重庆大学模拟电子技术课程期末考试试题级答案07答案
重庆大学电工电子技术复习题及答案
电工电子技术参考资料一、单项选择题(本大题共 0 分,共 100 小题,每小题 0 分)1.电容是(B )元件。
A.耗能B.储存电场能量C.储存磁场能量2.正弦交流电路的无功功率表征该电路中储能元件的( C)。
A.瞬时功率B.平均功率C.瞬时功率最大值3.由开关组成的逻辑电路如图所示,设开关接通为“1”,断开为“0”,电灯亮为“1”,电灯暗为“0”,则该电路为(A )。
A.与门B.或门C.非门4.电流相量的极坐标表达式为(A )。
A.B.C.5.正弦交流电路中,电容元件的瞬时值伏安关系应表示为(B )。
A.B.C.6.KM 是指下列哪种常用控制电器(A )。
A.交流接触器B.热继电器C.中间继电器7.0.314H 的电感元件在 50Hz 的正弦交流电路中所呈现的感抗值约为(B )。
A.B.C.8.在电感元件的正弦交流电路中,电感元件的瞬时值伏安关系可表示为( A)。
A.B.C.9.在正弦交流电路中,电容元件消耗的有功功率可表示为( A)。
A. 0B.C.10.在电阻元件的正弦交流电路中,电阻元件消耗的平均功率是( B)。
A.B.C.11.集成运放引入深度负反馈之后,两个输入端的电位近似相等,可将其近似视为短路,即运算放大器处于(A )。
A.虚短B.虚断C.短路12.在运算放大器电路中,引入深度负反馈的目的之一是使运放(B )。
A.工作在线性区,降低稳定性B.工作在线性区,提高稳定性C.工作在非线性区,提高稳定性13.自激振荡的相位条件是(A )。
A.B.C.14.表示放大器输出电压与输入电压之间关系的特性曲线称为(B )。
A.伏安特性B.传输特性C.输入特性15.三相交流发电机的三个绕组接成星形时,若线电压,则为(A )。
相电压UAA.B.C.16.稳压管正常工作时,工作在(C )。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿17.电阻是(A )元件。
A.耗能B.不耗能C.储存电场能量18.图示元件是(A )。
《模拟电子技术》大学期末考试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题十一一、判断下列说法是否正确,用“×”或“√”表示判断结果。
(10分)1只要满足相位平衡条件,电路就会产生正弦波振荡。
()2引入直流负反馈可以稳定静态工作点。
()3负反馈越深,电路的性能越稳定。
()4零点漂移就是静态工作点的漂移。
()5放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。
()6镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。
()7半导体中的空穴带正电。
()8 P型半导体带正电,N型半导体带负电。
()9实现运算电路不一定非引入负反馈。
()10凡是引入正反馈的集成运放,一定工作在非线性区。
()二、选择填空(10分)(1)为了增大输出电阻,应在放大电路中引入;为了展宽频带,应在放大电路中引入。
(A)电流负反馈(B)电压负反馈(C)直流负反馈(D)交流负反馈(2)在桥式(文氏桥)RC正弦波振荡电路中,。
(A)φA=-1800,φF=+1800 (B)φA=+1800,φF=+1800 (C)φA=00,φF=00(3)集成运放的互补输出级采用。
(A)共基接法(B)共集接法(C)共射接法(D)差分接法(4)两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为。
(A)β(B)β2 (C)2β(D)1+β(5)在(A)、(B)、(C)三种电路中输入电阻最大的电路是;既能放大电流,又能放大电压的电路是。
(A)共基放大电路(B)共集放大电路(C)共射放大电路(6)当PNP型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为u C u B u E。
(A)> (B)< (C)= (D)≤(7)硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。
(A)大(B)小(C)相等三、(5分)图示电路中二极管为理想二极管,请判断它是否导通,并求出u0。
四、(10分)在一个放大电路中,三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示,将每只管子所用材料(Si或Ge)、类型(NPN或PNP)及管脚为哪个极(e、b或c)填入表内。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是;在P型半导体中,多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类,它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入(共射、共集、共基)组态放大电路。
