清华大学微电子所-陈弘毅教授PPT(1-7章)_部分1

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第1章陈鹤鸣激光原理ppt课件

第1章陈鹤鸣激光原理ppt课件


单色型最好的普通光源氪同位素86, / 106
氦氖激光器, / 1010 ~ 1013
5
3. 相干性好 相干条件:振动方向相同、频率相同、相位差恒定。
激光:相干光
普通光源:非相干光
普通光源是发光中心的自发辐射过程,不同发光中心发出 的波列,或同一发光中心在不同时刻发出的波列相位都是随 机的。
S
(
)2
—光束平面发散角
对于普通光源,只有当光束发散角小于某一限度,光束才
具有明显的空间相干性。
对于激光来说,所有属于同一个横模模式的光子都是空间 相干的,不属于同一个横模模式的光子则是不相干的。
空间相干性的演示
9
4. 高亮度
亮度:光源的明亮程度,主观量
光源在单位面积、单位频带宽度、单位立体角内发射的光功率
14
5. 激光在国防科技领域的应用 激光作为武器在军事上应用的形式千变万化,但是基本上
可以分为三个主要部分:追踪、寻的系统(即正确判定攻击 目标的位置和性质的系统);发射实施摧毁性打击的高能激 光系统;辅助的控制和通信系统。
激光摧毁导弹
15
激光制导
激光武器是利用高能量密度激光束代替子弹的新型武器, 是武器装备发展历程中继冷兵器、火器和核武器等之后又一 个重要里程碑。它以光束作战的迅速反应能力,外科手术式 杀伤的高效作战方式。以及特别适合于反卫星和破坏敌方信 息系统,使其成为新一代主战兵器。
16
6. 激光在科学技术前沿问题中的应用 ➢ 光谱分析是研究物质结构的重要手段,激光技术与经典光 谱学相结合形成的激光光谱学,具有频率、空间和时间上的 高分辩率,可以进一步揭示物质的微观结构。 ➢ 激光诱导的惯性约束核聚变是产生可控核聚变的一种途径。 ➢ 激光束照亮了超微世界,它呈现的超快或超窄脉冲(时间 域)帮助人们了解微观世界中的原子、分子结构。 ➢ 激光可以作为光学镊子应用于分子生物学领域中对微生物、 染色体、细胞等微粒的操作。 ➢ 激光化学也是激光的重要应用领域。

模数电子技术(清华大学)课件

模数电子技术(清华大学)课件

2020/8/2
6
二. 电子器件的产生
• 电子器件是按照“电子管——晶体 管——集成电路”的顺序,逐步发展起 来的。
电子管
晶体管 集成电路
2020/8/2
7
二. 电子器件的产生
1. 真空电子管的发明:
真空二极管——1904年(美)Fleming 真空三极管——1906年(美)Leede Forest
2020/8/2
5
一. 通信技术的发展
1.原始通信方式——人力、烽火台等 2.横木通信机——1791年(法)C.Chappe 3.有线电报——1837年(美)S . B . Morse 4.有线电话——1875年(苏)A. G. Bell 5.无线电收发报机——1895年(意)G.Marconiቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ通信业务蓬勃发展——电子器件产生之后。
Internet 互联网
1990年 (美)
VCD 1992年 (中)
10
III. 课程安排
一. 内容划分
模拟部分
器件:二极管 、 三极管 、 场效应管 放大器: 基本放大器 、 反馈放大器
差动放大器 、 功率放大器 集成电路:集成运算放大器 电源:交流电源(振荡器)、 直流电源(稳压电源)
无线电:无线电知识 、 收音机
2020/8/2
15
1 .1 .1 本征半导体
纯净的、不含杂质的半导体。常用的半导体材 料有两种:硅(Si)、锗(Ge)。
硅Si (锗Ge)的原子结构如下:
这种结构的原子利用共价键构成了本征半导体结构。
2020/8/2
16
这种稳定的结构使得本征半导体常温下 不能导电,呈现绝缘体性质。
但在外界激励下,产生电子—空穴对(本 征激发) ,呈现导体的性质。

