有机光电子器件和图像传感器的制作流程
本技术涉及有机光电子器件和图像传感器。有机光电子器件包括彼此面对的阳极和阴极、以及在所述阳极和阴极之间的有机层，所述有机层包括作为可见光吸收体的由化学式1表示的化合物、以及空穴缓冲材料和电子缓冲材料的至少一种，所述空穴缓冲材料具有大于或等于约2.8eV的能带隙以及在所述阳极的功函和由化学式1表示的化合物的HOMO能级之间的HOMO能级，所述电子缓冲材料具有大于或等于约2.8eV的能带隙以及在所述阴极的功函和由化学式1表示的化合物的LUMO能级之间的LUMO能级，化学式1中的基团R1至R12和X定义在说明书中。
技术要求
1.有机光电子器件，包括：
彼此面对的阳极和阴极，以及
在所述阳极和阴极之间的有机层，所述有机层包括
作为可见光吸收体的由以下化学式1表示的化合物；以及
空穴缓冲材料和电子缓冲材料的至少一种，所述空穴缓冲材料具有
大于或等于2.8eV的能带隙以及在所述阳极的功函和由以下化学式1表示的
化合物的HOMO能级之间的HOMO能级，所述电子缓冲材料具有大于或等
于2.8eV的能带隙以及在所述阴极的功函和由以下化学式1表示的化合物的
LUMO能级之间的LUMO能级：
其中，在以上化学式1中，
R1-R12各自独立地为以下之一：氢、取代或未取代的C1-C30烷基、取代
或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C3-C30杂芳基、卤素原子、含卤素的基团、及其组合，和
X为阴离子。
2.权利要求1的有机光电子器件，其中所述空穴缓冲材料和所述电子
缓冲材料不吸收具有450nm-800nm波长区域的可见光。
3.权利要求1的有机光电子器件，其中所述有机层包括：
包括所述由化学式1表示的化合物的活性层；和
在所述活性层的至少一侧上的电荷缓冲层，所述电荷缓冲层包含包括所述空穴缓冲材料的空穴缓冲层和包括所述电子缓冲材料的电子缓冲层的至少一个。
4.权利要求3的有机光电子器件，其中所述活性层进一步包括所述空
穴缓冲材料。
5.权利要求4的有机光电子器件，其中以基于所述活性层的小于或等
于50体积％的量包括所述活性层的空穴缓冲材料。
6.权利要求3的有机光电子器件，其中所述活性层进一步包括所述电
子缓冲材料。
7.权利要求6的有机光电子器件，其中以基于所述活性层的小于或等
于50体积％的量包括所述活性层的电子缓冲材料。
8.权利要求1的有机光电子器件，其中所述有机层包括活性层，所述
活性层包括：
所述由化学式1表示的化合物，以及
所述空穴缓冲材料和所述电子缓冲材料的至少一种。
9.权利要求1的有机光电子器件，其中所述空穴缓冲材料的HOMO能
级和由以上化学式1表示的化合物的HOMO能级之间的差为
0.10eV-0.89eV。
10.权利要求1的有机光电子器件，其中所述空穴缓冲材料的HOMO
能级大于4.7eV且小于5.6eV。
11.权利要求1的有机光电子器件，其中所述电子缓冲材料的LUMO能级和所述由化学式1表示的化合物的LUMO能级之间的差为0.01eV -0.89eV。
12.权利要求1的有机光电子器件，其中所述电子缓冲材料的LUMO能级大于3.6eV且小于4.3eV。
13.权利要求1的有机光电子器件，其中由以上化学式1表示的化合物为由以下化学式1a-1e表示的化合物之一：
14.权利要求1的有机光电子器件，其中所述有机光电子器件选择性地
吸收绿色波长区域的光。
15.权利要求1的有机光电子器件，其中所述有机光电子器件具有在
500nm-600nm处的最大吸收波长(λmax)。
16.权利要求1的有机光电子器件，其中所述有机光电子器件显示具有
50nm-150nm的半宽度(FWHM)的光吸收曲线。
17.包括权利要求1-16中任一项的有机光电子器件的图像传感器。
18.权利要求17的图像传感器，其中所述图像传感器包括：
集成有多个检测在蓝色波长区域中的光的第一感光器件和多个检测在
红色波长区域中的光的第二感光器件的半导体基底，
在所述半导体基底上的彩色滤光器层，所述彩色滤光器层包括选择性地吸收在蓝色波长区域中的光的蓝色滤光器和选择性地吸收在红色波长区域中的光的红色滤光器，以及
在所述彩色滤光器层上的所述有机光电子器件，所述有机光电子器件选择性地吸收在绿色波长区域中的光。
19.权利要求17的图像传感器，其中
所述有机光电子器件为选择性地吸收在绿色波长区域中的光的绿色光
电子器件，且
所述图像传感器包括顺序地堆叠的所述绿色光电子器件、选择性地吸收
在蓝色波长区域中的光的蓝色光电子器件、和选择性地吸收在红色波长区域中的光的红色光电子器件。
说明书
有机光电子器件和图像传感器
相关申请的交叉引用
本申请要求2014年4月4日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.