4、在多级放大器中,中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的()组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2-10 4、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( )。
A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是( )。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( )的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选( )负反馈。
《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)
《模拟电子技术》期末考试复习题班级:学号:姓名:成绩:一、填空题1.硅二极管导通时的正向管压降约为____ V,锗二极管导通时的管压降约为____ V。
二极管的两端加正向电压时,有一段死区电压,锗管约为____V,硅管约为____V。
0.70.30.20.52.半导体具有____特性、____特性和____的特性。
掺杂热敏光敏3.电路中流过二极管的正向电流过大,二极管将会____;如果施加在二极管两端的反向电压过高,二极管将会____。
烧坏(开路)击穿(短路)4.使用二极管时,应考虑的主要参数是________和________。
最大整流电流(额定电流)最高反向工作电压(耐压)5.理想二极管的特点是正向导通时管压降为____,反向截止时反向电流为____。
0V0A6.用万用表测量二极管的正反向电阻时,若正、反向电阻均接近于零,则表明该二极管已____;若正、反向电阻均接近于无穷大,则表明二极管已____。
击穿烧坏7.在晶体管中,I E与I B、I C的关系为_________。
I E=I B+I C8.示波器是电子技术中常用的测量仪器,用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。
波形频率大小相位9.硅晶体管发射结的死区电压约为_____V,锗晶体管发射结的死区电压约为____V。
晶体管处在正常放大状态时,硅管发射结的导通电压约为_____V,锗管发射结的导通电压约为____V。
0.50.20.70.310.某晶体管的U CE不变,基极电流I B =30μA时,集电极电流I C =1. 2mA,则发射极电流I E =____ mA,若基极电流I B增大到50μA时,I C增大到2mA,则发射极电流I E =_____mA,晶体管的电流放大系数β=_____。
1.23mA2.05mA4011.用万用表测量晶体管时,应将万用表置于_____挡,并进行_____。
模拟电子技术期末复习题及答案
模拟电子技术期末复习题及答案《电子技术基础2》复习题一、判断题(本大题共10个小题,每小题2分,共20分)1、N型半导体的多数载流子是空穴。
()2、P型半导体的多数载流子是空穴。
()3、负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量相同。
()4、运算电路中一般引入负反馈。
()5、只要在放大电路中引入反馈,就一定能使其性能得到改善。
()6、在放大电路中引入正反馈,主要目的是改善放大电路的性能。
()7、在放大电路中引入负反馈,主要目的是改善放大电路的性能。
()8、若放大电路的放大倍数为零,则引入的反馈一定是负反馈。
()9、在输入信号作用时,偏置电路改变了各放大管的动态电流。
()10、阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立。
()11、阻容耦合多级放大电路只能放大交流信号。
()12、直接耦合可以放大缓慢变化的信号。
()13、只有电路既放大电流又放大电压,才算其有放大作用。
()14、共发射极放大电路输出与输入反相。
()15、共基极放大电路输出与输入反相。
()16、共集电极放大电路输出与输入反相。
()17、只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。
()18、在运算电路中,集成运放的反相输入端均为虚地。
()19、在运算电路中,集成运放的输入端均可采用虚短和虚断。
()20、运放的共模抑制比K CMR越大越好。
()21、运放的共模抑制比K CMR越小越好。
()22、运放的共模放大倍数越小越好。
()23、运放的差模放大倍数越小越好。
()24、功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下,负载上可能获得的最大交流功率。
()25、当输入电压U I和负载电流I L变化时,稳压电路的输出电压是绝对不变的。
