贴片电容讲义如何进行选型
贴片电容规格表
贴片电容规格表贴片电容是一种重要的电子元器件，广泛应用于电子电路中。
其主要特点是尺寸小、结构简单、频率响应好、性能稳定等。
在现代电子产品中，贴片电容被广泛用于滤波、耦合、解耦和稳压等方面。
本文将对贴片电容的规格进行详细介绍，以便读者更好地了解和选择适合自己的产品。
一、贴片电容的类型贴片电容分为有极性贴片电容和无极性贴片电容两种类型。
1、有极性贴片电容有极性贴片电容在使用中必须遵循极性规定，正、负极端不能连接错误。
这种电容一般是用于直流电路中，标志有“+”号和“-”号，连接时应注意极性。
2、无极性贴片电容无极性贴片电容在使用时不分正负极，两端是等效的。
这种电容一般是用于交流电路中。
二、贴片电容的参数贴片电容的参数包括电容值、公差、额定电压和温度系数等。
1、电容值电容值是指电容器存储电荷的能力，单位为法拉（F）。
贴片电容的电容值一般用pF、nF、μF等表示，常见的有10pF、100pF、1nF、10nF、100nF等。
在使用时应选择与电路设计要求一致的电容值，注意电容值的单位。
2、公差公差是指电容器的电容值与标称值之间的允许偏差范围，它一般用百分比表示。
公差越小，电容器的性能越稳定。
一般情况下，贴片电容公差为±1%、±2%、±5%等。
在使用时应选择电容公差范围内的电容器，以确保电路的性能稳定。
3、额定电压额定电压是指电容器在设计工作条件下允许的最大电压值。
电容器的额定电压一般以其极限工作电压等级表示。
例如，50V、100V、250V等。
要选择符合要求的额定电压的电容器，以免超过额定电压而发生故障。
4、温度系数温度系数是指电容器电容值随温度变化的程度，一般用ppm/℃表示。
温度系数越小，电容器电容值随温度变化的程度越小，性能越稳定。
在使用时应选择温度系数符合要求的电容器。
三、贴片电容的尺寸贴片电容的尺寸是指电容器的外观尺寸，一般用长、宽、高来表示。
贴片电容的尺寸有标准型号和非标准型号。
通用型贴片电容规格书(选型手册)
【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】MULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITORCOG/COHCOG, ,-55125,030ppm/060ppm/0805CG101J500NT(PF) ( 0402 0.04 0603 0.06 0805 0.08 1206 0.12 ) 0.02 0.03 0.05 0.06 1.00 1.60 2.00 3.20 ( ) 0.50 0.80 1.25 1.60 CG CH COG NPO COH 100 101 102 10 100 1J G C B D5.00% 2.00% 0.25PF 0.10PF 0.50PF10 10 10 1026R3 100 250 5006.3V 10V 25V 50VS C N / / T BWBWTL mm L 0402 0603 0805 1206 1005 1608 2012 3216 1.00 1.60 2.00 3.20 0.05 0.10 0.20 0.30 W 0.50 0.80 1.25 1.60 0.05 0.50 0.10 0.80 0.20 0.80 1.00 1.25 0.20 0.80 1.00 1.25 T WB 0.05 0.25 0.10 0.30 0.20 0.50 0.20 0.20 0.20 0.60 0.20 0.20 0.10 0.10 0.20 0.3015【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】0.80 0.20 1.00 0.20 0.50 0.80 0.20 1.00 0.20 0.600.20 0.30【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】MULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITORCOG/COH 0402 0603 0805 12066.3V 10V 16V 25V 50V 6.3V 10V 16V 25V 50V 6.3V 10V 16V 25V 50V 6.3V 10V 16V 25V 50V0.5PF 1PF 2PF 3PF 4PF 5PF 6PF 7PF 10PF 22PF 33PF 47PF 68PF 100PF 120PF 150PF 180PF 220PF 330PF 470PF 560PF 680PF 1000PF 2200PF 2700PF 3300PF 4700PF 5600PF 6800PF 10nF 12nF 15nF 22nF 47nF 68nF 100nF17【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】04020603080512066.3V 10V 16V 25V 50V 6.3V 10V 16V 25V 50V 6.3V 10V 16V 25V 50V 6.3V 10V 16V 25V 50VCapacitance0.5PF 1PF 2PF 3PF 4PF 5PF 6PF 7PF 10PF 22PF 33PF 47PF 68PF 100PF 120PF 150PF 180PF 220PF 330PF 470PF 560PF 680PF 1000PF 2200PF 2700PF 3300PF 4700PF 5600PF 6800PF 10nF 12nF 15nF 22nF 47nF 68nF 100nF【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】MULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITORCOG COHPH~SLCOG PH SH SL TH RH UJCOH1-55125-55851. 2. 3. 2 4. 5. , , , , , 103 4 Cr 5PF 0.56% -4 5PF Cr 50PF 1.5 [(150/Cr)+7] 10 Cr 50PF 0.15% C C 10nF Ri 10nF Ri 5 10 Cr 500s 3 50mA 150+0/-10 8 25 9 75 235 5 2 0.5 25 60 265 10 1 25 : 1 2 100 170 120 200 1 1 2.5mm/ 24 2 5 5 5 2.5mm/ 245 24 -55 125 2 -55 85 60 510:HP4278A 1. 2. 3. (D.F.) :1.0 C : : (HP4284 25 5 0.2V 0.1MHz; 0.1KHZ ) 1000PF,1.0 :SF2511 , 60 60 1 5 :30% 75%5:C<1000PF,1.06I.R.7>3x150+0/-10 5% 0.5PF D.F. 10 I.R. 24 245【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】General COGCOHPHSL MLCC reliability test methodStandard Number Item COG COH MLCC for General-use -55 125 PH, RH, SH, TH, UJ, SL MLCC for General-use -55 85 Check by using microscope 10 . Test Method1Operating Temperature RangeAppearance21.Good ceramic body color continuity. 