10-2014-0040604的优先权和权益，其全部内容通过参考引入本文中。
技术领域
实例实施方式涉及有机光电子器件和包括其的图像传感器。
背景技术
光电子器件使用光电子效应将光转换为电信号，可包括光电二极管和/
或光电晶体管，且可应用于图像传感器、太阳能电池和/或有机发光二极管。包括光电二极管的图像传感器需要相对高的分辨率且因此相对小的像
素。目前，硅光电二极管被广泛使用。但是，硅光电二极管可具有恶化的灵敏度的问题，因为硅光电二极管由于相对小的像素而具有相对小的吸收面积。因此，已研究了能够代替硅的有机材料。
有机材料具有相对高的消光系数，和取决于分子结构，选择性地吸收特
定波长区域中的光，且因此可同时代替光电二极管和彩色滤光器(滤色器，color filter)，并作为结果，改善灵敏度和有助于相对高的集成。
技术内容
实例实施方式提供有机光电子器件，其具有相对高的光电转换效率和波
长选择性。
实例实施方式还提供包括所述有机光电子器件的图像传感器。
根据实例实施方式，有机光电子器件包括：彼此面对的阳极和阴极、以
及在所述阳极和阴极之间的有机层，所述有机层包括：作为可见光吸收体的由以下化学式1表示的化合物、以及空穴缓冲材料和电子缓冲材料的至少一种，所述空穴缓冲材料具有大于或等于约2.8eV的能带隙以及在所述阳极的功函和由以下化学式1表示的化合物的HOMO能级之间的HOMO能级，所
述电子缓冲材料具有大于或等于约2.8eV的能带隙以及在所述阴极的功函和由以下化学式1表示的化合物的LUMO能级之间的LUMO能级。
[化学式1]
在以上化学式1中，
R1-R12各自独立地为以下之一：氢、取代或未取代的C1-C30烷基、取代
或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C3-C30杂芳基、卤素原子、含卤素的基团、及其组合，和
X为阴离子。
所述空穴缓冲材料和所述电子缓冲材料可不吸收具有约450nm-约
800nm波长区域的可见光。
所述有机层可包含包括由以上化学式1表示的化合物的活性层和在所
述活性层的至少一侧上的电荷缓冲层，所述电荷缓冲层包含包括所述空穴缓冲材料的空穴缓冲层和包括所述电子缓冲材料的电子缓冲层的至少一个。
所述活性层可进一步包括所述空穴缓冲材料。可以基于所述活性层的小
于或等于50体积％的量包括所述活性层的空穴缓冲材料。
所述活性层可进一步包括所述电子缓冲材料。可以基于所述活性层的小
于或等于50体积％的量包括所述活性层的电子缓冲材料。
所述有机层可包括活性层，且所述活性层可包括由以上化学式1表示的
化合物、以及所述空穴缓冲材料和所述电子缓冲材料的至少一种。
所述空穴缓冲材料的HOMO能级和由以上化学式1表示的化合物的
HOMO能级之间的差可为约0.01eV-约0.89eV。所述空穴缓冲材料的HOMO 能级可大于约4.7eV且小于约5.6eV。
所述电子缓冲材料的LUMO能级和由以上化学式1表示的化合物的
LUMO能级之间的差可为约0.10-约0.89eV。所述电子缓冲材料的LUMO能
级可大于约3.6eV且小于4.3eV。
由以上化学式1表示的化合物可为由以下化学式1a-1e表示的化合物之
一。
[化学式1a]
[化学式1b]
[化学式1c]
[化学式1d]
[化学式1e]
所述有机光电子器件可选择性地吸收绿色波长区域的光。所述有机光电
子器件可具有在约500nm-约600nm处的最大吸收波长(λmax)。所述有机光电子器件可显示具有约50nm-约150nm的半宽度(FWHM)的光吸收曲线。
根据实例实施方式，图像传感器包括所述有机光电子器件。
所述图像传感器可包括：集成有多个检测在蓝色波长区域中的光的第一
感光器件和多个检测在红色波长区域中的光的第二感光器件的半导体基底；在所述半导体基底上并包括选择性地吸收在蓝色波长区域中的光的蓝色滤光器和选择性地吸收在红色波长区域中的光的红色滤光器的彩色滤光器层；以及在所述彩色滤光器层上并选择性地吸收在绿色波长区域中的光的所述有机光电子器件。
所述有机光电子器件可为选择性地吸收在绿色波长区域中的光的绿色
光电子器件，且所述图像传感器可包括顺序堆叠的所述绿色光电子器件、选择性地吸收在蓝色波长区域中的光的蓝色光电子器件、和选择性地吸收在红色波长区域中的光的红色光电子器件。
附图说明
由结合附图考虑的实施方式的以下描述，这些和/或其它方面将变得明
晰和更容易理解，其中：
图1是显示根据实例实施方式的有机光电子器件的横截面图。
图2-4是显示图1的有机光电子器件的实例实施方式的横截面图。
图5是显示图2的有机光电子器件的能级的图。
图6是显示图3的有机光电子器件的能级的图。
图7是显示根据实施例1-3的有机光电子器件的取决于波长的光致发光强度的图。
图8是显示根据实施例1-3的有机光电子器件的取决于波长的在3V下的外量子效率(EQE)的图。
图9是显示根据实施例1-3的有机光电子器件的取决于向其施加的电场的在最大吸收波长(λmax)下的外量子效率的图。
图10是显示根据实施例2、4和5的有机光电子器件的取决于波长的在3V下的外量子效率(EQE)的图。
图11是显示根据实施例2、4和5的有机光电子器件的取决于向其施加的电压的在最大吸收波长(λmax)下的外量子效率的图。
图12是显示根据实施例2、4和5的有机光电子器件的半宽度的图。
图13是显示根据实施例6-10的有机光电子器件的取决于反向偏压的在最大吸收波长(λmax)下的外量子效率的图。
图14是显示根据实施例11的有机光电子器件的取决于波长的光致发光强度的图。
图15是示意性地显示根据实例实施方式的有机CMOS图像传感器的顶视图。
图16是显示图15的有机CMOS图像传感器的横截面图。
图17是示意性地显示根据实例实施方式的有机CMOS图像传感器的顶
视图。
具体实施方式
实例实施方式将在下文中详细描述，且可由具有相关领域的普通知识的
人员容易地实施。但是，本公开内容可以许多不同的形式体现且不解释为限
于本文中阐述的实例实施方式。
当未另外提供定义时，如本文中使用的，术语“取代的”是指用选自如
下的取代基代替化合物或基团中的氢进行取代：卤素原子(F、Br、Cl、或I)、
羟基、烷氧基、硝基、氰基、氨基、叠氮基、脒基、肼基、腙基、羰基、氨
