多晶硅还原炉抽空赶气操作规程
多晶硅制造装置尾气回收设备操作说明书
Chemical Design Inc.工艺装置设备编制：CHEMICAL DESIGN, INC.285 Market StreetP.O. Box 513Lockport, New York 14095-0513电话 (716) 433-6744 传真 (716) 439-4019 版次0：2009年2月9日多晶硅制造装置尾气回收设备操作说明书目录1.0工艺说明 (3)1.1尾气冷凝 (3)1.2压缩 (3)1.3吸收与蒸馏系统 (3)1.4吸附系统 (4)1.5设计依据 (4)1.6公用工程 (5)2.0预开车 (5)2.1安装塔填料 (5)2.2泵 (5)2.3电加热器 (5)2.4加注冷凝物系统 (6)2.5将碳装入吸附塔T-204 A、B和C (6)2.6氮封系统 (6)2.7压缩机 (6)2.8校准仪表 (6)2.9检查程序逻辑 (6)2.10检查序列控制 (7)2.11检查紧急停车系统 (8)2.12公用工程调试 (8)2.13制冷系统的抽气与充注 (8)3.0开车 (8)3.1氮气吹扫 (9)3.2干燥吸附塔 (9)3.3循环吸附塔 (10)3.4干燥原料气压缩机 (10)3.5用氢气置换氮气 (10)3.6建立塔T-202和T-203内的液位 (11)3.7启动压缩机 (11)3.8循环氯硅烷液体 (12)3.9调试制冷系统 (12)3.10建立HCL蒸馏塔T-203中的温度曲线图 (12)3.11 增加原料气尾气量 (13)4.0停车 (13)4.1联锁 (13)4.2短期中断 (20)4.3长期中断 (20)4.4正常停车 (20)5.0安全 (21)6.0压缩机启动顺序 (21)1.0 工艺说明CVD还原炉尾气回收装置从还原炉收集尾气并将其分散至氯硅烷液体、氯化氢气体和氢气中，该还原炉将多晶体硅沉淀到高温连杆上。
氢气以非常高的纯度（总污染物时返回至<1 vppm）返回并循环到CVD还原炉。
多晶硅还原装置操作规程
多晶硅还原装置操作规程第一章总则第一条为了保证多晶硅还原装置的正常运行，确保生产过程安全，提高生产效率，制定本操作规程。
第二条本操作规程适用于多晶硅还原装置的操作人员。
第三条操作人员应熟悉本操作规程，并按规程执行工作。
第四条操作人员应定期接受安全生产教育和培训，不得违反本操作规程。
第五条凡违反本操作规程，发生安全事故的，责任由操作人员承担。
第二章操作人员要求第六条操作人员应具备以下条件：（一）操作人员应经过专门的培训，并通过相应的考核。
（二）操作人员应具备相关岗位的工作经验，了解多晶硅还原装置的工作原理和操作流程。
（三）操作人员应了解相关的安全生产法律法规和标准，熟悉多晶硅还原装置的安全操作规程。
第七条操作人员在进入多晶硅还原装置工作区域前，应穿戴好相应的劳动保护用品，严禁穿戴过大、过松或不符合安全要求的服装。
第八条操作人员不得携带易燃、易爆物品进入多晶硅还原装置工作区域。
第九条操作人员禁止饮酒、吸烟、吃零食等不符合安全要求的行为。
第十条操作人员应当按照职责分工，严格执行操作规程，不得擅自更改或停止生产线操作。
第三章操作流程第十一条多晶硅还原装置操作人员进入工作区域前，应确认设备状态正常，排除可能存在的故障。
第十二条操作人员应按照操作指导书的要求，认真检查设备的运行状况，确保设备正常运转。
第十三条操作人员在操作过程中应密切观察设备运行情况，及时发现并解决问题。
第十四条操作人员应注意维护装置的清洁卫生，及时清理设备周围的杂物。
第十五条操作人员应定期检查设备的润滑情况，添加润滑油。
第十六条操作人员在设备发生故障时，应按照操作规程，及时采取相应的应急措施，确保人员和设备的安全。
第十七条操作人员应加强设备的质量管理，加强计量工作，确保产品合格。
第四章安全防护第十八条操作人员应严格执行安全操作规程，坚决杜绝违章操作。
第十九条操作人员应定期进行设备的保养和检修，确保设备的正常运转。
第二十条操作人员应加强设备的维护保养，及时清理设备的积尘和杂物。
多晶硅还原炉电气培训 下
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高压启动电源故障报警界面
9.1、打压故障报警