2.The chips have no visual damages and must be very smooth. 3.No exposed inner- electrode, no cracks or holes. 4.The outer electrode should have no cracks, holes, damages or surface oxidation. 5.Outer electrode no prolongation or the prolongation is less than half of that of the termination width.3 4 5Dimensions Capacitance Dissipation Factor (DF)Within the specified dimensions Within the specified tolerance Cr 5PF 0.56% 5PF Cr 50PF 1.5 [(150/Cr)+7] 10-4 Cr 50PF 0.15% C C 10nF Ri 10nF Ri 5 1010 Cr 500sUsing micrometer or vernier calipers Measuring Equipments:HP4278 capacitance meter,HP4284 capacitance, Measuring Conditions: 1.Measuring Temperature:25 5 .Humidity: 30% 75%. 2.Measuring Voltage:1.0 0.2V. 3.Measuring Frequency:C<1000PF 1.0 0.1MHz C 1000PF 1.0 0.1KHz Measuring Equipment:Insulation resistance meter (such as Sf2511 insulation resistance). Measuring Method:Must measure at rated voltage, and measure the IR within 60 5 seconds. Must measure at 3 times rated voltage, dwell time: 60 1 seconds, no short and the changing/discharging current less than 50mA. First, pre-heat: heat treat 60 5 minutes at 150+0/-10 , then set it for 24 2 hours at room temperature. Measure the capacitance at -55 125 or -55 85 , the capacitance change ratio comparing to that of 25 must be within the specified range. Dip the capacitor into ethanol or colophony solution, and then dip it into 235 5 ( or 245 5 leadless eutedtic solder solution ) eutectic solder solution hanving lead for 2 0.5 seconds. Dipping speed: 25 2.5mm/second. First pre-heat: heat treat for 60 5 minutes at 150+0/-10 , then set it for 24 2 hours at room temperature. Then pre-heat the capacitance according to the following chart. Dip the capacitor into 265 5 eutectic solder solution for 10 1 seconds. Then set it for 24 2 hours at room temperature, then measure. Dipping speed: 25 2.5mm/second. Preheat conditions: Stage 1 2 Temperature 100 170 120 200 Time 1minute 1minute6Insulation Resistance7Withstanding Voltage Capacitance Temperature Characteristic>3x rated continuous working voltage Must meet the capacitor character temperature coefficient requirements within the operating temperature range. Tin coverage should be 75% of the outer electrode Appearance Cap. Change ratio DF No defects visible 5%or 0.5PF (whichever is larger)89SolderabilityResistance to Soldering10Same as original spec Same as original specIR46【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】MULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITOR1 10N11 10N,10 1 :1.0mm/ 11.5mm 10 D.F. 12 55Hz 210 55Hz 10Hz 6 123 420 mm mmmm13mmmmmmmm150+0/-10 14 24 2 24 260 547【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】NumberItems Adhesive Strength of TerminationStandard No removal of the terminations or other defect shall occurTest Method Solder the capacitor to the test jig (glass epoxy resin board) shown in Fig.1 using a eutectic solder.Then apply a 10N force inthe direction shown as the arrowhead.The aoldering shall be done either with an iron or using the reflow method and