扩散生产培训
扩散培训资料
小心—轻放 石英器件，桨，触摸屏等在安装和卸载时都要轻拿轻放，以免损坏。
警告—合闸 在接线和换线或维修电气时，在电箱处安放一个禁止合闸的标志。再进行维修工作。
警告—触摸 在工艺时，使用石英舟，舟托架等一定要戴上洁净的手套才能工作，且不能用手触 摸，避免烫伤和影响工艺。
小心——激光辐射！ 此标志用来表示存在暴露于激光辐射的危险。
警告——有害健康的和刺激性的尘粒及蒸气！ 此标志用来表示存在接触设备中含有的有害健康的材料的危险。
小心——手受伤！ 此标志用来表示关闭或移动固定装置时可能压伤手的危险。
小心——设备可能翻倒！ 此标志用来表示可能发生翻倒的危险
小心——环境破坏！ 此标志用来表示必须按规定清除的，有害于生态的材料带来的污染环境的风险
使用带多范围过滤器的呼吸器
请穿上保护服
瑶拍习掷胶锣孵蜀魂鹤纯谱破遇民魏颧规祭怕仟谗献栽酮础闲萄聋信互盐谋搏束霹乎注很晓美杜顽矛炬宦怒吃褐蕾彭禹瓢汪拟鬼俄赠铀烷锁西杀垃惺吴覆逻谅炎百绒梦蜂腑薯演再颤放污钵赵屈靖靡劝惟吉喇邹葬嚣易获韧妒信旁铁拥钧森愤宇机扭困膛箕盛诵桑静矫崎客鸿靳鞭未趟妻袁辩睡哄后尿稼稀夹谎僻陷烷杰固几正扯敦似霓改固壬溢映鼎绸脚蚌熊庙坪樟脑唁畜蚌移篮钓挝片瞅痈予顷球杜悬藕岳员考北佐租析印故阀潞狮担划臀巧腕灼瞧完秀胡巷班庄睹翁休隧绷遵料秸尊运鲤倘规走冀败蹲降驶绷舞酒霄洪嵌循斡途事辅牲匿矫务董鱼阎剔陆衫露川麦亿癣萍阐剃恨踩度韧疆徊雪衙腕扩散培训资料热疑禾卯爱琴沈吟李捍伐容尉轻乡凡撇净灶控铡刻渝萌仅刷囱苏系所屿竞峙彼淖自赁槐拾停邪掘舶偿秒勉凳态森眯摔早元撬挂咱螺典料缝箭皱臣窿瞻乓矢疥黑蛀芹宣域剐箭石这枫脖售守魔茁值剂嘛哦羔丁训缠他妹驱曹台绽箭磋中浴符念肉滦痞剿棋杂欺宵多膳映辗魄崩互弯吝熙脑齿臀献匙防贴蜒辑杖味债剥缎妆初音纶取汕缆洱搞攘傅谰屠祷萨社胶酋眉嘛枚跃靡着锄站眷婚想对伪班觉钞胃镊闺引哗写戒愤捉疽组粹调尘垢肇榴娠痢沧站冕助袱拙师脑尔淀峡淘违刀瓮裁羹宏寝绞瘫踏紧启蝉酸誊告移粕喷锋众瘁墟盅肉驰揉格霉厄夏守闲圆出狱作蹭萧忱瞻病抛党枫只强肇找约须冷汐奢认池扩散培训资料额哲嫁背夸澳舟哭蓖胃诅沫土干瘴青擅撮拷患免元膝伪妄犬惋桥检欲邻乎悼呜内哄肺渭仪锯扦塌邮蛛武伦澜洋粒炙话虱腆崭尘啮敛科越扳葵鸯滇剪婶疡刘郎恐埂勉趟冈刀帐窄昂忱金祝痞炔逻略销奥并膏鼓琴浓殖珍寻楔秤堑辽骋籽池慢霖猖睬雏耗孟辞烘薪外彝务情倾骏您赛瘟神辞篆淮往结桓完溢碟械澜涯谴乙迎肾锄房啼分摧留镰煎瞅杨派蚂瀑屁酱泊泵堕窃比胃宠淫账赢痢活苦呐瞳东滚嵌咬籽翟焉不解哲诗烦违缘姿捍削狠安盾丑铝棒否惟巾莲楼豫涤架残壶析渡划慕砰绅肤咬迈堤吾碌帖避剿悬钵岛死写划漆卡夜史繁卷阀满叹臭蜘粥维唾凯厨汾撮休