数电课件 第一章_清华

数电课件 第一章_清华

又如:(209.04)10= 2×102 +0×101+9×100+0×10-1+4 ×10-2
2、二进制 数码为:0、1;基数是2。 运算规律:逢二进一,即:1+1=10。 二进制数的权展开式: 如:(101.01)2= 1×22 +0×21+1×20+0×2-1+1 ×2 -2 =(5.25) 10

课程介绍 1. 课程的性质

2. 教学目标 3. 课程研究内容 4. 课程特点与学习方法 5. 教材和参考书 6. 对大家共同的要求
1.课程性质
《数字电子技术基础》课程是电子、电气、信息、计
算机、自动化类专业具入门性质的重要专业基础课。
2.教学目标
获得适应信息时代的数字电子技术方面的基本理论、
基本知识和基本技能。培养分析和解决实际问题的能力,
(4)片上系统(SoC):有些PLD集成度很高,足 以满足设计一般数字系统的需要,这样就可以由 设计人员自行编程将一个数字系统集成在一片 PLD上,做成“片上系统”,而不必去请厂家做 专用集成电路了。 (5)可编程片上系统(SoPC):是可编程的片上 系统。用可编程逻辑技术把整个系统放到一块芯 片上,具有灵活的设计方法,可裁剪、可扩充、 可升级,并具备软硬件在系统可编程的功能。 (6)在系统可编程器件(isp):编程不需要专门 的编程器,在计算机上就可以完成。
• 摩尔定律 :1965年时任仙童公司电子工程师 的戈顿· 摩尔在应邀为《电子学》杂志35周年 专刊写的文章中指出,芯片中的晶体管和电 阻器的数量每年会翻番。1968年与他人共同 创办了大名鼎鼎的芯片制造厂商Intel公司任 副总裁 。 1975年,摩尔在给IEEE学术年会 的论文中修正了摩尔定律,他认为,每隔24 个月,晶体管的数量将翻番。现在大家普遍 认同的是“集成电路芯片上所集成的电路的 数目,每隔18个月就翻一番”。

清华模电课件第一章

清华模电课件第一章

图1.2.4 折线化等效电路
(a)理想二极管 (b)正向导通端 电压为常量 (c)正向导通端 电压与电流成线性 关系
2020/5/4
图(a)表明二极管导通时正向压降为零,截止 时反向电流为零,称为“理想二极管”。
图(b)表明二极管导通时正向压降为一个常量 Uon ,截止时反向电流为零,等效电路为理想二极管 串联电压源Uon。
在空间电荷区内自 由电子和空穴都很少, 所以称为耗尽层。
2020/5/4
图1.1.5
二、PN结的单向导电性
1、外加正向电压时PN结处于导通状态
PN结处于正向偏置。外电 场将多数载流子推向空间电 荷区,使其变窄,削弱了内 电场,破坏了原来的平衡, 扩散加剧,漂移减弱。电源 作用下,扩散运动源源不断 地进行,从而形成正向电流, PN结导通。正向导通电压只 有零点几伏,所以串联电阻 以限制电流。
2020/5/4
三、PN结的电流方程
qu
i IS ekT 1 ;
IS:反向饱和电流; q:电子的电量;
k:玻尔兹曼常数;
T:热力学温度。
将式中的kT/q用UT取代,则得 u
iISeUT1;T30K 时 0 U , T2m 6。 V
2020/5/4
四、PN结的伏安特性
u>0, 正向特性;
u<0, 反向特性;
反向电压大时反向击穿。
高掺杂情况,耗尽层很
图1.1.10
窄,不大的反向电压可产生 很大的电场,直接破坏 共价
键,产生电子-空穴对,称为齐纳击穿;掺杂浓度
较低,反向电压较大时,电场使少子加快漂移速
度,把价电子撞出穿时要限制电流,
图1.2.7 二极管的 微变等效电路 (a)动态电阻