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ1) 过电流故障：检测输出电流，当超过设定的报 警值时产生过流故障，封锁单相脉冲、发出报警 信号。 2) 过电压故障：检测输出电压，当超过设定的报 警值时产生过压故障，发出报警信号。 3) 熔断故障：当启动电源功率柜内熔断器过流熔 断时，产生熔断器熔断故障，封锁脉冲、断开进 电开关并发出报警信号。 4) 同步故障：当启动电源控制系统进电同步信号 出现问题时，封锁脉冲，并发出报警信号。
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隔离开关手动操作界面图8
6.7、还原加热电源停炉操作步骤 4、当还原炉运行结束点击“停炉操作”按 钮，在弹出换面中点击“是，停炉”按钮确 认停炉。 5、停炉操作成功后，点击“控制电源分闸” 按钮，在弹出换面中点击“是，分控制”按 钮进行控制电源分闸。
案例分析:上次出现一个故障就是没分控制电源造成烧坏多块 可控硅
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10、还原加热故障报警
5) 声音报警信号：启动装置故障与还原加热电源故障均 会引起声音报警，点击故障画面中的“声音取消”取消 声音报警，等下一个故障事件发生时，声音报警再次被 触发。
6) 断电复位：如果还原加热电源突然出现脉冲消失，导 致硅芯供电停止，可以点击“断电复位”按钮，重启还 原加热电源。断电复位使用的条件是：无故障报警，高 压处于合闸状态，还原断路器处于合闸状态。 7) 控制板数码管无法点亮：检测供电电源是否正常，断 开控制电源10S后，重新合控制电源，如果翻覆几次仍 无法点亮数码管，则请更换控制板。
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8、还原加热电源单机操作说明
还原触摸屏的基本使用（还原控制柜上）
还原设备的触摸屏全部采用西门子触摸控制面 板，用于与PLC200之间的通讯，当设备需要检修 人员进行检修时，可以在还原车间通过触摸屏实现 对设备的控制。因为该屏幕是触控设备，为了防止 检修人员的误操作，只有当输入正确的密码以后才 能对该触摸屏进行操作。
《安全操作规程》之多晶硅制作工安全操作规程
多晶硅制作工安全操作规程1．开护前应将各管道清洗干净并烘干，然后将各管道按生产流程要求连接好，要确保密封，所有反应釜和流程各段应进行检漏(抽真空在24小时之内无明显的压力降)。
2．生产过程运行时，不能停水，停电。
3．生产上所用的电气设备，非生产人员切勿乱动。
4．生产中各管道所连接的开关、铁夹子，不得随意松动。
非工作人员不得随便进入生产区。
操作者不得随意离开工作岗位。
每隔半小时详细记录压力、温度的情况。
5．生产进行之中，冷井的抽空阀一定要打开，绝不能关死。
贮氨筒间的冷凝器加氨气阀要打开，停炉时要关死。
6．材料要求：(1)氧化铵烘干后要经40目分样筛后，装入干燥而密封的容器内；(2)硅镁的合成要在真空度达9．999×10000帕(750毫米汞柱)以上，温度550℃时进行，并恒温3小时，严禁漏气，然后再在常温下降温，直到手触及外壳无灼痛的感觉，才能消除真空取下不锈钢盘进行过筛。
得到的硅镁合成粉应贮存在干燥密封的容器内，严禁与水、酸、火接触，以免燃烧和爆炸；(3)液氨的使用要特别注意氨瓶和接管道口的气密性，以免漏气。
不要让氨气冲入眼、口、鼻和粘在皮肤上，否则应立即用水冲洗；(4)铣镁屑时，要按镁合金加工的要求进行，加工好的镁屑要保存好，严禁烟火和潮湿。
7．各设备上所使用的检漏表、气压表、高伏计要定期检查和校正，以免表的失灵而发生事故。
8．配制清洁液时应注意：水不得往硫酸中注入，一定要将硫酸慢慢加入水中卜配制王水时应将硝酸慢慢加入盐酸中，配制酸液或清洗过程中，应戴上耐酸橡胶手套及口罩和围上耐酸围裙，在通风设备下进行配酸，不要粘入身上，处理废酸废碱时要进行中和后，达到安全排放标准，才可倒入下水道。
9．清洗汞时要戴上口罩和围上围裙。
要小心操作，打开通风柜。
不要将汞打翻在地，如有撒在外边，可用硫磺粉及时撒上立即处理。
10．生产当中严禁吸烟。
——摘自《机械工人安全技术操作规程》。
多晶硅工艺流程
多晶硅工艺流程简述（改良西门子法及氢化）氢气制备与净化工序在电解槽内经电解脱盐水制得氢气。
电解制得的氢气经过冷却、分离液体后，进入除氧器，在催化剂的作用下，氢气中的微量氧气与氢气反应生成水而被除去。