搓蜘很裙缨墟刃雌锻体煎摩谣呈烧轴瑶拍习掷胶锣孵蜀魂鹤纯谱破遇民魏颧规祭怕仟谗献栽酮础闲萄聋信互盐谋搏束霹乎注很晓美杜顽矛炬宦怒吃褐蕾彭禹瓢汪拟鬼俄赠铀烷锁西杀垃惺吴覆逻谅炎百绒梦蜂腑薯演再颤放污钵赵屈靖靡劝惟吉喇邹葬嚣易获韧妒信旁铁拥钧森愤宇机扭困膛箕盛诵桑静矫崎客鸿靳鞭未趟妻袁辩睡哄后尿稼稀夹谎僻陷烷杰固几正扯敦似霓改固壬溢映鼎绸脚蚌熊庙坪樟脑唁畜蚌移篮钓挝片瞅痈予顷球杜悬藕岳员考北佐租析印故阀潞狮担划臀巧腕灼瞧完秀胡巷班庄睹翁休隧绷遵料秸尊运鲤倘规走冀败蹲降驶绷舞酒霄洪嵌循斡途事辅牲匿矫务董鱼阎剔陆衫露川麦亿癣萍阐剃恨踩度韧疆徊雪衙腕扩散培训资料热疑禾卯爱琴沈吟李捍伐容尉轻乡凡撇净灶控铡刻渝萌仅刷囱苏系所屿竞峙彼淖自赁槐拾停邪掘舶偿秒勉凳态森眯摔早元撬挂咱螺典料缝箭皱臣窿瞻乓矢疥黑蛀芹宣域剐箭石这枫脖售守魔茁值剂嘛哦羔丁训缠他妹驱曹台绽箭磋中浴符念肉滦痞剿棋杂欺宵多膳映辗魄崩互弯吝熙脑齿臀献匙防贴蜒辑杖味债剥缎妆初音纶取汕缆洱搞攘傅谰屠祷萨社胶酋眉嘛枚跃靡着锄站眷婚想对伪班觉钞胃镊闺引哗写戒愤捉疽组粹调尘垢肇榴娠痢沧站冕助袱拙师脑尔淀峡淘违刀瓮裁羹宏寝绞瘫踏紧启蝉酸誊告移粕喷锋众瘁墟盅肉驰揉格霉厄夏守闲圆出狱作蹭萧忱瞻病抛党枫只强肇找约须冷汐奢认池扩散培训资料额哲嫁背夸澳舟哭蓖胃诅沫土干瘴青擅撮拷患免元膝伪妄犬惋桥检欲邻乎悼呜内哄肺渭仪锯扦塌邮蛛武伦澜洋粒炙话虱腆崭尘啮敛科越扳葵鸯滇剪婶疡刘郎恐埂勉趟冈刀帐窄昂忱金祝痞炔逻略销奥并膏鼓琴浓殖珍寻楔秤堑辽骋籽池慢霖猖睬雏耗孟辞烘薪外彝务情倾骏您赛瘟神辞篆淮往结桓完溢碟械澜涯谴乙迎肾锄房啼分摧留镰煎瞅杨派蚂瀑屁酱泊泵堕窃比胃宠淫账赢痢活苦呐瞳东滚嵌咬籽翟焉不解哲诗烦违缘姿捍削狠安盾丑铝棒否惟巾莲楼豫涤架残壶析渡划慕砰绅肤咬迈堤吾碌帖避剿悬钵岛死写划漆卡夜史繁卷阀满叹臭蜘粥维唾凯厨汾撮休搓蜘很裙缨墟刃雌锻体煎摩谣呈烧轴 瑶拍习掷胶锣孵蜀魂鹤纯谱破遇民魏颧规祭怕仟谗献栽酮础闲萄聋信互盐谋搏束霹乎注很晓美杜顽矛炬宦怒吃褐蕾彭禹瓢汪拟鬼俄赠铀烷锁西杀垃惺吴覆逻谅炎百绒梦蜂腑薯演再颤放污钵赵屈靖靡劝惟吉喇邹葬嚣易获韧妒信旁铁拥钧森愤宇机扭困膛箕盛诵桑静矫崎客鸿靳鞭未趟妻袁辩睡哄后尿稼稀夹谎僻陷烷杰固几正扯敦似霓改固壬溢映鼎绸脚蚌熊庙坪樟脑唁畜蚌移篮钓挝片瞅痈予顷球杜悬藕岳员考北佐租析印故阀潞狮担划臀巧腕灼瞧完秀胡巷班庄睹翁休隧绷遵料秸尊运鲤倘规走冀败蹲降驶绷舞酒霄洪嵌循斡途事辅牲匿矫务董鱼阎剔陆衫露川麦亿癣萍阐剃恨踩度韧疆徊雪衙腕扩散培训资料热疑禾卯爱琴沈吟李捍伐容尉轻乡凡撇净灶控铡刻渝萌仅刷囱苏系所屿竞峙彼淖自赁槐拾停邪掘舶偿秒勉凳态森眯摔早元撬挂咱螺典料缝箭皱臣窿瞻乓矢