模拟电子技术期末总复习
模拟电子技术期末复习资料共41页文档
60、生活的道路一旦选定,就要勇敢地 走到底 ,决不 回头。 ——左
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29、在一切能够接受法律支配的人类 的状态 中,哪 里没有 法律, 那里就 没有自 由。— —洛克
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30、风俗可以造就法律,也可以是现在、过 去和未 来文化 生活的 源泉。 ——库 法耶夫 57、生命不可能有两次,但许多人连一 次也不 善于度 过。— —吕凯 特 58、问渠哪得清如许,为有源头活水来 。—— 朱熹 59、我的努力求学没有得到别的好处, 只不过 是愈来 愈发觉 自己的 无知。 ——笛 卡儿
模拟电子技术期末复习资料
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26、我们像鹰一样,生来就是自由的 ,但是 为了生 存,我 们不得 不为自 己编织 一个笼 子,然 后把自 己关在 里面。 ——博 莱索
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27、法律如果不讲道理,即使延续时 间再长 ,也还 是没有 制约力 的。— —爱·科 克
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28、好法律是由坏风俗创造出来的。 ——马 克罗维 乌斯
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vi>VT+时,vo=VOL,vo在VT-处由VOL翻转为VOH。
第8章 直流稳压电源
考核知识点: 直流稳压电源组成;整流、滤波和稳压的概
念;桥式整流电容滤波电路结构及其分析 计算;串联稳压电路组成及输出电压的调 节范围计算;集成稳压器的使用。
串联负反馈 —— 增大输入电阻 并联负反馈 —— 减小输入电阻 电压负反馈 —— 减小输出电阻,稳定输出电压 电流负反馈 —— 增大输出电阻,稳定输出电流
特别注意表4.2.1的内容 负反馈对放大电路性能的改善,是以牺牲增
益为代价的,且仅对环内的性能产生影响。
end
4.3.1 放大电路引入负反馈的一般原则
由此可以得出结论:PN结具有单 向导电性。
判断二极管工作状态的方法:断开 二极管,利用戴维宁定理求出其阳 极至阴极间的电压,若该电压大于 正向导通电压,则导通;反之,则 截止。
晶体管的三个工作状态 1.放大状态: 特点:iC=βiB,即iC受iB控制,与v CE无关,呈近似恒流源性质。 外部条件:发射结正偏,集电结反偏。
N型半导体或 P型半导体整体呈中性。 杂质半导体的导电性能主要取决于多数载流子浓度, 多数载流子浓度取决于掺杂浓度,其值较大且稳定; 少数载流子浓度与本征激发有关,对温度敏感。
end
PN结加正向电压时,呈现低电阻, 具有较大的正向扩散电流,称为正向 导通。
PN结加反向电压时,呈现高电阻, 具有很小的反向漂移电流,称为反向 截止。
晶体管进入 iB/? A 截止区工作,
原因iB:/?静A 态工作点太低造;成截止失真。
波形:输出电压正半波平顶适(当对增N加PN基);
模拟电子技术期末复习试题及答案
《模拟电子技术》期末复习试题及参考答案一、填空题(每空1分,共32分)1、自由电子为()载流子,空穴为()载流子的杂质半导体称为()半导体。
2、PN结的单向导电性,就是PN结正偏时(),反偏时()。
3、扩展运动形成的电流是()电流,漂移运动形成的电流是()。
4、所谓理想二极管就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(),等效成开断。
5、场效应管的漏极电流I D=( ),所以它是()控制文件。
6、当温度升高时三极管的集电极电流IC(),电流放大系数β()。
7、为了提高三极管放大电路的输入电阻,采用()负反馈。
为了稳定输出电流,采用()负反馈。
8、负反馈使放大电路增益(),但()增益稳定性。
9、()称为负反馈深度,其中F=( ),称为()。
10、差模信号是大小(),极性(),差分电路不抑制()漂移。
11、甲乙类互补功率放大器,可以消除()类互补功率()失真。
12、用低频信号去改变高频信号的()称为调幅,高频信号称为()信号。
13、当频率升高时,晶体管电流放大系数()共基极电路比共射极电路的高频特性(),fδ=()fβ14、振荡电路的平衡条件是(),正反馈才能保证振荡电路的()。
15半波整流电路电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是()。
二、选择题(每空2分,共30分)1、三端集成稳压器CW7906的输出电压是()A -6VB -9vC -12v2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是(),该管是()型。
A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为()失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为()失真。
A 饱和B 截止C交越D频率4、差分放大电路是为了()而设置的。
A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移5、K MCR是差分放大电路的一个主要技术指标,它反映放大电路()能力。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是自由电子;在P型半导体中,多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类,它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入共射(共射、共集、共基)组态放大电路。
