模电第四版4~7章习题解答41页word

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第4章 集成运算放大电路

自测题

一、选择合适答案填入空内。

(1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为( C )。

A.可获得很大的放大倍数

B.可使温漂小

C.集成工艺难于制造大容量电容 (2)通用型集成运放适用于放大( B )。

A.高频信号

B.低频信号

C.任何频率信号 (3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的( C )。

A.指标参数准确

B.参数不受温度影响

C.参数一直性好 (4)集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( A )。 A.减小温漂 B.增大放大倍数 C.提高输入电阻 (5)为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用( A )。 A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路

二、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果。 (1)运放的输入失调电压U IO 是两输入端电位之差。( × ) (2)运放的输入失调电流I IO 是两输入端电流之差。( √ ) (3)运放的共模抑制比c

d

CMR A A K

。( √ ) (4)有源负载可以增大放大电路的输出电流。( √ )

(5)在输入信号作用时,偏置电路改变了各放大管的动态电流。( × )

三、电路如图T4.3 所示,已知β1=β2=β3= 100 。各管的U BE 均为0.7V , 试求I C 2的值。

解:分析估算如下:

21

100CC BE BE R V U U I A R

μ--=

=

00202211B B B B I I I I ββ

ββ

++=

=++;

020

2(

)1R B B B I I I I β

βββ+=+=++

图T4.3

22021C B B I I I β

ββ

β

+==?+。比较上两式,得 2(2)

1002(1)

C R R I I I A ββμβββ+=

?≈=+++

四、电路如图T4.4所示。

图T4.4

(1)说明电路是几级放大电路,各级分别是哪种形式的放大电路(共射、共集、差放… … );

(2)分别说明各级采用了哪些措施来改善其性能指标(如增大放大倍数、输入电阻… … )。

解:(1)三级放大电路,第一级为共集?共基双端输入单端输出差分放大电路,第二级是共射放大电路,第三级是互补输出级。

(2)第一级采用共集?共基形式,增大输入电阻,改善高频特性;利用有源负载

(T 5 、T 6 )增大差模放大倍数,使单端输出电路的差模放大倍数近似等于双端输出电路的差模放大倍数,同时减小共模放大倍数。第二级为共射放大电路,以T 7、T 8构成的复合管为放大管、以恒流源作集电极负载,增大放大倍数。第三级为互补输出级,加了偏置电路,利用D l 、D 2的导通压降使T 9和T 10在静态时处于临界导通状态,从而消除交越失真。

习题

4.1根据下列要求,将应优先考虑使用的集成运放填入空内。已知现有集成运放的类型是:①通用型②高阻型③高速型④低功耗型⑤高压型⑥大功率型⑦高精度型

(1)作低频放大器,应选用( ① )。

(2)作宽频带放大器,应选用( ③ )。

(3)作幅值为1μV以下微弱信号的量测放大器,应选用( ⑦ )。

(4)作内阻为100kΩ。信号源的放大器,应选用( ② )。

(5)负载需5A电流驱动的放大器,应选用( ⑥ )。

(6)要求输出电压幅值为±80V的放大器,应选用( ⑤)。

(7)宇航仪器中所用的放大器,应选用( ④ )。

4. 2已知几个集成运放的参数如表P4.3所示,试分别说明它们各属于哪种类型的运放。

表P4.3

解:A 1为通用型运放,A 2为高精度型运放,A 3为高阻型运放,A 4为高速型运放。 4.3 多路电流源电路如图P4.3所示,已知所有晶体管的特性均相同,U BE 均为0.7V 。试求I C1、I C2各为多少。

图P4.3 图P4.4

解:因为T l 、T 2、T 3的特性均相同,且U BE 均相同,所以它们的基极、集电极电流均相等,设集电极电流为I C 。先求出R 中电流,再求解I C1、I C2。

40

100CC BE BE R V U U I A R

μ--=

=

030331(1)

C B

R C B C C I I I I I I I βββ=+=+

=+++ 223C R

I I ββ

ββ+=++

当(1)3ββ+>>时,12100C C R I I I A μ=≈=。

4.4电路如图P4.4 所示,T l 管的低频跨导为g m , T l 和T 2管d-s 间的动态电阻分别为r ds1和r ds2。试求解电压放大倍数/u O I A u u =??的表达式。

解:由于T 2和T 3 所组成的镜像电流源是以T l 为放大管的共射放大电路的有源负载, T l 和T 2管d -s 间的动态电阻分别为r ds1和r ds2,所以电压放大倍数u A 的表达式为:

1212(//)

(//)O D ds ds u m ds ds I I

u i r r A g r r u u ??=

==-??。 4.5电路如图P4.5所示,T l 与T 2管特性相同,它们的低频跨导为g m ; T 3与T 4管特性对称;T 2与T 4管d-s 间的动态电阻分别为r ds2和r ds4。试求出电压放大倍数

12/()u O I I A u u u =??-的表达式。

图P4.5 图P4.6

解:在图示电路中:

1234D D D D i i i i ?=-?≈?=?; 242112O D D D D D i i i i i i ?=?-?≈?-?=-?

121()

2

I I D m u u i g ?-?=?

; 12()O m I I i g u u ?≈?-

∴电压放大倍数:24241212(//)

(//)()()

O O ds ds u m ds ds I I I I u i r r A g r r u u u u ??=

=-≈?-?-

4.6电路如图P4.6所示,具有理想的对称性。设各管β均相同。

(1)说明电路中各晶体管的作用; (2)若输入差模电压为12()I I u u -产生的差模电流为D i ?,则电路的电流放大倍数O

i D

i A i ?=

=?? 解:(1)图示电路为双端输入、单端输出的差分放大电路。T l 和T 2 、T 3和T 4分别组成的复合管为放大管,T 5和T 6组成的镜像电流源为有源负载。

(2)由于用T 5和T 6所构成的镜像电流源作为有源负载,将左半部分放大管的电流变化量转换到右边,故输出电流变化量及电路电流放大倍数分别为: 2(1)O D i i ββ?≈+?; 2(1)O

i D

i A i ββ?=

≈+?。 4.7 电路如图P4.7所示,T l 和T 2管的特性相同,所有晶体管的β均相同,R cl 远大于二极管的正向电阻。当120I I u u V ==时,0O u V =。

(1)求解电压放大倍数的表达式;(2)当有共模输入电压时,?O u =简述理由。

图P4.7 图P4.8

解:(1)在忽略二极管动态电阻的情况下:

3

111

//

2be c u be r R A r β

≈-,22

3c u be R A r β≈-。

∴12u u u A A A =? 。

(2)当有共模输入电压时,O u 近似为零。

由于1c d R r >>,12C C u u ?≈? , 因此30BE u ?≈,故0O u ≈。

4.8 电路如图P4.8所示,T l 和T 2管为超β管,电路具有理想的对称性。选择合适的答案填入空内。

(1)该电路采用了( C )。

A .共集-共基接法

B .共集-共射接法

C .共射-共基接法 (2)电路所采用的上述接法是为( C )。

A .增大输入电阻

B .增大电流放大系数

C .展宽频带 (3)电路采用超β管能够( B )。

A .增大输入级的耐压值

B .增大放大能力

C .增大带负载能力 (4) T l 和T 2管的静态压降约为( A )。

A .0.7V

B .1.4V

C .不可知

4.9 在图P4.9 所示电路中,已知T l ~T 3管的特性完全相同,β>> 2 ;反相输入端的输入电流为1I i ,同相输入端的输入电流为2I i 。试问: (l) 2?C i ≈; (2) 3?B i ≈ ; (3) 12/()?ui O I I A u i i =??-?≈