shall be conducted with care so that an iron or using the refow method and shall be conducted with care so that the soldering is uniform and free of defects such as heat shock,etc. 10N,10 1s Speed:1.0mm/s Glss epoxy resinboard11Fig.1 Vibration Resistance Appearance Capacitance No defects or abnormities Within the specified tolerance range Same as original spec12DFSolder the capacitor to the test jig (glass epoxy resin board). The capacitor should be subjected to a simple harmonic motion having a total amplitude of 1.5mm, the frequency being varied uniformly between the approximate limits of 10 and 55Hz, shall be traversed (from 10 Hz to 55 Hz then 10 Hz again) in approximately 1 minute.This motion shall be applied for a period of 2 hours in each 3 mutually perpendicular directions (total is 6 hours).Same i standarFif.2 Bending Resistance No cracks or other defects shall occur Solder the capacitor to the test jig (glass epoxy resin board) shown in Fig.3 using a eutectic solder. Then apply a 10N force in the direction shown as Fig.4. The soldering shall be done either with an iron or using the reflow method and shall be conducted with care so that the soldering is uniform and free of defects such as mm heat shock, etc.mm13mm mm mm14Temperature CycleAppearance No defects or abnormitiesPre-treatment: Heat-treat the capacitor for 60 5minutes at 150+0/-10 , then set it for 24 2 hours at room temperature. Perform five cycles according to the four heat treatments listed in the following table. Set it for 24 2 hours at room temperature, then measure.48mm【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】MULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITOR2.5% 0.25PF, 1 10000M 2 3 4 2 3 30 3 2 3 30 3 2 314D.F. I.R.40 290 95 24 2500+24/-05% 0.5PF, 15 ( ) D.F. I.R. 10000M40 2 500+24/-0 5% 0.5PF, 16 D.F. I.R. 10000M90 95 24 22 50mA 5% 0.5PF, 17 D.F. I.R. 10000M1000 12 24 249【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】NumberItem Temperature CycleStandard Cap. Change ratio D.F. I.R. 2.5% or 0.25 PF (whichever is larger) Same as original spec More than 10000M Heat-treatment:Test Method14stage temperature 1 lowest opeating temperature 3 2 normal temperature 3 high operating temperature 2 4 normal temperaturetime min. 30 3 2 3 30 3 2 3Humidity Steady StateAppearance Cap. Change ratio D.F. I.R.No defects or abnormities 5% or 0.5 PF (whichever is larger) Same as original spec More than 10000MSet the capacitor for 500+24/-0 hours at the condition of 40 2 and 90-95% humidity. Then remove and set it for 24 2 hours at room temperature, then measure.15Humidity LoadAppearance Cap. Change ratioNo defects or abnormities 5% or 0.5 PF (whichever is larger) Same as original spec More than 10000MApply rated voltage to the capacitor for 500+24/-0 hours at the condition of 40 2 and 90-95% humidity. Remove and set it for 24 2 hours at room temperature, then measure.16D.F. I.R.Life TestAppearance Cap. Change ratioNo defects or abnormities 5% or 0.5 PF (whichever is larger) Same as original spec More than 10000MApply two times rated voltage to the capacitor for 1000 12 hours at the upper temperature limits, the charging current should be less than 50mA. Remove and