基甲酰基、硫醇基、酯基、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、C1-C20烷基、C2-C20烯基、C2-C20炔基、C6-C30芳基、C7-C30芳烷基、C1-C4烷氧基、C1-C20杂烷基、C3-C20杂芳烷基、C3-C30环烷基、C3-C15环烯基、C6-C15环炔基、C2-C20杂环烷基、及其组合。
当未另外提供定义时，如本文中使用的，术语“杂”是指包括1-3个选
自N、O、S和P的杂原子。
在附图中，为了清楚，层、膜、板、区域等的厚度被放大。在整个说明
书中相同的附图标记是指相同的元件。将理解，当一个元件例如层、膜、区
域或基底被称作“在”另外的元件“上”时，其可直接在所述另外的元件上，
或还可存在中间元件。相反，当一个元件被称作“直接在”另外的元件“上”
时，则不存在中间元件。
为了清楚，省略与说明书没有关系的部分，且在整个说明书中通过相同
的附图标记表示相同或类似的组成元件。
应理解，尽管在本文中可使用术语第一、第二、第三等以描述各种元件、组分、区域、层和/或部分，但这些元件、组分、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组分、区域、层或部分区别于另外的元件、组分、区域、层或部分。因此，在不背离实例实施方式的教导的情况下，以下讨论的第一元件、组分、区域、层或部分可称作第二元件、组分、区域、层或部分。
为了便于描述，在本文中可使用空间相对术语(例如“在……之下”、“在……下面”、“下部”、“在……之上”、“上部”等)来描述如图中所说明
的一个元件或特征与另外的元件或特征的关系。应理解，除图中所示的方位之外，空间相对术语还意图包括在使用或操作中的器件的不同方位。例如，如果翻转图中的器件，则被描述为“在”其它元件或特征“下面”或“之下”
的元件将被定向“在”所述其它元件或特征“之上”。因此，术语“在……
下面”可包括在……之上和在……下面两种方位。器件可以其它方式定向(旋转90度或在其它方位上)，并且本文中所使用的空间相对描述词相应地进行解释。
本文中所使用的术语仅出于描述各种实施方式的目的，而非意图为实例
实施方式的限制。如本文中所使用的，单数形式“一个(种)(a，an)”和“所
述(该)”也意图包括复数形式，除非上下文清楚地另外说明。将进一步理解，术语“包含”和/或“包括”当用在本说明书中时，说明存在所述的特征、
整体、步骤、操作、元件和/或组分，但不排除存在或添加一种或多种其它的特征、整体、步骤、操作、元件、组分和/或其集合。
在本文中参照作为实例实施方式的理想化实施方式(和中间结构)的示意
图的横截面图描述实例实施方式。这样，将预计到作为例如制造技术和/或公差的结果的与图解的形状的偏差。因而，实例实施方式不应解释为限于本文中所图解的区域的形状，而是包括由例如制造导致的形状上的偏差。
除非另外定义，在本文中所使用的所有术语(包括技术和科学术语)的含
义与实例实施方式所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同。将进一步理解，术语，包括在常用字典中定义的那些，应被解释为其含义与它们在相关领域的背景中的含义一致，并且将不对所述术语进行理想化或过度形式意义的解释，除非在本文中清楚地如此定义。
参考附图，描述根据实例实施方式的有机光电子器件。
图1是根据实例实施方式的有机光电子器件的横截面图。
参考图1，根据实例实施方式的有机光电子器件100包括彼此面对的第
一电极10和第二电极20、以及介于第一电极10和第二电极20之间的有机
层30。
第一电极10和第二电极20之一为阳极，且另一个为阴极。第一电极
10和第二电极20的至少一个可为光透射电极，和所述光透射电极可由例如透明导体(例如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO))、或薄的单层或多层的金属薄层制成。当第一电极10和第二电极20之一为非光透射电极时，所述非光透射电极可由例如不透明导体(例如铝(Al))制成。
有机层30包括可见光吸收体和电荷缓冲材料，所述可见光吸收体吸收
在可见光线的特定波长区域中的光，所述电荷缓冲材料基本上不吸收在可见光线区域中的光，而是将由所述可见光吸收体产生的激子分离成空穴和电子。
所述可见光吸收体可为n型半导体或p型半导体，其选择性地吸收在可
见光线区域的绿色波长区域中的光且具有在约500nm-约600nm处的最大吸收波长(λmax)。
所述可见光吸收体可为由以下化学式1表示的化合物。
[化学式1]
在以上化学式1中，
R1-R12各自独立地为以下之一：氢、取代或未取代的C1-C30烷基、取代
或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C3-C30杂芳基、卤素原子、含卤素的基团、及其组合，和
X为阴离子。
由以上化学式1表示的化合物为具有在约500nm-约600nm处的最大吸
收波长(λmax)的可见光吸收体，且具有相对高的在绿色波长区域中的波长选择性。
由以上化学式1表示的化合物可起到n型半导体或p型半导体的作用，
且可单独地被包括作为可见光吸收体，而无需另外的(独立的)p型半导体或另外的n型半导体，以形成pn结。
由以上化学式1表示的化合物可为例如由以下化学式1a-1e表示的化合
物之一，但不限于此。
[化学式1a]
[化学式1b]
[化学式1c]
[化学式1d]
[化学式1e]
所述电荷缓冲材料基本上不吸收具有约450nm-约800nm波长区域的可
见光且因此不是可见光吸收体，并起到激子猝灭剂的作用以将由所述可见光吸收体产生的激子分离成空穴和电子。所述电荷缓冲材料使激子猝灭并将它们分离成空穴和电子，且因此可增加向阳极转移的空穴的数量和向阴极转移的电子的数量，并因此改善有机光电子器件的效率。
所述电荷缓冲材料可为透明的空穴缓冲材料和透明的电子缓冲材料的
至少一种。
例如，所述电荷缓冲材料具有大于或等于约2.8eV的能带隙且因此具有
能够通过光的透明性，和同时具有在阳极的功函和由化学式1表示的化合物的HOMO能级之间的HOMO能级且因此可为能够分离和转移空穴的空穴缓冲材料。这里，HOMO能级表示当真空能级为0eV时的HOMO能级的绝对值。
所述空穴缓冲材料可具有例如约2.8-约4.0eV的能带隙。
常用贴片元件封装.