解:(l)因为T l 和T 2为镜像关系, 且β>> 2,所以:212C C I i i i ≈≈

(2)31212B I C I I i i i i i =-≈-

(3)输出电压的变化量和放大倍数 分别为:

333O C c B c u i R i R β?=-?=-? 图P4 .9

1233/()/ui O I I O B c A u i i u i R β=??-?≈??=-

4.10比较图P4.10 所示两个电路,分别说明它们是如何消除交越失真和如何实现过流保护的。

(a) (b) 图P4.10

解:在图(a)所示电路中,D l 、D 2使T 2、T 3 微导通,可消除交越失真。R 为电流采样电阻,D 3对T 2起过流保护。当T 2导通时,321D BE O D u u i R u =+-, 未过流时O i R 较小,因3D u 小于开启电压使D 3 截止;过流时因3D u 大于开启电压使D 3导通,为T 2基极分流。

D 4对T 4起过流保护,原因与上述相同。

在图(b)所示电路中,T 4 、T 5使T 2、T 3微导通,可消除交越失真。R 2为电流

采样电阻,T 6 对T 2起过流保护。当T 2导通时,62BE O u i R =,未过流时2O i R 较小,因6BE u 小于开启电压使T 6截止;过流时因6BE u 大于开启电压使T 6导通,为T 2基极分流。T 7对T 3起过流保护,原因与上述相同。

4.11 图4.11所示电路是某集成运放电路的一部分,单电源供电。试分析: (1) 100μA 电流源的作用;

(2) T 4的工作区域(截止、放大、饱和); (3) 50μA 电流源的作用; (4) T 5与R 的作用。

图4.11 图P4.12

解:(1)为T l 提供静态集电极电流、为T 2提供基极电流,并作为T l 的有源负载。 (2) T 4截止。因为:4123B C O R B B u u u u u u ==+++,4E O u u =,∴44B E u u >。

(3) 50μA 电流源为T 3提供射极电流,在交流等效电路中等效为大阻值的电阻。 (4)保护电路。52BE O u i R =,未过流时T 5电流很小;过流时使550E i A μ>, T 5更多地为T 3的基极分流。

4.12电路如图P4.12所示,试说明各晶体管的作用。

解:T l 为共射放大电路的放大管;T 2和T 3组成互补输出级;T 4、T 5、R 2组成偏置

电路,用于消除交越失真。

4.13图P4.13 所示简化的高精度运放电路原理图,试分析:

(1)两个输入端中哪个是同相输入端,哪个是反相输入端;(2) T 3与T 4的作用;(3)电流源I 3的作用 ;(4) D 2与D 3的作用。

图P4.13

解:(1) u I1为反相输入端, u I2为同相输入端。

(2)为T l 和T 2管的有源负载,将T l 管集电极电流变化量转换到输出,使单

端输出差分放大电路的差模放大倍数近似等于双端输出时的放大倍数。

(3)为T 6设置静态电流,且为T 6的集电极有源负载,增大共射放大电路的放

大能力。

(4)消除交越失真。

4.14 通用型运放F747 的内部电路如图P4.14 所示,试分析: (1)偏置电路由哪些元件组成?基准电流约为多少?

(2)哪些是放大管,组成几级放大电路,每级各是什么基本电路? (3) T 19 、T 20 和R 8组成的电路的作用是什么? 图P4.14

解:(1)由T 10 、T 11 、T 9 、T 8 、T 12 、T 13 、R 5 构成。

(2)图示电路为三级放大电路:

T l ~T 4构成共集-共基差分放大电路;T 14~ T 16构成共集-共射-共集电路;T 23 、T 24 构成互补输出级。

(3)消除交越失真。互补输出级两只管子的基极之间电压 23242019B B BE BE U U U U -=+23242019B B BE BE U U U U -=+

使T 23、T 24 处于微导通,从而消除交越失真。

第5章 放大电路的频率响应

自测题

一、选择正确答案填入空内。

(1)测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响应,条件是( A )。

A.输入电压幅值不变,改变频率

B.输入电压频率不变,改变幅值

C.输入电压的幅值与频率同时变化

(2)放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( B ),而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( A )。

A.耦合电容和旁路电容的存在 C.半导体管的非线性特性

B.半导体管极间电容和分布电容的存在 D.放大电路的静态工作点不合适

(3)当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时,放大倍数的值约下降到中频时的( B )。

A. 0.5倍;

B. 0.7 倍;

C. 0.9 倍

即增益下降( A )。

A. 3dB

B. 4dB;

C. 5dB

(4)对于单管共射放大电路,当f =f L 时,U o 与U i 相位关系是( C )。

A . + 45o B. ?90o C. ?135o

当f =f H 时,U o 与U i 相位关系是( C )。

A . ? 45o B. ?135o C. ?225o

二、电路如图T5.2 所示。已知:V CC =12V ;晶体管的C μ=4pF ,f T =50MHz , '

100bb r =Ω,

β0=80 。试求解:(1)中频电压放大倍数usm

A &;(2) 'C π;(3)L f 和H f ;(4)画出波特图。 图T5.2 解图T5.2

解:(1)静态及动态的分析估算:

22.6CC BEQ

BQ b

V U I A R μ-=

≈; (1) 1.8EQ BQ I I mA β=+≈

3CEQ CC CQ c U V I R V =-≈; '26(1) 1.17b e EQ

mV

r k I β=+?

≈Ω '26(1)

1.27be bb EQ

mV

r r k I β=++≈Ω; // 1.27i be b R r R k =≈Ω 69.2/EQ m T

I g mA V U =

≈; '()178i b e usm

m c i s be

R r

A g R R R r =?-≈-+&

(2)估算'C π 0

'2()

T b b f r C C πμβπ≈

+; 0

'2142b e T

C C pF r f πμβπ≈

-≈;

'

(1)1602m c C C g R C pF ππμ=++≈

(3)求解上限、下限截止频率:

''''//(//)//()567b e b b s b b e b b s R r r R R r r R =+≈+≈Ω。

'

11752H f kHz RC ππ=

≈; 1

142()L s i f Hz R R C

π=≈+。 (4)在中频段的增益:20lg 45usm

A d

B ≈&。 频率特性曲线如解图T5.2 所示。

三、已知某放大电路的波特图如图T5.3 所示,填空:

(l) 电路的中频电压增益20lg um

A =&( 60 )d

B ,um A =&( 103 )。 (2)电路的下限频率L f ≈( 10 )Hz ,上限频率H f ≈( 10 ) kHz 。 (3) 电路的电压放大倍数的表达式

( 345451010010(1)(1)(1)(1)(1)(1)

1010101010

u

jf A f f f f f j j j j j jf ±±==++++++& )。 图T5.3

说明:该放大电路的中频放大倍数可能为“+” ,也可能为“?”。

习题

5.1 在图P5.1所示电路中,已知晶体管的'

bb r 、C μ、C π,i be R r ≈。

填空:除要求填写表达式的之外,其余各空填入① 增大、② 基本不变、③ 减小。

(1)在空载情况下,下限频率的表达式L f ≈(

1

1

2(//)s b be R R r C π+ )。当R S 减小时,

L f 将( ① );当带上负载电阻后,L f 将( ② )。

(2)在空载情况下,若b-e 间等效电容为'C π,则上限频率的表达式

H f ≈(

'

