 V, V CE = 600 V 1.8µC 内部栅极电阻R Gint T vj = 25 °C 1.5Ω输入电容C ies f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V21.7nF 反向传输电容C res f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V0.076nF 集电极-发射极截止电流I CES V CE = 1200 V, V GE = 0 V T vj = 25 °C0.01mA 栅极-发射极漏电流I GES V CE = 0 V, V GE = 20 V, T vj = 25 °C100nA开通延迟时间(感性负载)t don I C = 100 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Gon = 3.9 ΩT vj = 25 °C0.175µs T vj = 125 °C0.192T vj = 175 °C0.205上升时间(感性负载)t r I C = 100 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Gon = 3.9 ΩT vj = 25 °C0.046µs T vj = 125 °C0.051T vj = 175 °C0.053关断延迟时间(感性负载)t doff I C = 100 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Goff = 3.9 ΩT vj = 25 °C0.309µs T vj = 125 °C0.389T vj = 175 °C0.442下降时间(感性负载)t f I C = 100 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Goff = 3.9 ΩT vj = 25 °C0.104µs T vj = 125 °C0.198T vj = 175 °C0.248开通损耗能量 (每脉冲)E on I C = 100 A, V CE = 600 V,Lσ = 35 nH, V GE = ±15 V,R Gon = 3.9 Ω, di/dt =1650 A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C10.5mJ T vj = 125 °C14.7T vj = 175 °C16.8关断损耗能量 (每脉冲）E off I C = 100 A, V CE = 600 V,Lσ = 35 nH, V GE = ±15 V,R Goff = 3.9 Ω, dv/dt =3030 V/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 6.68mJ T vj = 125 °C10.8T vj = 175 °C12.8(待续)表 4(续) 特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值短路数据I SC V GE≤ 15 V, V CC = 800 V,V CEmax=V CES-L sCE*di/dt t P≤ 8 µs,T vj=150 °C370At P≤ 7 µs,T vj=175 °C350结－外壳热阻R thJC每个 IGBT0.371K/W 外壳－散热器热阻R thCH每个 IGBT, λgrease= 1 W/(m*K)0.135K/W 允许开关的温度范围T vj op-40175°C注:T vj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.3二极管,逆变器表 5最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位反向重复峰值电压V RRM T vj = 25 °C1200V 连续正向直流电流I F100A 正向重复峰值电流I FRM t P = 1 ms200A I2t-值I2t t P = 10 ms, V R = 0 V T vj = 125 °C1260A²sT vj = 175 °C1060表 6特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值正向电压V F I F = 100 A, V GE = 0 V T vj = 25 °C 1.72 2.10VT vj = 125 °C 1.59T vj = 175 °C 1.52反向恢复峰值电流I RM V R = 600 V, I F = 100 A,V GE = -15 V, -di F/dt =1650 A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C57.7A T vj = 125 °C77.4T vj = 175 °C88.3(待续)表 6(续) 特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值恢复电荷Q r V R = 600 V, I F = 100 A,V GE = -15 V, -di F/dt =1650 A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 6.9µC T vj = 125 °C15.4T vj = 175 °C19.4反向恢复损耗（每脉冲）E rec V R = 600 V, I F = 100 A,V GE = -15 V, -di F/dt =1650 A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 2.04mJ T vj = 125 °C 4.61T vj = 175 °C 6.66结－外壳热阻R thJC每个二极管0.592K/W 外壳－散热器热阻R thCH每个二极管, λgrease= 1 W/(m*K)0.148K/W 允许开关的温度范围T vj op-40175°C注:T vj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.4负温度系数热敏电阻表 7特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值额定电阻值R25T NTC = 25 °C5kΩR100偏差ΔR/R T NTC = 100 °C, R100 = 493 Ω-55%耗散功率P25T NTC = 25 °C20mW B-值B25/50R2 = R25 exp[B25/50(1/T2-1/(298,15 K))]3375K B-值B25/80R2 = R25 exp[B25/80(1/T2-1/(298,15 K))]3411K B-值B25/100R2 = R25 exp[B25/100(1/T2-1/(298,15 K))]3433K 注:根据应用手册标定4 负温度系数热敏电阻6电路拓扑图图 17封装尺寸图 28模块标签代码图 3修订历史修订历史修订版本发布日期变更说明1.002021-11-19Initial version商标所有参照产品或服务名称和商标均为其各自所有者的财产。