除氧后的氢气通过一组吸附干燥器而被干燥。
净化干燥后的氢气送入氢气贮罐，然后送往氯化氢合成、三氯氢硅氢还原、四氯化硅氢化工序。
电解制得的氧气经冷却、分离液体后，送入氧气贮罐。
出氧气贮罐的氧气送去装瓶。
气液分离器排放废吸附剂、氢气脱氧器有废脱氧催化剂排放、干燥器有废吸附剂排放，均供货商回收再利用。
氯化氢合成工序从氢气制备与净化工序来的氢气和从合成气干法分离工序返回的循环氢气分别进入本工序氢气缓冲罐并在罐内混合。
出氢气缓冲罐的氢气引入氯化氢合成炉底部的燃烧枪。
从液氯汽化工序来的氯气经氯气缓冲罐，也引入氯化氢合成炉的底部的燃烧枪。
氢气与氯气的混合气体在燃烧枪出口被点燃，经燃烧反应生成氯化氢气体。
出合成炉的氯化氢气体流经空气冷却器、水冷却器、深冷却器、雾沫分离器后，被送往三氯氢硅合成工序。
为保证安全，本装置设置有一套主要由两台氯化氢降膜吸收器和两套盐酸循环槽、盐酸循环泵组成的氯化氢气体吸收系统，可用水吸收因装置负荷调整或紧急泄放而排出的氯化氢气体。
该系统保持连续运转，可随时接收并吸收装置排出的氯化氢气体。
为保证安全，本工序设置一套主要由废气处理塔、碱液循环槽、碱液循环泵和碱液循环冷却器组成的含氯废气处理系统。
必要时，氯气缓冲罐及管道内的氯气可以送入废气处理塔内，用氢氧化钠水溶液洗涤除去。
该废气处理系统保持连续运转，以保证可以随时接收并处理含氯气体。
三氯氢硅合成工序原料硅粉经吊运，通过硅粉下料斗而被卸入硅粉接收料斗。
硅粉从接收料斗放入下方的中间料斗，经用热氯化氢气置换料斗内的气体并升压至与下方料斗压力平衡后，硅粉被放入下方的硅粉供应料斗。
供应料斗内的硅粉用安装于料斗底部的星型供料机送入三氯氢硅合成炉进料管。
从氯化氢合成工序来的氯化氢气，与从循环氯化氢缓冲罐送来的循环氯化氢气混合后，引入三氯氢硅合成炉进料管，将从硅粉供应料斗供入管内的硅粉挟带并输送，从底部进入三氯氢硅合成炉。
多晶硅生产中尾气分置回收及应用
多晶硅生产中尾气分置回收及应用摘要：光伏用多晶硅材料要求含Si＞99.9999%(6个N)以上，电子级多晶硅达到99.9999999%(9个N)以上。
因其具有高纯度的特点，在整个生产过程中，对产品质量的控制要求很高。
目前，生产多晶硅主要采用改良西门子法，因其转化效率一般为13%左右，大量的尾气需要回收利用，才能获得较好的经济效益与环境效益。
多晶硅生产的尾气主要有还原尾气、氢化尾气和三氯氢硅合成尾气，尾气中的主要成分包括三氯氢硅(TCS)、二氯二氢硅(DCS)、四氯化硅(STS)、氢气、氯化氢等气体。
各工序带来的尾气成分基本相似，但所含微量杂质不尽相同。
其中还原炉内的尾气除了带有部分无定型硅之外相对较干净，氢化炉由于使用了热场材料，尾气成分总C含量增加，合成尾气则含有较高的硼(B)、磷(P)杂质和细颗粒硅粉杂质。
如何有效的将这些尾气成分进行分离、提纯和回收，是决定多晶硅产品质量和生产成本的关键因素。
本文主要分析多晶硅生产中尾气分置回收及应用。
关键词：多晶硅;尾气;分置回收;应用引言多晶硅生产中对合成、氢化和还原尾气进行分置处理，其中还原尾气回收氢CH4含量更低，具有质量优势。
随着冷氢化技术的发展，可将多晶硅生产系统对应分割为太阳能多晶硅生产系统和电子级多晶硅生产系统，对应建立尾气回收系统，利用热氢化系统不会造成B、P杂质增加，还原尾气系统采用更加先进的回收氢净化除杂措施，进一步对C、B、P杂质进行去除，能够保障电子级多晶硅产品质量，同时降低生产成本。
1、多晶硅生产分置尾气干法回收尾气回收装置的主要目的是将氯硅烷、HCl和氢气进行分离回收，实现资源化利用。
一般包括五个单元，分别为尾气粗分离单元、气体输送单元、HCl吸收单元、HCl解析单元、H2净化单元。
主要工艺为:尾气进入回收单元，经过四级冷却，将大部分氯硅烷冷凝，不凝气体进行加热并送入压缩机，压缩气体经过冷却后送入HCl吸收塔。
富余的氯硅烷被加热送入到HCl精馏塔中，在此处HCl从氯硅烷中分离出来，送入TCS合成工序循环使用。
多晶硅还原炉调功器调功方案及应用经验探讨
多 晶硅 还 原 炉 调 功器 调 功 方 案 及 应 用经 验 探 讨
多晶硅还原炉调功器调功方案及应用经验探讨