''1

2[//(//)]b e bb b s r r R R C π

π+ );当R S 为零时,H f 将( ① );当R b 减小时, g m 将( ① ), 'C π将( ① ), H f 将( ③ )。

图P 5.1 图P 5.2

5. 2 已知某电路的波特图如图P5.2 所示,试写出u

A &的表达式。 解:设电路为基本共射放大电路或基本共源放大电路。

5532 3.210(1)(1)(1)(1)

10

1010

u

jf

A f

f f j j j jf --≈≈

+

+++&

5.3 已知某共射放大电路的波特图如图P5.3 所示,试写出u

A &的表达式。 图P5.3 图P5.4

解:观察波特图可知,中频电压增益为40dB ,即中频放大倍数为?100 ; 下限截

止频率为1Hz 和10Hz ,上限截止频率为250kHz 。故电路u

A &的表达式为: 2

55

10010110(1)(1)(1)(1)(1)(1)2.5101010u

f A f f f j jf j j jf jf -+==++++++?&

5.4 已知某电路的幅频特性如图P5.4 所示,试问:(1)该电路的耦合方式;(2)该电路由几级放大电路组成;(3)当f =104H Z 时,附加相移为多少?当f =105H Z 时,附加相移又约为多少?(4)该电路的上限频率H f 为多少?

解:(1)因为下限截止频率为0 , 所以电路为直接耦合电路;

(2)因为在高频段幅频特性为?60dB /十倍频,所以电路为三级放大电路;

(3)当f =104

Hz 时,'00453135φ=-?=-;

当f =105Hz 时,'903270o o φ=-?=-。

(4)该电路的3

3410(1)10

u

A f j ±=+&;

上限频率为' 5.2H f kHz ≈≈ 5.5已知某电路电压放大倍数:510(1)(1)

1010

u

jf

A f f j j -=++&

试求解:(1)um A =&? L f ≈? H

f ≈? (2)画出波特图。 解:(1)变换电压放大倍数的表达式,求出um A &、L f 和H

f 。 ∵551001010

(1)(1)(1)(1)

10101010

u

f

j

jf

A f f f f j j j j -?-==

++++& ∴100um A =-&; 10L

f Hz =; 510H f Hz =。 (2)波特图如解图P5.5所示。

解图P5.5 解图P5.6

5.6已知两级共射放大电路的电压放大倍数

45

200(1)(1)(1)

510 2.510u

jf

A f f f j j j =+++?&

(1)um A =&? L f ≈? H

f ≈? (2)画出波特图。 解:(1) 变换电压放大倍数的表达式,求出um A &、L f 和H

f 。 34545

102005

(1)(1)(1)(1)(1)(1)510 2.510510 2.510

u

f

j

jf

A f f f f f f j j j j j j ?==

++++++??& ∴310um A =&; 5L

f Hz =; 410H f Hz ≈。 (2)波特图如解图P5.6 所示。

5.7 电路如图P5.7所示。已知:晶体管的β、'

bb r 、C μ均相等,所有电容的容量

均相等,静态时所有电路中晶体管的发射极电流I EQ 均相等。定性分析各电路,将结论填入空内。

(a) (b)

(c) (d)

图P5.7

(1)低频特性最差即下限频率最高的电路是( a )。 (2)低频特性最好即下限频率最低的电路是( c )。 (3)高频特性最差即上限频率最低的电路是( c )。

5.8在图P5.7(b)所示电路中,若要求C 1与C 2所在回路的时间常数相等,且已知

r be = l k Ω,则12:C C =?若C 1与C 2所在回路的时间常数均为25ms , 则C 1、C 2各为多少?

下限频率L f =?

解:(1)求解12:C C

因为 12()()s i c L C R R C R R ?+=?+将电阻值代入上式,求出:12:5:1C C = 。

(2)求解C 1、C 2的容量和下限频率

112.5s i

C F R R τ

μ=

≈+ ; 2 2.5c L

C F R R τ

μ=

≈+

121 6.42L L f f Hz πτ

==

≈; 110L L f Hz ≈≈

5.9在图P5.7 (a)所示电路中,若C e 突然开路,则中频电压放大倍数usm A &、H

f 和L f 各产生什么变化(是增大、减小、还是基本不变)?为什么?

解:usm A &将减小。因为在同样幅值的i U &作用下,b I &将减小,c I &随之减小,o

U &必然减小。

L f 减小。因为少了一个影响低频特性的电容。

H f 增大。因为'C π会因电压放大倍数数值的减小而大大减小,所以虽然'C π所在回

路的等效电阻有所增大,但时间常数仍会减小很多,故H f 增大。

5.10电路如图P5.10所示, 已知5gs gd C C pF ==,5m g mS =,

1210s C C C F μ===。

试求H f 、L f 各约为多少,

并写出us

A &的表达式。 图P5.10 解:H f 、L f 和us

A &的表达式分析如下: ''

()12.4i usm

m L m L i s

R A g R g R R R =-≈-≈-+&

1

162L s s

f Hz R C π=

''

(1)72gs gs m L gd C C g R C pF =++≈

''

11

1.12(//)2H g s gs s gs

f MHz R R C R C ππ=

≈≈ 6

12.416

(1)(1)16 1.110

us

f

j

A f f

j j -?≈++?&

5.11在图5.4.7(a)所示电路中,已知2g R M =Ω,10d L R R k ==Ω,10C F μ=;场效应管的4gs gd C C pF == , 4m g mS =。试画出电路的波特图,并标出有关数据。

解:'20,20lg 26um m L um

A g R A d

B =-≈-≈&& ''

(1)88gs gs m L gd C C g R C pF =++≈

1

0.7962()L d L f Hz R R C

π≈

≈+

'

1

9042H g gs

f Hz R C π≈

≈ 其波特图参考解图P5.5 。

5.12已知一个两级放大电路各级电压放大倍数分别为:

11525(1)(1)410o u i U jf A f f U j j -==++&&&; 225

2(1)(1)5010o u i U jf A f f U j j -==++&&&

(1)写出该放大电路的电压放大倍数的表达式; (2)求出该电路的L f 和H f 各约为多少; (3)画出该电路的波特图。 解:(1)电压放大倍数的表达式:

12

2

2

550(1)(1)(1)45010

u u u A A A f f f f j j j =?-=

+++&&&

(2)L f 和H f 分别为:

50L f Hz ≈;

1H f ≈, ∴64.3H f kHz ≈ 解图P5.12

(3)根据电压放大倍数的表达式可知,中频电压放大倍数为104 ,增益为

80dB 。波特图如解图P5.12所示。

5.13电路如图P5.13所示。试定性分析下列问题,并简述理由。 (1)哪一个电容决定电路的下限频率;

(2)若T l 和T 2 静态时发射极电流相等,且'

bb r 和'C π相等,则哪一级的上限频率低。

图P5.13

解:(1)决定电路下限频率的是C e ,因为它所在回路的等效电阻最小。

(2)因为2341//////s R R R R R >,'2C π所在回路的时间常数大于'1C π所在回路的时

间常数,所以第二级的上限频率低。

补充1 在图P5.7(a)所示电路中,若β=100 , r be =1k Ω,C l = C 2= C e =100μF ,

则下限频率L f =?