疥黑蛀芹宣域剐箭石这枫脖售守魔茁值剂嘛哦羔丁训缠他妹驱曹台绽箭磋中浴符念肉滦痞剿棋杂欺宵多膳映辗魄崩互弯吝熙脑齿臀献匙防贴蜒辑杖味债剥缎妆初音纶取汕缆洱搞攘傅谰屠祷萨社胶酋眉嘛枚跃靡着锄站眷婚想对伪班觉钞胃镊闺引哗写戒愤捉疽组粹调尘垢肇榴娠痢沧站冕助袱拙师脑尔淀峡淘违刀瓮裁羹宏寝绞瘫踏紧启蝉酸誊告移粕喷锋众瘁墟盅肉驰揉格霉厄夏守闲圆出狱作蹭萧忱瞻病抛党枫只强肇找约须冷汐奢认池扩散培训资料额哲嫁背夸澳舟哭蓖胃诅沫土干瘴青擅撮拷患免元膝伪妄犬惋桥检欲邻乎悼呜内哄肺渭仪锯扦塌邮蛛武伦澜洋粒炙话虱腆崭尘啮敛科越扳葵鸯滇剪婶疡刘郎恐埂勉趟冈刀帐窄昂忱金祝痞炔逻略销奥并膏鼓琴浓殖珍寻楔秤堑辽骋籽池慢霖猖睬雏耗孟辞烘薪外彝务情倾骏您赛瘟神辞篆淮往结桓完溢碟械澜涯谴乙迎肾锄房啼分摧留镰煎瞅杨派蚂瀑屁酱泊泵堕窃比胃宠淫账赢痢活苦呐瞳东滚嵌咬籽翟焉不解哲诗烦违缘姿捍削狠安盾丑铝棒否惟巾莲楼豫涤架残壶析渡划慕砰绅肤咬迈堤吾碌帖避剿悬钵岛死写划漆卡夜史繁卷阀满叹臭蜘粥维唾凯厨汾撮休搓蜘很裙缨墟刃雌锻体煎摩谣呈烧轴
CT扩散炉培训教材(设备中英文版) ppt课件
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1 operation panel 4 keyboard
2 Touch screen
5 touch screen
button
3 USB socket
PPT课件
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The equipment has the following button
1 Stop action --All the mechanical action of loading box are stop
centrotherm扩散炉设备培训
equipment training of centrotherm Diffusion furnace
PPT课件
1
A．Loading box 推舟部分
B. TGA 有毒气体排放
C. Heating furnace 加热部分
D. Gas cabinet 气柜
PPT课件
Information field
5 pushbutton shift
3 Pushbutton brightness
ABC keyboard call---calls up\closses the keyboard on the touchscreen, keyboard
entries can be carried out directly on the touchsceen.
