模拟电子技术课件

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模拟电子技术基础(第4版)ppt课件

模拟电子技术基础(第4版)ppt课件

多子浓度高
多子浓度很 低,且很薄
面积大
晶体管有三个极、三个区、两个PN结。
华成英 hchya@
二、晶体管的放大原理
(发射结正偏) uBE U on 放大的条件 (集电结反偏) uCB 0,即 uCE uBE
少数载流 子的运动 因集电区面积大,在外电场作用下大 部分扩散到基区的电子漂移到集电区 因基区薄且多子浓度低,使极少 数扩散到基区的电子与空穴复合 因发射区多子浓度高使大量 电子从发射区扩散到基区 基区空穴 的扩散
华成英 hchya@
§1.3
晶体三极管
一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响
五、主要参数
华成英 hchya@
一、晶体管的结构和符号
为什么有孔?
小功率管
中功率管
大功率管
华成英 hchya@
2、本征半导体的结构
共价键
由于热运动,具有足够能量 的价电子挣脱共价键的束缚 而成为自由电子 自由电子的产生使共价键中 留有一个空位置,称为空穴 自由电子与空穴相碰同时消失,称为复合。 动态平衡 一定温度下,自由电子与空穴对的浓度一定;温度升高, 热运动加剧,挣脱共价键的电子增多,自由电子与空穴对 的浓度加大。
指数曲线
若正向电压 UT,则i ISe u
u UT
若反向电压u UT,则i IS
2. 伏安特性受温度影响
反向特性为横轴的平行线
T(℃)↑→在电流不变情况下管压降u↓ →反向饱和电流IS↑,U(BR) ↓ 增大1倍/10℃
T(℃)↑→正向特性左移,反向特性下移
华成英 hchya@
华成英 hchya@

模拟电子技术第1章PPT课件

模拟电子技术第1章PPT课件

多数载流子——自由电子 施主离子
少数载流子—— 空穴
7
8
2. P型半导体
在本征半导体中掺入三价杂质元素,如硼、镓等。
硅原子
+4
空穴
+4
硼原子
+4
8
电子空穴对
空穴
+4 +4
P型半导体
- - --
+3 +4
- - --
- - --
+4 +4
受主离子
多数载流子—— 空穴 少数载流子——自由电子 9
杂质半导体的示意图
(1) 稳定电压UZ ——
在规定的稳压管反向工作电流IZ下UZ,所对应的Iz反min 向工作电u压。
(2) 动态电阻rZ ——
△I
rZ =U /I
rZ愈小,反映稳压管的击穿特性△愈U 陡。
I zmax
(3) 最小稳定工作 电流IZmin——
保证稳压管击穿所对应的电流,若IZ<IZmin则不能稳压。
(4) 最大稳定工作电流IZmax——
17
EW
R
18
(2) 扩散电容CD
当外加正向电压
不同时,PN结两 + 侧堆积的少子的 数量及浓度梯度 也不同,这就相 当电容的充放电 过程。
P区 耗 尽 层 N 区 -
P 区中电子 浓度分布
N 区中空穴 浓度分布
极间电容(结电容)
Ln
Lp
x
电容效应在交流信号作用下才会明显表现出来
18
19
1.2 半导体二极管
30
31
四、稳压二极管
稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管
பைடு நூலகம்