()26、直流电源是一种能量转换电路,它将交流能量转换成直流能量。
()27、在单相桥式整流电容滤波电路中,若有一只整流管断开,输出电压平均值变为原来的一半。
()28、半波整流输出电压平均值是全波整流的一半。
模拟电子技术基础试卷及答案(期末)
模拟电⼦技术基础试卷及答案(期末)第1章直流电路习题解答1.1 在图1.1所⽰电路中,(1)选d 为参考点,求a V 、b V 和c V ;(2)选c 为参考点,求a V 、b V 和d V 。
图1.1 习题1.1电路图解(1)当选d 为参考点时, V 3ada ==u V V 112cd bc bdb =-=+==u u u V ;V 1cdc -==u V (2)当选c 为参考点时, 4V 13dc ad a =+=+=u u V V 2bc b ==u V ;V 1dcd ==u V 1.2 求图1.2中各元件的功率,并指出每个元件起电源作⽤还是负载作⽤。
图1.2 习题1.2电路图解 W 5.45.131=?=P (吸收); W 5.15.032=?=P (吸收) W 15353-=?-=P (产⽣); W 5154=?=P (吸收); W 4225=?=P (吸收)元件1、2、4和5起负载作⽤,元件3起电源作⽤。
1.3 求图1.3中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。
图1.3 习题1.3电路图解 A2=I ; V13335=+-=I I U 电流源功率:W 2621-=?-=U P (产⽣),即电流源产⽣功率6W 2。
电压源功率:W 632-=?-=I P (产⽣),即电压源产⽣功率W 6。
1.4 求图1.4电路中的电流1I 、2I 及3I 。
图1.4 习题1.4电路图解 A 1231=-=I A 1322-=-=I 由1R 、2R 和3R 构成的闭合⾯求得:A 1223=+=I I 1.5 试求图1.5所⽰电路的ab U。
图1.5 习题1.5电路图解 V 8.13966518ab-=?+++?-=U1.6求图1.6所⽰电路的a 点电位和b 点电位。
图1.6 习题1.6电路图解 V 4126b=?-=V V 13b a =+-=V V 1.7 求图1.7中的I 及SU。
图1.7 习题1.7电路图解 A7152)32(232=?+-?+-=IV 221021425)32(22S =+-=?+-?+=I U 1.8 试求图1.8中的I 、XI、U 及XU。
《电子技术》期末考试试卷附答案
《电子技术》期末考试试卷附答案一、填空题(共30空,每空1分,合计30分)1、请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管可关断晶闸管;功率场效应晶体管;绝缘栅双极型晶体管;IGBT是和的复合管。
2、多个晶闸管相并联时必须考虑的问题,解决的方法是。
3、在电流型逆变器中,输出电压波形为波,输出电流波形为波。
4、型号为KS100-8的元件表示晶闸管、它的额定电压为伏、额定有效电流为安。
5、当温度降低时,晶闸管的触发电流会、正反向漏电流会;当温度升高时,晶闸管的触发电流会、正反向漏电流会。
6、由晶闸管构成的逆变器换流方式有换流和换流。
7、按逆变后能量馈送去向不同来分类,电力电子元件构成的逆变器可分为逆变器与逆变器两大类。
8、由波形系数可知,晶闸管在额定情况下的有效值电流为I Tn等于倍I T(AV),如果I T(AV)=100安培,则它允许的有效电流为安培。
通常在选择晶闸管时还要留出倍的裕量。
9、带平衡电抗器的双反星形电路,变压器绕组同时有相导电;晶闸管每隔度换一次流,每只晶闸管导通度,变压器同一铁心柱上的两个绕组同名端,所以以两绕组的电流方向也,因此变压器的铁心不会被。
二、选择题(共25题,每题2分,合计50分)1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差()度。
A、180°,B、60°, c、360°, D、120°2、α为()度时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形,处于连续和断续的临界状态。
A,0度, B,60度, C,30度, D,120度,3、晶闸管触发电路中,若改变()的大小,则输出脉冲产生相位移动,达到移相控制的目的。
A、同步电压,B、控制电压,C、脉冲变压器变比。
4、可实现有源逆变的电路为()。
A、三相半波可控整流电路,B、三相半控桥整流桥电路,C、单相全控桥接续流二极管电路,D、单相半控桥整流电路。
5、在一般可逆电路中,最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理()。
《模拟电子技术基础》期末考试试卷标准答案
河北科技大学 学年第 学期《 模拟电子技术基础 》期末考试试卷标准答案学院 班级 姓名 学号 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分得分一、选择填空题(每空1分,共10分)( A )1.在晶体管放大电路的三种基本接法中, 的输出电压与输入电压不同相。