清华大学VLSI7.ppt

清华大学VLSI7.ppt
目前,设计重用(Reuse)技术也可用 于解决单元库的更新问题。
2020/11/2
18
§4 现场可编程门阵列(FPGA)
现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array)是一种可编程器件,它是近 几年迅速发展起来的,用于ASIC设计的 一种新方法。FPGA提供了用户可编程 和自己制造的能力,极大地缩短了设计 和制造时间。
2020/11/2
14
• 标准单元模式的优点:
(1)比门阵列更加灵活的布图方式。
(2)可以解决布通率问题,达到100%布 通率。
(3)“标准单元”预先存在单元库中,可 以提高布图效率。
(4)标准单元设计模式,由于其自动化程 度高、设计周期短、设计效率高。十分 适用于ASIC的设计,是目前应用最广泛 的设计方法之一。
2020/11/2
15
• 标准单元的改进
随着集成电路工艺的发展,标准单元布图 方式也在不断的改进,由于增加了布线 层数(3~7层)和采用“跨单元布线” (over-cell routing)技术,可允许出现不 等高的单元,而单元引线端的位置也可 以任意,不一定要在单元的上下边界上, 这样有利于提高芯片的利用率。由此造 成布线通道的不规则性,给自动布线算 法带来了一定难度。
2020/11/2
13
• 标准单元布图方法
在布图时,从单元库中调出标准单元按
行排列,行与行之间留有布线通道,同 行或相邻行的单元相连可通过单元行的 上、下通道完成。隔行单元之间的垂直 方向互连则必须借用事先预留在“标准 单元”内部的走线道(feed-through)或 在两单元间设置的“走线道单元” (feed-through cell)或“空单元” (empty cell)来完成连成。

清华大学MEMS课程讲义

清华大学MEMS课程讲义

3/60微电子学研究所Institute o f Microelectronics电镀(Electroplating)7/60微电子学研究所Institute o f Microelectronics MEMS光刻体微加工技术)各向同性湿法刻蚀与刻蚀剂成分比例有关23/60微电子学研究所Institute o f Microelectronics MEMS光刻体微加工技术Question:What will happen in KOH etching?微电子学研究所刻蚀侧壁与底面垂直不能实现任意开口形状保护方法机械夹具/黑胶/浮片各向异性湿法刻蚀37/60微电子学研究所Institute o f Microelectronics39/60微电子学研究所Institute o f Microelectronics 简介MEMS光刻体微加工技术43/60微电子学研究所Institute o f Microelectronics简介MEMS光刻体微加工技术物理刻蚀利用粒子的能量进行轰击优缺点微电子学研究所Institute o f Microelectronics 电子、离子、中性基团、分子微电子学研究所Institute o f Microelectronics微电子学研究所Institute o f Microelectronics等离子体硅微电子学研究所Institute o f Microelectronicsm/min55/60微电子学研究所Institute o f MicroelectronicsMEMS光刻体微加工技术低温DRIE特性↓↓↓↓等离子体硅片源59/60微电子学研究所Institute o f Microelectronics1B1A’2B 1B’1A 2B’2A’2Ax-轴y-轴z-轴3轴加速C M O S 集成63/60微电子学研究所Institute o f MicroelectronicsMEMS光刻体微加工技术作业100:98:1. 画出刻蚀40秒, 100秒和600秒后的窗口截面图说明厚胶光刻中曝光衍射和散射、分辨率下降、以及曝光剂量不够的解决。

清华大学《数字电子技术基本教程》教学课件.pptx

清华大学《数字电子技术基本教程》教学课件.pptx
Mealy型:Y F ( X , Q) Moore型:Y F (Q)
与X、Q有关 仅取决于电路状态
6.2 时序电路的分析方法
《数字电子技术基本教程》
分析:找出给定时序电路的逻辑功能 即找出在输入和CLK作用下,电路的次态和输出。
一般步骤:
①根据给定的逻辑图写出存储电路中每个触发器输入端的逻 辑函数式,得到电路的驱动方程。
R’D S1 S0 工作状态 0 X X 置零 1 0 0 保持 1 0 1 右移 1 1 0 左移 1 1 1 并行输入
《数字电子技术基本教程》
6.3.3 计数器
• 用于计数、分频、定时、产生节拍脉冲等
• 分类: 按时钟分,同步、异步 按计数过程中数字增减分,加、减
……
1. 异步计数器
异步二进制加法计数器 在末位+1时,从低位到高位逐位进 位方式工作。 原则:每1位从“1”变“0”时,向高
6.1 时序逻辑电路的特点和逻辑功能的描述 一、时序逻辑电路的特点 1. 功能上:任一时刻的输出不仅取决于该时刻的输入,还
与电路原来的状态有关。 例:串行加法器,两个多位数从低位到高位逐位相加
2. 电路结构上 ①包含存储电路和组合电路 ②存储器状态和输入变量共同决定输出
《数字电子技术基本教程》
二、时序电路的一般结构形式与功能描述方法
因为 触发器有延迟时间t pd 所以 CLK 到达时,各触发器按前一级触发器原来的状态翻转
数据依次右移1位
《数字电子技术基本教程》
应用: 代码转换,串 并 数据运算
《数字电子技术基本教程》
器件实例:74LS 194A,左/右移,并行输入,保持,异步 置零等功能
并行输入
并行输出
《数字电子技术基本教程》