Ｐ ｗｅ ｄｕ ｔ ｎ ｃ ｅ ｎ ｐ ｌａｉｎ Ｅ ｐ ｒ ｎ ｅ ｏ ｅ ｕ ｔ ｎ Ｆ ｒａ ｅ ｏ ｒＡ ｊｓｍｅ ｔＳ ｈ ｍｅ ａ ｄ Ａ ｐｉ ｔ ｘ ｅｉ ｃ ｆＲ ｄ ｃｉ ｕｎ ｃ ｃ ｏ ｅ ｏ 韩健伟 （ 焦作煤业（ 集团） 有限责任公司， 河南 焦作 ４４ ０ ） ５ ０２ 陈 真 生 黄 开 均 陈 杰 （ 浙江中控技术股份有限公司， 浙江 杭州 ３ ０ ５ ） １０ ３
理前 ， 要 理 解 多 晶硅 的生 长 原 理及 电气 特 性 。 需 １１ 多 晶硅 还 原 生 长 原理 ．
在 工 业 电加 热 应用 领 域 ，广 泛 使 用 可 控 硅 作 为 功 率 控 制 元
件 ， 控 制 、 节精 度高 ， 行无 噪音 。 其 调 运 目前 可 控 硅 功 率控 制方 式 有 ： 相触 发 调 压 和 过 零 触 发调 功 两 种 方 式 －。移相 触发 调 压 就 移 ４ ］ 是通 过 调 节 门极 触 发脉 冲 间 的 电角 度 来 调 节 电压 。过 零 触 发 调
１ 多 晶硅 生 长 原 理 和 电气 特 性
高 ， 粒 间界 势 垒 降 低 ， 晶 即硅 棒 所 需 要 击穿 电压 会 降 低 ［。 ３ ］
２ 还 原 炉 调 功 器调 功 实 现 方 案
还原 炉 调 功 器 的 主 要 功 能是 控制 经 还 原 反 应 产 生 的硅 在 硅 芯 上 的生 长过 程 ，因 此 在介 绍 还 原 炉 调 功 器 控 制 工 艺 和 控 制 原
ｃｏ ｕ ｐ ｉ ｏ ｔ ｅ ｏｌｃｒｓａｌｎ ｓｌ ｏｎ ｒ ｄｕ ｔ ａｅ ｎｓ ｍ ｔ ｏｎ ｆ ｈ ｐ ｙ ｙ ｔ ｌ ｅ ｉｃ ｐ ｏ ｃ ｉ ｉ ｉ ｏｎ ｒ ｄｅｐ ｄｅ ｏｎ ｈ ｒ ｄｕ ｔ ｆ ｎ ｅ． ｉ ｐａｐ ｄｅ ｃ ｉｅｓ ｈ ｐｒ— ｅｎ ｄ ｔｅ ｅ ｃ ｉ ｏｎ ｕｒａｃ Ｔｈｓ ｅｒ ｓ ｒｂ ｔ ｅ ｏ
多晶硅还原装置操作规程
还原装置安全技术操作规程受控状态：目录1 范围 (1)2 引用标准 (1)3 术语和定义 (1)3.1爆炸极限 (1)3.2闪爆 (1)3.3危险化学品 (2)3.4预案 (2)3.5应急救援 (2)3.7载流子 (2)3.8多数载流子（多子） (2)3.9少数载流子（少子） (2)3.10载流子寿命 (2)3.11少数载流子寿命（少子寿命） (3)3.12本征半导体 (3)3.13 N型半导体 (3)3.14 P型半导体 (3)3.15受主、施主杂质 (4)3.16多晶硅 (4)3.17电阻、电阻率 (4)3.18基磷、基硼 (4)3.19配比 (4)3.20还原炉电单耗 (4)3.21平均沉积速度 (4)3.22晶体生长 (4)3.23硅棒的生长周期 (4)3.24单位沉积速率 (4)3.25一次实收率 (5)3.26单程消耗 (5)3.27三氯氢硅单耗 (5)3.28氧化夹层 (5)3.29温度圈、温度夹层 (5)3.30无定形硅 (5)3.31免洗料、非免洗料 (5)3.32珊瑚料、正料 (5)3.33熔焦料 (5)3.34还原炉雾化 (6)5 装置概况 (6)5.1装置简介 (6)5.2工艺原理及简图（PID） (6)5.3装置管路仪表流程简图 (8)5.4装置平面布置图 (8)5.5污染物主要排放部位和排放的主要污染物 (8)5.6事故监测、防护及消火设施布置图 (8)6 主要工艺条件及控制指标 (9)6.1工艺指标 (9)6.2控制指标 (13)6.3仪表与自控 (14)7 设备规格及技术要求 (18)7.1设备规格明细表 (18)7.2主要设备结构示意图 (22)8 工作职责 (24)8.1还原班长的岗位职责 (24)8.2还原内操的岗位职责 (26)8.3还原外操的岗位职责 (27)8.4装拆炉班长的岗位职责 (28)8.5装拆炉工的岗位职责 (29)9 还原装置操作 (30)9.1装置开车 (30)9.2装置停车 (38)9.3工艺操作(单元操作) (45)9.4水泵的操作与维护 (49)9.5装拆炉操作 (50)9.6钟罩清洗操作 (56)9.7中央吸尘系统的操作 (58)10 异常及事故处理 (64)10.1概述 (64)10.2异常的预防及处理 (64)10.3单个系统故障（如某泵跳停） (67)10.4装置动力电源断电 (68)10.5危化品泄漏 (69)10.6泄漏引起着火、闪爆等 (70)10.7上下游装置故障等 (70)10.8蒸汽停供的处理预案 (71)10.9DCS故障 (71)10.10现场各气动阀断电或断气 (72)10.11火灾、爆炸事故 (72)10.12装拆炉过程中的异常及处理 (73)10.13钟罩清洗过程中的异常及处理 (73)10.14中央吸尘系统故障及处理 (76)10.15处理事故过程出现人员伤亡的救治 (76)10.16人员疏散方案 (77)10.17现场保护与现场洗消 (78)10.18应急救援保障 (78)11 检查与考核 (78)11.1检查 (78)11.2考核 (79)12 表格与记录 (79)13 附录 (79)1 范围本规程适用于还原装置的操作工作。