A. 共射电路B.共集电路.C.共基电路( C )2.选用差分放大电路的原因是。
A.稳定放大倍数B.提高输入电阻C.克服温漂( A )3.若要实现电流—电压转换电路,应引入。
A.电压并联负反馈B.电流串联负反馈C.电流并联负反馈D.电压串联负反馈( A )4.二极管外加正向电压时处于_______状态。
A.导通B.放大C.截止( A )5.正弦波振荡电路必须由以下四个部分组成:放大电路、、正反馈网络和稳幅环节。
A.选频网络B.消除失真电路C.负反馈网络D.滤波环节( C )6.直流稳压电源中滤波电路的目的。
A.将高频变为低频B.将交流变为直流C.减小脉动,使输出电压平滑( B )7.在某电路中测得晶体管的e、b、c三个极的直流电位分别为0V 、0.7V、4.0V,则该晶体管工作在状态。
A.饱和B.放大C.截止( C )8.直流负反馈是指:。
A.只有放大直流信号时才有的负反馈B.直接耦合放大电路中引入的负反馈C.在直流通路中的负反馈( D )9.对于放大电路,所谓开环是指。
A.无负载B.无信号源C.无电源D.无反馈通路( D )10.集成运算放大器实质上是一个具有高电压放大倍数电路。
A. 阻容耦合多级放大B. 共发射极放大C. 变压器耦合多级放大D. 直接耦合多级放大模拟电子技术A卷,共( 6 )页,第( 1 )页模拟电子技术A 卷,共( 6 )页,第( 2 )页ZU R R R R Uo 3321++=ZU R R R R R Uo 32321+++=二、判断题(共10分)1.(请在括号中标明“√”或“×”;每空1分,共5分)( √ )1)阻容耦合多级放大电路各级Q 点相互独立,它只能放大交流信号。
2010-2011(一)模拟电子技术试卷(附答案)
重庆大学《模拟电子技术(Ⅱ》课程试卷2010 ~2011学年第 1 学期开课学院: 电气课程号:15012335考试日期: 2010-12-30考试方式:考试时间: 120 分钟一、单项选择题:在下列各题中,将唯一正确的答案代码填入括号内(本大题共10小题,每空2分,共20分1.欲得到电压-电流转换电路,应在集成运算放大电路中引入( 。
(a 电压串联负反馈 (b 电流并联负反馈 (c 电流串联负反馈2. 图1为正弦波振荡电路,其反馈电压取自( 元件。
(a L 1 (b L 2 (c C 13. 负反馈对放大器的影响是(A 、减少非线性失真B 、增大放大倍数C 、收窄通频带图1 图24. 图2为单相桥式整流滤波电路,u 1为正弦波,有效值为U 1=20V ,f=50H Z 。
若实际测得其输出电压为28.28V ,这是由于( 的结果。
(a C 开路 (b R L 开路(cC 的容量过小5. 图3为( 功率放大电路。
(a甲乙类OCL (b乙类OTL(c甲乙类OTL6. 共模抑制比K CMR 是( 之比。
(a输入量中的差模信号与共模信号 (b输出量中的差模信号与共模信号(c差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值。
7. PNP 管工作在饱和状态时,应使发射结正向偏置,集电结( 偏置。
(a 正向 (b 反向 (c 零向8.如图4电路,设二极管为理想元件,则电压U AB 为( V 。
(a 0 (b 5 (c-8图3 图49.抑制频率为100kHz 以上的高频干扰,应采用(滤波电路。
(a低通 (b带通 (c带阻10. U GS =0V 时,能够工作在恒流区的场效应管是( 。
(a 结型管 (b 增强型MOS 管 (c 耗尽型MOS 管二、判断下列说法是否正确,凡对者打“√”,错者打“ ×” (每小题2分,共10分1.一个理想对称的差分放大电路,只能放大差模输入信号,不能放大共模输入信号。
(2.对于正弦波振荡电路,只要满足自激振荡的平衡条件,就能自行起振。
重庆大学模拟电子技术课程期末考试试题级答案07答案
重庆大学模拟电子技术(II )答案2007 ~2008 学年 第 一 学期开课学院: 课程号:考试日期:一、 (20分)填空1、N 型半导体中多数载流子是 电子 ,P 型半导体中多数载流子是 空穴 。
2、PN 结具有 单向 导电特性,其伏安特性的数学表达式是 )1(/-=t v v s e I I 。
3、双极型晶体管工作在放大状态是:发射结 正向偏置 ,集电结 反向偏置 。
4、双极型晶体管是温度的敏感元件,当温度升高时其参数I CBO 增大 ,V BE 减小 ,β 增大 。
5、通用集成运放的一般由输入级 、中间放大级 、输出级 、 偏置电路组成,输入级的主要作用是 抑制共模信号 。
6、场效应管是一种 电压控制 元件,而晶体管是 电流控制元件。
7、如果想要使放大电路的输出电流稳定,而且对信号源的影响减小,应该在电路中引入 电流串联负 反馈,电路等效为 电压控制电流 型受控源。