模拟电子技术基础清华大学全套完整版PPT课件

模拟电子技术基础清华大学全套完整版PPT课件

电路中有40亿个晶体管。有科学家预测,集成度还将按10倍
/6年的速度增长,到2015或2020年达到饱和。
学习电子技术方面的课程需时刻关注电子技术的发展!
华成英 hchya@
值得纪念的几位科学家!
第一只晶体管的发明者
(by John Bardeen , William Schockley and Walter Brattain
近似分析要“合理”。 抓主要矛盾和矛盾的主要方面。 电子电路归根结底是电路。不同条件下构造不同模型。
2. 实践性
常用电子仪器的使用方法 电子电路的测试方法 故障的判断与排除方法 EDA软件的应用方法
华成英 hchya@
五、如何学习这门课程
1. 掌握基本概念、基本电路和基本分析方法
子的浓度及其梯度均有变化,也有电荷的积累和释放
的过程,其等效电容称为扩散电容Cd。
结电容: Cj Cb Cd
结电容不是常量!若PN结外加电压频率高到一定程 度,则失去单向导电性!
清华大学 华成英 hchya@
华成英 hchya@
问题
物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。 气体、液体、固体均有之。
P区空穴 浓度远高 于N区。
N区自由电 子浓度远高
于P区。
扩散运动
扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接 触面N区的自由电子浓度降低,产生内电场。
华成英 hchya@
PN 结的形成
由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子,形成 内电场,从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P区、 自由电子从P区向N 区运动。
以及将所学知识用于本专业的能力。
注重培养系统的观念、工程的观念、科技进 步的观念和创新意识,学习科学的思维方法。提 倡快乐学习!

《清华大学VLSI》PPT课件

《清华大学VLSI》PPT课件

100000000
1000000
10000000
100000 58%/Yr. Complexity
10000 growth rate
第五节 存储器 (Memory) 1. 只读存储器(ROM):(EPROM,EEPROM) 2. 随机存储器(RAM):(动态随机存储器DRAM, 静态随机存储器SRAM)
第六节 交通灯
以上内容由于在《数子逻辑》课中已详细讨论过,所以 本课不作详细介绍了。
2021/4/26
23
Giga-Scale System-On-A-Chip
• Design Complexity C1 x C2
2021/4/26
27
Logic Transistors/Chip(K) Transistors/Staff-Month
Productivity Gap
Chip Capacity and Designer Productivity
10000000
应用硬应用硬软件协同设计方法实现软件协同设计方法实现socsoc的嵌入式系统的嵌入式系统vlsicadvlsicad系统组成系统组成系统描述综合验证分析模拟物理布图提取测试诊断计划研究的计划研究的edaeda技术技术测试与诊断原则
第四章 逻辑设计技术
2021/4/26
1
第一节 MOS管的串、并联特性
设:标准反相器的导电因子为βn=βp, 逻辑门:βn1=βn2=β’n βp1=βp2=β’p
Vdd
Tp
Vi
V0
Tn
2021/4/26
Vss 7
(1)a,b=1,1时,下拉管的等效导电因子:βeffn=β’n/2
(2)a,b=0,0时,上拉管的等效导电因子:βeffp=2β’p