英飞凌600VIGBT模块型号参数资料

FP20R06YE3 FP30R06KE3 FP30R06W1E3 FP30R06YE3 FP50R06KE3 FP50R06KE3G FP100R06KE3 ◆1200V IGBT ♦ 单管（1单元）产品型号 FZ900R12KE4 FZ900R12KP4 FZ3600R12HP4 FZ2400R12HP4_B9 BSM200GA120DLC BSM200GA120DLCS BSM200GA120DN2 BSM200GA120DN2C BSM200GA120DN2S BSM300GA120DLC BSM300GA120DLCS BSM300GA120DN2 BSM300GA120DN2S
F4-50R06W1E3 F4-75R06W1E3 ♦ 三相桥（6单元）产品型号 FS20R06W1E3 FS30R06W1E3 FS50R06W1E3 FS10R06VL4_B2 FS15R06VL4_B2 FS10R06XL4 FS15R06XL4 FS20R06XL4 FS30R06XL4 FS6R06VE3_B2 FS30R06XE3 FS50R06YE3 FS50R06KE3 FS75R06KE3 FS100R06KE3 FS150R06KE3 FS150R06KE3_B4 FS200R06KE3 FS50R06YL4
30A，600V@Tc=80℃，IGBT2 Low Loss，饱和压降1.95V 50A，600V@Tc=80℃，IGBT2 Low BSM50GD60DLC Loss，饱和压降1.95V 75A，600V@Tc=80℃，IGBT2 Low BSM75GD60DLC Loss，饱和压降1.95V 100A，600V@Tc=80℃，IGBT2 Low BSM100GD60DLC Loss，饱和压降1.95V 150A，600V@Tc=80℃，IGBT2 Low BSM150GD60DLC Loss，饱和压降1.95V 200A，600V@Tc=80℃，IGBT2 Low BSM200GD60DLC Loss，饱和压降1.95V BSM20GD60DLC_E32 20A，600V@Tc=80℃，IGBT2 Low 24 Loss，饱和压降1.95V BSM30GD60DLC_E32 30A，600V@Tc=80℃，IGBT2 Low 24 Loss，饱和压降1.95V BSM50GD60DLC_E32 50A，600V@Tc=80℃，IGBT2 Low 26 Loss，饱和压降1.95V 10A，600V@Tc=80℃，IGBT3，饱和压降 FS10R06VE3 1.55V 10A，600V@Tc=80℃，IGBT3，饱和压降 FS10R06VE3_B2 1.55V 15A，600V@Tc=80℃，IGBT3，饱和压降 FS15R06VE3 1.55V 15A，600V@Tc=80℃，IGBT3，饱和压降 FS15R06VE3_B2 1.55V FS20R06VE3(no 20A，600V@Tc=80℃，IGBT3，饱和压降 Datasheet) 1.55V 20A，600V@Tc=80℃，IGBT3，饱和压降 FS20R06VE3_B2 1.55V 30A，600V@Tc=80℃，IGBT3，饱和压降 FS30R06VE3 1.55V 15A，600V@Tc=80℃，IGBT3，饱和压降 FS15R06XE3 1.55V BSM30GD60DLC FS400R06A1E3 FS800R06A2E3 ♦ 整流桥＋三相桥（PIM）产品型号 BSM10GP60 BSM15GP60 基本参数 10A,600V 15A,600V 400A,600V,三相桥,HEV专用 800A,600V,三相桥,HEV专用