解:由于所有电容容量相同,而C e 所在回路等效电阻最小,所以下限频率决定于

C e 所在回路的时间常数。

∵ e //R //2011be s b be s

r R R r R R ββ

++=≈≈Ω++

∴1

802L e

f Hz RC π≈

补充2 在图P5.7(d)所示电路中,已知晶体管的'

100bb r =Ω,1be r k =Ω, 静态电流

2EQ I mA =, '

800C pF π=,2s R k =Ω,500b R k =Ω, 3.3c R k =Ω,10C F μ=。

试分别求出电路的H f 和L f ,并画出波特图。 解:(1)求解L f :11

5.32()2()L s i s be f Hz R R C R r C

ππ=

≈≈++

(2)求解H f 和中频电压放大倍数: ''0.9b e be b b r r r k =-=Ω

''

''''11

3162[//(//)]2[//()]H b e bb b s b e bb s f kHz r r R R C r r R C ππ

ππ=≈≈++ 77/EQ m T

I g mA V U ≈

'

'()76i b e usm

m L i s be

R r A g R R R r =?-≈-+&

20lg 37.6usm

A d

B ≈& 其波特图参考解图P5.5 。

第6章 放大电路中的反馈

自测题

一、已知交流负反馈由四种组态:A.电压串联负反馈;B.电压并联负反馈; C.电流串联负反馈;D.电流并联负反馈。选择合适答案填入下列空格内。 1.欲得到电流-电压转换电路,应在放大电路中引入( B )。

2.欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应在放大电路中引入( C )。

3.欲减小电路从信号源索取的电流,增大带负载能力,应在放大电路中引入( A )。

4.欲从信号源获得更大的电流,并稳定输出电流,应在放大电路中引入( D )。 二、判断图T6.2所示各电路中是否引入了反馈;若引入了反馈,则判断是正反馈还是负反馈;若引入了交流负反馈,则判断是哪种组态的负反馈,并求出反馈系数和深度

负反馈条件下的电压放大倍数uf A &或usf

A &。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。 (a) (b)

(c) (d) 图T6.2

解:图(a)所示电路中引入了电流串联负反馈。反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数分别为:13123

F ui O R R u F i R R R =

=++; 12313O O L uf L I F u i R R R R A R u u R R ++==≈。

式中R L 为电流表的等效电阻。

图(b)所示电路中引入了电压并联负反馈。反馈系数和深度负反馈条件下的电

压放大倍数分别为:21

F iu O i F u R =

≈-; 2111

O O O uf I I F u u u R A u i R i R R ==≈=- 图(c)所示电路中引入了电压串联负反馈。反馈系数和深度负反馈条件下的电

压放大倍数分别为:1O

uu F

u F u =

= 1O O uf I I u u A u u =≈=

图(d)所示电路中引入了正反馈。

三、电路如图T6.3 所示。

图T6.3

(1)正确接入信号源和反馈,使电路的输入电阻增大,输出电阻减小;

(2)若20o u

i

U A U ==&,则R f 应取多少千欧? 解:(1)应引入电压串联负反馈,如解图T6.3所示。

(2)因1

120f u R A R ≈+

=,故190f R k =Ω。

解图T6.3

四、已知一个负反馈放大电路的基本放大电路的对数幅频特性如图T6.4所示,反馈网络由纯电阻组成。试问:若要求电路稳定工作,即不产生自激振荡,则反馈系数的上限值为多少分贝?简述理由。

图T6.4

解:因为f H =105Hz 时,20lg 40u A dB =,180o A ?=-;为使此时20lg 0u A F <, 则需,20lg 40F dB <-,即 210F -<。

习题

6.1选择合适答案填入空内。

(1)对于放大电路,所谓开环是指( B )。

A.无信号源

B.无反馈通路

C.无电源

D.无负载

而所谓闭环是指( B )

A.考虑信号源内阻

B.存在反馈通路

C.接入电源

D.接入负载

(2)在输入量不变的情况下,若引入反馈后( D ),则说明引入的反馈是负反馈。

A.输入电阻增大

B.输出量增大

C.净输入量增大

D.净输入量减小

(3)直流负反馈是指( C )。

A.直接耦合放大电路中所引入的负反馈

B.只有放大直流信号时才有的负反馈

C.在直流通路中的负反馈

(4)交流负反馈是指( C )。

A.阻容耦合放大电路中所引入的负反馈

B.只有放大交流信号时才有的负反馈

C.在交流通路中的负反馈

(5)为了实现下列目的,应引入

A.直流反馈

B.交流反馈

①稳定静态工作点,应引入( A );

②稳定放大倍数,应引入( B );

③改变输入电阻和输出电阻,应引入( B );

④抑制温漂,应引入( A );

⑤展宽频带,应引入( B )。

6.2选择合适答案填入空内。

A.电压

B.电流

C.串联

D.并联

(1)为了稳定放大电路的输出电压,应引入( A )负反馈;

(2)为了稳定放大电路的输出电流,应引入( B )负反馈;

(3)为了增大放大电路的输入电阻,应引入( C )负反馈;

(4)为了减小放大电路的输入电阻,应引入( D )负反馈;

(5)为了增大放大电路的输出电阻,应引入( B )负反馈;

(6)为了减小放大电路的输出电阻,应引入( A )负反馈;

6.3下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入括号内。

(1)只要在放大电路中引入反馈,就一定能使其性能得到改善。( × )

(2)放大电路的级数越多,引入的负反馈越强,电路的放大倍数也就越稳定。( × )

(3)反馈量仅仅决定于输出量。( √ )

(4)既然电流负反馈稳定输出电流,那么必然稳定输出电压。( × )

6.4判断图P6.4所示各电路中是否引入了反馈,是直流反馈还是交流反馈,是正反馈还是负反馈。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。

(a) (b)

(c) (d)

(e) (f) (g)

(h)

图P6.4

解:图(a)所示电路中引入了直流负反馈。

图(b)所示电路中引入了交、直流正反馈。

图(c)所示电路中引入了直流负反馈。

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章 半导体基础知识 自测题 一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V 五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O =U CE =2V 。 2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。 习题 1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 t t u u O O i o /V /V 1010

1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 1.5 u o 1.6 I D =(V -U D )/R = 2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。 1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。 1.9 (1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流为4mA ,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I =15V 时,由于上述同样的原因,U O =5V 。 当U I =35V 时,U O =U Z =5V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 (1)S 闭合。 (2)。,Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R t t

模电试题及答案12

《模拟电子技术》复习题综合(第1、2章) 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 2、在P 型半导体中,自由电子浓度 C 空穴浓度。A .大于 B.等于 C .小于 3、本征半导体温度升高以后, C 。 A.自由电子增多,空穴数基本不变 B .空穴数增多,自由电子数基本不变 C .自由电子数和空穴数都增多,且数目相同 D.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A .电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D . 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。A. 正向导通 B .反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 D . 前者反偏、后者正偏 8、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。A. 增大 B . 不变 C. 减小 D. 都有可能 9、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到22μA 时,I C从1m A变为2mA ,那么它的β约为 C 。A. 83 B. 91 C. 100 D . 10 10、晶体管是 A 器件。A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 11、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。图1为 D ;图2为 A 。[基极电位总是处于中间] A.NPN 硅管 B.P NP 硅管 C .NP N锗管 D.P NP 锗管 12、场效应管是 D 器件。 A .电流控制电流 B.电流控制电压 C .电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中,基极电阻R b的作用是 A 。 A.限制基极电流,使晶体管工作在放大区,并防止输入信号短路 B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C .保护信号源 D.防止输出电压被短路 14、基本共射放大电路中,集电极电阻Rc 的作用是 B 。 A .限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E C 15、基本共射放大电路中,输入正弦信号,现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形,二者相位 A 。A.相同 B .相反 C.相差90° D.相差270° 16、NP N管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真,通过减小R b 失真消除, 这种失真一定 ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2

