模拟电子技术期末总复习

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模拟电子技术期末复习资料共41页文档

拉
60、生活的道路一旦选定，就要勇敢地走到底，决不回头。 ——左
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29、在一切能够接受法律支配的人类的状态中，哪里没有法律，那里就没有自由。— —洛克
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30、风俗可以造就法律，也可以是现在、过去和未来文化生活的源泉。 ——库法耶夫 57、生命不可能有两次，但许多人连一次也不善于度过。— —吕凯特 58、问渠哪得清如许，为有源头活水来。—— 朱熹 59、我的努力求学没有得到别的好处，只不过是愈来愈发觉自己的无知。 ——笛卡儿
模拟电子技术期末复习资料
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26、我们像鹰一样，生来就是自由的，但是为了生存，我们不得不为自己编织一个笼子，然后把自己关在里面。 ——博莱索
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27、法律如果不讲道理，即使延续时间再长，也还是没有制约力的。— —爱·科克
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28、好法律是由坏风俗创造出来的。 ——马克罗维乌斯

模拟电子技术总复习

反相输入迟滞比较器： vi<VT-时，vo=VOH，vo在VT+处由VOH翻转为VOL;
vi>VT+时，vo=VOL，vo在VT-处由VOL翻转为VOH。
第8章直流稳压电源
考核知识点：直流稳压电源组成；整流、滤波和稳压的概
念；桥式整流电容滤波电路结构及其分析计算；串联稳压电路组成及输出电压的调节范围计算；集成稳压器的使用。
串联负反馈 —— 增大输入电阻并联负反馈 —— 减小输入电阻电压负反馈 —— 减小输出电阻，稳定输出电压电流负反馈 —— 增大输出电阻，稳定输出电流
特别注意表4.2.1的内容负反馈对放大电路性能的改善，是以牺牲增
益为代价的，且仅对环内的性能产生影响。
end
4.3.1 放大电路引入负反馈的一般原则
由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。
判断二极管工作状态的方法：断开二极管，利用戴维宁定理求出其阳极至阴极间的电压，若该电压大于正向导通电压，则导通；反之，则截止。
晶体管的三个工作状态 1.放大状态：特点：iC=βiB，即iC受iB控制，与v CE无关，呈近似恒流源性质。外部条件：发射结正偏，集电结反偏。
N型半导体或 P型半导体整体呈中性。杂质半导体的导电性能主要取决于多数载流子浓度，多数载流子浓度取决于掺杂浓度，其值较大且稳定；少数载流子浓度与本征激发有关，对温度敏感。
end
PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流，称为正向导通。
PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流，称为反向截止。
晶体管进入 iB/? A 截止区工作，
原因iB：/?静A 态工作点太低造；成截止失真。
波形：输出电压正半波平顶适（当对增N加PN基）；

模拟电子技术期末复习试题及答案

《模拟电子技术》期末复习试题及参考答案一、填空题（每空1分，共32分）1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。

2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。

3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。

4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。

5、场效应管的漏极电流I D=( ),所以它是（）控制文件。

6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β（）。

7、为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用（）负反馈。

为了稳定输出电流，采用（）负反馈。

8、负反馈使放大电路增益（），但（）增益稳定性。

9、（）称为负反馈深度，其中F=( ),称为（）。

10、差模信号是大小（），极性（），差分电路不抑制（）漂移。

11、甲乙类互补功率放大器，可以消除（）类互补功率（）失真。

12、用低频信号去改变高频信号的（）称为调幅，高频信号称为（）信号。

13、当频率升高时，晶体管电流放大系数（）共基极电路比共射极电路的高频特性（），fδ=（）fβ14、振荡电路的平衡条件是（），正反馈才能保证振荡电路的（）。

15半波整流电路电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（）。

二、选择题（每空2分，共30分）1、三端集成稳压器CW7906的输出电压是（）A -6VB -9vC -12v2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）型。

A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。

共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。

A 饱和B 截止C交越D频率4、差分放大电路是为了（）而设置的。

A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移5、K MCR是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（）能力。

《模拟电子技术》复习题题库10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。

2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。

4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。

6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。

7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。

A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。

A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。

A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。

A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。

《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)