模拟电子技术基础PPT课件-经典全

模拟电子技术基础PPT课件-经典全
模拟电子技术基础
绪论
一、电子技术的发展 二、模拟信号与模拟电路 三、电子信息系统的组成 四、模拟电子技术基础课的特点 五、如何学习这门课程
一、电子技术的发展
电子技术的发展,推动计算机技术的发展,使之“无 孔不入”,应用广泛!
• 广播通信:发射机、接收机、扩音、录音、程控交换机、电 话、手机
• 网络:路由器、ATM交换机、收发器、调制解调器
因基区薄且多子浓度低,使极少 数扩散到基区的电子与空穴复合
基区空穴 的扩散
因发射区多子浓度高使大量 电子从发射区扩散到基区
最大功耗PZM= IZM UZ
动态电阻rz=ΔUZ /ΔIZ
若稳压管的电流太小则不稳压,若稳压管的电流太大则会
因功耗过大而损坏,因而稳压管电路中必需有限制稳压管电
流的限流电阻!
§1.3 晶体三极管
一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数
结电容小,故结允许 结电容大,故结允许 可大,小的工作频率
的电流小,最高工作 的电流大,最高工作 高,大的结允许的电
频率高。
频率低。
流大。
二、二极管的伏安特性及电流方程
二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。
i f (u)
u
i IS(eUT 1) (常温下UT 26mV)
击穿 电压
温度的 电压当量
漂移运动
因电场作用所产 生的运动称为漂移 运动。
参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同,达到动态 平衡,就形成了PN结。
PN 结的单向导电性
PN结加正向电压导通: 耗尽层变窄,扩散运动加
剧,由于外电源的作用,形 成扩散电流,PN结处于导通 状态。

《模拟电子技术》课件项目一差分放大电路模块.

《模拟电子技术》课件项目一差分放大电路模块.

(2)基本概念
差模与共模:
差模输入信号 共模输入信号
vid = vi1 vi2 1
vic = 2 (vi1 vi2 )
+
+
-vid
vi1 -
+ -vi2
+
- 差分 放大
+ vo -
总输出电压 vo = vo vo AVDvid AVCvic
差模电压增益
AVD
=
vo vid
1、电路 2、电路的与特点 电路对称
Rb1 RS1

Ui1 -
Rc1
Rc2
Uo
V1
V2
3、静态分析:
Rb2
RS2
vi1 = vi2 = 0(静态)

Ui2 vo = VC1 - VC2 = 0

实现: 0输入 0输出
当电源电压波动或温度变化时,两管集电极电流和集 电极电位同时发生变化。输出电压仍然为零。可见, 尽管各管的零漂存在,但输出电压为零,从而使得零
+UCC
Rc1
Uo
Rc2
RS1

V1
RS2
V2

Ui1
Ui2

- IS
-UEE
(b)
具有恒流源的差分放大电路
带有比例电流源的差分放大电路
I REF

IC4
U EE U BE4 R1 R2
IC3

Io

I REF
R2 R3
例:如 图所示具有恒流源及调零电位器的差分放大
电路,二极管VD的作用是温度补偿,它使电流源 IC3基本上不受温度变化影响。设UCC=UEE=12V , RP=200Ω,R1=6.8KΩ,R2=2.2 KΩ,R3=33 KΩ,Rb=10 KΩ,UBE3=UVD=0.7V,Rc=100 KΩ,各管的β值均为72, 求静态时的UC1、差模电压放大倍数及输入、输出 电阻。

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9.1.1 功率放大电路的特点
一、主要技术指标 1. 最大输出功率Pom 输出功率 PO :输入为正弦波且不失真 。
注:交流功率,PO=UOIO POm=UOmIOm
第九章 功率放大电路
2. 转换效率η
直流功率:直流电源 电压和其输出电流平 均值的乘积
二、功率放大电路中的晶体管
晶体管工作在极限应用状态(ICM ; U(BR)CEO ; PCM)。 大功率管,散热,保护
静态:
动态:
电容电压 :
T1导通,T2截止 T2导通,T1截止
甲乙类工作状态
第九章 功率放动态电阻很小,R2 的阻值也较小。
第九章 功率放大电路
若静态 工作点 失调, 如虚焊
第九章 功率放大电路
三、OCL电路的输出功率和效率
-Vcc
第九章 功率放大电路
二、集电极最大电流
第九章 功率放大电路
三、集电极最大功耗
四、参数选择:
第九章 功率放大电路
9.4 功率放大电路的安全运行
9.4.1 功放管的二次击穿 9.4.2 功放管的散热问题
第九章 功率放大电路
9.4 功率放大电路的安全运行 9.4.1 功放管的二次击穿
第九章 功率放大电路
9.4.2 功放管的散热问题
有效值: 最大输出功率:
第九章 功率放大电路
若忽略UCES: 在忽略基极回路电流的情况下,电源提供的电流
第九章 功率放大电路
电源在负载获得最大交流信号时所消耗的平均功率:
若忽略UCES:
第九章 功率放大电路
两种互补功率放大电路性能指标的比较:
OCL电路
OTL电路
第九章 功率放大电路
四、 OTL电路中晶体管的选择 一、最大管压降