常用贴片元件封装 1 电阻： 最为常见的有0201、0402、0805、0603、1206、1210、1812、2010、2512几类1）贴片电阻的封装与尺寸如下表： 英制(mil) 公制(mm) 长(L)(mm) 宽(W)(mm) 高(t)(mm) 0201 0603 0.60±0.05 0.30±0.05 0.23±0.05 0402 1005 1.00±0.10 0.50±0.10 0.30±0.10 0603 1608 1.60±0.15 0.80±0.15 0.40±0.10 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.15 0.50±0.10 1206 3216 3.20±0.20 1.60±0.15 0.55±0.10 1210 3225 3.20±0.20 2.50±0.20 0.55±0.10 1812 4832 4.50±0.20 3.20±0.20 0.55±0.10 2010 5025 5.00±0.20 2.50±0.20 0.55±0.10 2512 6432 6.40±0.20 3.20±0.20 0.55±0.10 2）贴片电阻的封装、功率与电压关系如下表： 英制(mil)公制(mm)额定功率@ 70°C 最大工作电压(V) 0201 0603 1/20W 25 0402 1005 1/16W 50 0603 1608 1/10W 50 0805 2012 1/8W 150 1206 3216 1/4W 200 1210 3225 1/3W 200 1812 4832 1/2W 200
2010 5025 3/4W 200 2512 6432 1W 200 3）贴片电阻的精度与阻值 贴片电阻阻值误差精度有±1％、±2％、±5％、±10％精度， J －表示精度为5％、 F－表示精度为1％。 T －表示编带包装 阻值范围从0R-100M 4）贴片电阻的特性 ·体积小，重量轻； ·适应再流焊与波峰焊； ·电性能稳定，可靠性高； ·装配成本低，并与自动装贴设备匹配； ·机械强度高、高频特性优越。 2电容： 1）贴片电容可分为无极性和有极性两种，容值范围从0.22pF-100uF 无极性电容下述两类封装最为常见，即0805、0603； 英制尺寸公制尺寸长度宽度厚度 0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05 0603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.10 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.20 1206 3216 3.20±0.30 1.60±0.20 0.70±0.20 1210 3225 3.20±0.30 2.50±0.30 1.25±0.30
光电子器件考试(DOC)
光电器件设计与制作 科目：光电器件设计与制造 任教老师： 姓名： 学号： 学院：
1、光电导摄像管是如何将一幅光图像变为电信号传递出去的？ 答：可以把这个过程简单的分成三个步骤： 下面是我画的简易的一个光电摄像管： 步骤一：光学图形转化为电荷： 由透明导电膜和光电导层组成了摄像管的靶面，光电导层一般都是通过工艺比如沉积法沉淀在透明导电膜上的。电源的工作电压VT 加在靶光电导体和电子束扫描枪，右端接地，即使没有光照也会在靶光电导体上面产生偏置电压。由于是半导体，所以 电源 光电导层 透明导电膜 电子枪 R R C 图二 图一 VT 偏转线圈
我们将靶面看做是无数个单位小光电导体（也称像素单位）组成的如图二，当光照很强的时候，发生跃迁，导电的电子就会越多。传输到靶面的光学图形中各个地方的光照度是不相同的，所以不同部位参与导电的电子数目就不一样。这样就把图形转换成了电荷的分布。 步骤二：电荷储存 如图二，当R（小光电导）受到光照产生了步骤一里面的电荷，每个小的光电导体就会把自己产生的电荷储存在电容里面。步骤三：扫描提取 存储的电荷越多，其相应的像素点的电位就会越高。电子枪发射电子束对靶面进行扫描，电子束在靠近靶面的时候受到偏转线圈的作用，强烈的减速，最后很缓慢的降落在靶面上，由于电子束带负电，使得靶面的电位近似稳定在0V，这时相当于使得各个像素点里面存储的电荷依次接地，就会得到各个相应的像素电位的时序电信号。最后把电信号传出去就行了。 注：上面三个步骤是最基本的步骤，但是通常很多时候光电导摄像管会对电信号进行增强放大，放大的方式也有很多种，常常采用在电子枪上面加一个电子增益器，利用二次电子发射效应，将电流逐级倍增，这样就增加了我们所需要的信号的强度。 综上，就完全完成了把光图像变为电信号了。 2、简述混合式红外成像器件与单片式红外成像器件的异同点和
2015版光电子器件及其他电子器件制造行业发展研究报告
2015版光电子器件及其他电子器件制造行业发展研究报告
目录 1. 2009-2014年光电子器件及其他电子器件制造行业分析 (1) 1.1.光电子器件及其他电子器件制造行业定义 (1) 1.2.2009-2014年光电子器件及其他电子器件制造行业产值占GDP比重 (1) 1.3.光电子器件及其他电子器件制造行业企业规模分析 (2) 2. 2009-2014年光电子器件及其他电子器件制造行业资产、负债分析.4 2.1.2009-2014年光电子器件及其他电子器件制造行业资产分析 (4) 2.1.1. 2009-2014年光电子器件及其他电子器件制造行业流动资产分析 (5) 2.2.2009-2014年光电子器件及其他电子器件制造行业负债分析 (6) 3. 2009-2014年光电子器件及其他电子器件制造行业利润分析 (8) 3.1.2009-2014年光电子器件及其他电子器件制造行业利润总额分析 (8) 3.2.2009-2014年光电子器件及其他电子器件制造行业主营业务利润分析.. 9 4. 2009-2014年光电子器件及其他电子器件制造行业成本分析 (11) 4.1.2014年行业总成本构成情况 (11) 4.2.2009-2014年行业成本费用分项分析 (12) 4.2.1. 2009-2014年行业产品销售成本分析 (12) 4.2.2. 2009-2014年行业产品销售成本率分析 (13) 4.2.3. 2009-2014年行业产品销售费用分析 (15) 4.2.4. 2009-2014年行业产品销售费用率分析 (16) 4.2.5. 2009-2014年行业管理费用分析 (17) 4.2.6. 2009-2014年行业管理费用率分析 (18)
常用SMT元件封装
常用SMT贴片元件封装说明 SMT是电子业界一门新兴的工业技术，它的兴起及迅猛发展是电子组装业的一次革命，被誉为电子业的“明日之星”，它使电子组装变得越来越快速和简单，随之而来的是各种电子产品更新换代越来越快，集成度越来越高，价格越来越便宜。为IT（Information Technology）产业的飞速发展作出了巨大贡献。 SMT所涉及的零件种类繁多，样式各异，有许多已经形成了业界通用的标准，这主要是一些芯片电容电阻等等；有许多仍在经历着不断的变化，尤其是IC类零件，其封装形式的变化层出不穷，令人目不暇接，传统的引脚封装正在经受着新一代封装形式（BGA、FLIP CHIP等等）的冲击，在本章里将分标准零件与IC 类零件详细阐述。 标准零件 标准零件是在SMT发展过程中逐步形成的，主要是针对用量比较大的零件，本节只讲述常见的标准零件。目前主要有以下几种：电阻(R)、排阻(RA或RN)、电感(L)、陶瓷电容(C)、排容(CP)、钽质电容(C)、二极管(D)、晶体管(Q)【括号内为PCB（印刷电路板）上之零件代码】，在PCB上可根据代码来判定其零件类型，一般说来，零件代码与实际装着的零件是相对应的。 一、零件规格: 贴片电阻尺寸图
贴片电容尺寸图
含义1206/3216 L:1.2inch(3.2mm) W:0.6inch(1.6mm) 0805/2125 L:0.8inch(2.0mm) W:0.5inch(1.25mm) 0603/1608 L:0.6inch(1.6mm) W:0.3inch(0.8mm) 0402/1005 L:0.4inch(1.0mm) W:0.2inch(0.5mm) 注：a、L（Length）：长度； W（Width）：宽度； inch：英寸 b、1inch=25.4mm （b）、在(1)中未提及零件的厚度，在这一点上因零件不同而有所差异，在生产时应以实际量测为准。 （c）、以上所讲的主要是针对电子产品中用量最大的电阻（排阻）和电容（排容），其它如电感、二极管、晶体管等等因用量较小，且形状也多种多样，在此不作讨论。 （d）、SMT发展至今，随着电子产品集成度的不断提高，标准零件逐步向微型化发展，如今最小的标准零件已经到了0201。 二、常用元件封装 1）电阻： 最为常见的有0805、0603两类，不同的是，它可以以排阻的身份出现，四位、八位都有，具体封装样式可参照MD16仿真版，也可以到设计所内部PCB库查询。 注：A\B\C\D四类型的封装形式则为其具体尺寸,标注形式为L X S X H 1210具体尺寸与电解电容B类3528类型相同 0805具体尺寸：2.0 X 1.25 X 0.5（公制表示法） 1206具体尺寸：3.0 X 1.5 0X 0.5（公制表示法） 贴片电阻 贴片排阻 2）电阻的命名方法