还原炉操作规程
还原炉操作规程一、气路系统的检查、管路检漏与工作压力：1.管路检查：调制气氛前先检查各手动调节阀是否灵活可调，流量计有无破损；2.管路检漏与工作压力设置：（1）关闭氨分解气主管路手阀；（2）关闭气路面板上所有流量计，关闭排气长明火管路上手阀，检漏工作完成后再打开；（3）打开氨分解气与氮气联络手阀，检漏工作完成后再关闭；（4）关闭氮气总管手阀，将压缩空气通过外接减压阀接至氮气总管，调整外接减压阀使氮气主管路原气压力表的示值为0.3MPa（也可以使用氮气气源）；（5）打开氮气总管手阀，调整氮气主管路减压阀，使阀后压力表示值为0.08-0.1MPa；（6）依次打开各流量计（先打开各支路远端手阀），阀后压力表示值可能低于0.08-0.1MPa，重新调整减压阀，压力表示值为稳定在0.08-0.1MPa；（7）关闭各流量计，进行流量计进口前管路接头及管路的检漏工作；（8）顺序打开再关闭每个流量计的开关，检查流量计浮子是否可以正常指示流量；（9）顺序打开流量计，关闭各使用点处手动阀门，使流量计与手动阀门之间管路处于等压力状态，进行流量计出口后管路接头及管路的检漏工作；二、气路系统的冲刷与炉内气体置换：1.关闭氨分解气总管手阀与氮气总管手阀；2.打开氨分解气与氮气联络手阀；3.关闭备用氮气气源手阀；4.将气路盘面氮气流量计阀门和氨分解气流量计阀门置为适当开启状态；5.将窑炉主体总排气锥阀调至微开状态；6.窑炉主体下角的排气阀、取样阀和炉顶排气阀调至全开状态；7.开启氮气总阀门，此时通入的全部为纯氮气；8.缓慢调节气体柜内氮气调压阀，使氮气调节阀输出压力为0.1MPa；9.打开氨分解气主管路、氮气主管路的放空手阀，一分钟后关闭；10.进行炉内氮气置换；氮气置换时间6-8小时，调节排气锥阀的开度，炉内压力控制在110Pa左右；11.在上述状态下继续置换炉内气体，用点燃法检查总排气口排出气体是否为纯氮气；12.用点燃法检查窑炉主体各排气阀排出气体是否为纯氮气，当排气点均排出纯氮气时关闭阀门，气氛置换完毕；13.保持上述工作状态，进入下述气氛调制阶段；三、炉内气氛的调制：1.关闭氨分解气与氮气联络手阀；2.核查长明火与安全机构是否检查完毕；3.点燃长明火；4.将全部氨分解气流量计关闭；5.打开氨分解气总阀门，使氨分解气管路压力指示为0.1MPa；6.观察气体盘面氨分解气与氮气压力表指示压力是否在正常工作范围之内；7.按照工艺要求与工艺状态调整各流量计流量；8.确保炉内为正压状态（调整排气阀开度与进气量均可调整炉内压力）；9.观察开启和关闭换气室舱门时总排气阀处火焰高度，不可断火；10.气氛调制完毕后方可通电加热和启动全自动循环装置；11.注意窑炉的最短循环周期不得短于技术指标；四、开炉程序1.检查总气源、总电源、总水源、电气部分、机械部分、安全系统等；2.开启氨分解气阀门，点燃长明火；3.启动全自动循环部分；4.执行“气路系统的冲刷与炉内气体置换”程序；5.执行“炉内气氛的调制”程序；6.一切正常后通电加热；五、关炉程序1.停止加热，自由降温；2.500℃以后关闭氨分解系统，打开氨分解气与氮气联络阀门，全部送入氮气，仍然保证炉内正压；3.200℃以下关闭氨分解气与氮气联络阀门和总氮气阀门。
多晶炉工艺调试流程20160330
多晶炉工艺调试流程一，工艺原理：多晶硅铸锭炉采用的生长方法主要为热交换法与布里曼法结合的方式。
这种类型的铸锭炉，内涂SiN 的坩埚装入多晶硅料后放在导热性很强的DS块上，关闭炉子后排气，坩埚的四个竖直面及顶部都有石墨加热器，DS-Block,坩埚四周围都有隔热层，在加热的过程中保温层和底部隔热层闭合严密，保证加热时内部热量不会大量外泄，保证了加热的有效性和加热的均温性。
在结晶时，充入保护气氩气，装有熔融硅料的坩埚在DS块上不动，将装有保温层的隔热笼缓慢向上移动，坩埚底部的热量通过保温层与隔热层之间的空隙发散出去，通过气体与炉壁的热量置换，逐渐降低坩埚底部的温度。