西工大模电实验报告(完全版)

晶体管单极放大器 一、实验目的 (1)掌握用Multisim11.0仿真软件分析单极放大器主要性能指标的办法。 (2)掌握晶体管放大器静态工作点的测试和调整方法,观察静态工作点对放大器输出波形的影响。 (3)测量放大器的放大倍数、输出电阻和输入电阻。 二、实验原理及电路 实验电路如下图所示,采用基极固定分压式偏置电路。电路在接通直流电源Vcc而未加入输入信号()时,三极管三个极电压和电流称为静态工作点,即 (1) (2) (3) (4)

1、静态工作点的选择和测量 放大器的基本任务是不失真地放大小信号。为此应设置合适的静态工作点。为了获得最大不失真的输出电压,静态工作点应选在输出 特性曲线上交流福在线的中点(Q点)。若工作点选得太高则易引起饱 和失真;而选的太低,又易引起截止失真。 静态工作点的测量是指在接通电源电压后放大器输入端不加信号时,测量晶体管集电极电流、管压降和。 静态工作点调整现象动作归纳 电压放大倍数是指放大器输出电压与输入电压之比 (5) 3、输入电阻和输出电阻的测量 (1)输入电阻。放大电路的输入电阻可用电流电压法测量求得。 在输入回路中串接一外接电阻R=1kΩ,用示波器分别测出电阻 两端的电压和,则可求得放大电路的输入电阻为 =(6) (2) 输出电阻。放大电路的输出电阻可通过测量放大电路输出端 开路时的输出电压,带上负载后的输出电压,经计算求 得。 =()×(7) 三、实验内容 (一)仿真部分 1、静态工作点的调整和测量 (1)按图连接电路

(2)输入端加1kHz、幅度为20mV(峰-峰值)的正弦波,调节电位器,使示波器显示的输出波形达到最大不失真。 (3)撤掉信号发生器,用万用表测量三极管三个极分别对地的电压,、、,计算和数据记录与表一。 2、电压放大倍数的测量 (1)输入信号为1kHz、幅度为20mV(峰-峰值)的正弦信号,输出端开 路时(RL=∞),用示波器分别测出,的大小,由式(5)算出 电压放大倍数。记录于表二。 (2)放大电路输出端接入2kΩ的负载电阻,保持输入电压不变,测出此时的输出电压,并计算此时的电压放大倍数,分析负载 对放大电路电压放大倍数的影响。记录于表二。

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模拟电子线路随堂练习 第一章半导体器件 作业1-1 一、习题(满分100分) 1.N型半导体带负电,P型半导体带正电。() 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。() 3.PN结处于正向偏置时,正向电流小,电阻大,处于导通状态。() 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时,反向电流剧增,二极管被击穿,就不能再使用了。() 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。() 6.在本征半导体中,空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。() 7.晶体三极管的基极,集电极,发射极都不可互换使用。() 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是:发射结正偏,集电结正偏。() 9.晶体三极管有三种工作状态,即:放大状态,饱和状态,导通状态。() 10.三极管是一种电压控制器件,场效应管是一种电流控制器件。() 11.温度升高后,在纯净的半导体中()。 A.自由电子和空穴数目都增多,且增量相同 B.空穴增多,自由电子数目不变 C.自由电子增多,空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大(小于击穿电压),则()。 A.阻当层不变,反向电流基本不变 B.阻当层变厚,反向电流基本不变 C.阻当层变窄,反向电流增大 D.阻当层变厚,反向电流减小

一、习题(满分100分) 1.N型半导体()。 A.带正电 B.带负电C.呈中性D.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大,则该二极管()。 A.正常 B.断路C.被击穿D.短路 3.对于晶体二极管,下列说法正确的是()。 A.正向偏置时导通,反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图,那么,第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为()。 A.0.03mA 流出三极管e、c、b B.0.03mA 流进三极管e、c、b C.0.03mA 流出三极管c、e、b D.0.03mA 流进三极管c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图,从而可判断该晶体管工作在()。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态D.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态,三个极电位的关系是()。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BC.V E >V B> V CD.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态,各极对地电位分别是V1=6V,V2=2.7V,V3=2V,则1,2,3分别为()。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA,而i b=40μA时i c=3mA,则该管的交流电流放大系数β为()。 A.60 B.75 C.80 D.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V,V2=2.7V,V3=2V,则1,2,3分别为()。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区,下列不属于工作区的是()。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区D.击穿区 11.在放大电压信号时,通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为() A.输入电阻小,输出电阻大 B.输入电阻小,输出电阻小 C.输入电阻大,输出电阻小 D.输入电阻大,输出电阻大

模电试题及答案

试题一 一、选择题:(每小题2分,共24分) (1)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为( B )。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 (2)N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( C )。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 (3)为了减小零点漂移,通用型运放的输入级大多采用( C )。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路 (4)高通滤波电路可以用于( A )。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 (5)长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是( C )。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 (6)、电路如图所示,其输出电压u O 等于( B )。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + (7)当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时,放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降( A )。 A .3d B B.4dB C.5dB (8)( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A .同相比例 B .微分 C .同相求和 (9)PN 结加正向电压时,空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (10)OCL 功率放大电路如图所示,当u i 为正半周时,则( A )。

A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1,T2导通 (11)整流的目的是( A )。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波(12)电路如图所示,二极管D为理想元件,输入信号u i为如图所示的三角波,则输出电压u o的最大值为( B )。 A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题:(总16 分,每空 2 分) (1)、一只晶体管在放大电路中,用万用表测出管脚对地电压分别是:A脚为12伏,B脚为11.7伏,C脚为6伏,则该管为PNP型锗管,A为e 极,B为 b 极,C为 c 极。 (2)工作在放大区的晶体管,当I B从10μA增大到20μA,I C从1mA增大到2mA,它的β为 100 。 (3)由于不易制造大容量电容,集成电路采用直接耦合放大方式。