4、在多级放大器中,中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的(b)组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入( c )后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2-104、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( b )。
A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况5、集成运放中间级的作用是( c )。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( a )的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。
《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)
《模拟电子技术》期末考试复习题班级:学号:姓名:成绩:一、填空题1.硅二极管导通时的正向管压降约为____ V,锗二极管导通时的管压降约为____ V。
二极管的两端加正向电压时,有一段死区电压,锗管约为____V,硅管约为____V。
0.70.30.20.52.半导体具有____特性、____特性和____的特性。
掺杂热敏光敏3.电路中流过二极管的正向电流过大,二极管将会____;如果施加在二极管两端的反向电压过高,二极管将会____。
烧坏(开路)击穿(短路)4.使用二极管时,应考虑的主要参数是________和________。
最大整流电流(额定电流)最高反向工作电压(耐压)5.理想二极管的特点是正向导通时管压降为____,反向截止时反向电流为____。
0V0A6.用万用表测量二极管的正反向电阻时,若正、反向电阻均接近于零,则表明该二极管已____;若正、反向电阻均接近于无穷大,则表明二极管已____。
击穿烧坏7.在晶体管中,I E与I B、I C的关系为_________。
I E=I B+I C8.示波器是电子技术中常用的测量仪器,用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。
波形频率大小相位9.硅晶体管发射结的死区电压约为_____V,锗晶体管发射结的死区电压约为____V。
晶体管处在正常放大状态时,硅管发射结的导通电压约为_____V,锗管发射结的导通电压约为____V。
0.50.20.70.310.某晶体管的U CE不变,基极电流I B =30μA时,集电极电流I C =1. 2mA,则发射极电流I E =____ mA,若基极电流I B增大到50μA时,I C增大到2mA,则发射极电流I E =_____mA,晶体管的电流放大系数β=_____。
1.23mA2.05mA4011.用万用表测量晶体管时,应将万用表置于_____挡,并进行_____。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是;在P型半导体中,多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类,它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入(共射、共集、共基)组态放大电路。
4、在多级放大器中,中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的()组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2-10 4、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( )。
A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是( )。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( )的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选( )负反馈。
模拟电子技术期末复习总结
故VT1工作在放大区。欲使VT2也工作在放大区,需
U CQ V C 2 C ICR Q 4 2 U BQ 4 2 V
R4
VCCUBQ18k
ICQ2
h
R4max8k 10
s
解: 1 Rs//Rb1rbb //rbe Cbe 0.14u5s 2 Rc1//Rb2rbb //rbe Cbe 0.97us
Rc
(1)Re
Rc
Au
Rb rbe Rbrbe(1)Re rbe (1)Re
(反相,大) (同相,1) (同相,大)
Ri
Rb rbe
(中)
R brb e(1 )R e
Re
rbe 1
(最大)
(最小)
Ro
RC
(大 )
Re
//
Rb rb 1
e
(最小)
RC (大 )
h
8
1.放大电路如图所示。设VT1、VT2特性相同,且UBE=0.7V, 电源电压VCC=12V,电阻R1=34k,R2=10k,R5=20k, R6=10k,现要求静态工作电流ICQ2=1mA,且VT1、VT2均 应工作在放大区。 1)电阻R3应选多大? 2)电阻R4的阻值有无限制?若有,其极限值为多大?