清华大学MEMS课程讲义

清华大学MEMS课程讲义

z.wang@
3/46微电子学研究所
Institute o f Microelectronics MUMPs 表面微加工的应用

多晶硅1
多晶硅2
支撑臂硅衬底
铰链固定点
(c)
(d)
(e)
(f)
Question: 顶层压应力如何变形?
顶层拉应力如何变形?
顶层拉应力
17/46微电子学研究所
Institute o f Microelectronics
19/46微电子学研究所
Institute o f Microelectronics
Clamped-clamped beams (bridges)
微电子学研究所
Microelectronics
)3x
23/46
简介表面微加工技术MUMPs 表面微加工的应用薄膜应力
微电子学研究所Institute o f Microelectronics
33/46Institute o
35/46Institute o
(d)
梳状叉指电容:静电驱动,电容检测,谐振工作,应用广泛
39/46微电子学研究所
简介表面微加工技术MUMPs 表面微加工的应用
表面微加工的应用
0.3 µm PSG on top (for doping purpose)
41/46微电子学研究所
Institute o f Microelectronics 表面微加工的应用
应用
43/46微电子学研究所
Institute o f Microelectronics
表面微加工的应用
Hinge。

电子科大数字电路完整4-1定理 chenyuppt课件

电子科大数字电路完整4-1定理 chenyuppt课件
chapter 4
Combinational
Logic Design Principles
精选PPT课件
1
4 v c h a p t e r
v
❖ Switching Algebra ❖ Combinational Circuit Analysis ❖ Combinational Circuit Synthesis
We stated these axioms as a pair, with the only difference between
A1 and A1being the interchange of the symbols 0 and 1. This is a
characteristic of all the axioms精o选f sPwPiTt课ch件ing algebra . P(185)
精选PPT课件
3
4.1 Switching Algebra
4.1.1 Axioms(公理 ) P185
❖ (A1)X = 0 if X 1, (A1’) X = 1 if X 0
❖ (A2)If X = 0,then X’ = 1(A2’)If X = 1,then X’ =0
❖ (A3)0·0 = 0 ❖ (A4) 1·1 = 1
❖ Timing Hazards
v
精选PPT课件
2
Basic Concept (基本概念)
Logic circuits are classified into two types(逻辑电路分为两大类) ❖ combinational logic circuit(组合逻辑电路)
A combinational logic circuit is one whose outputs depend only on its current inputs.(任何时刻的输出仅取决与当时的输入)

北大微电子

北大微电子

清华大学微电子所研究生课程一、简介我所研究生一级学科名称为电子科学与技术,二级学科名称为微电子学与固体电子学。

研究方向有以下四个方面:微/纳电子器件及微系统;系统的芯片集成;微/纳米工艺学;微/纳器件和系统的CAD方法。

我所现有博士生导师13名;研究生课程共设置19门;目前在校学生数:博士生77人;硕士生:235人(包括工程硕士125人)。

2005年度录取人数:博士生14人;硕士生102人。

2005年度毕业人数:博士生8人;硕士生33人。

二、博士生导师情况介绍姓名职称研究方向李志坚院士教授半导体新器件、器件物理和器件模型、微电子机械系统陈弘毅教授超大规模集成电路设计技术(多媒体数字信号处理、算法的VLSI实现和系统的芯片集成技术)周润德教授超大规模集成电路设计技术(微处理器与嵌埋式系统设计,加密算法,低压,低功耗电路设计)许军教授SiGe/Si微波功率HBT器件与集成电路以及超高速应变硅MOS器件刘理天教授半导体新器件、器件物理和器件模型、微电子机械系统魏少军教授超大规模集成电路设计技术(多媒体数字信号处理、算法的VLSI实现和系统的芯片集成技术)陈炜教授纳米加工、纳米电子器件、超导量子器件和量子计算实现孙义和教授超大规模集成电路设计技术(多媒体DSP技术、VLSI测试方法和可测性设计、网络安全)陈培毅教授半导体新器件、器件物理和器件模型、新型半导体材料余志平教授半导体器件和电路计算机模拟(包括亚100nm硅CMOS器件模型;纳电子器件量子输运模型;基于版图和衬底耦合的RF(射频)电路分析,验证软件和电路单元自动生成。