大学模电最新最全题库模拟电路考试试题10套和答案

试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空(本题共20分,每空1分): 1.整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________;滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2.在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的,漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3.放大器有两种不同性质的失真,分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4.在共射阻容耦合放大电路中,使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响;使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5.在交流放大电路中,引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________;引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6.正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7.某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ,放大器的总增益为__100________,总的放大倍数为__________。 8.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响,对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9.某放大电路的对数幅频特性如图1(在第三页上)所示,当信号频率恰好为上限频率时,实际的电压增益为____37______dB。 二、判断(本题共10分,每小题1分,正确的打√,错误的打×): 1、(y )构成各种半导体器件的基础是PN结,它具有单向导电和反向击穿特性。 2、(y )稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、(y )在三极管的三种基本组态中,只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、(n )若放大电路的放大倍数为负值,则引入的一定是负反馈。 5、(yn )通常,甲类功放电路的效率最大只有40%,而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、(n )一般情况下,差动电路的共模电压放大倍数越大越好,而差模电压放大倍数越小越好。 7、(y n)根据负反馈自动调节原理,交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、(y)要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大,则应引入电流串联负反馈。 9、(y)在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小,在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、(y n)在正弦波振荡电路的应用中,通常,当要求振荡工作频率大于1MHz时,应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择(本题共20分,每个选择2分): 1.在放大电路中,测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V,-10V,-9.3V,则此三极管是( A ) A. NPN型硅管; B. NPN型锗管; C. PNP型硅管; D. PNP型锗管; 2.为了使放大电路Q点上移,应使基本放大电路中偏置电阻R b的值(C )。 A. 增大 B.不变 C. 减小 3.典型的差分放大电路中Re( B )。 A.对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4.在差动电路中,若单端输入的差模输入电压为20V,则其共模输入电压为(C )。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5.电流源的特点是( A )。 A .交流电阻大,直流电阻小; B . 交流电阻小,直流电阻大; C. 交流电阻大,直流电阻大; D. 交流电阻小,直流电阻小。 6.影响放大电路高频特性的主要因素是( D )。 A. 耦合电容和旁路电容的存在; B. 放大电路的静态工作点不合适; C. 半导体管的非线性特性; D. 半导体管极间电容和分布电容的存在; 7.关于理想运算放大器的错误叙述是( A )。 A.输入阻抗为零,输出阻抗也为零;B.输入信号为零时,输出处于零电位; C.频带宽度从零到无穷大;D.开环电压放大倍数无穷大 8.有T1 、T2和T3三只晶体管,T1的β=200,I CEO=200μA;T2的β=100,I CEO=10μA;T3的β=10,I CEO=100μA,其它参数基本相同,则实用中应选( B ) A. T1管; B. T2管; C. T3管 9.交流反馈是指( C ) A.只存在于阻容耦合电路中的负反馈;B.变压器耦合电路中的负反馈; C.交流通路中的负反馈;D.放大正弦信号时才有的负反馈; 10.RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成,即RC串并联选频网络和( D ) A. 基本共射放大电路; B. 基本共集放大电路; C. 反相比例运算电路; D. 同相比例运算电路; 四、分析与计算(本题共50分): 1.(本小题10分) 电路如图2所示,通过分析判断反馈组态,并近似计算其闭环电压增益A usf。 2.(本小题10分) 电路如图3所示,u2=10V,在下列情况下,测得输出电压平均值U o的数值各为多少?(1)正常情况时;(2)电容虚焊时;(3)R L开路时;(4)一只整流管和电容C同时开路时。 3.(本小题12分) 如图4所示电路中,A为理想运放,Vcc=16V,R L=8Ω,R1=10kΩ,R2=100kΩ,三极管的饱和管压降U CES=0V,U o=-10V。(1)合理连接反馈电阻R2;(2)设A输出电压幅值足够大,估算最大输出功率P om;(3)估算单个三极管的最大集电极

模电实验报告一_西工大

模 拟 电 路 设 计 实 验 报 告 西北工业大学 赵致远2014302170 裘天成2014302171 2016年1月1日 实验一:电源 1.实验目的: ●学习开关型和线性型直流稳压电源原理。 ●认识电解电容与陶瓷电容的区别。 ●认识电感的作用。 ●学会通过芯片datasheet(数据表)了解其工作特性及参数指标 ●掌握直流稳压电源主要指标的意义与其测试方法。

熟悉开关型与线性型直流稳压电源的优缺点与其区别。 2.实验原理: a.线性稳压原理: 特点: 1.输出电压绝对值必须比输入电压绝对值低 2.输出三极管或者MOS管工作在放大状态,导通压降大,输入输 出电压压差大时效率较低。 3.输出电流能力较小 4.输出电压纹波小 5.无开关动作和EMI b.开关稳压原理: 降压 负压 升压

V SW I L V OUT ΔI L ΔV OUT T ON T 特点: 1.能够实现升压,降压,负压转换 2.采用开关传输能量,效率高。 3.具有大电流输出能力 4.输出纹波较大 5.开关动作产生较大EMI和系统电源噪声 3.实验内容: a.实验1:MC34063开关稳压电路 降压输出5V 负压输出-5V

1. 计算参数。 方法:依据MC34063 数据手册(datasheet)中,降压(step-down)和负压(Voltage-Inverting)部分提供的公式计算。 计算开关频率f和导通时间T ON:首先,依据选定的电容C T的值及其公式计算出T ON大小,之后根据T ON/T OFF比值公式计算出T OFF大小。T ON与T OFF之和为开关周期。计算得出开关频率大小。 通过反馈电阻R1,计算反馈电阻R2值。 已知确定R1,通过datasheet中提供的公式计算设定V OUT所需的电阻R2值。 并且调整好可调电阻大小。 计算最大输出电流I OUT(max) 2. 搭建电路。 3. 测试参数 A: 输出电压V OUT 电压表直接测量输出端的电压,并记录。 B:输出纹波 输入电压V IN=25V,负载电阻100Ω时,通过示波器AC档测试V OUT波形,读取纹波大小。 C: 开关频率f和导通时间T ON 输入电压V IN=25V,负载电阻100Ω时,测量开关节点引脚2的波形频率。 高电平时间为导通时间T ON。 D: 负载调整率 输入电压V IN=25V,在输出负载上串联电流表,接入V OUT端,调节负载电阻100Ω和50Ω变化。记录两个负载下输出电压值,计算负载调整率。 E:线性调整率 输入电压V IN在15V到25V变化,负载电阻100Ω时,记录输出电压变化值,计算线性调整率。 F:效率 输入电压V IN=25V,负载电阻100Ω时效率。 G:短路电流 输出负载0.1ohm,串联电流表,接入V OUT端,记录此时的输出电流值。b.实验2:LM7805线性降压电路

华南理工大学模电试题(附答案)

B 选择题(在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每空1分,共14分) 1. 已知常温下26mV T U =,二极管D 正偏电压U D =0.6V ,电流I D =0.8mA ,其交流电阻 r D =( )。 A. 750Ω B. 32.5Ω C. 375Ω D. 16.25Ω 2. BJT 放大电路中,测得三个电极①、②、③对地电位分别为12V 、12.2V 、0V ,据此 可判定BJT 为( A )型三极管,其三个电极中①为( D )极。 A. PNP B. NPN C. 发射极 D. 基极, E. 集电极 3. 图1所示共射放大电路,设静态时CQ 5mA I =,晶体管 饱和管压降CES 0.6V U =,当输入信号幅度增大到一定值时,电路将首先出现( )失真,其输出波形的( )将削去一部分。 A. 截止 B. 饱和 C. 顶部 D. 底部 4. 在图1所示电路中,已知晶体管的100β=, be 1k r =Ω,i 20mV U =;静态工作时BEQ 0.7V U =,CEQ 5V U =,BQ 20uA I =, 相应的电压增益为( )。 A .u 1003 3001A ?=-=-& B .u 1001.5 1501 A ?=-=-& C .u -352502010A =-=-?& D .u 57.140.7 A =-≈-& 5. 根据不同器件的工作原理,试判断( )可以构成复合管。 (A ) (B )(C ) (D ) 6. 在设计两级放大电路的过程中,要求输入电阻i R 约为150k Ω,电压放大倍数的数值 u A &约为100,第一级电和第二级电路应采用( )。 A. 共集电路;共射电路 B .共基电路;共射电路 C. 共集电路;共基电路 D. 共射电路;共射电路 7. MOS FET 构成的两级放大电路,总电压增益u 2000A =倍,其中第一级的电压增益

模电实验

模拟电子技术实验第十一次实验 波形发生电路 实验报告 2016.12.22 . .