2ro
ro rbe 20
输出方式
Rid R ic Ro
双出
单出
2 rbe
12[rbe(1)2ro]
2 Rc
Rc h
双出
单出
2 rbe
12[rbe(1)2ro]
2 Rc
R c 21
FET差分式放大电路
比例电流源
h
22
FET几种方式指标比较(AVD)
双入(单入)双出 双入(单入)单出
模拟电子技术期末总复习
MOS电路的根本单元电路
1MOS管简化的交流小信号模型
G + Ugs
-
Id D
gmU gs
+ rds UdS
-
S
2MOS管三种组态放大器的特性比较
电路组态
共源(CS) 共漏(CD)
共栅(CG)
性能特点
电压增益AU
Uo Ui
gmRL' 1 gmRs
(RL' RD //rds // RL)
半导体器件根底
2.3 PN结反向击穿特性 〔1〕电击穿〔可逆〕 雪崩击穿-发生在掺杂浓度较低、反压较高
〔>6V〕的PN结中。 齐纳击穿-发生在掺杂浓度较高、反压不太高
〔<6V〕的PN结中。 〔2〕热击穿〔不可逆,会造成永久损坏〕
半导体器件根底
2.4 PN结电容 势垒电容CT: 扩散电容CD:
• PN结总电容Cj=CT+CD • PN结正偏时,以扩散电容为主; • PN结反偏时,以势垒电容为主。
高频段AU下降的原因:管子结电容及分布电容分流作用的影响。 •频率失真
包括幅度频率失真和相位频率失真,属线性失真
双极型电路的根本单元电路
、CB、CC三种组态放大电路的分析
〔1〕CE放大电路
电压增益:
AU U R R RRR U o i i L' ( L' C/ / L) ( 需 看 射 极 是 否 有 偏 置 电 阻 及 旁 路 电 容 )
体管。 据交流等效电路求:AU、AI、Ri(Ri’)、
RO(Ro’)、fL、fH
双极型电路的根本单元电路
3晶体管模型 〔1〕h模型〔属低、中频模型〕 h参数等效电路
Ib +
模拟电子技术基础-总复习最终版
其中 RP R1 // R2 // R3 // R4
另外,uN
R R Rf
uo,uN
uP
ui1 R1 ui2i1 R2 ui3i2R3
P+ + u
o
R4 i4
uo
RP 1
Rf R
ui1 R1
ui 2 R2
ui3 R3
i3
4、 电路如图所示,各引入那种组态的负反馈?设集成运放 输出电压的最大幅值为±14V,填表。
11
14
5、求解图示电路的运算关系式。
同相求和电路 电压串联负反馈
6、求解图示电路的运算关系式。
R2
R1 ui R3
_
R4
+A1+ uo1
R5
_ +A2+
uo
7、求解图示电路的运算关系式。
电压并联负反馈。 电压放大倍数为:-R2/R1。
(3)交流负反馈是指 。 A.阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 B.只有放大交流信号时才有的负反馈 C.在交流通路中存在的负反馈
解:(1)D (2)B (3)C
4、选择合适答案填入空内。
A.电压 B.电流 C.串联 D.并联
(1)为了稳定放大电路的输出电压,应引入 负反馈;
(2)为了稳定放大电路的输出电流,应引入 负反馈;
解:将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路,图略。 各电路的交流通路如解图P2.2所示。
5.在图示电路中,已知晶体管β,rbe,RB,RC=RL,VCC。
(1)估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
(2)当考虑信号源内阻为RS时,Aus的数值。
6. 电路如图所示,晶体管的=100,=100Ω。
模拟电子技术复习试题及答案解析
一、填空题:(要求)1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。
制造这些器材的主要材料是半导体,例如和等。
半导体中中存在两种载流子:和。
纯净的半导体称为,它的导电能力很差。
掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。
杂质半导体分为两种:型半导体——多数载流子是;型半导体——多数载流子是。
当把P型半导体和N型半导体结合在一起时,在两者的交界处形成一个结,这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区:区、区和区。
为了对输入信号进行线形放大,避免产生严重的非线形性失真,应使三极管工作在区。