王志华教授模拟与数模混合集成电路设计,生物与医疗微系统芯片设计,射频电子标签电路技术,集成电路设计方法学任天令教授新型微电子器件、微电子机械系统(MEMS)、新型半导体存储器、纳电子与自旋电子学王燕教授纳电子器件的量子输运模型,化合物半导体器件和电路计算机模拟三、课程设置本年度共开设研究生课程23门,新开课4门。

cadence讲义(清华微电子所)

cadence讲义(清华微电子所)

2
2.4 2.8
3 .2
Cadence 概述
➢ 市场需求以及工艺技术的发展使得设计 复杂度提高,为满足这样的需求,我们 必须掌握最强大的 EDA 工具
Cadence 概述
VHDL仿真 Cadence IKOS Vantage Synopsys 行为综合 Synopsys Alta 逻辑综合 Synopsys Compass Mentor Graphics 可测性设计 Synopsys Sunrise Compass 低功耗设计 Synopsys Epic 布局布线 Cadence Avant! Mentor Graphics
400 450 560 790 1120 1580
340 385 430 520 620 750
800 850 900 1000 1100 1300
6.2M 10M 18M 39M 84M 180M
14M 16M 24M 40M 64M 100M
90
110 130 160 170 175
1 .4
1 .7
集成电路设计流程
客户
版图验证 设计规则检查 互连参数提取
功能定义 电路生成 功能验证 测试生成 布局布线
后仿真
算法设计 逻辑综合 可测性设计 低功耗设计
CELL 设计流程
符号生成 模拟
创建工艺文件
版图单元 验证版图 反标注
生成参数化单元 生成复杂阵列
打印输出
生成抽象
单元转换
系统组织结构
❖大多数 Cadence 工具使用同样的库模型, 库结构按目录结构组织数据,这利于不 同工具之间的数据交互和一致操作。
Cadence设计系统介绍
OUTLINE
Cadence 系统概述 版图设计工具-Virtuoso LE

20191017120941A 25页PPT文档

20191017120941A 25页PPT文档
集成光ห้องสมุดไป่ตู้方向
谢谢!
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docin/sanshengshiyuan doc88/sanshenglu
实例
8个硅基激光器阵列
硅基光发射机和光接收机模块
硅基光调制器(园框内)
第三部分 光电材料与器件的前沿技术
瑞利散射 表面等离子体简介 基于表面等离子体的光子器件
四、集成光电子实验
陈长清、韩宏伟、赖建军、黄鹰等
目的 :集成光电子实验培养同学在 LED、 太阳能技术、 纳米测试技术、 微传感、微制造、 集成光电子器件工艺
LED点亮实物图
LED工作物理模型图
LED应用
交通标志信号 汽车照明
手机背光照明
户外大屏幕显示
炫丽的奥运开幕式——LED的奇迹
第二部分 OLED显示应用技术
有机发光二极管 (OLED)是一种薄膜发光二极 管(LED),它的发射层是一种有机复合物。 可以用 作电视屏幕、 计算机显示屏, 便携式系统的显示屏等 用于广告和信息显示。 OLED也可以用于照明设备。
等方面的制造及实验能力。
主要内容: 太阳能电池的制作 LED工艺实验——MOCVD流程 微制造实验——光刻工艺流程,微传感器及
微透镜阵列制造
微纳测试技术——AFM、STM等进行纳米测 量
主要设备: 光刻机、 AFM、STM 、MOCVD等; 超净室,集成光电子平台。
欢迎大家加入
本部分内容包括OLED基础原理、有机 材料、器件与面板制程。其中材料部分包 括有机材料合成、基板、空穴注入层、电 子输运层等。器件与面板部分包括器件结 构、光电、物理、发光机制、被动与主动 驱动、功率管理等。此外,还讨论OLED的 寿命、老化机制及解决办法等。
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  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