在此过程中，结晶好的晶体逐步离开加热区，而熔融的硅液仍然处在加热区内，这样在结晶的过程中液固界面形成比较稳定的温度梯度，这个梯度使坩埚内的硅液从底部开始凝固，从熔体底部向顶部开始长晶。
当所有硅料都凝固后，在程序的控制下，硅锭需要经过退火，冷却处理以免破裂且能将晶格降到最小限度。
二，调试步骤：调试主要分调试前检查准备，800度手动低温烘烤，正常工艺空烧运行，和投料运行四个步骤。
1，调试前检查准备：a，外部的水、电、气方面都必须正常。
b，热场安装各方面的距离尺寸需与安装图纸上一致。
特别注意热偶与加热器的距离。
c，隔热笼的零位要准确，保证将炉腔合上隔热笼处于零位时底部与下保温板之间的间隙为5-8mm。
d，炉子的绝缘电阻确保大于2K欧姆。
2，800手动低温烘烤：a，先将隔热笼和炉腔合上开始抽气。
b，当抽到1mbar以下时若抽不动了就可以开始直接手动加热了。
c，启动加热器先用功率控制加热，每十分钟加10%的功率加热加到50%为止，当温度到达800度后转温度控制，温度控制在800度保持4小时同时把隔热笼打开到最大，注意整个过程都要保持抽气状态。
低温烘烤的目的：除去新热场里含的水气和确认加热器的电阻值。
3，正常工艺空烧运行：a，运行前要检查热场和电阻值，将新的护板底板和盖板拼好一起放入炉腔内准备空烧，最好能在底板上放一层软毡。
多晶硅生产中废气的处理
多晶硅⽣产中废⽓的处理2016-02-03四季春等点标题下“环保之家”，就可关注我哦为了实现环境保护和能源的可持续发展，可再⽣能源受到全世界的重视，特别是太阳能以其“取之不尽，⽤之不竭”的优势⽽成为⼈们关注的焦点。
近年太阳能电池产业得到蓬勃发展，作为太阳能电池产业的上游——多晶硅产业发展迅猛，现国内多晶硅⽣产企业已达到50多家。
随着多晶硅产业的发展，多晶硅⽣产对环境造成的影响越来越受到关注B J。
改良西门⼦法多晶硅⽣产中会产⽣易燃易爆、有毒、腐蚀性的废⽓和废液，如果处置不当，会发⽣安全事故和对环境造成污染。
如何安全有效地处理这些废⽓废液，满⾜环保、循环经济、节能、降耗等⽅⾯要求，较好地解决多晶硅⽣产过程中的环境污染和能耗问题，已成为关系到多晶硅产业能否健康发展的⼤问题。
在多晶硅项⽬的设计和⽣产中，应采取先进⼯艺技术，彻底有效地对废⽓废液进⾏处理，从⽽减少对环境的危害，这对确保多晶硅产业的健康发展具有现实和长远的意义。
1改良西门⼦⽣产⼯艺及废⽓传统处理⽅式1 改良西门⼦⽣产⼯艺及废⽓传统处理⽅式1．1 改良西门⼦⽣产⼯艺⽬前多晶硅⽣产⼤都采⽤改良西门⼦法，西门⼦法是以HCl(或Cl2、H2)和冶⾦级⼯业硅为原料，将粗硅粉与HCl在⾼温下合成为SiHCl3(TCS)，然后对SiHCI3进⾏化学精制提纯，接着对SiHCl3进⾏多级精馏，使其质量分数达到99．999 9％(6个9)以上，最后在还原炉中l 0500C的硅芯上⽤超⾼纯的H：对SiHCl，进⾏还原⽽⽣成⾼纯多晶硅棒。
多晶硅⽣产的⼯艺流程如图1所⽰。
改良西门⼦⼯艺过程实际上是⼀种提纯过程，⾦属硅先转化成SiHCl3，再⽤H2进⾏L次性还原，这个过程中约有25％的SiHCl3转化为多晶硅，其余⼤量进⼊尾⽓，其中还包括SiCl4(STC)、SiH2Cl2(DCS)、H2、HCl等。
即使采⽤先进的回收⼯艺，实现整个⽣产流程的闭环运⾏，反应过程中还是有⼀定量的副产氯硅烷排⼈到废⽓中。
多晶硅还原装置操作规程
多晶硅还原装置操作规程一、操作前的准备工作1.检查多晶硅还原装置的设备、仪器和管道等是否正常，如有异常情况应及时修复。
2.确保操作人员已经接受了相关培训并理解了操作规程的内容。
3.操作人员应穿戴好防护装备，包括安全帽、眼镜、口罩、耐酸防护服等。
二、操作步骤1.启动操作控制系统，确保设备处于正常工作状态。
2.检查多晶硅仓中的多晶硅料是否足够，如不足应及时补充。
3.打开多晶硅仓的进料阀门，将多晶硅料送入还原炉中。
注意不要堆积多晶硅料，避免阻塞料仓。
4.打开还原炉的加热控制系统，将温度升至设定值。
升温过程中应注意设备运行情况，并及时处理异常情况。
5.当温度达到设定值后，打开还原炉的气体供应系统，将还原气体送入还原炉中。
6.监测还原气体的流量、温度和压力等参数，确保供气系统正常运行。
7.监测多晶硅的反应情况，包括温度、压力和反应产物的排放等。