当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真,当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。
3、半导体二极管就是利用一个加上外壳,引出两个电极而制成的。
它的主要特点是具有性,在电路中可以起整流和检波等作用。
半导体二极管工作在区时,即使流过管子的电流变化很大,管子两端的电压变化也很小,利用这种特性可以做成。
4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流,是一种控制器件。
场效应管分为型和型两大类。
5、多极放大电路常用的耦合方式有三种:耦合、耦合和耦合。
6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体,加入价元素可形成P型半导体。
7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。
8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。
正反馈使放大倍数;负反馈使放大倍数;但其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作用是,交流负反馈能够。
9、电压负反馈使输出保持稳定,因而了放大电路的输出电阻;而电流负反馈使输出保持稳定,因而了输出电阻。
串联负反馈了放大电路的输入电阻;并联负反馈则了输入电阻。
在实际的负反馈放大电路中,有以下四种基本的反馈组态:式、式、式和式。
10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起,可以组成带通滤波器;将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起,可以组成带阻滤波器。
模拟电子技术基础期末复习总结
第一章本征半导体:完全纯净、结构完整的半导体晶体称为本征半导体。
其特点:在外部能量激励下产生本征激发,成对产生电子和空穴;电子和空穴均为载流子,空穴是一种带正电的粒子;温度越高,电子和空穴对的数目越多。
两种掺杂半导体:N型半导体:电子是多子,空穴是少子;还有不能自由移动的正离子。
P型半导体:空穴是多子,电子是少子;还有不能自由移动的负离子。
二极管PN结及其单向导电性(正反接法,特点)二极管的伏安特性(画伏安特性曲线)二极管主要参数稳压管三极管类型:NPN型、PNP型;硅管、锗管。
三种工作状态:(特例NPN型)放大状态:发射结正向偏置,集电结反向偏置;(U BE>0,U BC<0,)饱和状态:发射结和集电结均正向偏置;(U BE>0,U BC>0,)截止状态:发射和集电结均反向偏置;(U BE<0,U BC<0),三个工作区:放大区:晶体管于放大状态,i c= i b有放大作用;饱和区:晶体管工作于饱和状态,i c主要受的影响u ce,无放大作用;截止区:晶体管工作于截止状态,i c≈0,无放大作用。
基本放大电路的组成原则:直流偏置:发射结正向偏置,集电极反向偏置;信号的输入和输出:信号源及负载接入放大电路时,就不影响晶体管原有的直流偏置,仍应保持发射结正偏,集电结反偏。
要求隔“直”,又能使信号顺利通过。
放大电路的主要性能指标有:电压放大倍数AU、输入电阻Ri,输出电阻Ro,频带宽度fbw,全谐波失真度D及动态范围Uop-p等。
三种基本分析方法:估算法:也称近似计算法,用于静态工作点的计算。
分析过程为:画直流通路,由直流通路列出输入回路的直流负载方程,并设UBEQ值(硅管(NPN)为0.6V或0.7V,锗管(PNP)为0.2V,0.3V),代入方程,求出静态工作点。
图解法:微变等效电路法:半导体三极管的偏置与电流分配: 1、 当晶体管工作在放大区时:电极电位的特点:NPN 型的(U C >U B >U E );PNP 型的U C <U B <U E 。
模拟电子技术基础期末复习总结
模拟电子技术基础期末复习总结内部编号:(YUUT-TBBY-MMUT-URRUY-UOOY-DBUYI-0128)本征半导体:完全纯净、结构完整的半导体晶体称为本征半导体。
其特点:在外部能量激励下产生本征激发,成对产生电子和空穴;电子和空穴均为载流子,空穴是一种带正电的粒子;温度越高,电子和空穴对的数目越多。
两种掺杂半导体:N型半导体:电子是多子,空穴是少子;还有不能自由移动的正离子。
P型半导体:空穴是多子,电子是少子;还有不能自由移动的负离子。