《模拟电子技术》PPT课件

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完整版ppt
8
7.1.3 分类
二、乙类放大器
该电路的Q点设置在截止区. 优点是:三极管仅在输入信号的半个周期内 导通。这时,三极管的静态电流ICQ=0,管耗 PC小,能量转换效率高,最高可达到78% 。 缺点是:只能对半个周期的输入信号进行放 大,非线性失真大。
完整版ppt
9
7.1.3 分类
三、甲乙类放大器
完整版ppt
15
7.2.1 乙类互补对称OCL 功率放大电路
三.信号波形图解
电路在有信号时,
VT1 和 VT2 轮 流 导 电 ,
交替工作,使流过负载
RL 的 电 流 为 一 完 整 的 正
弦信号。由于两个不同
极性的管子互补对方的
不足,工作性能对称,
所以这种电路通常称为
互补对称式功率放大电
路. 完整版ppt
最大损耗功率
Pcmax
2 π2
VC2C RL
完整版ppt
20
7.2.2 甲乙类互补对称OCL 功率放大电路
一.乙类功放的交越失真
输入信号很小时,达 不到三极管的开启电 压,三极管不导电。 因此在正、负半周交 替过零处会出现一些 非线性失真,这个失 真称为交越失真。
完整版ppt
21
7.2.2 甲乙类互补对称OCL 功率放大电路
用放大器件的控制作用,把直流电源的 能量转化为按输入信号规律变化的交变 能量输出给负载.
但功率放大电路输入信号幅度较大, 它的主要任务是使负载得到尽可能不失 真信号功率。
完整版ppt
3
7.1 低频功率放大电路概述
7.1.1 功率放大电路的特点 7.1.2功率放大电路的基本要求 7.1.3分类

模拟电子技术PPT课件全套课件

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扩散运动加强形成正向电流 IF 。 外电场使多子向 PN 结移动, 中和部分离子使空间电荷区变窄。 限流电阻
+
U

R
IF = I多子 I少子 I多子
2. 外加反向电压(反向偏置) — reverse bias IR 漂移运动加强形成反向电流 IR
P区 N区
U R PN 结的单向导电性:正偏导通,呈小电阻,电流较大; 反偏截止,电阻很大,电流近似为零。
C (cathode)
点接触型 按结构分 面接触型 平面型
正极引线 PN 结 N型锗 金锑 合金
正极 负极 引线 引线
引线
P N
P 型支持底衬
外壳
触丝
负极引线
点接触型
面接触型
底座
集成电路中平面型
1.2.2 二极管的伏安特性 一、PN 结的伏安方程
玻尔兹曼 常数
i D I S (e
反向饱 和电流
模块1
常用半导体器件
1.1 半导体的基本知识
1.2 半导体二极管
1.3 半导体三极管
1.4 场效应管 1.5 晶闸管及应用
1.1 半导体的基础知识
1.1.1 本征半导体 半导体 — 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。 本征半导体 — 纯净的半导体。如硅、锗单晶体。 载流子 — 自由运动的带电粒子。 共价键 — 相邻原子共有价电子所形成的束缚。
uD / UT
1)
温度的 电压当量
kT UT q
电子电量
当 T = 300(27C):
UT = 26 mV
二、二极管的伏安特性
iD /mA
0 U Uth
uD /V
iD = 0