光电子与微电子器件及集成重点专项2019年度项目申报
附件4 “光电子与微电子器件及集成”重点专项 2019年度项目申报指南 为落实《国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006—2020年）》《2006—2020年国家信息化发展战略》提出的任务，国家重点研发计划启动实施“光电子与微电子器件及集成”重点专项（以下简称“本重点专项”）。根据本重点专项实施方案的部署，现提出2019年度项目申报指南。 本重点专项的总体目标是：发展信息传输、处理与感知的光电子与微电子集成芯片、器件与模块技术，构建全链条光电子与微电子器件研发体系，推动信息领域中的核心芯片与器件研发取得重大突破，支撑通信网络、高性能计算、物联网等应用领域的快速发展，满足国家发展战略需求。 本重点专项按照硅基光子集成技术、混合光子集成技术、微波光子集成技术、集成电路与系统芯片、集成电路设计方法学和器件工艺技术6个创新链（技术方向），共部署49个重点研究任务。专项实施周期为5年（2018—2022年）。 2019年度项目申报指南在核心光电子芯片、光电子芯片共性支撑技术、集成电路与系统芯片、集成电路设计方法学和器件工 —1—
艺技术5个技术方向启动19个研究任务，拟安排国拨总经费概算6.75亿元。凡企业牵头的项目须自筹配套经费，配套经费总额与专项经费总额比例不低于1：1。 各研究任务要求以项目为单元整体组织申报，项目须覆盖所申报指南方向二级标题（例如：1.1）下的所有研究内容并实现对应的研究目标。除特殊说明外，拟支持项目数均为1~2项。指南任务方向“1.核心光电子芯片”和“2.光电子芯片共性支撑技术”所属任务的项目实施周期不超过3年；指南任务方向“3.集成电路与系统芯片”、“4.集成电路设计方法学”和“5.器件与工艺技术”所属任务的项目实施周期为4年。基础研究类项目，下设课题数不超过4个，参研单位总数不超过6个；共性关键技术类和应用示范类项目，下设课题数不超过5个，参与单位总数不超过10个。项目设1名项目负责人，项目中每个课题设1名课题负责人。 指南中“拟支持项目数为1~2项”是指：在同一研究方向下，当出现申报项目评审结果前两位评分评价相近、技术路线明显不同的情况时，可同时支持这2个项目。2个项目将采取分两个阶段支持的方式。建立动态调整机制，第一阶段完成后将对2个项目执行情况进行评估，根据评估结果确定后续支持方式。 1.核心光电子芯片 1.1多层交叉结构的光子集成芯片（基础研究类） 研究内容：聚焦基于硅基多维度交叉结构的光子集成芯片，—2—
常用元件及封装形式
常用元件及封装形式：
常用元器件都在protel DOS schematic Libraries.ddb protel DOS schematic 4000 CMOS (4000序列元件) protel DOS schematic Analog digital (A/D,D/A转换元件) protel DOS schematic Comparator （比较器，如LM139之类） protel DOS schematic intel (Intel 的处理器和接口芯片之类) protel的自带的 PCB元件常用库： 1、Advpcb.ddb 2、General IC.ddb 3、Miscellaneous.ddb 4、International Rectifier.lib，有许多整流器的封装如D-37,D-44等， 另：变压器在Transformers.lib库中
Protel 常见错误 （1）在原理图中未定义元件的封装形式 错误提示：FOOTPRINT NOT FOUND IN LIBRARY. 错误原因：①在原理图中未定义元件封装形式，PCB装入网络表时找不到对应的元件封装。②原理图中将元件的封装形式写错了。如将极性电容Electrol的封装形式写作“RB0．2／0．4”。③PCB文件中未调入相应的PCB元件库；如PCB Footprint．Lib 中就没有小型发光二极管LED可用的元件封装； 解决办法①编辑PCB Footprint．Lib文件，创建LED的元件封装，然后执行更新PCB 命令； ②返回原理图，仔细核对原理图中元件封装名称是否和PCB元件库中的名称一致。双击该元件，在弹出的属性对话框中的FOOTPRINT栏中填入相应的元件封装 解决办法：打开网络表文件查看哪些元件未定义封装，并直接在网络表中对该元件增加封装，或者在原理图中找到相应的元件， （2）原理图中元件的管脚与PCB封装管脚数目不同 如果原理图库中元件的管脚数目与PCB库中封装的管脚数目没有一一对应，在装入时也会出错.这种错误主要发生在自己做的一些器件或一些特殊的器件上.例如电源变 压器的接地端在原理图库中存在，而在制作相应的PCB封装时未能给它分配焊盘，则在装入此元件时就会发生错误 解决办法：根据元件实际属性，作相应修改 （3）没有找到元件 错误描述：Component not found 错误原因：Advpcb．ddb文件包内的PCB Footprint．Lib文件中包含了绝大多数元件封装，但如果原理图中某个元件封装形式特殊，PCB Footprint．Lib文件库找不到，需装入非常用元件封装库。 处理方式：在设计文件管理器窗口内，单击PCB文件图标，进入PCB编辑状态，通过“Add／Remove”命令装入相应元件封装库。 （4）没有找到结点 错误描述：Node not found 错误原因：①指定网络中多了并不存在的节点；②元件管脚名称和PCB库中封装的管脚名称不同；③原理图中给定的元件封装和对应的PCB封装名称不同。处理方式：对于①、③可回到原理图中删除多余节点、将原理图中的元件封装修改成和对
常用电子元件封装、尺寸、规格汇总
常用电子元件封装、尺寸、规格汇总 贴片电阻规格 贴片电阻常见封装有9种，用两种尺寸代码来表示。一种尺寸代码是由4位数字表示的EIA(美国电子工业协会)代码，前两位与后两位分别表示电阻的长与宽，以英寸为单位。我们常说的0603封装就是指英制代码。另一种是米制代码，也由4位数字表示，其单位为毫米。下表列出贴片电阻封装英制和公制的关系及详细的尺寸： 贴片元件的封装 一、零件规格: (a)、零件规格即零件的外形尺寸，SMT发展至今，业界为方便作业，已经形成了一个标准零件系列，各家零件供货商皆是按这一标准制造。 标准零件之尺寸规格有英制与公制两种表示方法，如下表 英制表示法1206 0805 0603 0402 公制表示法3216 2125 1608 1005 含义 L:1.2inch(3.2mm)W:0.6inch(1.6mm) L:0.8inch(2.0mm)W:0.5inch(1.25mm) L:0.6inch(1.6mm)W:0.3inch(0.8mm) L:0.4inch(1.0mm)W:0.2inch(0.5mm) 注： a、L（Length）：长度；W（Width）：宽度；inch：英寸 b、1inch=25.4mm
（b）、在(1)中未提及零件的厚度，在这一点上因零件不同而有所差异，在生产时应以实际量测为准。 （c）、以上所讲的主要是针对电子产品中用量最大的电阻（排阻）和电容（排容），其它如电感、二极管、晶体管等等因用量较小，且形状也多种多样，在此不作讨论。 （d）、SMT发展至今，随着电子产品集成度的不断提高，标准零件逐步向微型化发展，如今最小的标准零件已经到了0201。 二、常用元件封装 1）电阻： 最为常见的有0805、0603两类，不同的是，它可以以排阻的身份出现，四位、八位都有，具体封装样式可参照MD16仿真版，也可以到设计所内部PCB库查询。 注： ABCD四类型的封装形式则为其具体尺寸,标注形式为L X S X H 1210具体尺寸与电解电容B类3528类型相同 0805具体尺寸：2.0 X 1.25 X 0.5（公制表示法） 1206具体尺寸：3.0 X 1.5 0X 0.5（公制表示法） 2）电阻的命名方法 1、5%精度的命名：RS – 05 K 102 JT 2、1％精度的命名：RS – 05 K 1002 FT R －表示电阻 S －表示功率 0402是1/16W、 0603是1/10W、 0805是1/8W、 1206是1/4W、 1210是1/3W、 1812是1/2W、 2010是3/4W、 2512是1W。 05 －表示尺寸(英寸)： 02表示0402、 03表示0603、 05表示0805、 06表示1206、 1210表示1210、 1812表示1812、 10表示1210、 12表示2512。 K －表示温度系数为100PPM。 102 －5％精度阻值表示法： 前两位表示有效数字，第三位表示有多少个零，基本单位是Ω，102＝1000Ω＝1KΩ。1002 是1％阻值表示法：
光器件封装详解有源光器件的结构和封装
有源光器件的结构和封装