如有异常情况，应及时采取措施处理。
8.在还原过程中，严禁随意打开或关闭设备的阀门、开关等，并不得擅自进行设备维修或更换等工作。
9.定期对装置进行检查和维护，保持设备的正常运行。
10.当操作结束时，先关闭还原炉的气体供应系统，再关闭加热控制系统。
11.清理多晶硅还原装置的各个部位，确保设备的清洁。
12.将多晶硅还原装置记录表归档，做好设备使用记录。
三、安全注意事项1.操作人员应严格按照操作规程进行操作，严禁违章操作和擅自修改设备参数。
2.在操作过程中应注意安全，不得擅自接触设备和管道，避免发生意外事故。
3.如遇到设备故障或异常情况，应及时向相关负责人报告并采取相应措施。
4.操作人员应具备相关的安全知识和操作技能，能够正确使用安全设备和紧急救援设备。
5.在操作过程中禁止吸烟、吃东西和随地乱扔废弃物等行为，确保操作环境清洁卫生。
6.在操作过程中应保持设备稳定，避免发生设备倾斜或碰撞等情况。
7.确保供气系统的安全，避免高压气体泄漏和压力突然变化等危险情况。
以上是多晶硅还原装置的操作规程，操作人员应严格按照规程进行操作，确保设备的正常运行和操作人员的安全。
安全规程
液氯汽化岗位安全技术规程一、安全目标氯气是有毒物质，沸点-34.5℃，比重3.2，空气中的允许浓度标准﹤1mg/m3,浓度过高将使人和动物窒息死亡，植物枯萎死亡，破坏环境。
因而不能发生大量泄漏。
多晶硅生产是使用液氯汽化为氯气后合成氯化氢，从运输、存放、汽化到使用，都必须做好安全工作。
掌握安全操作技术，管好设备防止发生大量泄漏的意外事故。
并备有意外事故处理设施，以保证安全生产，保护好环境。
二、安全技术规程1、使用氯气（液氯）需报安全部门审批，办理使用准许证。
2、液氯的包装钢瓶必须使用国家批准的专业生产厂家的合格产品，钢瓶使用中还必须定期检验合格，才能继续使用。
3、液氯的运输用专用运货车，车上标明危险品标志。
驾驶员要经过培训合格，持有公安部门发的危险品运输资格证。
4、液氯储存，汽化站为敞开式框架房，满瓶、空瓶、汽化瓶分开摆放，满瓶只能堆放一层，用吊车吊运。
5、液氯钢瓶汽化后空瓶必须余留数KG的液氯，不要全部汽化。
6、液氯中含少量三氯化氮，汽化时易在死角处聚集，见光遇热易发生爆炸。
因此汽化器的加热水温必须＜45℃。
三氯化氮易在汽化器底部管道、阀门处聚集、易发生爆炸，因此要定时从底部打开阀门，排放少量氯气到碱淋洗塔处理，降低三氯化氮浓度，保证安全。
7、要经常检查汽化器的冷却水管夹套是否往内漏水，一旦发生漏水，要停车修好。
因一旦往内漏水，易大量产生三氯化氮，引起危险。
8、经常检查液氯钢瓶和所有设备，加强维护、修理，保持良好运行。
不发生氯气泄漏事故。
9、操作人员需经培训合格，才能上岗，严格按技术操作规程和安全操作规程操作，不得违章操作，上班时要穿好工作服和劳保用品，不得擅离岗位。
10、钢瓶阀有问题时，要尽量把液氯用完，才能换阀门。
如两个阀门都打不开，无法使用，则运回氯碱厂处理。
11、汽化站要设一碱池，一旦液氯钢瓶破裂漏气，无法处理，尽快把钢瓶吊入碱池中用碱吸收减少处漏或吊到事故排风房，把漏出氯汽送碱淋洗塔处理。
还原炉生产一批多晶硅的工作流程
还原炉生产一批多晶硅的工作流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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多晶硅操作原则-开车前的准备
1.开车前的准备1.1.概述在施工终期，必须进行各种检查和整修，应由操作人员与检修人员、承包商方面人员，并且必要时与制造厂共同进行。
这样可以使操作人员熟悉新的设备。
上述检查是“机械完工”和“试运行前的工作”的一部分，其目的是确保施工与项目图纸相符，并且修整设备，以保证开车和本项目所指出的各操作能顺利进行。
1.2.机械完工在承包商完成一单元区的工作后，应马上对该单元区进行检查。
检查完后，应准备一记录单，标明所有与设计规格不符的地方，交给承包商，使其能及时采取适当的更正措施。
单元检查检查所有设备、阀、仪表、管线的安装，确保其与图纸相符。
对设备内部如塔盘、热电偶套管等处应格外注意。
地下的排放系统和贮槽应在施工时进行检查，确认符合图纸和规范要求。
单元检查主要包括：——按P&ID图检查单元。
——塔、罐的检查。
——仪表检查。
——电设备检查。