《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。

二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。

0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。

掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。

烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。

最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。

0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。

击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。

I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。

波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。

晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。

0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。

1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。

(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。

2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。

4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。

6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。

7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（）。

A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（）。

A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。

A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（）的值。

A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。

A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（）负反馈。

模拟电子技术期末复习总结

故VT1工作在放大区。欲使VT2也工作在放大区，需
U CQ V C 2 C ICR Q 4 2 U BQ 4 2 V
R4
VCCUBQ18k
ICQ2
h
R4max8k 10
s
解： 1 Rs//Rb1rbb //rbe Cbe 0.14u5s 2 Rc1//Rb2rbb //rbe Cbe 0.97us
Rc
(1)Re
Rc
Au
Rb rbe Rbrbe(1)Re rbe (1)Re
（反相,大）（同相，1）（同相,大）
Ri
Rb rbe
(中)
R brb e(1 )R e
Re
rbe 1
（最大）
（最小）
Ro
RC
(大 )
Re
//
Rb rb 1
e
（最小）
RC (大 )
h
8
1.放大电路如图所示。设VT1、VT2特性相同，且UBE＝0.7V，电源电压VCC＝12V，电阻R1＝34k，R2＝10k，R5＝20k， R6＝10k，现要求静态工作电流ICQ2＝1mA，且VT1、VT2均应工作在放大区。 1)电阻R3应选多大？ 2)电阻R4的阻值有无限制？若有，其极限值为多大？
2ro
ro rbe 20
输出方式
Rid R ic Ro
双出
单出
2 rbe
12[rbe(1)2ro]
2 Rc
Rc h
双出
单出
2 rbe
12[rbe(1)2ro]
2 Rc
R c 21
FET差分式放大电路
比例电流源
h
22
FET几种方式指标比较（AVD）
双入（单入）双出双入（单入）单出

模拟电子技术期末总复习

源电路
MOS电路的根本单元电路
1MOS管简化的交流小信号模型
G + Ugs
－
Id D
gmU gs
+ rds UdS
－
S
2MOS管三种组态放大器的特性比较
电路组态
共源（CS）共漏(CD)
共栅(CG)
性能特点
电压增益AU
Uo Ui
gmRL' 1 gmRs
(RL' RD //rds // RL)
半导体器件根底
2.3 PN结反向击穿特性〔1〕电击穿〔可逆〕雪崩击穿－发生在掺杂浓度较低、反压较高
〔>6V〕的PN结中。齐纳击穿－发生在掺杂浓度较高、反压不太高
〔<6V〕的PN结中。〔2〕热击穿〔不可逆，会造成永久损坏〕
半导体器件根底
2.4 PN结电容势垒电容CT: 扩散电容CD:
• PN结总电容Cj=CT+CD • PN结正偏时，以扩散电容为主； • PN结反偏时，以势垒电容为主。
高频段AU下降的原因：管子结电容及分布电容分流作用的影响。 •频率失真
包括幅度频率失真和相位频率失真，属线性失真
双极型电路的根本单元电路
、CB、CC三种组态放大电路的分析
〔1〕CE放大电路
电压增益：
AU U R R RRR U o i i L' ( L' C/ / L) ( 需看射极是否有偏置电阻及旁路电容）
体管。据交流等效电路求：AU、AI、Ri(Ri’)、
RO(Ro’)、fL、fH
双极型电路的根本单元电路
3晶体管模型〔1〕h模型〔属低、中频模型〕 h参数等效电路
Ib +

模拟电子技术基础-总复习最终版

其中 RP R1 // R2 // R3 // R4
另外，uN
R R Rf
uo，uN
uP
ui1 R1 ui2i1 R2 ui3i2R3
P+ + u
o
R4 i4
uo
RP 1
Rf R
ui1 R1
ui 2 R2
ui3 R3
i3
4、电路如图所示，各引入那种组态的负反馈？设集成运放输出电压的最大幅值为±14V，填表。
11
14
5、求解图示电路的运算关系式。
同相求和电路电压串联负反馈
6、求解图示电路的运算关系式。
R2
R1 ui R3
_
R4
+A1+ uo1
R5
_ +A2+
uo
7、求解图示电路的运算关系式。
电压并联负反馈。电压放大倍数为：-R2/R1。
（3）交流负反馈是指。 A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 B．只有放大交流信号时才有的负反馈 C．在交流通路中存在的负反馈
解：（1）D （2）B （3）C
4、选择合适答案填入空内。
A．电压 B．电流 C．串联 D．并联
（1）为了稳定放大电路的输出电压，应引入负反馈；
（2）为了稳定放大电路的输出电流，应引入负反馈；
解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。各电路的交流通路如解图P2.2所示。
5.在图示电路中，已知晶体管β，rbe，RB，RC=RL，VCC。
（1）估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
（2）当考虑信号源内阻为RS时，Aus的数值。
6. 电路如图所示，晶体管的＝100，=100Ω。