目录 1有源光器件的分类 ........................................................................................错误!未指定书签。2有源光器件的封装结构 .................................................................................错误!未指定书签。 2.1光发送器件的封装结构 ...........................................................................错误!未指定书签。 2.1.1同轴型光发送器件的封装结构 ..........................................................错误!未指定书签。 2.1.2蝶形光发送器件的封装结构..............................................................错误!未指定书签。 2.2光接收器件的封装结构 ...........................................................................错误!未指定书签。 2.2.1同轴型光接收器件的封装结构 ..........................................................错误!未指定书签。 2.2.2蝶形光接收器件的封装结构..............................................................错误!未指定书签。 2.3光收发一体模块的封装结构....................................................................错误!未指定书签。 2.3.11×9和2×9大封装光收发一体模块 .....................................................错误!未指定书签。 2.3.2GBIC（GigabitInterfaceConverter）光收发一体模块 ......................错误!未指定书签。 2.3.3SFF（SmallFormFactor）小封装光收发一体模块 ...........................错误!未指定书签。 2.3.4SFP（SmallFormFactorPluggable）小型可插拔式光收发一体模块错误!未指定书签。 2.3.5光收发模块的子部件.........................................................................错误!未指定书签。3有源光器件的外壳 ........................................................................................错误!未指定书签。 3.1机械及环境保护 ......................................................................................错误!未指定书签。 3.2热传递.....................................................................................................错误!未指定书签。 3.3电通路.....................................................................................................错误!未指定书签。 3.3.1玻璃密封引脚....................................................................................错误!未指定书签。 3.3.2单层陶瓷 ...........................................................................................错误!未指定书签。 3.3.3多层陶瓷 ...........................................................................................错误!未指定书签。 3.3.4同轴连接器........................................................................................错误!未指定书签。 3.4光通路.....................................................................................................错误!未指定书签。 3.5几种封装外壳的制作工艺和电特性实例..................................................错误!未指定书签。 3.5.1小型双列直插封装（MiniDIL）.........................................................错误!未指定书签。 3.5.2多层陶瓷蝶形封装（Multilayerceramicbutterflytypepackages）......错误!未指定书签。 3.5.3射频连接器型封装.............................................................................错误!未指定书签。4有源光器件的耦合和对准..............................................................................错误!未指定书签。 4.1耦合方式 .................................................................................................错误!未指定书签。 4.1.1直接耦合 ...........................................................................................错误!未指定书签。 4.1.2透镜耦合 ...........................................................................................错误!未指定书签。 4.2对准技术 .................................................................................................错误!未指定书签。 4.2.1同轴型器件的对准.............................................................................错误!未指定书签。 4.2.2双透镜系统的对准.............................................................................错误!未指定书签。 4.2.3直接耦合的对准 ................................................................................错误!未指定书签。5有源光器件的其它组件/子装配 .....................................................................错误!未指定书签。 5.1透镜 ........................................................................................................错误!未指定书签。 5.2热电制冷器（TEC）...............................................................................错误!未指定书签。 5.3底座 ........................................................................................................错误!未指定书签。 5.4激光器管芯和背光管组件........................................................................错误!未指定书签。