《模拟电子技术》课件

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目录
模拟电子技术概述模拟电子技术基础知识模拟电路分析模拟电子技术实践应用模拟电子技术面临的挑战与解决方案模拟电子技术未来展望
01
模拟电子技术概述
总结词
模拟电子技术是研究模拟电子电路及其应用的科学技术,具有模拟信号处理的特点。
详细描述
模拟电子技术主要涉及对模拟信号的处理,即对连续变化的电压或电流信号进行处理,实现信号的放大、滤波、转换等功能。与数字电子技术相比,模拟电子技术具有处理连续信号、实时性强、精度高等特点。
例如,石墨烯、氮化镓等新型材料具有优良的导电性能和热稳定性,可以应用于高性能的电子器件中。
此外,还有一些新型复合材料也逐渐被应用于模拟电子技术中,以提高器件的性能和稳定性。
03
此外,还需要加强人才培养和技术交流,提高电路设计师的技术水平和创新能力。
01
高性能电路设计是模拟电子技术的重要组成部分,也是实现高性能电子器件的关键。
二极管的结构
二极管由一个PN结和两个电极组成,其结构简单、可靠,应用广泛。
正向导通特性
当二极管正向偏置时,电流可以通过PN结,表现出低阻抗的导通特性。
反向截止特性
当二极管反向偏置时,电流很难通过PN结,表现出高阻抗的截止特性。
03
02
01
1
2
3
三极管由三个半导体组成,包括两个N型和一个P型半导体,具有三个电极。
总结词
滤波电路是一种根据特定频率范围对信号进行筛选和处理的电路,主要用于提取有用信号、抑制噪声和干扰。
详细描述
滤波电路通过利用电感器和电容器的频率特性,将信号中特定频率范围内的成分保留或滤除,从而实现信号的处理和控制。常见的滤波电路有低通滤波器、高通滤波器和带通滤波器等。

《模拟电子技术(童诗白)》课件ppt

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V
-
uR
t
V UD
幅值由rd与R
分压决定
t
例题1:试求输出电压uo。
-12V
解:两个二极管存在优先 导通现象。
R
D1 -5V
D2 0V
D2导通,D1截止。
Si : Uon 0.7V uo Ge : Uon 0.2V
Si : uo 5.7V
?
Ge : uo 5.2V
例题2:试画出电压uo的波形。
EGO:热力学零度时破坏共价键所需的能量,又称 禁带宽度 (Si:1.21eV,Ge:0.785eV);
T=300K时,本征半导体中载流子的浓度比较低, 导电能力差。Si:1.43×1010cm-3 Ge:2.38×1013cm-3
章目录 上一页 下一页
二、杂质半导体
掺入微量杂质,可使半导体导电性能大大增强。按 掺入杂质元素不同,可形成N型半导体和P型半导体。
晶体结构是指晶体的周期性
§1.1 半导体基础知识
结构。即晶体以其内部原子、 离子、分子在空间作三维周
一、本征半导体
期性的规则排列为其最基本 的结构特征
纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。
1、半导体
根据材料的导电能
si
力,可以将他们划分为
GGee
导体、绝缘体和半导体。
典型的半导体是硅Si和 锗Ge,它们都是四价元
i
u IZmin
正向导通与
一定值时,稳压管就不会因发 热而损坏。
二极管相同 等效电路:
D1
u
符号:
D2
UZ rz
DZ
2、主要参数
(1)稳压值UZ;
(2)稳定电流IZ(IZmin):电流小于此值时稳压效

模拟电子技术基础(第4版华成英)ppt课件

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1
乙类功率放大器是一种非线性放大器,其工作原 理是将输入信号的负半周切除,仅让正半周通过 晶体管放大。
2
在乙类功率放大器中,晶体管只在正半周导通, 因此效率较高。但因为晶体管工作在截止区和饱 和区,所以失真较大。
3
乙类功率放大器通常采用推挽电路形式,以减小 失真。
THANKS
感谢观看
利用晶体管、可控硅等开关元件的开关特性,通过适当组合实现非 正弦波信号的输出。
非正弦波发生电路的组成
包括开关元件、储能元件和输出电路。
非正弦波发生电路的特点
输出信号波形多样,幅度大,但频率稳定性较差,且波形质量受开 关元件特性的影响较大。
波形变换电路
波形变换电路的原理
利用运算放大器和适当组合的RC电路,将一种波形变换为另一种波 形。
基本放大电路 放大电路的基本概念和性能指标
总结词
共基极放大电路的特点是输入阻抗低、 输出阻抗高。
VS
详细描述
共基极放大电路是一种特殊的放大电路, 其工作原理基于晶体管的电压放大作用。 由于其输入阻抗低、输出阻抗高的特点, 因此常用于实现信号的电压放大。在电路 结构上,共基极放大电路与共发射极放大 电路类似,只是晶体管的基极接输入信号 而不是发射极。
01
特征频率
晶体管在特定工作点上的最高使 用频率,超过该频率时放大电路 将失去放大能力。
截止频率
02
03
放大倍数
晶体管在正常放大区与截止区的 交界点上所对应的频率,是晶体 管的重要参数之一。
晶体管在不同频率下的电压放大 倍数,反映了晶体管在不同频率 下的放大性能。
单级放大电路的频率响应
低通部分
放大电路对低频信号的放大能力较强,随着频 率升高,增益逐渐下降。