二极管PN结及其单向导电性(正反接法,特点)二极管的伏安特性(画伏安特性曲线)二极管主要参数稳压管三极管类型:NPN型、PNP型;硅管、锗管。
三种工作状态:(特例NPN型)放大状态:发射结正向偏置,集电结反向偏置;(UBE >0,UBC<0,)饱和状态:发射结和集电结均正向偏置;(UBE >0,UBC>0,)截止状态:发射和集电结均反向偏置;(UBE <0,UBC<0),三个工作区:放大区:晶体管于放大状态,ic = ib有放大作用;饱和区:晶体管工作于饱和状态,ic 主要受的影响uce,无放大作用;截止区:晶体管工作于截止状态,ic≈0,无放大作用。
基本放大电路的组成原则:直流偏置:发射结正向偏置,集电极反向偏置;信号的输入和输出:信号源及负载接入放大电路时,就不影响晶体管原有的直流偏置,仍应保持发射结正偏,集电结反偏。
要求隔“直”,又能使信号顺利通过。
放大电路的主要性能指标有:电压放大倍数AU、输入电阻Ri,输出电阻Ro,频带宽度fbw,全谐波失真度D及动态范围Uop-p等。
三种基本组态的判别三种基本分析方法:估算法:也称近似计算法,用于静态工作点的计算。
分析过程为:画直流通路,由直流通路列出输入回路的直流负载方程,并设UBEQ值(硅管(NPN)为或,锗管(PNP)为,),代入方程,求出静态工作点。
图解法:微变等效电路法:半导体三极管的偏置与电流分配:1、当晶体管工作在放大区时:电极电位的特点:NPN型的(UC >UB>UE);PNP型的UC<UB<UE。
模拟电子技术基础期末复习
一、填空1. 二极管最主要的特性是(),反映正向特性的的两个主要参数是()。
2. 三极管工作在三个区域的条件是:放大区(),饱和区()截止区()。
3. 场效应管从结构上分成()和()两大类型,它属于()控制型器件。
4. 集成运算放大器是一种采用()耦合方式的放大电路,最常见的问题是()。
5. 差动放大电路的基本功能是对差模信号的()作用和对共模信号的()作用。
6. 小功率直流稳压电源由变压器、()、()、()四部分组成。
7. 用一只万用表不同的欧姆档测得某个二极管的电阻分别为250Ω和1.8KΩ,产生这种现象的原因是。
8. 测得某NPN管的VBE=0.7V,VCE=0.2V,由此可判断它工作在区。
9. 放大电路的互补输出的采用共集形式是为了使。
10. 在放大电路中为了稳定静态工作点,应引入反馈,稳定放大倍数,应引入反馈,改输入和输出电阻,应引入反馈,展宽频带应引入反馈。
11. 为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用滤波。
12. 比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地,而比例运算电路中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。
13. 功率放大电路与电压放大电路的区别是。
14. 在直流稳压电路中,变压的目的是,整流的目的是,滤波的目的是,稳压的目的是。
15. 试决定下列情况应选用的滤波器类型。
当有用信号频率低于500Hz时,宜选用;当希望抑制50Hz交流电源干扰时,宜选用;当希望抑制1KHz以下的信号时,宜选用。
16. 对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路,若希望电压放大,可选用组态,若希望带负载能力强,应选用组态,若希望从信号源索取电流小,应选用组态,若希望高频性能好,应选用组态。
17. 电流源电路在集成运放中,常作为电路和电路;前者的作用是,后者的作用是。
18. 差分放大电路有种输入输出连接方式,其差模电压增益与方式有关,与方式无关。
19. 已知放大电路输入信号电压为1mV,输出电压为1V,加入负反馈后,为达到同样输出时需要的输入信号为10mV,该电路的反馈深度为,反馈系数为。
模拟电子技术期末考试复习资料
《模拟电子技术》课程综合复习资料一、判断题1.P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。
答案:错2.阻容耦合放大电路只能放大交流信号,不能放大直流信号。
答案:对3.同相求和电路跟同相比例电路一样,各输入信号的电流几乎等于零。
答案:错4.差动放大电路可以放大共模信号,抑制差模信号。
答案:错5.共集电极放大电路放大动态信号时输入信号与输出信号相位相反。
答案:错一、单选题1.测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为UE =3V,UB=3.7V,UC=3.3V,则该管工作在()。