9、有源滤波器按电路的幅频特性可分为低通滤波、 高通滤波 、带通滤波 、带阻滤波和全通滤波五种。
10、正弦波振荡电路可以产生振荡的条件是 1=F A 。
二、 (10分)判断题 1、对单一正弦输入信号,放大电路输出信号产生的失真是由于电路中晶体管的非线性引起的。
( √ )2、集成运放工作在非线性区的两个特点是虚短和虚断。
( ⅹ )3、串联稳压直流电源电路的调整管工作在放大状态。
( √ )4、电路中只要引入负反馈就可以改善电路的性能。
( √ )5、振荡电路中只要引入了负反馈,就不会产生振荡信号。
( ⅹ )三、(20分)电路如图1所示,三极管是硅管,r bb ’=300Ω,β=100,U CES =1V 。
1、估算静态工作点(I B ,I C ,U CE );2、画出微变等效电路;3、求A U ,A US ,R i ,R o ;4、求最大不失真输出幅度。
解:1..V I R R V U mA A I I A R R V V I C E C CC CE B C E B BE cc B2.11885.0)152.6(30)(2885.085.810085.8151011007.015)1(11=⨯+-=+-==⨯===⨯+-=++-=μβμβ (6分) 2. 略。
(完整版)模拟电子技术基础期末考试试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。
2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集)放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(串联)负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=(1/ F )。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(),()称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补功率放大器。
13、OCL电路是()电源互补功率放大电路;OTL电路是()电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为()。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。
二、选择题(每空2分共30分)1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须(),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。
重庆大学电子技术基础(模拟部分) 模拟题
④复合管的穿透电流等于两只晶体管的穿透电流之和;(
2.微变等效电路只能分析晶体管在小信号输入时的动态情况,不能用于静态分析。
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考研专业课研发中心
《考研专业课高分资料》之模拟题
3.判断如图所示电路中的反馈类型? Rf: R2:
4.实现 PNP 型晶体管可靠截止的条件是 UBE>0 和 UBC>0。 ( 5.所有二极管都是利用其正向特性进行工作的。 (
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考研专业课研发中心
《考研专业课高分资料》之模拟题
3.电路如图所示, (1) (2) (3) (4) 画出直流电路。 画出微变等效电路。 求出 AV、ri 和 ro 的值。 求出 AVS 的值。
4.图中给出的是某三极管的输出特性。 已知:ICM=20MA , BUCEO≥30V , PCM=100mW , 请在输出 特性上分别标出截止区、放大区、饱和区、过压区、过流区 和过损耗区,并估算 UCE=5V、IC=5mA 时管子的电流放大系数 β。
icm20mabuceo30vcm100mw请在输出特性上分别标出截止区放大区饱和区过压区过流区和过损耗区并估算uce5vi5ma时管子的电流放大系数14考研专业课研发中心五综合题本题36反馈元件是直流反馈吗是交流反馈吗是正反馈还是负反馈是电压反馈还是电流反馈是串联反馈还是并联反馈假设当输入电压幅值足够大时功放管可达到饱和且饱和压降ucesat可忽略估算电路的最大不失真输出功率
A 放大区中部;B 截止区;C 放大区但接近截止区;D 放大区但接近饱和区。 5.下述哪些类型的电路的输入阻抗大,输出阻抗小。 A 共射;B 共基;C 共集;D 共射—共基串接电路。 6.为消除截止失真,应( ) A 增大集电极电 RC ;B 改换大的管子;C 增大基极偏置电阻 Rb; D 减小基极偏置电阻 Rb。
重大模电试卷及答案