. . 一、 实验目的 1、 学习用集成运放构成正弦波、方波和三角波。 2、 学会波形发生电路的调整和主要性能指标的测试方法。 二、 实验原理 由集成运放构成的正弦波、方波和三角波发生电路有多种形式,本实验采用 最常用且比较简单的几种电路来做分析。 1、 RC 桥式正弦波振荡电路 下图所示为RC 桥式正弦波振荡电路。其中RC 串并联电路构成正反馈支路, 同时起到选频网络的作用。R1、R2、Rw 及二极管等元件构成负反馈和稳幅环节。调节电位器Rw ,可以改变负反馈深度,以满足振荡的振幅条件和改善波形。利用两个反向并联二极管D1、D2正向电阻的非线性特性来实现稳幅。D1、D2采用硅管(温度稳定性好),且要求特性匹配,才能保持输出波形正、负半周对称。R3的接入是为了削弱二极管非线性的影响,以改善波形失真。 电路的振荡频率:12o f RC π= 起振的幅值条件:12f R R ≥ (具体推导见书第406页) 其中23(//)f w D R R R R r =++,D r 是二极管正向导通电阻 调整反馈电阻Rf (调Rw ),使电路起振,且波形失真最小。如不能起振,则

. . 说明负反馈太强,应当适当加大Rw ;如波形失真严重,则应当适当减小Rw 。 改变选频网络的参数C 或R ,即可调节振荡频率。一般采用改变电容C 作频率量程切换,而调节R 作量程的频率细调。 2、 方波发生电路 由集成运放构成的方波发生电路和三角波发生电路,一般均包括比较电路和 RC 积分电路两大部分。下图所示为由迟滞比较器及简单RC 积分电路组成的方波-三角波发生电路。它的特点是线路简单,但三角波的线性度较差。主要用于产生方波,或对三角波要求不高的场合。 电路振荡频率:211 22ln(1)o f f f R R C R =+ 式中11''w R R R =+,22'''w R R R =+ 方波输出幅值:om Z V V =± 三角波输出幅值:212 CM Z R V V R R =+ 调节电位器Rw (即改变R2/R1,),可以改变振荡频率,但三角波的幅值也随之变化。如要互不影响,则可以通过改变Rf 或Cf 来实现振荡频率的调节。 3、 三角波和方波发生电路 如把迟滞比较电路和积分电路首尾相接形成正反馈闭环系统,如下图所示, 则比较电路A1输出的方波经积分电路A2积分可以得到三角波,三角波又触发比较器自动翻转形成方波,这样既可构成三角波、方波发生电路。

模电试卷题库(含答案)

1.某个处于放大状态的电路,当输入电压为10mV,输出电压 为6.5V,输入电压为15mV时,输出电压为7V(以上均为直 流电压),它的电压增益为( C ) a、700 b、650 c、100 d、-100 2.当输入信号频率为f L或f H时,电压增益的幅值约下降为中 频时的( B ) a、05. b、0.7 c、0.9 d、1 3.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。 A、2 dB B、3dB C、4dB D、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接3KΩ的负载 电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为 ( C ) a、10KΩ b、2KΩ c、1 KΩ d、0.5KΩ 5.用两个AU相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内 阻的电压 信号进行放大,测试结果输出电压VOA>VOB,由此可知A比B ( B ) a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时V OA=V OB ,都接入负载R L时,测得V OA

模电(第四版)习题解答

第 1 章常用半导体器件 自测题 、判断下列说法是否正确,用“× ”和“√”表示判断结果填入空内。 (1) 在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2) 因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( × ) (3) PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( √ ) (4) 处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。( × ) (5) 结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其 (6) 若耗尽型N 沟道MOS 管的大于零,则其输入电阻会明显变小。( × ) 、选择正确 答案填入空内。 (l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C.变宽 (2) 稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3) 当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS=0V 时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、 C 。 A. 结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管 四、 伏。 、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D= 0.7V。 图T1.3 解:U O1= 1.3V, U O2= 0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5= 1.3V, U O6= -2V。已知稳压管的稳压值U Z= 6V,稳 定电流的最小值I Zmin=5mA。求图Tl.4 所示电路中U O1 和U O2各为多少 (a) (b) T1.4 解:左图中稳压管工作在击穿状态, 右图中稳压管没有击穿,故 故U O2= 5V。 U O1= 6V。 五、电路如图T1.5 所示,V CC=15 V,试问: (1)R b=50k 时,Uo=? (2)若T 临界饱和,则R b=? 解:(1) = 100,U BE=0.7V。 大的特点。( √ )

模电试卷题库含答案

1.某个处于放大状态的电路,当输入电压为10mV,输出电压 为6.5V,输入电压为15mV时,输出电压为7V(以上均为直 流电压),它的电压增益为( C) a、700b、650 c、100 d、-100 2.当输入信号频率为f L或fH时,电压增益的幅值约下降为中 频时的( B) a、05. b、0.7c、0.9 d、1 3.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。 A、2 dBB、3dBC、4dBD、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接3KΩ 的负载 电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为(C) a、10KΩb、2KΩc、1 KΩd、0.5KΩ 5.用两个A U相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压 信号进行放大,测试结果输出电压V OA>VOB,由此可知A比B( B ) a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时V =V OB,都接入负载R L时,测得V OA

a、虚短 b、虚断c、虚地d、以上均否 8.如图示,运放A为理想器件,则其输出电压V0为(A ) a、0V b、3V c、6Vd、9V 9.如图示,运放A为理想器件,则其输出电压V O为(C) a、9Vb、6Vc、0V d、3V 10.设VN、V P和V0分别表示反相输入端、同相输入端和输 出端,则V0与V N、V P分别成( D) a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相 11.若要将幅度为±Um的矩形波转变为三角波,则应选用( D ) A、反相比例运算电路?B、同相比例运算电路?C、微分运算电路 D、积分运算电路 半导体 12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( D)。 a、电子b、空穴c、三价硼元素d、五价磷元素 13.半导体中有两种载流子,它们分别是(C) a、电子和受主离子b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子 14.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( B ) a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺d、晶体缺陷 15.在室温附近,当温度升高时,杂质半导体中浓度明显增加是(C ) a、载流子b、多数载流子c、少数载流子d、正负离子

西工大模电实验报告总结计划晶体管单级放大器.docx

实验一晶体管共射极单管放大器 一、实验目的 1、掌握用 multisim仿真软件分析单级放大器主要性能指标的方法。 2、掌握晶体管放大器静态工作点的调试和调整方法,观察静态工作点对放 大器输出波形的影响。 3、测量放大器的放大倍数、输入电阻和输出电阻。 二、实验原理 实验电路如图 2.1 -1 所示,采用基极固定分压式偏置电路。电路在接通直流电源 V cc而未加入信号( V i =0)时,三极管三个极电压和电流称为静态工作点, 即 图2.1 -1 晶体管单级放大器 V BQ=R2V CC/(R 2+R3+R7) I CQ=I EQ=(V BQ-V BEQ)/R 4 I BQ=I EQ/ β V CEQ= V CC-I CQ( R5+R4) 1、放大器静态工作点的选择和测量 放大器的基本任务是不失真的放大小信号。为了获得最大不失真输出电压, 静态工作点应选在输出特性曲线上交流负载线的中点。若工作点选的太高,则容易引起饱和失真;而选的太低,又易引起截止失真。 静态工作点的测量是指在接通电源电压后放大器输入端不加信号时,测量晶