模拟电子技术PPT课件

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处理模拟信号的电子电路称为模拟电路。
1.4 放大电路模型
信号的放大是最基本的模拟信号处理 功能。
这里研究的是线性放大,即放大电路 输出信号中包含的信息与输入信号完全相 同。输出波形的任何变形,都被认为是产 生了失真。
1、放大电路的符号及模拟信号放大
• 电压放大模型
• 电流放大模型
• 互阻放大模型
电压增益
+ Vs

Ri ——输入电阻
+
+
+
Vi
Ri
AVOVi
Vo RL



Ro ——输出电阻
由输出回路得 则电压增益为
Vo AV
AVVVoOi ViRAoVROLRRLo RLRL
由此可见 RL
AV 即负载的大小会影响增益的大小
要想减小负载的影响,则希望 Ro RL 理想情况 Ro 0
(考虑改变放大电路的参数)
由输入回路得
Ii
Is
Rs Rs Ri
要想减小对信号源的衰减,则希望…?
Ri Rs
理想 Ri 0
3. 互阻放大模型(自学) 4. 互导放大模型(自学) 5. 隔离放大电路模型
Ro
+
+
+
Vi
Ri
AV Vi
Vo

–O

输入输出回路没有公共端
1.5 放大电路的主要性能指标
放大电路的性能指标是衡量它的品质优劣 的标准,并决定其适用范围。
Vs 0
另一方法
+ Vs=0

放大电路
IT
+ VT

Vo AVOVi

模拟电子技术课件chapter1

模拟电子技术课件chapter1
16
N型半导体(掺五价元素)
硅原子
Negative(负) 自由电子为多子; 空穴为少子
磷原子
Si
Si
多余电子获很 少能量可成为 自由电子
P
Si
N型硅表示
+
施主原子(正离子)
自由电子
17
P型半导体(掺三价元素) 硅原子 空位 Si B Si
Positive(正)
空穴为多子;
自由电子为少子
硼原子
Si
iD
uD UT
rd
Q

UT ID
iD
+
iD
ID
uD UD
u D
-
rd
uD
36
三、高频模型
1. 正向偏置 1. 反向偏置
势垒电容Cb 加扩散电容Cd
势垒电容Cb
37
1.2.5 稳压二极管(zener diode)
稳压二极管符号 +
当稳压二极管工 作在反向击穿状 态下,当工作电 流IZ在Izmax和 Izmin之间时,其两 端电压近似为常 数 稳压二极管特性曲线 I 稳定 电压 UZ IZmin U 稳定 IZ 电流 IZmax
Industrial ~
Mechtronics ~ Medical ~ Office ~
4
应用举例
传感器
电子线路
执行器件
5
§0.3 课程特点
• 技术基础课(专业基础课) – 实践性强 – 讨论共性概念问题 – 基本分析方法、分析原则 – 为后续课程打基础 时间紧、任务重、难度大、难掌握 问题实质:实践性强、内容分散
一般,击穿电压在6V以下的属于齐纳击穿,6V以上的 主要是雪崩击穿。 6V左右,两种击穿都有。