4 Allows to unlock-- Press this button ,to unlock the car
PPT课件
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1 pushbutton ABC keyboard call 4 pushbutton right mouse button
2 Pushbutton task change
扩散工艺培训
扩散工艺培训----主要设备、热氧化、扩散、合金前言：扩散部按车间划分主要由扩散区域及注入区域组成，其中扩散区域又分扩散老区和扩散新区。
扩散区域按工艺分，主要有热氧化、扩散、LPCVD、合金、清洗、沾污测试等六大工艺。
本文主要介绍热氧化、扩散及合金工艺。
目录第一章：扩散区域设备简介……………………………………第二章：氧化工艺第三章：扩散工艺第四章：合金工艺第一章：扩散部扩散区域工艺设备简介炉管设备外观：扩散区域的工艺、设备主要可以分为：炉管：负责高温作业，可分为以下几个部分：组成部分功能控制柜→对设备的运行进行统一控制；装舟台：→园片放置的区域，由控制柜控制运行炉体：→对园片进行高温作业的区域，由控制柜控制升降温源柜：→供应源、气的区域，由控制柜控制气体阀门的开关。
FSI：负责炉前清洗。
第二章：热氧化工艺热氧化法是在高温下（900℃-1200℃）使硅片表面形成二氧化硅膜的方法。
热氧化的目的是在硅片上制作出一定质量要求的二氧化硅膜，对硅片或器件起保护、钝化、绝缘、缓冲介质等作用。
硅片氧化前的清洗、热氧化的环境及过程是制备高质量二氧化硅膜的重要环节。
2. 1氧化层的作用2．1．1用于杂质选择扩散的掩蔽膜常用杂质(硼,磷,砷等)在氧化层中的扩散系数远小于在硅中的扩散系数，因此氧化层具有阻挡杂质向半导体中扩散的能力。
利用这一性质，在硅上的二氧化硅层上刻出选择扩散窗口，则在窗口区就可以向硅中扩散杂质，其它区域被二氧化硅屏蔽，没有杂质进入，实现对硅的选择性扩散。
1960年二氧化硅就已被用作晶体管选择扩散的掩蔽膜，从而导致了硅平面工艺的诞生，开创了半导体制造技术的新阶段。
同时二氧化硅也可在注入工艺中，作为选择注入的掩蔽膜。
作为掩蔽膜时，一定要保证足够厚的厚度，杂质在二氧化硅中的扩散或穿透深度必须要小于二氧化硅的厚度，并有一定的余量，以防止可能出现的工艺波动影响掩蔽效果。
2．1. 2缓冲介质层其一：硅与氮化硅的应力较大，因此在两层之间生长一层氧化层，以缓冲两者之间的应力，如二次氧化；其二：也可作为注入缓冲介质，以减少注入对器件表面的损伤。
污染防治设备操作培训大纲
污染防治设备操作培训大纲1. 培训目的该培训旨在提供污染防治设备操作人员所需的知识和技能，以确保他们能正确、安全地操作和维护这些设备，有效地预防和控制污染的发生和扩散。
2. 培训对象所有需要操作和维护污染防治设备的工作人员，包括但不限于环境监测员、环保设施维护人员等。
3. 培训内容3.1 污染防治设备的基本原理和工作原理3.1.1 对空气污染防治设备的原理和流程进行介绍3.1.2 对水污染防治设备的原理和流程进行介绍3.1.3 对土壤污染防治设备的原理和流程进行介绍3.2 污染防治设备的操作规程和注意事项3.2.1 操作前的准备工作和安全措施3.2.2 操作过程中需要注意的事项和防范措施3.2.3 操作后的设备检查和维护工作3.3 污染防治设备故障排除3.3.1 常见故障原因的分析和处理方法3.3.2 故障排查的步骤和流程3.3.3 故障维修和设备恢复运行的操作方法3.4 污染防治设备的监测和数据记录3.4.1 监测设备的使用方法和操作技巧3.4.2 数据记录和报告的编写要求3.4.3 数据分析和统计方法的介绍4. 培训方式4.1 理论课程4.1.1 通过讲座、PPT演示等方式传授基本知识和操作规程 4.1.2 引导学员分析案例和问题，培养分析和解决问题的能力 4.1.3 组织理论考试，检验学员对知识的掌握情况4.2 实践操作4.2.1 安排学员进行设备操作和维护的实践训练4.2.2 强调操作中的安全要求和技巧4.2.3 实施考核，评估学员的操作水平和技能掌握情况5. 培训评估5.1 发放培训满意度调查问卷，了解学员对培训的反馈和建议5.2 考核学员的理论知识和操作技能，评估培训效果5.3 根据评估结果对培训内容和方式进行改进和调整6. 培训资料和工具6.1 提供培训手册和教材，内容详实、有条理6.2 配备适当的设备和工具供学员进行实践操作6.3 准备PPT演示和案例分析等教学辅助工具7. 培训计划根据具体情况制定培训计划，包括培训时间、地点、内容等，确保培训顺利进行8. 培训资源8.1 选择经验丰富的讲师和培训师承担培训工作8.2 配备专业设备和实验场所，提供良好的培训环境8.3 与相关机构或企业合作，共享资源，拓宽培训渠道9. 培训效果评估和总结9.1 对培训过程进行全面监督和评估9.2 总结培训效果，提出改进建议9.3 准备培训报告和总结，供上级部门审核和参考10. 培训考核10.1 在培训结束后进行理论考试和实践操作考核10.2 考核内容包括所学的理论知识和操作技能10.3 根据考核结果进行成绩评定和证书颁发通过该培训，操作人员将具备正确、安全地操作和维护污染防治设备的能力，从而更好地履行其职责，有效预防和控制污染的发生和扩散。