A.放大区B.饱和区C.截止区D.击穿区答案:B2.放大器的增益是随着输入信号频率的改变而改变的,当输入信号的频率为Hf时,放大器增益的幅值将()。
A.降为1B.降为中频时的1/2倍C.降为中频时的1/D.降为中频时的倍答案:C3.三级放大电路中Av1=Av2=10dB,Av3=15dB,则总的电压增益为()dB。
A.35C.45D.60答案:A4.某三极管各个电极的对地电位如图所示,可判断其工作状态是()。
A.放大B.饱和C.截止D.已损坏答案:D5.二极管电路如图所示,判断图中二极管是导通还是截止后,可确定电路的输出电压Vo为()。
(设二极管的导通压降为0.7V)A.-5VB.-4.3VC.-5.7VD.-10V答案:C6.测得图示放大电路中晶体管各电极的直流电位如图所示,由此可知该管为()。
A.Ge,PNP管B.Ge,NPN管C.Si,PNP管D.Si,NPN管答案:B7.在单级放大电路中,若输入电压为正弦波形,用示波器观察vo和vi的波形,当放大电路为共集电极放大电路时,则vo和vi的相位()。
A.同相B.反相C.相差90D.不定答案:A8.在单级放大电路中,若输入电压为正弦波形,用示波器观察vo和vi的波形,当放大电路为共发射放大电路时,则vo和vi的相位()。
A.同相B.反相C.相差90D.不定答案:B9.理想运放的开环差模增益AOd为()。
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• IC、IB 、IE的关系:IC+IB=IE
α和β的关系:
1
1
半导体器件基础
5.3晶体管的参数)
1.直流参数:
(1)直流电流放大系数:α(共基)、β (共射)随ICQ变化
(2)极间反向饱和电流:ICBO、ICEO、IEBO(越小越好) 2.交流参数:
(1)交流电流放大系数:(共基)、 (共射)随ICQ变化
《模拟电子技术》 期末总复习
总要求: 抓住基本概念基本知识和基本分析 方法; 注重知识的综合应用。
半导体器件基础
1.1半导体特性 • 掺杂可改变和控制半导体的电阻率 • 温度可改变和控制半导体的电阻率 • 光照可改变和控制半导体的电阻1.2 本征
半导体 • 排列整齐、纯净的半导体称为本征半导体。 • 两种载流子(电子、空穴),成对出现。 • 在电场作用下,载流子作定向运动形成漂
半导体器件基础
2.4 PN结电容 势垒电容CT: 扩散电容CD:
• PN结总电容Cj=CT+CD • PN结正偏时,以扩散电容为主; • PN结反偏时,以势垒电容为主。
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3半导体二极管 3.1二极管伏安特性(单向导电性) :
I D I s (eUD /UT 1)
{ •门限电压Ur
硅管: Ur0.5 锗管: Ur0.1
耗尽型: uGS与uDS极性相反。
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4.5 FET的主要参数 1.直流参数
• 阈值电压:(增强型)开启电压UGS,th;(耗尽型)夹断电压UGS,off 。 • 饱和漏电流IDSS:耗尽型FET参数(uGS=0,uDS=10V时测得)
• 直流输入电阻:JFET: RGS=108~1012, MOSFET: RGS=1010~1015
2.交流参数 • 跨导gm: 转移特性曲线在Q点处的切线斜率
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4.5 FET的主要参数 3.极限参数 • 栅源击穿电压UGS,B • 漏源击穿电压UDS,B • 最大漏极耗散功率PDM 4.6 FET的特点 (1)单极型器件(多子导电) (2)电压控制器件 (3)输入电阻极高(>108 ) (4)噪声低,以JFET噪声最低 (5)正常工作条件下,D、S极可互换使用。
(2)特征频率fT:随f增加而下降到1时对应的频率。 3.极限参数: (1)集电极最大允许电流ICM (2)反向击穿电压:UCBO,B>UCEO,B>>UEBO,B (3)集电极最大允许耗散功率PCM:实际使用时Pc<PCM
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5.4温度对晶体管参数的影响
{ } ICBO (1倍/10°C)
• T (0.5%~1%/ °C ICQ UBEO (-2.5mV/ °C)