模拟电子技术基础完整ppt课件

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本章讨论的问题:
1.为什么采用半导体材料制作电子器件?
2.空穴是一种载流子吗?空穴导电时电子运动吗?
3.什么是N型半导体?什么是P型半导体? 当二种半导体制作在一起时会产生什么现象?
4.PN结上所加端电压与电流符合欧姆定律吗?它为什么具 有单向性?在PN结中另反向电压时真的没有电流吗?
5.晶体管是通过什么方式来控制集电极电流的?场效 应管是通过什么方式来控制漏极电流的?为什么它 们都可以用于放大?
杂质半导体有两种
N 型半导体 P 型半导体
一、 N 型半导体(Negative)
在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素,如 磷、锑、砷等,即构成 N 型半导体(或称电子型 半导体)。
常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。
本征半导体掺入 5 价元素后,原来晶体中的某些 硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价 电子,其中 4 个与硅构成共价键,多余一个电子只受 自身原子核吸引,在室温下即可成为自由电子。
电子技术:
电子技术就是研究电子器件及电路系统设计、分析 及制造的工程实用技术。目前电子技术主要由模拟电子 技术和数字电子技术两部分组成。
通常我们把由电阻、电容、三极管、二极管、集成 电路等电子元器件组成并具有一定功能的电路称为电子 电路,简称为电路。
一个完整的电子电路系统通常由若干个功能电路组 成,功能电路主要有:放大器、滤波器、信号源、波形 发生电路、数字逻辑电路、数字存储器、电源、模拟/数 字转换器等。
本征半导体中载流子的浓度公式:
ni=
pi=
K1T3/2
e
/ -E (2KT) GO
T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度:
n = p =1.43×1010/cm3

模拟电子技术基础课件(华成英)经典

模拟电子技术基础课件(华成英)经典

V=10V,ID≈ 50mA
26 5 rd = ( )Ω = 0.52Ω,I d ≈ ( )mA = 9.6mA 50 0.52
在伏安特性上,Q点越高,二极管的动态电阻越小!
32
第四讲
晶体三极管
一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数
2. 伏安特性受温度影响
T(℃)↑→在电流不变情况下管压降u↓ →反向饱和电流IS↑,U(BR) ↓ T(℃)↑→正向特性左移,反向特性下移
25
三、二极管的等效电路
1. 将伏安特性折线化
理想 二极管 导通时i与u成 线性关系
理想开关 导通时 UD=0 截止时IS=0
近似分析 中最常用
导通时UD=Uon 截止时IS=0
PN结加正向电压导通: 耗尽层变窄,扩散运动加 剧,由于外电源的作用,形 成扩散电流,PN结处于导通 状态。
PN结加反向电压截止: 耗尽层变宽,阻止扩散运动, 有利于漂移运动,形成漂移电 流。由于电流很小,故可近似 认为其截止。
20
四、PN结的电容效应
1. 势垒电容 PN结外加电压变化时,空间电荷区的宽度将发生 变化,有电荷的积累和释放的过程,与电容的充放 电相同,其等效电容称为势垒电容Cb。 2. 扩散电容 PN结外加的正向电压变化时,在扩散路程中载 流子的浓度及其梯度均有变化,也有电荷的积累和 释放的过程,其等效电容称为扩散电容Cd。 结电容: C j = Cb + Cd 结电容不是常量!若PN结外加电压频率高到一定 程度,则失去单向导电性!
8
四、如何学习这门课程
1. 掌握基本概念、基本电路和基本分析方法
基本概念:概念是不变的,应用是灵活的, “万 变不离其宗”。
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能通过直流信号的电路通道 通路) (通路) 能通过交流信号的电路通道 通路) (通路)
直流通路
交流通路
36
直流通路的确定
① 电容开路; ② 电感短路; 独立交流信号源置零(保留内阻)。 ③ 独立交流信号源置零(保留内阻)。
交流通路的确定: 交流通路的确定:
① ②
大电容短路; 大电容短路; 独立直流电源置零 置零。 独立直流电源置零。
I CQ = β I BQ
V
放大
CEQ
CC
− I
CQ
× R
C
三 极 管T—— 提供电源,并使三极管 负载电阻R 负载电阻 C 、RL—— 工作在线性区。 偏置电路V 偏置电路 CC 、Rb、Rc —— C1保证输入信号 ==>发射结 耦合电容C1 、C2—— 耦合电容 C2保证输出信号==> 负载
不影响集电结偏置。 返回
16
2.1.2 放大电路的性能指标