set it for 24 2 hours at room temperature, then measure.17D.F. I.R.5057-10%-5%0%5%10%COG 50VX7R 50V Z5U 50V Y5V50V010********-100%-80%-60%-40%-20%0%20%40%[Vdc]COG :1MHZ X7R,Z5U,Y5V:1KHZZ5U 50VY5V 50V X7R 50VC0G 50V0123-20%0%+20%+40%+60%^+80%COG PH RH SH TH UHCOG X7R Y5V,Z5U05010010001000010%0%-10%-20%-30%-40%[Hr]X7R20%0%[Vr ms ]COG :1MHZ X7R,Z5U,Y5V:1KHZMULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITOR58-5%0%5%10%-100%-80%-60%-40%-20%0%20%40%Z5U 50VY5V 50V X7R 50VC0G 50V0123-20%0%+20%+40%+60%^+80%COG X7R Y5V,Z5U05010010001000010%0%-10%-20%-30%-40%0%GENEREL-USE MLCC CHARCCTER PROFILESCapacitance change ratio DC Voltage[Vdc]Measuring condition COG :1MHzX7R,Z5U,Y5V:1KHzCOG and PHRH SH TH UH siriestemperature coefficentDC Capacitance-AC VoltageCharactericsCapacitance change_agingTime[Hr]X7R tempreture characteristicsZ5U [Vr ms ]Capacitance change ratioCapacitance change ratio Capacitance change ratio Capacitance change ratio。
贴片电容基础知识
贴片电容英贴片电容全称：多层（积层，叠层）片式陶瓷电容器，也称为贴片电容，片容。
英文全称：Multi-layerceramiccapacitors。
英文缩写：MLCC。
目录一、基本概述二、尺寸三、命名四、分类五、MLCC电容品牌与选型六、作用七、内部结构八、封装一、基本概述贴片电容(多层片式陶瓷电容器)是目前用量比较大的常用元件，就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。
下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。
不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法。
二、尺寸贴片电容的尺寸表示法有两种，一种是英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位来表示，贴片电容的系列型号有0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、2010、2225、2512，是英寸表示法，04 表示长度是0.04 英寸，02 表示宽度0.02英寸，其他类同型号尺寸（mm）三、命名1、贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用的材质、要求达到的精度、要求的电压、要求的容量、端头的要求以及包装的要求。
一般订购贴片电容需提供的参数要有尺寸的大小、要求的精度、电压的要求、容量值、以及要求的品牌即可。
如下华新科（WALSIN）系列的贴片电容的命名：原厂命名料号：0805N102J500CT0805：是指该贴片电容的尺寸套小，是用英寸来表示的08 表示长度是0.08 英寸、05 表示宽度为 0.05 英寸；N：是表示做这种电容要求用的材质，这个材质一般适合于做小于10000PF以下的电容；102：是指电容容量，前面两位是有效数字、后面的2 表示有多少个零102=10×102也就是= 1000PF ；J：是要求电容的容量值达到的误差精度为5%，介质材料和误差精度是配对的；500：是要求电容承受的耐压为50V 同样500前面两位是有效数字，后面是指有多少个零；C：是指端头材料，现在一般的端头都是指三层电极（银/铜层）、镍、锡 T：是指包装方式；T：表示7"盘装编带包装；2、贴片电容的颜色，常规见得多的就是比纸板箱浅一点的黄和青灰色，这在具体的生产过程中会有产生不同差异，贴片电容上面没有印字，这是和他的制作工艺有关（贴片电容是经过高温烧结面成，所以没办法在它的表面印字），而贴片电阻是丝印而成（可以印刷标记）。
史上最全的电容应用与选型讲解
史上最全的电容应用与选型讲解作者：王一一，知乎《硬件之路》一、电容的基本原理电容，和电感、电阻一起，是电子学三大基本无源器件；电容的功能就是以电场能的形式储存电能量。
以平行板电容器为例，简单介绍下电容的基本原理Q。
电容储存的电荷量Q与电压U和自身属性(也就是电容值C)有关，也就是Q=U*C。
根据理论推导，平行板电容器的电容公式如下：通交流电压可以在电容内部形成一个电场，而交流电压就会产生交变电场。
根据麦克斯韦方程组中的全电流定律：即电流或变化的电场都可以产生磁场，麦克斯韦将ε(∂E/∂t)定义为位移电流，是一个等效电流，代表着电场的变化。
(这里电流代表电流密度，即J)设交流电压为正弦变化，即：实际位移电流等于电流密度乘以面积：1/ωC，频率很高时，电容容抗会很小，也就是通高频。
下图是利用ANSYS HFSS仿真的平行板电容器内部的电磁场的变化。
横截面电场变化(GIF动图，貌似要点击查看)纵断面磁场变化(GIF动图，貌似要点击查看)隔直流直流电压不随时间变化，位移电流ε(∂E/∂t)为0，直流分量无法通过。
实际电容等效模型实际电容的特性都是非理想的，有一些寄生效应；因此，需要用一个较为复杂的模型来表示实际电容，常用的等效模型如下：•由于介质都不是绝对绝缘的，都存在着一定的导电能力；因此，任何电容都存在着漏电流，以等效电阻Rleak表示；•电容器的导线、电极具有一定的电阻率，电介质存在一定的介电损耗；这些损耗统一以等效串联电阻ESR表示；•电容器的导线存在着一定的电感，在高频时影响较大，以等效串联电感ESL表示；•另外，任何介质都存在着一定电滞现象，就是电容在快速放电后，突然断开电压，电容会恢复部分电荷量，以一个串联RC电路表示。
大多数时候，主要关注电容的ESR和ESL。
品质因数(Quality Factor)和电感一样，可以定义电容的品质因数，也就是Q值，也就是电容的储存功率与损耗功率的比：Qc=(1/ωC)/ESRQ值对高频电容是比较重要的参数。
8.2pF贴片电容0603CG8R2C500NT风华电容选型资料
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|通用型贴片电容特性曲线
※ C0G 贴片电容温度系数图
※ X7R 贴片电容温度系数图
※ Y5V 贴片电容温度系数图
※ Z5U 贴片电容温度系数图
※ 贴片电容偏压特性图
※ 贴片电容器老化特性图
※ 贴片电容交流特性图 第2页共3页
【南京南山—领先的片式无源器件整合供应商】