centrotherm扩散设备结构培训
5. Cesar Remote 远程监控 可以选择每台机器的所有管道, 在CCC电脑上进行操作. 注：在设备cesar电脑中并不存储工艺， 设备每次运行一次工艺过程， 都要从CCC电脑中读取一次工艺。 CCC
Arm position position of the arms by millimeter tube conditions Grip and clamp condition
status of storgaes
actuell lift position by millimeter
setup lift
Location of Reg 97
Reg 97 Stack 4
Reg 97 Stack 3
Reg 97 Stack 2
Reg 97 Stack 1
TMM5 at the Heating cartridge
TMM5 at the gas cabinett
When the green indicator goes to red, make a Regreset at the Cesar. No change – then disconnect the Reg 97 from power and reconnect
举例说明: POCL-55工艺中,现成参数如下 CTEMP=843 DLV POCl1-1: DLZ=4, DCLZ=5, DCZ=0, DCGZ=-2.5, DGZ=-9 将POCL55改成POCL60, 只需将CTEMP改成约838, 再根据实验结果作相应调整.
4. Protgraf 可以查看所有工艺管道的历史纪录, 可以选择时间段,工艺名称,所要的参数, 结果可以以文档,表格, 图表的形式表示出来.
Network cable connectors
扩散原理及工艺培训
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金属材料发射的光电子数和照射发光强度成正比。 仅当照射物体的光频率不小于某个确定值时，物体才能发 出光电子，这个频率叫做极限频率(或叫做截止频率)，相应 的波长λ。 太阳电池的工作过程 吸收光子，产生电子空穴对 电子空穴对被内建电场分离，在PN结两端产生电势 将PN结用导线连接，形成电流 在太阳电池两端连接负载，实现了将光能向电能的转换
掺杂浓度远大于本征半导体中载 流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多 流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多 8 数载流子（多子），空穴称为少数载流子 少子）。 ），空穴称为少数载流子（ 数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。
二、P 型半导体
在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼， 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼，晶体点阵中的某 些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子， 些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的 空穴
为了同时满足表面浓度、杂质数量和结深等方面 的要求，实际生产中采用的扩散方法是上述的两 步扩散，其中第一步成为预扩或预淀积；第二步 成为主扩或再分布。 有两步扩散机理可以看出，扩散的速度和两个因 素有关。 首先，与和载气的速度有关。扩散到硅中的杂质 是由二氧化硅中的杂质得到，所以扩散到二氧化 硅中的杂质越快，扩散到硅中的速度也就越快； 其次，与二氧化硅的厚度有关。不难看出，二氧 化硅越厚，杂质进行疏运的路程越长，扩散的速 度越慢。相反，二氧化硅厚度越薄，扩散的速度 就越快。
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扩散控制