放大倍数、输入电阻、 放大倍数、输入电阻、输出电阻通常都是在 正弦信号下的交流参数, 正弦信号下的交流参数,只有在放大电路处于 放大状态且输出不失真的条件下才有意义。 放大状态且输出不失真的条件下才有意义。
返回
17
符号规定 大写字母、大写下标, 大写字母、大写下标,表示 直流量。 直流量。 小写字母、小写下标, 小写字母、小写下标,表示 交流分量。 交流分量。 小写字母、大写下标, 小写字母、大写下标,表示 全量。 全量。 大写字母、小写下标, 大写字母、小写下标,表示 交流有效值。 交流有效值。
2.2.3 基本共射电路的工作原理
iC = βiB = β (IBQ + ib ) = ICQ + ic
很重要呦! 很重要呦!
2.2.3 基本共射电路的工作原理
u CE = V CC − i C R c
= V CC − ( I CQ + i c ) R c R
= U CEQ − i c R c
成电压的变化对外输出
输入回路与输出 回路以发射极为 公共端, 公共端,故为共 射放大电路, 射放大电路,并 称公共端为 “地”。
2.2.1 基本共射放大电路的组成及各元件的作用
T:放大作用 :
2.2.1 基本共射放大电路的组成及各元件的作用
T:放大作用 : VBB,Rb:保证发射结正偏
2.2.1 基本共射放大电路的组成及各元件的作用 T:放大作用 : VBB,Rb:保证发射结正偏
体现方法电路的带载能力
Uo ' Ro = ( − 1) RL Uo
13
2.1.2 放大电路的性能指标
通频带) 四、Bandwidth (通频带)
A0 ≈ 0 . 707 A 0 2
A( fL ) = A( fH ) =
fbw=fH - fL
通频带的定义
Bandwidth
fL:Lower cutoff frequency (下限截止频率) 下限截止频率) 下限截止频率 fH: Upper cuttoff frequency (上限截止频率) 上限截止频率) 上限截止频率 :
(Amplifier Characteristics )


Ii
Io
将放大器作为BLOCK看待, 将放大器作为BLOCK看待, 其外部特性 BLOCK看待
[Vi, Ii, Vo, Io]
7
§2.1.2 放大电路的性能指标
一、放大倍数(增益) 放大倍数(增益) (Amplification factor, Gain)
理想直流电源
37 2.3.1 直流通路和交流通路
VCC Rb2 Rb1 RS us RC + uo Rb1 RL Rb2 RC
直流通路
ui
Au
uo
4
§2.1.1 放大的概念
放大概念示意图
5
§2.1.1 放大的概念
基本放大电路: 基本放大电路: 半导体器件(三极管, 场效应管) 半导体器件(三极管, 场效应管)加其它电子器件 三种基本组态放大电路。 三种基本组态放大电路。
共发射极、共集电极、 共发射极、共集电极、共基极
1. 放大微弱信号
1
基本放大电路 §2 基本放大电路
§2.1 放大的概念和放大电路的主要性能指标 §2.2 基本共射放大电路的工作原理 §2.3 放大电路的分析方法 §2.4 放大电路静态工作点的稳定 §2.5 三种晶体管基本放大电路 §2.6 晶体管基本放大电路的派生电路 §2.7 场效应管放大电路
2
§2.1 放大的概念和放大电路的主要性能指标
对电压源性质信号源 希望Ri大; 希望
输入电阻的定义
Ui Ri = Ii
Ri Ui = US R S + Ri
对电流源性质信号源 希望R 希望 i小。
10
§2.1.2 放大电路的性能指标
三、OutPut Resistance Ro
(输出电阻 输出电阻) 输出电阻
放大电路对其负载而言,相当于信号源, 放大电路对其负载而言,相当于信号源,可等效为戴维 南等效电路,这个戴维南等效电路的内阻就是输出电阻。 南等效电路,这个戴维南等效电路的内阻就是输出电阻。
η
=
P P
om V
2.1.2 放大电路的性能指标
一、放大倍数 (Gain) 二、输入电阻 (Input resistance) 三、输出电阻 (Output resistance) (Bandwidth) 四、通频带 五、非线性失真系数 (Non-linearity) 六、最大不失真输出电压 (Maximum undistorted output voltage) 七、最大输出功率与效率 (Maximum output power and efficiency)
34
将变化的集电极电流 转换为电压输出。
§2.3 放大电路的分析方法
估算 静态 图解 分析方法 动态 仿真 图解 微变等效电路 2.3.3 等效电路法 2.3.2 放大电路的图解分析法 2.3.1 直流通路与交流通路
35
2.3.1 直流通路与交流通路
直流信号与交流信号共存,但通路不同。 直流信号与交流信号共存,但通路不同。
18
UA ua uA
Ua
UA直流分量 全量 uA
ua
交流分量
t
19
§2.2
基本共射放大电路的工作原理 Common Emitter Amplifiers
2.2.1 电路组成 2.2.2 静态工作点 2.2.3 放大电路的工作原理 2.2.4 放大电路的组成原则
20
2.2.1 基本共射放大电路的组成及各元件的作用