常用光电子器件介绍
主要光电子器件介绍 【内容摘要】 光自身固有的优点注定了它在人类历史上充当不可忽略的角色，本文从几种常见的光电子器件的介绍来展示光纤通信技术的发展。 【关键词】 光纤通信光电子器件 【正文】 光自身固有的优点注定了它在人类历史上充当不可忽略的角色，随着人类技术的发展，其应用越来越广泛，优点也越来越突出。 将优点突出的光纤通信真正应用到人类生活中去，和很多技术一样，都需要一个发展的过程。从宏观上来看，光纤通信主要包括光纤光缆、光电子器件及光通信系统设备等三个部分，本文主要介绍几种常见的光电子器件。 1、光有源器件 1)光检测器 常见的光检测器包括：PN光电二极管、PIN光电二极管和雪崩光电二极管（APD）。目前的光检测器基本能满足了光纤传输的要求，在实际的光接收机中，光纤传来的信号及其微弱，有时只有1mW左右。为了得到较大的信号电流，人们希望灵敏度尽可能的高。 光电检测器工作时，电信号完全不延迟是不可能的，但是必须限制在一个范围之内，否则光电检测器将不能工作。随着光纤通信系统的传输速率不断提高，超高速的传输对光电检测器的响应速度的要求越来越高，对其制造技术提出了更高的要求。 由于光电检测器是在极其微弱的信号条件下工作的，而且它又处于光接收机的最前端，如果在光电变换过程中引入的噪声过大，则会使信噪比降低，影响重现原来的信号。因此，光电检测器的噪声要求很小。 另外，要求检测器的主要性能尽可能不受或者少受外界温度变化和环境变化的影响。 2)光放大器 光放大器的出现使得我们可以省去传统的长途光纤传输系统中不可缺少的光－电－光的转换过程，使得电路变得比较简单，可靠性也变高。 早在1960年激光器发明不久，人们就开始了对光放大器的研究，但是真正开始实用化的研究是在1980年以后。随着半导体激光器特性的改善，首先出现了法布里－泊罗型半导体激光放大器，接着开始了对行波式半导体激光放大器的研究。另一方面，随着光纤技术的发展，出现了光纤拉曼放大器。80年代后期，掺稀土元素的光纤放大器脱颖而出，并很快达到实用水平，应用于越洋的长途光通信系统中。 目前能用于光纤通信的光放大器主要是半导体激光放大器和掺稀土金属光纤放大器，特别是掺饵光纤放大器（EDFA）倍受青睐。1985年英国南安普顿大学首次研制成掺饵光纤，1989年以后掺饵光纤放大器的研究工作不断取得重大
常用电子元件封装
常用电子元件封装 电阻：RES1, RES2, RES3, RES4;封装属性为axial系列 无极性电容：cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4 电解电容：electroi;封装属性为rb.2/.4至到rb.5/1.0 电位器：pot1,pot2 ;封装属性为vr-1到vr-5 二极管：封装属性为diode-0.4（小功率）diode-0.7（大功率） 三极管：常见的封装属性为to-18 （普通三极管）to-22（大功率三极管）to-3（大功率达林顿管）电源稳压块有78和79系列；78系列如7805 , 7812 , 7820等 79 系列有7905 , 7912 , 7920 等 常见的封装属性有to126h和to126v 整流桥：BRIDGE1,BRIDGE2:封装属性为 D 系列（D-44 , D-37 , D-46 ）电阻：AXIAL0.3- AXIAL0.7 其中0.4-0.7指电阻的长度，一般用AXIAL0.4 瓷片电容：RAD0.1-RAD0.3。其中0.1-0.3指电容大小，一般用RAD0.1 电解电容：RB.1/.2- RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8 指电容大小。一般<100uF用 RB.1/.2,100uF-470uF 用RB.2/.4,>470uF 用RB.3/.6 二极管：DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7 指二极管长短，一般用DIODE0.4 发光二极管：RB.1/.2 集成块：DIP8-DIP40,其中8 —4 0指有多少脚，8脚的就是DIP8 贴片电阻 0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系，但封装尺寸与功率有关通常来说如下： 0201 1/20W 0402 1/16W 0603 1/10W 0805 1/8W 1206 1/4W 电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是： 0402=1.0mmx0.5mm 0603=1.6mmx0.8mm 0805=2.0mmx1.2mm 1206=3.2mmx1.6mm 1210=3.2mmx2.5mm 1812=4.5mmx3.2mm 2225=5.6mmx6.5mm 零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。是纯粹的空间概念 因此不同的元件可共用同一零件封装，同种元件也可有不同的零件封装。像电阻，有传统的 针插式，这种元件体积较大，电路板必须钻孔才能安置元件，完成钻孔后，插入元件，再过锡炉或喷锡（也可手焊），成本较高，较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件（SMD）这种元件不必钻孔，用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板，再把SMD元件放上，即可焊接在电 路板上了。 关于零件封装我们在前面说过，除了DEVICE。LIB库中的元件外，其它库的元件都已 经有了固定的元件封装，这是因为这个库中的元件都有多种形式：以晶体管为例说明一下：晶体管是我们常用的的元件之一，在DEVICE。LIB库中，简简单单的只有NPN与PNP 之分，但实际上，如果它是NPN的2N3055那它有可能是铁壳子的TO—3，如果它是NPN 的2N3054，则有可能是铁壳的TO-66或T0-5，而学用的CS9013，有TO-92A , TO-92B ,
光电子技术的发展与应用
题目：光电子技术的发展与应用 姓名：刘欢 学号：2015953024 班级：光电一班 指导老师：李宏棋 日期：2018.12.1
目录 1摘要：___________________________________________________________________________3 2光电子技术的发展________________________________________________________________3 2.1世界光电子技术和产业的发展__________________________________________3 2.2我国的光电子技术和产业的发展________________________________________4 3光电子技术的应用探讨____________________________________________________________5 3.1在通信领域的应用____________________________________________________________5 3.2在军事领域的应用 _____________________________________________________________5 3.3在医药领域的应用 _____________________________________________________________5 3.4在工业领域的应用 _____________________________________________________________5 3.5在光通信的应用__________________________________________________6 3.6在RS光应用的应用___________________________________________________________6 3.7在光智能的应用______________________________________________________________7 3.8在矿井安全中的应用__________________________________________________________7 4结论__________________________________________________________________________7参考文献： ________________________________________________________________________8
常用电子元器件封装图集