0603CG8R2C500NT 贴片电容器选型表
8.2pF 贴片电容 0603CG8R2C500NT 主要参数：封装 0603、精度±0.25pF，材质 C0G(NP0)，耐压值为额定工作电压 50V 的 3 倍，详见风华高科贴片电容规格书。本选型表主要内容包括风华 0603CG8R2C500NT 电容规格参数、制造与订购信息、 最小包装量、电容材质特性、封装代号与外形尺寸对照表、通用特性曲线等。后附小批量样品申请单。
L(长)尺寸 W(宽)尺寸 T(高)尺寸 电极宽度 wb 公制封装代号 英制封装代号
1.6±0.1mm 0.8±0.1mm 0.8±0.1mm 0.30±0.10mm 1608 0603
声明：
1、本规格书是由风华高科授权代理商－南京南山半导体有限公司自风华高科官方网站下载整理，若有变更，恕不另行通知； 2、本规格书没有足够的空间说明详细电性能参数，仅列明了标准规格，在订购产品之前谨请与风华高科代理商南京南山半导体有限公司确认。
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常用贴片电容选型资料
贴片电容简述通常大家所说的贴片电容是指片式多层陶瓷电容(Multilayer Ceramic Capacitors)，简称MLCC，又叫做独石电容。
它是在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料，叠合后一次烧结成一块不可分割的整体，外面再用树脂包封而成的。
具有小体积、大容量、Q值高、高可靠和耐高温等优点。
同时也具有容量误差较大、温度系数很高的缺点。
一般用在噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路。
常规贴片电容按材料分为COG(NPO)、X7R、Y5V，常见引脚封装有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010。
贴片电容基本结构多层陶瓷电容(MLCC)是由平行的陶瓷材料和电极材料层叠而成。
见下图：贴片电容封装尺寸封装(L) 长度公制(毫米)英制(英寸)(W) 宽度公制(毫米)英制(英寸)(t) 端点公制(毫米)英制(英寸)0201 0.60 ± 0.03(0.024 ± 0.001)0.30 ± 0.03(0.011 ± 0.001)0.15 ± 0.05(0.006 ± 0.002)0402 1.00 ± 0.10(0.040 ± 0.004)0.50 ± 0.10(0.020 ± 0.004)0.25 ± 0.15(0.010 ± 0.006)0603 1.60 ± 0.15(0.063 ± 0.006)0.81 ± 0.15(0.032 ± 0.006)0.35 ± 0.15(0.014 ± 0.006)0805 2.01 ± 0.20(0.079 ± 0.008)1.25 ± 0.20(0.049 ± 0.008)0.50 ± 0.25(0.020 ± 0.010)1206 3.20 ± 0.20 1.60 ± 0.20 0.50 ± 0.25多层陶瓷电容(MLCC)根据材料分为Class 1和Class 2两类。
贴片电容基础知识
贴片电容英贴片电容全称：多层（积层，叠层）片式陶瓷电容器，也称为贴片电容，片容。
英文全称：Multi-layerceramiccapacitors。
英文缩写：MLCC。
目录一、基本概述二、尺寸三、命名四、分类五、MLCC电容品牌与选型六、作用七、内部结构八、封装一、基本概述贴片电容(多层片式陶瓷电容器)是目前用量比较大的常用元件，就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。
下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。
不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法。
二、尺寸贴片电容的尺寸表示法有两种，一种是英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位来表示，贴片电容的系列型号有0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、2010、2225、2512，是英寸表示法，04 表示长度是0.04 英寸，02 表示宽度0.02英寸，其他类同型号尺寸（mm）三、命名1、贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用的材质、要求达到的精度、要求的电压、要求的容量、端头的要求以及包装的要求。
一般订购贴片电容需提供的参数要有尺寸的大小、要求的精度、电压的要求、容量值、以及要求的品牌即可。
如下华新科（WALSIN）系列的贴片电容的命名：原厂命名料号：0805N102J500CT0805：是指该贴片电容的尺寸套小，是用英寸来表示的08 表示长度是0.08 英寸、05 表示宽度为 0.05 英寸；N：是表示做这种电容要求用的材质，这个材质一般适合于做小于10000PF以下的电容；102：是指电容容量，前面两位是有效数字、后面的2 表示有多少个零102=10×102也就是= 1000PF ；J：是要求电容的容量值达到的误差精度为5%，介质材料和误差精度是配对的；500：是要求电容承受的耐压为50V 同样500前面两位是有效数字，后面是指有多少个零；C：是指端头材料，现在一般的端头都是指三层电极（银/铜层）、镍、锡 T：是指包装方式；T：表示7"盘装编带包装；2、贴片电容的颜色，常规见得多的就是比纸板箱浅一点的黄和青灰色，这在具体的生产过程中会有产生不同差异，贴片电容上面没有印字，这是和他的制作工艺有关（贴片电容是经过高温烧结面成，所以没办法在它的表面印字），而贴片电阻是丝印而成（可以印刷标记）。
贴片电容设计方法
贴片电容设计方法贴片电容是电子电路中常见的一种元件，用于存储和释放电能。
在设计贴片电容时，需要考虑许多因素，如尺寸、电容值、工作频率等。
以下是关于贴片电容设计方法的50条详细描述：1. 尺寸选择：要根据电路板的尺寸和电路设计的要求选择合适尺寸的贴片电容。
一般来说，尺寸可以从几毫米到几厘米不等。
2. 工作电压：根据电路的工作电压要求，选择贴片电容的额定工作电压，保证电容元件在工作时不会因电压过高而失效。
3. 电容值选择：根据电路的需求，选择合适的电容值。
可以通过相关公式计算得到，也可以根据经验进行选择。
4. 频率响应：考虑电路的工作频率范围，选择合适的贴片电容以保证其在整个频率范围内都能正常工作。
5. 负载能力：考虑电路中贴片电容的负载能力，尤其是在高频应用中，需要选择具有较高负载能力的贴片电容。
6. 温度特性：考虑贴片电容在不同温度下的特性表现，选择具有良好温度特性的元件以保证电路的稳定性。
7. 介质选择：根据电路环境和要求选择合适的介质材料，如陶瓷、聚合物等。
8. 焊接方式：考虑贴片电容的焊接方式，选择适合的焊接工艺，如表面贴装焊接（SMT）或插入式焊接。
9. 焊接温度曲线：确保在焊接过程中遵循贴片电容的温度曲线，控制好焊接温度和时间，避免因焊接过程导致元件损坏。
10. 电容降压：在大电压条件下，考虑电容的降压率，选择具有较低降压率的贴片电容。
11. 电磁干扰：在设计中考虑贴片电容的抑制电磁干扰的能力，以保证电路的稳定性和可靠性。
12. 电流承受能力：考虑电容的电流承受能力，选择能够满足电路需求的贴片电容。