模拟电子技术复习试题及答案解析

一、填空题：（要求）1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。

制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。

半导体中中存在两种载流子：和。

纯净的半导体称为，它的导电能力很差。

掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。

杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是；型半导体——多数载流子是。

当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。

2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。

为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区。

当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。

3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。

它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。

半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。

4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。

场效应管分为型和型两大类。

5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。

6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。

7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。

8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。

正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。

直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。

9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出保持稳定，因而了输出电阻。

串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。

在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。

10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。

模拟电子技术基础期末复习总结

第一章本征半导体：完全纯净、结构完整的半导体晶体称为本征半导体。

其特点：在外部能量激励下产生本征激发，成对产生电子和空穴；电子和空穴均为载流子，空穴是一种带正电的粒子；温度越高，电子和空穴对的数目越多。

两种掺杂半导体：N型半导体：电子是多子，空穴是少子；还有不能自由移动的正离子。

P型半导体：空穴是多子，电子是少子；还有不能自由移动的负离子。

二极管PN结及其单向导电性（正反接法，特点）二极管的伏安特性（画伏安特性曲线）二极管主要参数稳压管三极管类型：NPN型、PNP型；硅管、锗管。

三种工作状态：（特例NPN型）放大状态：发射结正向偏置，集电结反向偏置；（U BE>0,U BC<0,）饱和状态：发射结和集电结均正向偏置；（U BE>0,U BC>0,）截止状态：发射和集电结均反向偏置；(U BE<0,U BC<0),三个工作区：放大区：晶体管于放大状态，i c= i b有放大作用；饱和区：晶体管工作于饱和状态，i c主要受的影响u ce，无放大作用；截止区：晶体管工作于截止状态，i c≈0,无放大作用。

基本放大电路的组成原则：直流偏置：发射结正向偏置，集电极反向偏置；信号的输入和输出：信号源及负载接入放大电路时，就不影响晶体管原有的直流偏置，仍应保持发射结正偏，集电结反偏。

要求隔“直”，又能使信号顺利通过。

放大电路的主要性能指标有：电压放大倍数AU、输入电阻Ri，输出电阻Ro，频带宽度fbw，全谐波失真度D及动态范围Uop-p等。

三种基本分析方法：估算法：也称近似计算法，用于静态工作点的计算。

分析过程为：画直流通路，由直流通路列出输入回路的直流负载方程，并设UBEQ值（硅管（NPN）为0.6V或0.7V，锗管（PNP）为0.2V，0.3V），代入方程，求出静态工作点。

图解法：微变等效电路法：半导体三极管的偏置与电流分配： 1、当晶体管工作在放大区时：电极电位的特点：NPN 型的(U C >U B >U E );PNP 型的U C <U B <U E 。

模拟电子技术基础期末复习总结

模拟电子技术基础期末复习总结内部编号：（YUUT-TBBY-MMUT-URRUY-UOOY-DBUYI-0128）本征半导体：完全纯净、结构完整的半导体晶体称为本征半导体。

两种掺杂半导体：N型半导体：电子是多子，空穴是少子；还有不能自由移动的正离子。

P型半导体：空穴是多子，电子是少子；还有不能自由移动的负离子。

二极管PN结及其单向导电性（正反接法，特点）二极管的伏安特性（画伏安特性曲线）二极管主要参数稳压管三极管类型：NPN型、PNP型；硅管、锗管。

三种工作状态：（特例NPN型）放大状态：发射结正向偏置，集电结反向偏置；（UBE >0,UBC<0,）饱和状态：发射结和集电结均正向偏置；（UBE >0,UBC>0,）截止状态：发射和集电结均反向偏置；(UBE <0,UBC<0),三个工作区：放大区：晶体管于放大状态，ic = ib有放大作用；饱和区：晶体管工作于饱和状态，ic 主要受的影响uce，无放大作用；截止区：晶体管工作于截止状态，ic≈0,无放大作用。