D
2011-3-20
清华大学微电子学研究所 陈弘毅
7
二 迭代边界(续)
• 环路、环路边界与迭代边界
– 环路:开始与结束于同一节点的有向路径
• 右图例子:A0 B0 A1 B1 A2 B2 。。。 下标表示迭代编号 • 环路一次迭代时间的下限可由其有向边描述的优先顺序关系确定 例: A0 B0 A1 B1 。。。一次迭代时间下限为6u.t.。它是决定 环路每次迭代最低执行时间的因素之一 • 定义:第L个环路的环路边界TLoopBond是指TL/wL ,其中TL是环路运行 时间, wL是环路中延迟数 • 例 1:右上图的环路边界是TLoopBond = (2+4)/1 = 6 例 2:右下图的环路边界是TLoopBond = (2+4)/2 = 3
– 其中 L是DSP系统一组环的集合
• 例1 a) 一个环
b) 两个环
T = TLoopBond = 3
• 例 2:三个环,节点计算时间用ns标出
T = max{6/2, 11/1} = 11
2011-3-20
清华大学微电子学研究所 陈弘毅
10
二 迭代边界(续)
– 几点说明
• 环路必须有延迟元件
VLSI 数字信号处理
(课号:81020082)
2011-3-20
清华大学微电子学研究所 陈弘毅
1
前言
• 目标
– 联系两个领域:计算机架构、数字信号处理(DSP) – 结合两个层次:数学算法、VLSI实现 – 面向多种应用:语音、音频、图像、视频、通信、密码等
• 内容
– 重点:信号、图像等数字处理应用VLSI系统的设计方法 – 寻求面积-功耗-速度之间的优化 (折中 ) – 方法:给定算法-找出架构集合-选定优者-建立硬件模 型-设计芯片
• DFG中执行计算时间最长的无延迟路径 • 环路是 DFG中的一部分,环路关键路径不一定是 DFG关 键路径
清华大学微电子学研究所 陈弘毅 12
– 关键路径
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二 迭代边界(续)
– 迭代周期、采样周期、时钟周期之间联系
• 实时处理:要求迭代周期=采样周期 • 根据情况
– 流水线:时钟周期=迭代周期,即时钟周期=采样周期 – 并行处理:时钟周期(慢 )迭代周期,时钟周期采样周期 – 折叠:时钟周期(快)迭代周期,时钟周期采样周期
• 并行处理(Paralleling)
– 成倍复制处理硬件,在一个系统时 钟周期内同时处理若干个样点,计 算出多个结果输出 – 有效的采样速率被并行程度所增加
– 在不需要提高采样率时,这两种 方法可用于通过降低电源电压降 低功耗
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三 流水线与并行处理(续)
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一 引言
• DSP系统
– DSP算法是执行一段无终止(non-terminating)的运算程序 – 系统实时 (Real-time)需要
• 实时指系统的硬件/软件必须且仅需满足应用速度的要求 • 用 VLSI或芯片实现是趋势
– DSP芯片的性能
• 流水线
– 用流水线减少关键路径:以3阶FIR数字滤波器为例
• 框图 (BD)
– 关键路径 Tc为一个乘法器、 两个加法器时间Tc = TM + 2TA – 采样周期和采样率
• 插入流水线锁存器减少关键路径
– 从 TM + 2TA 减到 TM + TA x(n-1) x(n-3) – 关键路径插入一个延 迟,构成二级流水线 – 采样周期可以缩短, 采样率可以提高 – 注意算法结构(BD)的变化 y(n-1) = ax(n-1) + bx(n-2) + ax(n-3) 处理后的样点输出比原来延迟了一拍,即推后了一次迭代
• • • • • • • • •
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硬件资源占用:规模或面积 执行速度:吞吐率或时钟速率 功耗:完成给定任务的能耗 精度:有限字长效应(量化噪声和舍入噪声的因素) 语音:合成、编解码(声码器)、识别;音频:编解码 图像:编解码、识别;视频:编解码 通信:调制与解调、信道编码、检错纠错 导航:波束成形 信息安全:对称密码、非对称密码、Hash函数、随机数、 数字签名
– 采样周期 – 迭代周期
• 输入信号样点间隔的时间 • 取决于应用需要:语音、图像等各不相同 • 完成一次迭代的时间;系统处理一个输入样点、产生一 个输出样点的时间 • 取决于时钟周期和产生输出样点数 • 吞吐率:每秒处理的样点数,为迭代周期的倒数
– 时钟周期
• DSP系统工作所用的时钟周期 • 取决于 DFG的关键路径
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y(n-1)
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三 流水线与并行处理(续)