体管的集电极电流I CQ和管压 降 V CEQ。其中V CEQ可直接用万用表直流电压档测C-E 极间的电压既得,而I CQ的测量则有直接法和间接法两种: (1)直接法:将万用表电流档串入集电极电路直接测量。此法精度高,但 要断开集电极回路,比较麻烦。 ( 2)间接法:用万用表直流电压档先测出R5上的压降,然后根据已知R5算出I CQ,此法简单,在实验中常用,但其测量精度差。为了减小测量误差,应选用内 阻较高的电压表。 当按照上述要求搭好电路,在输入端引入正弦信号,用示波器观察输出。静态工作点具体的调节步骤如下: 现象出现截止失真动作减小 R 出现饱和失真 增大 R 两种失真都出 现 减小输入信号 无失真 加大输入信号 根据示波器上观察到的现象,做出不同的调整动作,反复进行。当加大输入信号,两种失真都出现,减小输入信号,两种失真同时消失,可以认为此时的静态工作点正好处于交流负载线的中点,就是最佳的静态工作点。去掉输入信号,测量此时的 V CQ, 就得到了静态工作点。 2.电压放大倍数的测量 Ui 输出电压 Uo 之比 电压放大倍数是指放大器的输入电压 Au=Uo/Ui(2.1-5) 用示波器分别测出 Uo 和 Ui ,便可按式( 2.1-5)求得放大倍数,电压放大倍数与负载 Rl 有关。 3.输入电阻和输出电阻的测量 ( 1)输入电阻 Ri 用电流电压法测得,电路如图电阻 R=1kΩ,用示波器分别测出电阻两端电压 2.1-3 所示。在输入回路中串接Ui 和 Us,则可求得输入电阻Ri 为 Ri=Ui/Ri=Ui×R/(Us-Ui )(2.1-6)

《模电》经典题目-含答案

模拟电子技术基础试卷及参考答案 试卷三及其参考答案 试卷三 一、选择题(这是四选一的选择题,选择一个正确的答案填在括号内)(共16分) 1.有两个增益相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这说明A的() a. 输入电阻大 b. 输入电阻小 c. 输出电阻大 d. 输出电阻小 2.共模抑制比K CMR越大,表明电路()。 a. 放大倍数越稳定 b. 交流放大倍数越大 c. 抑制温漂能力越强 d. 输入信号中的差模成分越大 3.多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比,其通频带()。 a. 变宽 b. 变窄 c. 不变 d. 与各单级放大电路无关 4.一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。当信号频率恰好为上限频率或下限频率时,实际的电压增益为()。 a. 43dB b. 40dB c. 37dB d. 3dB 图1-4 图1-5 5.LC正弦波振荡电路如图1-5所示,该电路()。 a. 满足振荡条件,能产生正弦波振荡 b. 由于无选频网络,不能产生正弦波振荡 c. 由于不满足相位平衡条件,不能产生正弦波振荡 d. 由于放大器不能正常工作,不能产生正弦波振荡 6.双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。已知静态时,V o=V c1-V c2=0,设差 模电压增益 100 vd = A ,共模电压增益mV 5 V mV, 10 ,0 i2 i1 c = = =V A V,则输出电压o V为()。

a. 125mV b. 1000 mV c. 250 mV d. 500 mV 图1-6 图1-7 7.对于图1-7所示的复合管,假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流,则复合管的穿透电流CEO I 为( )。 a. CEO2CEO I I = b. CEO2CEO1CEO I I I += c. CEO1CEO I I = d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++= 8.某仪表放大电路,要求R i 大,输出电流稳定,应选( )。 a. 电流串联负反馈 b. 电压并联负反馈 c. 电流并联负反馈 d. 电压串联负反馈 二、判断下列管子的工作状态(共10分) 1.测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图2-1 a 、b 、c 所示,试判断它们分别工作在什么状态(饱和、放大、载止、倒置)。设所有的三极管和二极管均为硅管。 图2-1 2.电路如图2-2 a 、b 所示,分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区(饱和区、夹断区、可变电阻区)。

最新模电题库附答案

最新模电题库附答案 1晶体管工作在放大区时,发射结为____,集电结为____,工作在饱和区时,发射结为____,集电结为____。 A、正向偏置, B、反向偏置, C、零偏置 [答案]A|B|A|A 2N型半导体是在纯净半导体中掺入____;P型半导体是在纯净半导体中掺入____。 A、带负电的电子, B、带正电的离子, C、三价元素,如硼等, D、五价元素,如磷等 [答案]D|C 3当PN结外加正向电压时,扩散电流漂移电流,耗尽层;当PN 结外加反向电压时,扩散电流漂移电流,耗尽层。 A、大于, B、小于, C、等于, D、变宽, E、变窄, F、不变

[答案]A|E|B|D 4在保持二极管反向电压不变的条件下,二极管的反向电流随温度升高而____;在保持二极管的正向电流不变的条件下,二极管的正向导通电压随温度升高而____。 A、增大, B、减小, C、不变 [答案]A|B 5某二极管反向电压为10V时,反向电流为μA。在保持反向电压不变的条件下,当二 极管的结温升高10℃,反向电流大约为____。 A、0.05μA, B、0.1μA, C、0.2μA, D、1μA [答案]C 6在如图所示的电路中,当V=3V时,测得I=1mA,。 1.当V调到6V,则I将为____。 A、1mA, B、大于1mA,但小于2mA C、2mA, D、大于2mA

2.保持V=3V不变,温度升高20℃,则将为____。 A、小于0.7V, B、0.7V不变, C、大于0.7V [答案]D|A 7电路如图所示,,当直流电源电压V增大时,二极管VD的动态电阻 将____。 A、增大, B、减小, C、保持不变 [答案]B 8在某放大电路中,测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为-1.22mA、0.02mA、1.2mA。由此可判断电极①是____,电极②是____,电极③是____(A、发射极,B、基极,C、集电极);该晶体管的类型是____(A、PNP型,B、NPN型);该晶体管的共射电流放大系数约为____

清华大学出版社模拟电子技术习题解答(课后同步) 新

清华大学出版社模拟电子技术习题解答(课后同步) 习题1 客观检测题 一、填空题 1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ,而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。 2、当PN 结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。当外加反向电压时,扩散电流 小于 漂移电流,耗尽层 变宽 。 3、在N 型半导体中,电子为多数载流子, 空穴 为少数载流子。 二.判断题 1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子,N 型半导体中含有大量电子载流子,所以P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。( × ) 2、在N 型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P 型半导体。( √ ) 3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。(× ) 4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。( × ) 5、PN 结在无光照无外加电压时,结电流为零。( √ ) 6、温度升高时,PN 结的反向饱和电流将减小。( × ) 7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将变宽。(× ) 三.简答题 1、PN 结的伏安特性有何特点? 答:根据统计物理理论分析,PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V V s D -?=表示。 式中,I D 为流过PN 结的电流;I s 为PN 结的反向饱和电流,是一个与环境温度和材料等有关的参数,单位与I 的单位一致;V 为外加电压; V T =kT/q ,为温度的电压当量(其单位与V 的单位一致),其中玻尔兹曼常数k .J /K -=?2313810,电子电量

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