要求隔“直”，又能使信号顺利通过。

放大电路的主要性能指标有：电压放大倍数AU、输入电阻Ri，输出电阻Ro，频带宽度fbw，全谐波失真度D及动态范围Uop-p等。

三种基本组态的判别三种基本分析方法：估算法：也称近似计算法，用于静态工作点的计算。

分析过程为：画直流通路，由直流通路列出输入回路的直流负载方程，并设UBEQ值（硅管（NPN）为或，锗管（PNP）为，），代入方程，求出静态工作点。

图解法：微变等效电路法：半导体三极管的偏置与电流分配：1、当晶体管工作在放大区时：电极电位的特点：NPN型的(UC >UB>UE);PNP型的UC<UB<UE。

模拟电子技术基础期末复习

一、填空1. 二极管最主要的特性是（），反映正向特性的的两个主要参数是（）。

2. 三极管工作在三个区域的条件是：放大区（），饱和区（）截止区（）。

３. 场效应管从结构上分成（）和（）两大类型，它属于（）控制型器件。

４. 集成运算放大器是一种采用（）耦合方式的放大电路，最常见的问题是（）。

５. 差动放大电路的基本功能是对差模信号的（）作用和对共模信号的（）作用。

６. 小功率直流稳压电源由变压器、（）、（）、（）四部分组成。

7. 用一只万用表不同的欧姆档测得某个二极管的电阻分别为250Ω和1.8KΩ，产生这种现象的原因是。

8. 测得某NPN管的VBE=0.7V,VCE=0.2V,由此可判断它工作在区。

9. 放大电路的互补输出的采用共集形式是为了使。

10. 在放大电路中为了稳定静态工作点，应引入反馈，稳定放大倍数，应引入反馈，改输入和输出电阻，应引入反馈，展宽频带应引入反馈。

11. 为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波。

12. 比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地，而比例运算电路中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。

13. 功率放大电路与电压放大电路的区别是。

14. 在直流稳压电路中，变压的目的是，整流的目的是，滤波的目的是，稳压的目的是。

15. 试决定下列情况应选用的滤波器类型。

当有用信号频率低于500Hz时，宜选用；当希望抑制50Hz交流电源干扰时，宜选用；当希望抑制1KHz以下的信号时，宜选用。

16. 对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电压放大，可选用组态，若希望带负载能力强，应选用组态，若希望从信号源索取电流小，应选用组态，若希望高频性能好，应选用组态。

17. 电流源电路在集成运放中，常作为电路和电路；前者的作用是，后者的作用是。

18. 差分放大电路有种输入输出连接方式，其差模电压增益与方式有关，与方式无关。

19. 已知放大电路输入信号电压为1mV，输出电压为1V，加入负反馈后，为达到同样输出时需要的输入信号为10mV，该电路的反馈深度为，反馈系数为。

模拟电子技术期末考试复习资料

《模拟电子技术》课程综合复习资料一、判断题1.P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。

答案：错2.阻容耦合放大电路只能放大交流信号，不能放大直流信号。

答案：对3.同相求和电路跟同相比例电路一样，各输入信号的电流几乎等于零。

答案：错4.差动放大电路可以放大共模信号，抑制差模信号。

答案：错5.共集电极放大电路放大动态信号时输入信号与输出信号相位相反。

答案：错一、单选题1．测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为UE =3V，UB=3.7V，UC=3.3V，则该管工作在（）。

A．放大区B．饱和区C．截止区D．击穿区答案：B2.放大器的增益是随着输入信号频率的改变而改变的，当输入信号的频率为Hf时，放大器增益的幅值将（）。

A．降为1B．降为中频时的1/2倍C．降为中频时的1/D．降为中频时的倍答案：C3.三级放大电路中Av1=Av2=10dB，Av3=15dB，则总的电压增益为（）dB。

A．35C．45D．60答案：A4.某三极管各个电极的对地电位如图所示，可判断其工作状态是（）。

A．放大B．饱和C．截止D．已损坏答案：D5.二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压Vo为（）。

（设二极管的导通压降为0.7V）A．-5VB．-4.3VC．-5.7VD．-10V答案：C6.测得图示放大电路中晶体管各电极的直流电位如图所示，由此可知该管为（）。

A．Ge，PNP管B．Ge，NPN管C．Si，PNP管D．Si，NPN管答案：B7.在单级放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察vo和vi的波形，当放大电路为共集电极放大电路时，则vo和vi的相位（）。

A．同相B．反相C．相差90D．不定答案：A8.在单级放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察vo和vi的波形，当放大电路为共发射放大电路时，则vo和vi的相位（）。

A．同相B．反相C．相差90D．不定答案：B9.理想运放的开环差模增益AOd为（）。