英飞凌-IGBT模块在焊机应用中的选型

输出功率结温（Tj）
芯片-外壳温差∆Tjc
外壳-散热器热阻 Rthch
散热器(-环境) 热阻Rthha
基板
散热器
壳温（Tc）
外壳-散热器温差∆Tch
散热器温度（Th）
散热器-环境温差 ∆Tha
10.02.2010
Copyright © Infineon Technologies 2010. All rights reserved.
Q1
Q3
Q1 t
Q4
Q2
I1
I2
ip
Q4 t
vAB
Vin
0
t
Vin
损耗特点：
vrect 0
Vin/K
t0 t1 t2 t3 t4 t5
t6 t7 t8 t9 t10 t11
IGBT:导通时间长，导通损耗大，开关损耗小；
FWD:续流时间长，导通损耗大；
最佳IGBT芯片：T4芯片
t
t12 t13
10.02.2010
环境温度（Ta）
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IGBT模块热计算
IGBT模块各个部分的温差∆T取决于 1）损耗（芯片技术、运行条件、驱动条件）； 2）热阻（模块规格、尺寸）模块芯片的结温是各部分的温差和环境温度之和： Tj = ∆Tjc + ∆Tch + ∆Tha + Ta 如果假设壳温Tc恒定，则Tj = ∆Tjc + Tc；如果假设散热器温度Th恒定，则Tj = ∆Tjh + Th。 IGBT的平均结温取决于平均损耗、Rthjc和壳温Tc。在实际运行时，IGBT的结温是波动的，其波动幅度取决于瞬态损耗和 Zthjc，而Zthjc又和运行条件（如变频器输出频率）有关。 IGBT的峰值结温为平均结温+波动幅值。

英飞凌600V 1200VIGBT模块型号大全

IGBT³ IGBT³ IGBT³ IGBT³ IGBT³ IGBT² IGBT² Low Loss IGBT² Low Loss IGBT² Low Loss IGBT² Low Loss IGBT² Low Loss IGBT² Low Loss IGBT² Low Loss IGBT² Low Loss IGBT² Low Loss IGBT³ IGBT³ IGBT³ IGBT³ IGBT³ IGBT³ IGBT³ IGBT³
400.0 A 300.0 A 800.0 A 1,050.0 A 1,200.0 A 1,600.0 A 1,800.0 A 2,400.0 A 200.0 A 200.0 A 300.0 A
BSM300GA120DLCS BSM400GA120DLC BSM400GA120DLCS BSM600GA120DLC BSM600GA120DLCS FZ800R12KL4C FZ1200R12KL4C FZ1600R12KL4C FZ1800R12KL4C FZ2400R12KL4C FZ400R12KS4 FZ600R12KS4 FZ800R12KS4_B2 FZ300R12KE3G FZ300R12KE3B1G CSERIE FZ400R12KE3 FZ400R12KE3B1 FZ600R12KE3 FZ600R12KE3B1 FZ800R12KE3 FZ1200R12KE3 FZ1600R12KE3 FZ2400R12KE3 FZ2400R12KE3_B9 FZ3600R12KE3 B BSM200GA120DN2S BSM300GA120DN2 BSM300GA120DN2S BSM400GA120DN2C BSM400GA120DN2S
1.45 1.45 1.45 1.45 1.45 1.95 1.95 1.95 1.95 1.95 1.95 1.95 1.95 1.95 1.95 1.55 1.55 1.55 1.55 1.55 1.55 1.55

英飞凌EiceDRIVER门极驱动芯片选型指南2019说明书

英飞凌EiceDRIVER™门极驱动芯片2尊敬的客户及合作伙伴：您好！电力电子应用需要用到功率器件开关，而功率器件开关需要最合适的门极驱动解决方案。

电池驱动的应用、小型和大型家电、计算和电信服务器、电动车充电桩、太阳能和机器人等应用都电路设计有特殊的需求。

合适的门极驱动配置对于所有功率器件——无论是分立式还是功率模块——都至关重要。

运用最新技术的分立式器件——包括CoolMOS™和OptiMOS™ MOSFET、TRENCHSTOP™IGBT、CoolGaN™氮化镓HEMT、CoolSiC™碳化硅MOSFET——以及开放框架模块(如Easy、Econo功率模块)，都需要细调门极驱动电路才能充分发挥出它们的能力。

针对CoolGaN™和CoolSiC™等新式宽带隙功率器件，我们最常被问及的问题之一是“你们是如何驱动它们的呢？”英飞凌门极驱动提供从0.1 A到10 A的一系列典型的输出电流选项，适用于任何功率器件型号。