——机械设备检查。
——换热器检查。
——特殊设备（即搅拌器等）检查。
在以下各项中提供了上述各项检查的描述，并列出检验各单元时应检查的最重要项目。
(一)按P&ID图检查单元在完成施工时应仔细检查设备，确保施工与P&ID图相符合。
在进行检查时，最好标出图上所有的设备管线和注解，按此进行检查，应特别注意细节，因为在细节处较易出错。
不符合设计之处应立即通知有关人员。
需检查的典型项目有：1.试验和吹扫之前（1）P&ID图上的注解。
（2）阀的流向和类型（止逆阀、球阀、角阀等）。
（4）排液阀和放空阀是否存在。
（5）仪表安装位置，控制阀和节流元件的流向。
（6）阀能否操作。
（7）安全阀排雨孔、放空线、消音器等。
（8）管线和管架接地。
（9）未干完的工作。
2.开工前（1）蒸汽伴热是否存在。
（2）是否有保温层。
（3）仪表引线倾斜度。
（4）控制阀和节流元件（特别是文丘里管）的流向。
（5）在指定部位安装的管线支架。
（6）拆除临时性支架。
（7）拆除弹簧销子，标出冷态时的位置。
太阳能多晶炉操作手册_操作法_作业指导书
[注意]若需要更换热电偶，则注意安装热电偶时一定要保证安装到位，即要满足即GT的标准。
3.5.抽空、检漏
3.5.1．打开真空泵。
3.5.2．在屏幕上选择自动抽气，进行抽真空。在高压态时自动打开V3阀进行慢抽以防快抽大气流带出较碎的硅粒；在压力下降到200mbar时，V1阀自动打开同时关闭V3阀进行快抽；当压力下降到50mbar以下时，加强泵自动启动，进行快速抽。整个抽气过程在正常情况下需1.5到2.5小时。
3.5.3．当炉压下降到0.008 mbar时，开始点击自动运行按钮进行检漏，先检测主炉室，再检测TC电耦仓，检漏时间各为300秒，以上检测为自动进行无需人为动作。要求检漏炉压总变化率最好不超过0.008mbar。检漏合格后进入自动长晶生产过程。
3.5.4．若炉子没有通过自动检漏，可选择再次抽空检漏，若仍不合格则依次检测TC热电耦仓、主炉仓并确认哪个部分漏气。而后充气增压，使炉室压达到常压。若TC热电耦仓漏气，则打开TC热电偶仓，拆下TC热电偶并检查氧化铝管有无问题，若无问题则清洁密封部位并涂上真空油脂，重新装上TC热电偶，并密封好TC热电耦仓。若氧化铝管有问题，则更换氧化铝管，清洁密
3.4.2.装料（一般需要三人）
3.4.2.1.装料时，一人控制叉车，两人在炉子两侧（前左侧和前右侧）监测坩埚装置的位置，两人协调指挥，指引叉车控制者控制好叉车。石墨底板边沿与DS助凝块边沿之距四边均为10.2cm，要求误差<1.5mm。协调指挥的两人用角尺反复测边距，并把测量结果实时地告知叉车控制者，叉
3.6.2中心长晶透顶报警。当高温计的梯度值大于6时，系统会触发中心长晶透顶报警，此时点静音按钮静音，而后通过上方视窗观察查看长晶是否真正已透顶，若未透顶则点Cancel等待长晶透顶或/和点Pause暂停长晶系统时间使长晶透顶。确认了长晶透顶，且确定了适当的长晶延时时间（在主参数中修改此值）后，点Begin Delay按钮延时，延时完成后系统跳入下一步。
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还原炉抽空赶气操作规程
一、目的
制订本规程的目的在于规范还原炉赶气操作，确保安全生产。
二、适用范围
本规程适用于还原车间
三、操作步骤
1、硅芯装完后，认真检查炉内是否留有杂物，然后将炉筒慢慢放下，紧固底盘螺栓。
2、合上还原炉真空泵电源，打开抽空总阀，再打开炉前抽空阀，待压力显示-0.09Mpa 时，关掉炉前抽空阀门，然后缓慢开启炉前侧路氢阀（注意氢气流量）向炉内通入氢气，待炉内压力达到0.06Mpa后，关掉侧路氢阀。
观察压力表刻度是否下降，确认无漏气后再打开炉前抽空阀抽空至-0.09Mpa，关掉抽空阀后，开启侧路氢充气。
待炉内压力达到0.03Mpa 后，调小氢气流量，打开直接放空阀赶气。
3、如果赶气尾气要直接进入还原炉尾气系统，一定要等炉内压力高于还原炉尾气系统压力0.01Mpa，方可开启炉前尾气阀，以免尾气反串炉内，造成炉膛、硅芯污染。
4、赶完气后，关掉抽空总阀，打开抽空缓冲缸上的放空阀，待抽空系统压力显示零后，关掉真空泵电源。
再关掉抽空系统缓冲缸上的放空阀。
5、做好赶气原始记录，经还原当班操作人员检查认可、签名。
6、最后，交付还原继续赶气1小时后启动。