Ii
Io
Trans-impendence Gain : 互阻增益 Trans-conductance Gain: 互导增益

A ui =
• iu


U

I
A = I
• o i
i
U
9
2.1.2 放大电路的性能指标
输入电阻) 二、Input Resistance Ri (输入电阻 输入电阻
主要考虑与信号源配合: 主要考虑与信号源配合:
14
五、非线性失真系数 输出波形中谐波的成分总量与基波成分之比。 输出波形中谐波的成分总量与基波成分之比。
D =
A2 2 A3 2 ( ) + ( ) + ⋅⋅⋅ A1 A1
六、最大不失真输出电压 输入电压再增大就会使输出波形产生非线性失真时的输 出电压。 出电压。 七、最大输出功率与效率 在输出信号不失真的情况下,负载上能够获得的最大功率 在输出信号不失真的情况下 负载上能够获得的最大功率 称为最大输出功率。直流电源能量的利用率称为效率。 称为最大输出功率。直流电源能量的利用率称为效率。
输出信号的能量得到了加强。将直流电源提 直流电源提 供的能量转成负载需要的能量. 供的能量转成负载需要的能量
2、特征:功率放大 特征: 3、条件:有源电路 条件: 4、前提:信号不失真 、前提:
本质: 本质:能量控制和转换
6
§2.1 放大的概念和放大电路的主要性能指标
§2.1.2 放大电路的性能指标
30
放大电路的组成原则
1. 晶体管必须偏置在放大区。发射结正偏,集电结反偏。 晶体管必须偏置在放大区。发射结正偏,集电结反偏。 2. 正确设置静态工作点,使整个波形处于放大区。 正确设置静态工作点,使整个波形处于放大区。 1、三极管的静态工作点必须合适 、三极管的静态工作点必须合适 3. 输入信号能通过输入回路作用于放大管。 输入信号能通过输入回路作用于放大管。 4. 输出回路将变化的电流作用于负载。 输出回路将变化的电流作用于负载。 2、交流信号在放大电路中能顺畅传输 、
Voltage Gain: 电压增益 Current Gain: 电流增益

A uu = A u =
• •



U

o i
U

A ii = A i =

I

o i
I
Ii
Io
8
§2.1.2 放大电路的性能指标
放大倍数(增益) 放大倍数(增益)(Amplification factor, Gain)

C将电流的变化转化
2.2.4 放大电路的组成原则
1. 晶体管必须偏置在放大区。发射结正偏,集电结 晶体管必须偏置在放大区。发射结正偏, 反偏。 反偏。 2. 正确设置静态工作点,使整个波形处于放大区。 正确设置静态工作点,使整个波形处于放大区。 3. 输入信号能通过输入回路作用于放大管。 输入信号能通过输入回路作用于放大管。 4. 输出回路将变化的电流作用于负载。 输出回路将变化的电流作用于负载。
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