快速短路保护、可编程的死区时间、直通短路保护及有源关断等全面的门极驱动保护功能，使得这些驱动适用于包括CoolGaN™和CoolSiC™在内的所有功率器件。

英飞凌门极驱动还具备集成自举二极管、使能、故障报告、输入过滤器、OPAMP和DESAT保护等更先进的功能。

有源米勒箝位，和独立的拉/灌电流输出引脚功能，还有助于提高设计的灵活性。

英飞凌EiceDRIVER™系列门极驱动让客户更容易驱动所有功率器件和功率模块。

针对电气隔离需求，英飞凌既提供基础型隔离产品，也提供增强型隔离产品。

我们始终坚守承诺，让英飞凌成为品质的代名词。

英飞凌拥有现代化的前瞻性质量管理体系，可通过将客户需求转化为实实在在的行动来支持公司的卓越运营。

我们致力于在成本、质量和上市时间上做到一流。

英飞凌的质量方针相当于一个安全屏障，能够避免以牺牲品质为代价来提高生产率。

英飞凌是功率半导体解决方案全球领先的供应商之一，可让您的生活更轻松、更安全、更环保。

英飞凌IGBT模块变频器选型表

英飞凌IGBT模块变频器选型表变频器的开关频率相对来说比较低，大部分开关频率fk<8KHz，因此应选择低饱和压降型IGBT；也有一些应用中其开关频率fk 高达15KHz 左右，这时就应选择高频型IGBT模块，即选用英飞凌“KT3”或“DN2”系列IGBT。

下面列出在正常环境下，强迫风冷的散热条件下，变频器推荐选用英飞凌IGBT 型号，如果散热条件更好（或更差的冷却条件），则可考虑采用电流值更小（或更大）的IGBT模块。

检测设计是否合理的简单方法是：逆变器加热到额定功率，达到热稳定后散热器的最高温度不超过80℃，一般选用75℃作为散热器温度继电器的保护点。

英飞凌大多数用于变频器的IGBT模块均内置NTC 温度传感器，NTC 更有效地检测到IGBT模块的壳温，建议这个过温点可设计在90℃以下。

表1 变频器选用英飞凌IGBT模块推荐表对于大于110KW 的变频器，需要IGBT模块并联，建议选择英飞凌FF450R12ME3(两单元)或FS450R12KE3(六单元)，其特点是内部封装电感低，结构易于并联。

若要求更高的可靠性，可选择英飞凌大功率IGBT模块(IHM)，它采用AlSiC 基版，耐热循环能力比铜基版高，反并联续流二极管(F.W.D)容量更大。

英飞凌IHM IGBT模块两单元可达到1200A, 1700V (FF1200R17KE3);一单元IGBT模块可达到3600A、1700V(FZ3600R17KE3)。

对于经整流后的直流母线电压大于750V 的电力电子设备或多电平级联方式中高压变频器可选用下列英飞凌IGBT 系列。

详细英飞凌IGBT模块产品目录可参阅：BSM75GB170DN2 34mm 两单元 75A，1700VBSM100GB170DLC 62mm 两单元 100A，1700VBSM150GB170DLC 62mm 两单元 150A，1700VFF200R17KE3 62mm 两单元 200A，1700VFF300R17KE3 62mm 两单元 300A，1700VBSM300GA170DLS 62mm 一单元 300A，1700VBSM400GA170DLS 62mm 一单元 400A，1700V注：“S”代表“DLC”＋集电极引出端。

英飞凌模块选型

英飞凌模块选型对于一个具体的应用来说，在选择igbt功率模块时，需要考虑其在任何静态、动态、过载（如短路）的运行情况下：•器件耐压；•在实际的冷却条件下，电流的承受力；•最适合的开关频率；•安全工作区（soa)限制；•最高运行限制；•封装尺寸；bsm100gb60dlc1、igbt耐压的选择因为大多数igbt模块工作在交流电网通过单相或三相整流后的直流母线电压下，所以，通常igbt模块的工作电压（600v、1200v、1700v）均对应于常用电网的电压等级。

考虑到过载，电网波动，开关过程引起的电压尖峰等因素，通常电力电子设备选择igbt器件耐压都是直流母线电压的一倍。

如果结构、布线、吸收等设计比较好，就可以使用较低耐压的igbt模块承受较高的直流母线电压。

下面列出根据交流电网电压或直流母线电压来选择igbt耐压的参考表：igbt耐压选型参考表2、igbt电流的选择半导体器件具有温度敏感性，因此，igbt模块标称电流与温度的关系比较大。