13. 选择器件：根据上述要求，筛选出符合设计要求的贴片电容，可以参考厂家提供的参数和性能表。
14. 地线布线：布局设计时要注意贴片电容与地线之间的布线，尽量减小布线长度，提高抗干扰能力。
15. 避免共模干扰：在布线过程中，尽量将贴片电容与信号线相邻，并保持一定距离，避免共模干扰。
16. 避免温度过高：在布局设计时，避免将贴片电容安排在高温元件附近，以免影响其性能和寿命。
选用电容一般原则
电容从电路来说,总就是存在驱动得源与被驱动得负载。
如果负载电容比较大,驱动电路要把电容充电、放电,才能完成信号得跳变,在上升沿比较陡峭得时候,电流比较大,这样驱动得电流就会吸收很大得电源电流,由于电路中得电感,电阻(特别就是芯片管脚上得电感,会产生反弹),这种电流相对于正常情况来说实际上就就是一种噪声,会影响前级得正常工作。
这就就是耦合。
去藕电容就就是起到一个电池得作用,满足驱动电路电流得变化,避免相互间得耦合干扰。
旁路电容实际也就是去藕合得,只就是旁路电容一般就是指高频旁路,也就就是给高频得开关噪声提高一条低阻抗泄防途径、高频旁路电容一般比较小,根据谐振频率一般就是0.１u,0.01u等,而去耦合电容一般比较大,就是10u或者更大,依据电路中分布参数,以及驱动电流得变化大小来确定。
ﻫ旁路就是把输入信号中得干扰作为滤除对象,而去耦就是把输出信号得干扰作为滤除对象,防止干扰信号返回电源。
这应该就是她们得本质区别。
去耦电容在集成电路电源与地之间得有两个作用:一方面就是本集成电路得蓄能电容,另一方面旁路掉该器件得高频噪声。
数字电路中典型得去耦电容值就是0。
1μＦ。
这个电容得分布电感得典型值就是５μH。
0.1μF得去耦电容有5μH得分布电感,它得并行共振频率大约在７ＭＨｚ左右,也就就是说,对于10 MHｚ以下得噪声有较好得去耦效果,对40ＭHz以上得噪声几乎不起作用。
1μF、10μＦ得电容,并行共振频率在2０MHz以上,去除高频噪声得效果要好一些、每10片左右集成电路要加一片充放电电容,或1个蓄能电容,可选10μF左右。
最好不用电解电容,电解电容就是两层薄膜卷起来得,这种卷起来得结构在高频时表现为电感、要使用钽电容或聚碳酸酯电容。
去耦电容得选用并不严格,可按C＝１/Ｆ,即１0MHz取0。
１μＦ,100MHｚ取0.01μF。
分布电容就是指由非形态电容形成得一种分布参数。
一般就是指在印制板或其她形态得电路形式,在线与线之间、印制板得上下层之间形成得电容。
MLCC贴片电容如何进行选型
到的电容封装，只能统一用一种制式来表示，不 能这个工程师用英制那个工程师用公制。否则会 搞混乱。极端的情况下，还会弄错。比如说，英 制的有 0603 的封装，公制的也有 0603 的封装，
0c83f7e 高压贴片电容
但是两者实际上是完全不同的尺寸的。英制的 0603 封装对应公制的是 1608，而公制的 0603 封 装对应英制的却是 0201！其实英制封装的数字大 约乘以 2.5（前 2 位后 2 位分开乘）就成为了公
种错误，比如选了一个 0603/X7R/470pF/16V 的 电容，而事实上一般厂家 0603/X7R/470pF 的电 容只生产 50V 及其以上的电压而不生产 16V 之类 的电压了。
0c83f7e 高压贴片电容
另外注意片状电容的封装有两种表示方法， 一种是英制表示法，一种是公制表示法。美国的 厂家用英制的，日本厂家基本上都用公制的，而 国产的厂家有用英制的也有用公制的。一个所用
样的错误。另外，对于入门不久的设计工程师， 对元件规格的数序（E12、E24 等）没概念，会给 出 0.5uF 之类的不存在的规格出来。即使是有经 验的工程师，对于规格的压缩也没概念。比如说，
0c83f7e 高压贴片电容
在滤波电路上，原来有人用到了 3.3uF 的电容， 他的电路也能用 3.3uF 的电容，但他有可能偏偏 选了一个没人用过的 4.7uF 或 2.2uF 的电容规 格。不看厂家选型手册选型的人，还会犯下面这
用于更高频率，比如微波，那么，就必须用专门 的微波材料和工艺制造的 MLCC。微波电容要求 ESL、ESR 必须更小。
MLCC 一直在小型化的方向进展。现在 0402
0c83f7e 高压贴片电容
的封装已经是主流产品子产品都 是那么在意和欢迎小型化 MLCC 的。在意小型化 的电子产品，比如手机、数码产品等等，这些产
选用电容一般原则
电容从电路来说，总是存在驱动的源和被驱动的负载。
如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作。
这就是耦合。
去藕电容就是起到一个电池的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。
旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。
高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合电容一般比较大，是10u或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。
旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。
这应该是他们的本质区别。
去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。
数字电路中典型的去耦电容值是0. 1μF。
这个电容的分布电感的典型值是5μH。
0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。
1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。
每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。
最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。
要使用钽电容或聚碳酸酯电容。
去耦电容的选用并不严格，可按C =1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。
分布电容是指由非形态电容形成的一种分布参数。
一般是指在印制板或其他形态的电路形式，在线与线之间、印制板的上下层之间形成的电容。
常见的贴片电容的型号命名方法选用涉及到很多问题
常见的贴片电容的型号命名方法选用涉及到很多问题贴片电容的命名：贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用的材质、要求达到的精度、要求的电压、要求的容量、端头的要求以及包装的要求。
一般订购贴片电容需提供的参数要有尺寸的大小、要求的精度、电压的要求、容量值、以及要求的品牌即可。
贴片电容的命名：0805CG102J500NT0805：是指该贴片电容的尺寸套小，是用英寸来表示的。
08表示长度是0.08英寸、05表示宽度为0.05英寸;CG：是表示做这种电容要求用的材质，这个材质一般适合于做小于10000PF以下的电容;102：是指电容容量，前面两位是有效数字、后面的2表示有多少个零102=10×102,也就是=1000PF;J：是要求电容的容量值达到的误差精度为5%，介质材料和误差精度是配对的;500：是要求电容承受的耐压为50V。