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4场效应管 4.1分类
N沟道JFET
{ JFET P沟道JFET
FET
N沟道增强型MOSFET
{ { MOSFET
N沟道耗尽型MOSFET P沟道增强型MOSFET
P沟道耗尽型MOSFET
(学会判断类型)
形成漂移电流。
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2.1PN结 • 形成过程:扩散扩散、漂移扩散=漂移
•导通电压 硅(Si): U 0.6 ~ 0.8V
锗(Ge): U 0.2 ~ 0.3V 2.2 PN结伏安特性
(1)加正向电压:扩散>漂移,(耗尽层变窄)正向电流II eU D /UT s
(2)加反向电压:扩散<漂移, (耗尽层变宽 )
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4.2MOSFET
1.增强型MOSFET
•可变电阻区:
Ron
1
2K
(uGS
1
U GS ,th )
•恒流区: iD K(uGS UGS,th )2
静态偏置电压:
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4.2MOSFET
2.耗尽型MOSFET • 可变电阻区: Ron
1 2K
(uGS
1 U GS,off
{ 硅管: IsnA级
•反向饱和电流Is 锗管: IsA级
•电压当量(室温下): UT 26mV
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3.2二极管的等效电阻 • 等效电阻为非线性电阻,与工作点有关。
•
直流电阻:
RD
UQ IQ
交流电阻:
rD
26 mV IQ
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3.3 二极管的主要参数 • 最大正向平均电IF; • 最大反向工作电压URM; • 反向电流IR; • 最高工作频率fM。 3.4 稳压二极管(利用电击穿特性) • 稳压条件: • 反向运用, • Iz,min<Iz<Iz,max,(或偏压大于稳压电压) • 加限流电阻R
)
•恒流区: iD K(uGS UGS,off )2
或
iD
I
DSS
(1
uGS U GS,off
)2
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4.3 JFET(属耗尽型)
• 恒流区:
转移特性数学表示式与耗尽型MOSFET 相似,即:
iD
I
DSS
(1
uGS U GS,off
)2
4.4各种FET的电压极性 •N沟道:uDS加“+” ;P沟道:uDS加“-”。 •增强型:uGS与uDS极性相同;
双极型电路的基本单元电路
5.2构成放大器原则 (1)晶体管正向运用(基极、发射极做输入) (2)要有直流通路 (要有合理的偏置:发射结正偏,
反向电流 Ir Is
(3) PN结电流方程: I Is (eUD /UT 1)
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2.3 PN结反向击穿特性 (1)电击穿(可逆) • 雪崩击穿-发生在掺杂浓度较低、反压较
高(>6V)的PN结中。 • 齐纳击穿-发生在掺杂浓度较高、反压不
太高(<6V)的PN结中。 (2)热击穿(不可逆,会造成永久损坏)
移电流。
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1.3杂质半导体 (1)N型半导体(本征半导体+5价元素)
电子为多数载流子,空穴为少数载流子 (2) P型半导体(本征半导体+3价元素)
电子为少数载流子,空穴为多数载流子 1.4载流子的扩散与漂移运动 • 扩散运动是由于载流子浓度差产生的。
扩散运动形成扩散电流 • 漂移运动在电场作用下产生的。漂移运动
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5双极型晶体管
5.1 晶体管的四种运用状态 • 放大状态:发射结正偏,集电结反偏 • 饱和状态:发射结正偏、集电结反偏电压
不够 • 截止状态:发射结、集电结均为反偏
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5.2晶体管的电流分配关系 • 共基组态: IC IE ICBO IE
• 共射组态: IC IB ICEO IB