随着壳温的上升，igbt模块可利用的电流就会下降，英飞凌igbt模块是按壳温tc=80℃或100℃来标称其最大允许通过的集电极电流（ic).对于英飞凌 npt-igbt芯片来说，当tc＜25℃时，这个电流值通常是一个恒定值，但是，随着tc的增加，这个可利用的电流值下降较快，有些igbt品牌是按照tc=25℃的电流值来标称型号，这个需要特别注意。

英飞凌 igbt3集电极电流ic随壳温tc的变化需要指出的是：igbt参数表中标出ic是集电极最大直流电流，但这个直流电流是有条件的，首先最大结温不能超过150℃，其次，还受的安全工作区（soa)的限制，不同的工作电压、脉冲宽度，允许通过的最大电流不同。

同时，各大igbt品牌也给出了两倍于额定值的脉冲电流，这个脉冲电流通常指脉冲宽度为1ms的单脉冲能通过的最大通态电流值，即使可重复也需要足够长的时间。

如果脉冲宽度限制在10us以内，英飞凌 igbt3短路电流承受能力可高达10倍的额定电流值。

英飞凌IGBT光伏逆变器应用选型

150 KW三相
FF900R12IP4/E4
P.P.
900A/1200V/半桥
FF800R12KE3
IHM130
800A/1200V/半桥
FF450R12ME4 ×2
E.D.3
450A/1200V/半桥
250 KW三相
FF1400R12IP4
P.P.
1400A/1200V/半桥
FF1200R12KE3
FZ2400R12HP4
IHM130
2400A/1200V/一单元
Easy2B
100A/650V/三电平
F3L150R07W2E3_B11
Easy2B
150A/650V/三电平
FS150R12KT3/T4
E.P.3
150A/1200V/三相桥
30 KW三相
F3L200R07PE4
E.P.4
200A/650V/三电平
FF225R12ME4
E.D.3
225A/1200V/半桥
IPW60R045CP
TO-247
60A/600V, 45mΩ
10 KW三相
F3L50R06W1E3_B11
Easy1B
50A/600V/三电平
F3L75R07W2E3_B11
Easy2B
75A/650V/三电平
FS75R12KT3G
E.P.3
75A/1200V/三相桥
20 KW三相
F3L100R07W2E3_B11
SPW47N60C3
TO-247
47A/600V, 70mΩ
IPW60R070C6
TO-247
53A/600V, 70mΩ
5 KW单相

英飞凌IGBT模块型号参数汇总表

FS20R06W1E3_B11 20A,600V,@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V EasyPACK 1B FS20R06XL4 FS20R06VE3 FS20R06VE3(no Datasheet) FS20R06VE3_B2 20A,600V@Tc=80℃,IGBT2 Low Loss,饱和压降1.95V EasyPACK 1B
BSM30GD60DLC_E3 30A,600V@Tc=80℃,IGBT2 Low Loss,饱和 224 压降1.95V FS50R06W1E3 50A,600V@Tc=90℃,IGBT3,饱和压降1.45V
EconoPACK 2B EasyPACK 1B
FS50R06W1E3_B11 50A,600V,@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V EasyPACK 1B 50A,600V@Tc=80℃,IGBT2 Low Loss,饱和压降1.95V BSM50GD60DLC_E3 50A,600V@Tc=80℃,IGBT2 Low Loss,饱和 226 压降1.95V BSM50GD60DLC FS50R06KE3 FS50R06YE3 FS50R06YL4 BSM75GD60DLC FS75R06KE3 BSM100GD60DLC FS100R06KE3 BSM150GD60DLC FS150R06KE3 FS150R06KE3_B4 BSM200GD60DLC FS200R06KE3 FS400R06A1E3 FS400R07A1E3 FS800R06A2E3 FS800R07A2E3 FS200R07N3E4R 50A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.45V 50A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.45V 50A,600V@Tc=80℃,IGBT2,饱和压降1.95V 75A,600V@Tc=80℃,IGBT2 Low Loss,饱和压降1.95V 75A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.45V EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 2B