重庆大学《模拟电子技术(Ⅱ)》课程试卷A卷B卷2010 ~2011学年 第 1 学期开课学院: 电气 课程号:15012335考试日期: 2010-12-30 考试方式:开卷闭卷其他考试时间: 120 分钟 题号 一 二 三总分11 12 13 14 15 16 分值 20 10 10 12 12 12 12 12得分一、单项选择题:在下列各题中,将唯一正确的答案代码填入括号内(本大题共10小题,每空2分,共20分)1.欲得到电压-电流转换电路,应在集成运算放大电路中引入( )。
(a) 电压串联负反馈 (b )电流并联负反馈 (c )电流串联负反馈2. 图1为正弦波振荡电路,其反馈电压取自( )元件。
(a) L 1 (b) L 2 (c) C 13. 负反馈对放大器的影响是( )A 、减少非线性失真B 、增大放大倍数C 、收窄通频带图1 图24. 图2为单相桥式整流滤波电路,u 1为正弦波,有效值为U 1=20V ,f=50H Z 。
若实际测得其输出电压为28.28V ,这是由于( )的结果。
(a) C 开路 (b) R L 开路(c)C 的容量过小5. 图3为( )功率放大电路。
(a)甲乙类OCL (b)乙类OTL(c)甲乙类OTL6. 共模抑制比K CMR 是( )之比。
(a)输入量中的差模信号与共模信号 (b)输出量中的差模信号与共模信号(c)差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)。
7. PNP 管工作在饱和状态时,应使发射结正向偏置,集电结( )偏置。
(a )正向 (b) 反向 (c) 零向8.如图4电路,设二极管为理想元件,则电压U AB 为( )V 。
(a) 0 (b) 5 (c)-8图3 图49.抑制频率为100kHz 以上的高频干扰,应采用( )滤波电路。
(a)低通 (b)带通 (c)带阻10. U GS =0V 时,能够工作在恒流区的场效应管是( ) 。
(a) 结型管 (b) 增强型MOS 管 (c) 耗尽型MOS 管二、判断下列说法是否正确,凡对者打“ √ ”,错者打“ × ” (每小题2分,共10分)1.一个理想对称的差分放大电路,只能放大差模输入信号,不能放大共模输入信号。
模拟电子技术期末试卷8套及答案
《模拟电子技术》期末考试试卷1班级_ ______ 姓名___ ___ 分数___一.填空(25分)(1)本征硅中若掺入五价元素的原子,则多数载流子应是 ,掺杂越多,则其数量一定越 ,相反,少数载流子应是 ,掺杂越多,则其数量一定越 。
(2)把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 特性。
(3)当PN 结外加正向电压时,PN 结内多子 形成较大的正向电流。
(4)硅二极管的导通电压值约为 ,锗二极管的导通电压约为 。
(5)晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 区和 区。
(6)对于由三极管组成的放大电路而言,就其输入回路和输出回路的公共端不同,可以组成 、 、 三种组态。
(7)放大电路的频率特性是指 随信号频率而变,称为 特性,而输出信号与输入信号的 随信号频率而变,称为 特性。
(8)假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为un u u u A A A A ......321、、,那么多级放大电路的放大倍数u A =(9)要使电路产生稳定的振荡,必须满足 和 两个条件。
(10)小功率直流电源一般由四部分组成,分别是 、 、 和 。
二.选择题(每题2分,共 分)(1)为了减小输出电阻,应在放大电路中引入 ;为了稳定静态工作点,应在放大电路中引入 。
(A )电流负反馈 (B ) 电压负反馈 (C ) 直流负反馈 (D )交流负反馈(2)RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。
(A )感性 (B )阻性 (C )容性 (3)通用型集成运放的输入级多采用 。
(A )共基接法 共集接法 (C )共射接法 (D )差分接法(4)两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 。
(A )β (B ) β2 (C )2β (D )1+β(5)在(A )、(B )、(C )三种电路中输出电阻最小的电路是 ;既能放大电流,又能放大电压的电路是 。
(A )共基放大电路 (B ) 共集放大电路 (C ) 共射放大电路 (6)当NPN 型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为uCuBuE 。
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重庆大学模拟电子技术(II )答案
2007 ~2008 学年 第 一 学期
开课学院: 课程号:
考试日期:
一、 (20分)填空
1、N 型半导体中多数载流子是 电子 ,P 型半导体中多数载流子是 空穴 。
2、PN 结具有 单向 导电特性,其伏安特性的数学表达式是 )1(/-=t v v s e I I 。