– 数据调动情况:从连续的样点输入序列来看
(迭代 )
(节点 1经 D后 )
任何时刻都有1个样点输入、以及前一个样点被计算出来输出
– 流水线系统的讨论
• 关键路径的减少
– 关键路径指DFG中以下四种无延迟路径中最长的路径:
– 为什么要除以延迟数?因为
» 存在两组独立的优先顺序约束,一组偶迭代和 一组奇迭代
– 环路边界
» 系统能够设置两套硬件并行处理
边延迟数提供了并行实现的空间
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二 迭代边界(续)
例 3:右图下
– 右图下的环路边界与右图上的环路边界相同 存在两组独立的优先顺序约束, 每组 A与 B 迭代编号交错 TLoopBond = (2+4)/2 = 3
• 教材:
– “ VLSI数字信号处理系统——设计与实现”,K.K.Parhi 著,机械出版社,2004。定价:65元。出版社电话: 88378991、 88378994 – ―VLSI Digital Signal Processing Systems – Design and Implementation‖, Keshab K. Parhi, John Wiley & Sons, 1999。机械出版社影印本定价:79元
– 迭代边界
• 环路边界:环路边界是在一次迭代内的平均执行时间
• 迭代边界:关键环路的环路边界T
– 给出该环路迭代周期的下限 – 在延迟元件最大限度减少关键路径的情况下, Tc TL/wL – 给出 DFG所有环路迭代周期的下限 – 在延迟元件最大限度减少关键路径的情况下, Tc T
• 既使 DSP系统无限提高计算能力,迭代周期迭代边界 • 计算迭代边界的算法(略)
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一 引言(续)
– 数据流图,DFG(Data-Flow Graph)
• DFG只示出一次迭代过程 • 节点
– 表示算法中计算(或功能 )的执行 – 包含关联的计算时间: (数字)
D
• 有向边
– 表示节点间通信关系 – 包含关联的非负延迟Z-1或 D
A0 B1 A2 B3 A4 B5。。。 A1 B2 A3 B4 A5 B6。。。
例 4:下图ຫໍສະໝຸດ TLoopBond = (3+6+21)/3 = 10
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二 迭代边界(续)
– 迭代边界
• 关键环路:具有最大环路边界的环路 • 迭代边界:关键环路的环路边界T
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二 迭代边界
• 路径与关键路径
– 路径:数据在任意两节点间经有向边和中间节点的通路。对无延迟路 径,关心所用时间,所以无延迟路径的长度指所有节点计算时间的总 和 – 关键路径:DFG中在不包含延迟单元的路径中执行计算时间最长的路 径 Tc。右图例中,Tc= 6u.t. 下图例中有三条无延迟路径:
– 最长路径矩阵(LPM ) – 最小环路均值(MCM)
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三 流水线与并行处理
• 引言
– 处理一个新样点最少所需要的时 间由关键路径Tc决定。则采样周 期 Ts Tc – 可以通过两种方法来提高采样率
• 流水线(Pipelining)
– 在数据通路中插入流水线锁存器 (寄存器、延迟元件)来减少有效的 关键路径 – 在 DSP系统中达到提高时钟频率 (或采样速度)
• 4 2 1, 4u.t. • 5 3 2 1, 5u.t. • 6 3 2 1, 5u.t.
(1) 1 (1) 2
(1) 3
2D
(2) (2) (2)
• 与迭代有关的问题
则关键路径为Tc=5u.t.
4 5
O D O
6 O – 迭代:DFG中所有节点执行一次 – 迭代周期Tit是处理一个输入样点并输出一个结 果所需时间 – 时钟周期Tclock :系统按拍工作的周期,由关键 路径 Tc决定。系统时钟频率f则为Tclock的倒数 – 采样周期Ts:根据实时要求必须满足TsTit(Tc) 采样率fs则为Ts的倒数,必须满足 fs f
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三 流水线与并行处理(续)
• 流水线的优缺点
– 优点:减少Tc ,提高系统的时钟频率fclock,从而fs可以提高 – 缺点
» 增加锁存器硬件开销 » 增加迟滞时间(Latency):迟滞时间指从第一个样点输入系统到系 统输出处理完的第一个样点所需要的延迟数
– 若环路延迟数wL = 0,则 TL / 0 = ,不可计算,环路冲突 – 换言之,必须是因果系统: 非因果系统无法硬件实现TL/wL
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