英飞凌IGBT模块选型参考

3300V系列IGBT模块一单元 FZ - KF2C (Standard): FZ800R33KF2C FZ1200R33KF2C
FZ - KL2C (Low Loss): FZ800R33KL2C FZ1200R33KL2C二单元 FF - KF2C (Standard): FF200R33KF2C FF400R33KF2C斩波模块 FD - KF2C (Standard): FD400R33KF2C FD400R33KF2C-K FD800R33KF2C FD8KL4 FP15R06KL4 FP20R06KL4
BSM-GP: BSM10GP60 BSM15GP60 BSM20GP60 BSM30GP60 BSM50GP60 BSM50GP60G BSM75GP60 BSM100GP60
FP-YE3: FP10R06YE3 FP20R06YE3 FP30R06YE3
Vce(sat) Tc=25℃ 2.5V 2.1V 3.2V 1.7V 1.7V
Tc=125℃ 3.1V 2.4V 3.85V 2.0V 1.9V
1200V系列IGBT模块一单元 GA -DN2 (Standard): BSM200GA120DN2 BSM300GA120DN2 BSM400GA120DN2
chopper
modules GAR: BSM75GAR120DN2 BSM300GAR120DLC
GAL: BSM75GAL120DN2 BSM100GAL120DN2 BSM300GAL120DLC
FD: FD200R12KE3 FD300R12KE3
1600V、1700V系列IGBT模块一单元 GA -DN2 (Standard): BSM200GA170DN2 BSM300GA170DN2 BSM300GA170DN2S

英飞凌IGBT应用选型指南

2.0MW
FZ2400R17HP4_B29(12pcs/set)
FF1400R17IP4(18pcs/set)
FF600R17ME4(36pcs/set) FF450R17ME4(48pcs/set) FF1000R17IE4(18pcs/set)
LightSTACK
2.5MW
ModSTACKTMHD
F3L300R12PT4_B26(3pcs/set)
150KW
F3L400R12PT4_B26(3pcs/set)
大功率两电平光伏逆变器：
变流器功率
IGBT型号及数量
封装图片
50KW
FF300R12KT4(3pcs/set)
75KW
FF450R12KT4(3pcs/set)
100KW~
150KW
FF450R12ME4(3pcs/set)
ModstackTM3
LightSTACK
2.0MW
FF14000R17IP(6pcs/set)
FF1000R17IE4 (9pcs/set)
ModstackTM3
LightSTACK
双馈风电变流器网侧：
电机功率
IGBT型号及数量
1.25MW
FF450R17MR4(3pcs/set)
FS450R17ME4(1pcs/set) FF650R167IE4(3pcs/set)
3.5KW
F4-50R07W2H3_B51(1pcs/set)
5-8KW
F4-75R07W2H3_B51(1pcs/set)
中小功率三电平光伏逆变器：
变流器功率
IGBT型号及数量
封装图片
10KW
F3L30R06W1E3_B11(3pcs/set)

英飞凌IGBT参数中文版

Case – Heatsink Tch
散热器
Heatsink Temp. – Th
Heatsink – Ambient Tha
Ambient Temp. – Ta
Tj = Tjc + Tch + Tha + Ta
热学参数
每个IGBT的Rth
每个二极管Rth 模块Rth
假设散热器是等温的:
Junction Temp. – Tj
Chip-Case，芯片-管壳热阻– RthJC
Chip – Caseink，管壳-散热器热阻– RthCH Heatsink(-Ambient) 散热器(-环境) 热阻– RthHA
导热硅脂
Case Temp. – Tc
2000
3 2 IR(t) [A]
2000
1000
1 1000
!
!
0
0
1000
locus iR(t)*vR(t)
0
2
2000
1
time [400ns/div]
0
0
1000 VR(t) [V]
2000
3
3000
热学参数
热阻
输入功率耗散功率输出功率
芯片
焊料铜层陶瓷 (Al2O3 / AlN) 铜层焊料
外部门极电容(CGE)
为了控制高压IGBT的开启速度，推荐使用外部门极电容CGE
有了CGE ，开启过程的di/dt和dv/dt可以被分开控制，即可以用更小的RG ;从而实现了低的开关损耗和较低的开通di/dt
CGE di/dt dv/dt di/dt dv/dt
RG
开关参数
门极电荷 (QG)