同样500前面两位是有效数字，后面是指有多少个零;N：是指端头材料。
现在一般的端头都是指三层电极(银/铜层)、镍、锡;T：是指包装方式。
T表示编带包装，B表示塑料盒散包装;贴片电容的颜色，常规见得多的就是比纸板箱浅一点的黄，和青灰色，这在具体的生产过程中会有产生不同差异。
贴片电容上面没有印字，这是和他的制作工艺有关(贴片电容是经过高温烧结面成，所以没办法在它的表面印字)，而贴片电阻是丝印而成(可以印刷标记)。
贴片电容有中、高压贴片电容、普通贴片电容，系列电压有6.3V、10V、16V、25V、50V、100V、200V、500V、1000V、2000V、3000V、4000V。
贴片电容的尺寸表示法有两种，一种是英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位的公制来表示。
贴片电容系列的型号有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010、2225、2512等。
04表示长度是0.04英寸，02表示宽度0.02英寸，其他类同。
英制英寸公制mm 长度及公差宽度及公差厚度及公差0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.050603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.100805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.201206 3216 3.20±0.30 1.60±0.20 0.70±0.201210 3225 3.20±0.30 2.50±0.30 1.25±0.301808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.001812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.502225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.503035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00贴片电容的选用涉及到很多问题。
MLCC贴片电容如何选型
MLCC贴片电容如何选型MLCC贴片电容(片状多层陶瓷电容)如今现已成为了电子电路最常用的元件之一。
MLCC外表看来，十分简略，可是，许多情况下，描绘工程师对MLCC贴片电容的知道却有缺乏的当地。
以下谈谈MLCC挑选上的一些难题和注重事项。
MLCC贴片电容尽管是比较简略的，可是，也是失功率相对较高的一种器材。
失功率高，一方面是MLCC 布局固有的牢靠性难题，别的还有选型难题以及运用难题。
因为电容算是“简略”的器材，所以有的描绘工程师因为不行注重，从而对MLCC的独有特性不知道。
在理想化的情况下，电容选型时，首要思考容量及耐压两个参数就够了。
可是关于MLCC，只是思考这两个参数是远远不行的。
运用MLCC，不能不知道MLCC贴片电容的不一样原料和这些原料对应的功能。
MLCC的原料有许多种，每种原料都有本身的共同功能特色。
不知道这些，所选用的电容就很有能够满意不了电路需求。
举例来说，MLCC常见的有C0G(也称NP0)原料，X7R原料，Y5V原料。
C0G的作业温度规模和温度系数最棒，在-55°C 至+125°C的作业温度规模内时温度系数为0 ±30ppm/°C。
X7R次之，在-55°C至+125°C的作业温度规模内时容量改变为±15%。
Y5V的作业温度仅为-30°C至+85°C，在这个作业温度规模内时其容量改变可达-22%至+82%。
当然，C0G、X7R、Y5V的本钱也是顺次减低的。
在选型时，若是对作业温度和温度系数需求很低，能够思考用Y5V的，可是通常情况下要用X7R的，需求更高时有必要挑选COG的。
通常情况下，MLCC 厂家都描绘成使X7R、Y5V原料的电容在常温邻近的容量最大，可是跟着温度上升或降低，其容量都会降低。
只是知道上面常识的还不行。
因为C0G、X7R、Y5V的介质的介电常数是顺次削减的，所以，相同的尺度和耐压下，能够做出来的最大容量也是顺次削减的。
片式电容器选型概要
贴片陶瓷电容全称为多层（积层、叠层）片式陶瓷电容器，也称为片容或表面贴装电容器，英文缩写：MLCC。
主要规格尺寸，按英制标准分为：0201、0402、0603、0805、1206；以及大规格的1210、1808、1812、2220、2225、3012、3035等。
容量范围：0.5pF～100uF，其中，一般认为容量在1uF以上为大容量电容。
额定电压：从4V到4kV（DC），当额定电压在100V及以上时，即归纳为中高压电容。
目前，南京南山主要提供以下系列贴片式电容产品：通用系列、大容量系列、直流中高压系列、超薄型系列、片式三端陶瓷滤波器（EMI）、四联体/二联体片式电容器（片式排容）等。
贴片钽电解电容全称：片式固体电解质钽电容器，也称为贴片钽电容，简称：片钽。
主要规格，分为：A型、B型、C型、D型、E型以及P型（超小型）等容值范围：0.1uF～470uF；标准精度为±20%，可以根据客户要求提供±10%的产品。
额定电压范围：4V～50V，使用温度范围：-55℃～+125℃。
钽电解电容产品，都是用五氧化二钽作为电介质，在生产过程中，通过电解工艺，在钽阳极体表面生成一层五氧化二钽膜。
这种膜具较高绝缘强度和介电常数，且厚度极小；钽电解电容器正是利用这个特性，使得钽电容器单位体积内所具有的电容量可以做到很大。
特别需要注意的是，当使用温度大于＋85℃时，需使用相应的降额电压。
同时，钽电容是具有极性的电子元件（其正极一般用深色的长条或斜角标识），不能接反，否则会造成永久失效。
贴片钽电容封装尺寸表T491系列标准品贴片铝电解电容Array全称：贴片铝电解电容器，简称：片式铝电解，片铝等。
南京南山主要代理分销“风华”和“立隆”两个品牌的贴片铝电解电容器。
主要规格尺寸，按公制标准分为：Φ4×5.5mm、Φ5×5.5m、Φ6.3×5.5mm、Φ6.3×7.7mm、Φ8×6.2mm、Φ8×10.2mm、Φ10×10.2mm、Φ10×12mm等。
电容选型及公式大全
电容选型及公式大全一电容的作用作为无源元件之一的电容，其作用不外乎以下几种：应用于电源电路，实现旁路、去藕、滤波和储能的作用，下面分类详述之。
1）旁路旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。
就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。
为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。
这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。
地弹是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。
2）去藕去藕，又称解藕。
从电路来说，总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。
如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。
去藕电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。