3、双极型晶体管工作在放大状态是:发射结 正向偏置 ,集电结 反向偏置 。
4、双极型晶体管是温度的敏感元件,当温度升高时其参数I CBO 增大 ,V BE 减小 ,β 增大 。
5、通用集成运放的一般由输入级 、中间放大级 、输出级 、 偏置电路
组成,输入级的主要作用是 抑制共模信号 。
6、场效应管是一种 电压控制 元件,而晶体管是 电流控制
元件。
7、如果想要使放大电路的输出电流稳定,而且对信号源的影响减小,应
该在电路中引入 电流串联负 反馈,电路等效为 电压控制电流 型受控源。
9、有源滤波器按电路的幅频特性可分为低通滤波、 高通滤波 、
带通滤波 、带阻滤波和全通滤波五种。
10、正弦波振荡电路可以产生振荡的条件是 1=F A 。
二、 (10分)判断题 1、对单一正弦输入信号,放大电路输出信号产生的失真是由于电路中晶
体管的非线性引起的。
( √ )
2、集成运放工作在非线性区的两个特点是虚短和虚断。
( ⅹ )
3、串联稳压直流电源电路的调整管工作在放大状态。
( √ )
4、电路中只要引入负反馈就可以改善电路的性能。
( √ )
5、振荡电路中只要引入了负反馈,就不会产生振荡信号。
( ⅹ )
三、(20分)电路如图1所示,三极管是硅管,r bb ’=300Ω,β=100,U CES =1V 。
1、估算静态工作点(I B ,I C ,U CE );
2、画出微变等效电路;
3、求A U ,A US ,R i ,R o ;
4、求最大不失真输出幅度。
解:
1..V I R R V U mA A I I A R R V V I C E C CC CE B C E B BE cc B
2.11885.0)152.6(30)(2885.085.810085.815
1011007
.015)1(11=⨯+-=+-==⨯===⨯+-=++-=μβμβ (6分) 2. 略。
(3分)
3. 16
.62.68.32)//)1(//(35.6//)1(//27.326)1(212
1'-=+=Ω
=Ω=++=-=++-=Ω
=++=u i s i
us o E E be B i E E be L
C u E
bb be A R R R A k R k R R r R R R R r R R A k I m V r r ββββ (8分)
4. {}V R R R R R R R R I U U V C
L E E C L C L CQ CES CEQ omm 4.2////////),(min 21=+⋅-= (3分)
-V CC -15V
R L 6.2k
R S V S 1 命题人:唐治德
组题人:唐治德
审
题人:申利平
命题时间:
2007-11-11
教务处制
学院 专业、班 年级
学号 姓名
公平竞争、诚实守信、严肃考纪、拒绝作弊
封
线
密
四、(10分)电路如图2所示。
设运放A 的电源电压为+15V 和-15V ,稳压管是硅管,试画出该电路的传输特性。
解:
V V R R R V V V R R R V V
R R R V V V R R R V V OL th OH th Z OL Z OH 3)
32(23)32(2
9)32(3
7.09)32(37
.0-=+==+=-=++-==++=-
+ (8分) (2分)
五、(20分)分析如图3(a )所示的电路,回答下列问题:
1. 运放A1、A2、A3与相关元件组成何种电路?
2. 求各级运放的输出与信号输入的函数表达式;
3. 设t=0时刻电容电压为零,输入电压如图(b ),试绘出输出信号的波形。
t(S)
2 0
-2
(a)
(b)
图3
u I
u O
传输特性
解:
1. A1是单运放减法电路,A2是反响积分电路,A3是跟随器。
(3分)
2.
)
0()(2)0()(2)0()(2)(2511
)
(2)(1
30
1220
12220
12121212121o t
i i o t
i i o o o t
i i i i o o i i i i o u d u u u d u u u u u d u u dt u u dt u R C u u u u u R R u +--=+--==+--=--=⋅-=-=-=⎰⎰⎰⎰⎰τττ (12分)
3.
(5分)
六 、(10分)电路如图4所示。
设输入电压为正弦波,晶体管的饱和管压降
U CES =3V ,负载电阻R L =4Ω。
1、求解负载上可能获得的最大功率和效率。
2、若输入电压最大有效值为8V ,则负载上能够获得的最大功率是多少?
解 :
1. %
634182)(2
===⋅-=CC
om
CES CC om V V W
RL
U V P πη (6分)
2. W RL
V P o o 162
== (4分)
Ω
-15V t(S)
2 0 -2
(b) 图3
七、(10分)电路如图5所示。
设运放是理想的,求输入输出间的函数关系,并画出关系曲线。
解:
⎪⎩⎪
⎨⎧≤-=->=0
1
2
00i i i i o u u u R R u u (6分)
(4分)
图5。