TQFP hin Quad Flat Packs PPGA Plastic Pin Grid Arrays Mini-BGA Mini Ball Grid Array BGA Ball Grid Array CerDIP Ceramic Dual-In-Line Packages CQFP Ceramic Flatpacks CerSOJ Ceramic Small Outline J-Bend CPGA Ceramic Pin Grid Arrays WLCC Ceramic Windowed J-Leaded Chip Carriers PLCC Plastic Leaded Chip Carriers CerPACK Cerpacks LCC Ceramic Leadless Chip Carriers PQFP Plastic Quad Flatpacks SSOP Shrunk Small Outline Packages PDIP Plastic Dual-In-Line Packages QSOP Quarter Size Outline Packages W-LCC Ceramic Windowed Leadless Chip Carriers WPGA Ceramic Windowed Pin Grid Arrays SOIC Plastic Small Outline ICs W-CerPACK Windowed Cerpacks CQFP Ceramic Quad Flatpacks SOJ Plastic Small Outline J-Bend W-CerDIP Ceramic Windowed Dual-In-Line Packages CLCC Ceramic J-Leaded Chip Carriers TSOP Thin Small Outline Packages STSOP Small Thin Small Outline Packages RTSOP Reverse Thin Small Outline Packages TSOP II Thin Small Outline Packages, Type I 芯片的封装 芯片包装指包裹于硅晶外层的物质。目前最常见的包装称为 TSOP(Thin Small Outline Packaging) ，早期的芯片设计以 DIP(Dual In-line Package) 以及 SOJ(Small Outline J-lead) 的方式包装。较新的芯片，例如RDRAM 使用 CSP(Chip Scale Package) 包装。以下对不同封装方式的介绍能够帮助了解它们的不同点。 DIP (Dual In-Line Package 双列直插式封装、双入线封装)
光电子器件笔记
光电子器件 第一章 1、 光电探测器输出信号电压或电流与单位入射光功率之比，即单位入射光功率作用下探测器输出信号电压或电流称为响应率. 光谱响应率（R λ）：光电器件在单色 (在波长λ附近一个很小的波长范围里) 辐射功率作用下产生的信号电压或信号电流。 ——其中Rm 为光谱响应率的最大值 R λ（单位：A/W ） 光谱响应率及量子效率仅由器件的响应特性所决定，而与光源无关。 2. 器件的光谱响应与光源辐射功率谱密度紧密相关，它们之间的匹配系统 α—称为器件与光源的光谱匹配系数，它反映了器件响应的波长范围同光源光谱的吻合程度。 在光源固定的情况下,面积A1是不变的,如果与曲线重合得愈多,面积A2愈大, α愈大，也就是光谱匹配愈好;反之, 如果两曲线没有重合之处,α=0,即二者完全失配,则该光电器件对光源辐射没有探测能力。光谱匹配是选择光电子器件,如像管、光电倍增管、红外成像器件的材料的重要依据。 3.光电探测器输出的电流或电压在其平均值上下无规则的、随机的起伏，称为噪声。噪声是物理过程所固有的，人为不可能消除。它的计算是在足够长时间内求其平方平均或均方根。 dP du R s u λλ=dP di R s i λλ=m R R R λλ=)( λR m R 1.24λ λη )(λ R λ 1 2A A =α
光电探测器的噪声来源主要有热噪声、散粒噪声、温度噪声、放大器噪声、频率噪声、复合噪声等。 当输出信号电压等于输出噪声电压均方根值时的探测器的入射辐射功率叫做最小可探测辐射功率，也叫做噪声等效功率NEP 。 Pmin 越小，器件的探测能力越强。 对Pmin 取倒数可作为衡量探测器探测能力的参数，称为探测率。研究指出:探测率与器件的面积和工作带宽成反比。 4.光吸收厚度：设入射光的强度为 I0，入射到样品厚度为x 处的光强度为 I ，则： α为线吸收系数，单位为（1/cm ） α大时，光吸收主要发生在材料的表层；α小时，光入射得深。当厚度d=1/α时，称为吸收厚度，有64%的光被吸收。 5.本征吸收：价带中的电子吸收了能量足够大的光子后，受到激发，越过禁带，跃入导带，并在价带中留下一个空穴，形成了电子空穴对，这种跃迁过程所形成的光吸收称为本征吸收。 本征吸收条件：光子的能量必须大于或等于禁带的宽度Eg 。 6. 内光电效应: 材料在吸收光子能量后，出现光生电子－空穴，由此引起电导率变化或电压、电流的现象，称之为内光电效应。 光电导效应：当半导体材料受光照时，吸收光子引起载流子浓度增大，产生附加电导率使电导率增加，这个现象称为光电导效应。在外电场作用下就能得到电流的变化。 光电导效应分为本征型和非本征型。 7.设本征半导体在没有光照时，电导率为 (称为暗电导率) 当有光注入时，半导体电导率： 电导率的增量称为光电导率： 8. 增加载流子寿命： 好处：增益提高，灵敏度提高，响应率提高。 缺点：惰性增加，频率响应特性变差。 所以增益和惰性不可兼得。 9. 影响光谱响应的两个主要因素：光电导材料对各波长辐射的吸收系数和截流子表面复合率。 光电导光谱响应特点：都有一峰值，峰值一般靠近长波限（长波限约为峰值一半处所对应的波长）。 u n n s R u u u P P ==min x e I I α-=00σP n e p e n μ μσ000+=P n p p e n n e μμσ)()(00?++?+=0() n P e n p σσσμμ?=-=?+?
常用元器件封装(重要)
常用元器件封装— 电阻：RES1，RES2，RES3，RES4；封装属性为axial系列无极性电容：cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4 电解电容：electroi;封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0 电位器：pot1,pot2；封装属性为vr-1到vr-5 二极管：封装属性为diode-0.4(小功率)diode-0.7(大功率) 三极管：常见的封装属性为to-18（普通三极管）to-22(大功率三极管)to-3(大功率达林顿管) 电源稳压块有78和79系列；78系列如7805，7812，7820等 79系列有7905，7912，7920等 常见的封装属性有to126h和to126v 整流桥：BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列（D-44，D-37，D-46） 电阻：AXIAL0.3-AXIAL0.7其中0.4-0.7指电阻的长度，一般用AXIAL0.4 瓷片电容：RAD0.1-RAD0.3。其中0.1-0.3指电容大小，一般用RAD0.1 电解电容：RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。一般<100uF用 RB.1/.2,100uF-470uF用RB.2/.4,>470uF用RB.3/.6 二极管：DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二极管长短，一般用DIODE0.4 发光二极管：RB.1/.2 集成块：DIP8-DIP40, 其中８－４０指有多少脚，８脚的就是DIP8 贴片电阻0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系，但封装尺寸与功率有关通常来说如下： 0201 1/20W 0402 1/16W 0603 1/10W 0805 1/8W 1206 1/4W 电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是： 0402=1.0mmx0.5mm 0603=1.6mmx0.8mm 0805=2.0mmx1.2mm 1206=3.2mmx1.6mm 1210=3.2mmx2.5mm 1812=4.5mmx3.2mm 2225=5.6mmx6.5mm 零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。是纯粹的文章概念因此不同的元件可共用同一零件封装，同种元件也可有不同的零件封装。像电阻，有传统的针插式，这种元件体积较大，电路板必须钻孔才能安置元件，完成钻孔后，插入元件，再过锡炉或喷锡（也可手焊），成本较高，较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件（SMD）这种元件不必钻孔，用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板，再