将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。
旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。
高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取0.1?F、0.01?F 等；而去耦合电容的容量一般较大，可能是 10?F 或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。
旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。
这应该是他们的本质区别。
3）滤波从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。
但实际上超过1?F 的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。
有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容通低频，小电容通高频。
电容的作用就是通高阻低，通高频阻低频。
贴片电容产品规格说明及选用基本知识
电子基础知识——电容篇1、电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C25表示编号为25的电容）。
电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。
电容的特性主要是隔直流通交流。
电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。
容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量)电话中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。
2、识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。
电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。
其中：1法拉=1000毫法=1000000微法=1000000000纳法=1000000000000皮法容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 uF/16V容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法：1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。
如：102表示10×102PF=1000PF 224表示22×104PF=0.22 uF3、电容容量误差表符号F G J K L M允许误差±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%如：一瓷片电容为104J表示容量为0. 1 uF、误差为±5%。
4、故障特点在实际维修中，电容器的故障主要表现为：（1）引脚腐蚀致断的开路故障。
（2）脱焊和虚焊的开路故障。
（3）漏液后造成容量小或开路故障。
（4）漏电、严重漏电和击穿故障。
贴片电容的种类和特点单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件，就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。
电容的主要参数与选用
电容器选用一、 概述电容器是由两个金属电极中间夹一层电解质构成的电子元件。
在两个电极上加电压时，电极尚就储存电荷，所以说电容器是充放电荷的电子元件。
电容器储存电荷量的多少，取决于电容器的电容量，电容量在数值上是等于一个导电极上的电荷量与两块极板之间的电位差之比。
即C=Q/U其中Q 为一个极板上的电荷量，单位为C （库伦）；U 为两块极板之间的电位差，单位为V （伏特）；C 为电容量，单位为F （法拉）。
电容量是电容器的基本参数之一，它与电容器极板得有效面积、绝缘介质的介电常数、极板之间的距离有关。
电介质的介电常数越大，电容器两个极板得有效面积越大，电容量就越大。
当电容器的两个极板间的距离越远，电容量就越小。
d A C r ⨯⨯=εε0 C:电容器的电容量，可以由电极面积A [m 2]，介质厚度d [m]以及相对介电常数εr 来表示ε0:介质在真空状态下的介电常数(=8.85×10-12 F/M)电容器能够被充电和放电，也就是存储电能和释放电能，其两端的电压不能突变。
正因如此，如果把电容器接在直流电路中，则只有在电源开启和接通时，电容器充放电两个短暂过程中，电路上存在电流。
就稳态而言，直流电流不能通过电容器，相当于开路。
如果把电容器接在交流或脉冲直流电路中，由于不停的充电放电，便使电流能够通过电容器，并且具有类似电阻那样阻碍电流（由电荷的变率、容量和工作频率决定）的作用。
所以，电容器被广泛应用于各种耦合、旁路、滤波、调谐以及脉冲电路中。
二、 电容器的种类电容器通常叫做电容。
因电容的用途、结构及材料不同，电容的种类很多。
根据电容的结构和容量是否可调，可将电容分为3大类：固定电容、半可变（微调）电容、可变电容。
电容器的性能、结构用途等在很大程度上取决于电容器的介质，因此，电解质常以电解质来分类。
可大致分为：有机介质（包括复合介质）电容器，如纸介电容器、塑料薄膜电容器、纸膜复合介质电容器、薄膜复合介质电容器等；无机介质电容器，如云母电容器、玻璃釉电容器、陶瓷电容器等；气体介质电容器，如空气电容器、真空电容器、充气式电容器等；电解电容器，如铝电解电容器、铌电解电容器等。
宇阳科技贴片电容设计选型
宇阳科技贴片电容设计选型
陶瓷介质电容器的分类
1类陶瓷介质——顺电体，线性温度系数，热 稳定型或热补偿型
2类陶瓷介质——铁电体，非线性温度特性， 高比体积电容，小型化、微型化
3类陶瓷介质——阻挡层或晶界层型陶瓷 ， 单层型圆片电容器介质
宇阳科技贴片电容设计选型
1类瓷的标志代码（ ANSI/EIA -198-E）
高频/高压化——高可靠、片式化、高Q值、耐高压。适 用于RF模块，电源滤波，LCD背光。
宇阳科技贴片电容设计选型
1、 MLCC的应用——IT及外设、网络
宇阳科技贴片电容设计选型
1、 MLCC的应用——通信
宇阳科技贴片电容设计选型
1、MLCC的应用——数字视听（A&V）
宇阳科技贴片电容设计选型
9
±1.0 ±1.5 ±2.2 ±3.3 ±4.7 ±7.5 ±10.0 ±15.0 ±22.0
+22/-33
+22/-56
+22/-82
(a)
（e）行的 字母代码
A B C D E F P R S T U V
宇阳科技贴片电容设计选型
2类陶瓷介质的温度特性
X7R:ΔC/C±15%， (55℃~125℃)
2、电容器的分类
陶瓷介质类（1、2、3类） 有机薄膜类（聚酯PET、聚丙烯PP、聚苯乙烯
PS、聚碳酸酯PC、聚2,6萘乙烯酯PEN、聚苯 硫醚PPS） 电解类：钽、铝电解液、有机半导体络合盐 TCNQ、导电聚合物阴极聚吡咯（PPY）\聚噻 吩（PTN） 其他类（云母、云母纸、空气）
宇阳科技贴片电容设计选型
1990
1997
2002