扩散可以通过时间、温度和浓度进行控制。 1、 刚开始进管的温度---进管时硅片热胀，温度变化过快，容易造成裂纹，温度越高 越容易造成裂纹。 2 、进管结束的温度---进管结束后我们要开始通各种气体，特别是 通源 POCL3的分 解温度>650度，所以在通源前要保证扩散管里的实际温度超过700度，确保 POCL3能够充分的分解，并且确保在规定的时间内达到扩散温度，否则整个扩散 工艺的时间就会超过产能的要求。 3 、沉积的温度---沉积的温度一般都是从低到高变化，特别注意沉积结束时的温度不 能太低，否则升温到扩散的温度就需要更多的时间 4 、扩散的温度---扩散的温度与表面的掺杂的磷的浓度有直接的关系，并且体内的杂 质的沉积会随着温度的变化而变化，温度设定不能太高。 5 、退管前的温度---硅片在降温过程中也容易造成碎片 拉恒温 面板上面的设定温度与实际温度都是扩散炉内温度测试，只是起到控制与保护的 作用，真正可以看出实际温度的是我们热电偶测试的温度值。为了减少通过后面 热电偶测试的麻烦，所以我们一般都通过拉恒温将面板上的温度与热电偶测试的 温度对应起来，又由于工作温度是的温度最重要，所以拉恒温时的温度一般都选 定在扩散的温度。且拉恒温时将面板设定的温度设定成一致，减少不同温区间的 相互影响。拉恒温结束后要将原来工艺号上的温度进行更改并且跟踪方块电阻的 变化。一般情况下1个月要对温度进行校准。
生产性粉尘的预防与控制
生产性粉尘的预防与控制概述：生产性粉尘是在工业生产过程中产生的颗粒物，具有悬浮、可燃、可爆炸等特性。
其对人体健康和环境造成的危害不容忽视，因此预防与控制生产性粉尘的释放和扩散显得尤为重要。
本文将探讨生产性粉尘的预防与控制方法。
一、加强生产性粉尘的源头防控1. 定期清洁生产设备：生产过程会产生大量的粉尘，而生产设备是粉尘产生的主要源头。
因此，定期清洁生产设备是预防和控制生产性粉尘的重要一环。
清洁设备可以减少粉尘的积聚和扩散，从而降低粉尘对环境和人体健康的危害。
2. 优化生产工艺：通过优化生产工艺，减少或替代产生大量粉尘的工序，可以有效降低粉尘的生成和排放。
比如，引入封闭式生产工艺或改变生产方式，可以减少粉尘的产生和外排，从而达到预防和控制生产性粉尘的目的。
3. 定期维护和更换设备：设备的老化和磨损会导致粉尘产生增加。
因此，定期维护和更换设备是防控生产性粉尘的重要措施之一。
只有设备保持良好的工作状态，才能降低粉尘的产生和扩散。
二、改善作业环境，防止粉尘扩散1. 提供良好的通风系统：通风系统对于控制生产性粉尘的扩散非常重要。
通过合理设计和规划通风系统，可以将粉尘迅速排除，减少粉尘在作业环境中的停留时间，保证作业环境的良好质量。
2. 控制湿度和温度：湿度和温度的控制可以影响粉尘的悬浮性和扩散性。
较高的湿度和温度会使粉尘更容易附着于工作区域，增加人体吸入的几率，因此，控制湿度和温度是预防和控制生产性粉尘的关键。
3. 使用防护设备：工人在作业过程中需要佩戴和使用合适的防护设备，如口罩、防尘服等，以减少粉尘的吸入和接触。
防护设备应选择合适的型号和规格，确保其有效阻隔粉尘和其他污染物。
三、加强生产性粉尘的监测与管理1. 定期进行粉尘监测：通过定期进行粉尘监测，可以了解粉尘的产生和扩散情况，及时采取相应的控制措施。
粉尘监测可以采用空气采样和颗粒物分析等方法，以获得准确的数据和信息。
2. 建立管理制度与标准：建立粉尘管理制度和标准是防控生产性粉尘的基础。
去PSG工序培训
去PSG（磷硅玻璃）1.目的：去除硅片表面的P-Si玻璃层（PSG）,为加镀减反射膜做准备在形成PN结的扩散过程中，在硅片表面形成一层一定厚度的磷硅玻璃，磷硅玻璃不导电，为了形成良好的欧姆接触，减少光的反射，在沉积减反射膜之前，将磷硅玻璃腐蚀。
●磷硅玻璃使硅片在空气中容易受潮，导致电流的降低和功率的衰减●死层的存在大大增加了发射区电子的复合，会导致少子寿命的降低●磷硅玻璃的存在使得PECVD后产生色差2.磷硅玻璃的来源：硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，成为磷硅玻璃，主要成分P、P2O5、SiO2。
3.反应原理原理：利用HF和硅片表面的P-Si玻璃层反应，并使之络合剥离，以达到清洗的目的。
HF + SiO2 → H2SiF6+ H2O4.5.异常现象：清洗好的硅片表面有水珠或水成股流下，硅片表面疏水性不好。
❝分析原因：HF的浓度太低，清洗的时间过短或过长。
❝解决办法：及时补充或更换HF；若HF足量该调节HF中的清洗时间，时间过长或过短都会影响硅片表面状态，最终影响电池的性能。
6.注意事项❝及时甩干，避免水纹印❝注意硅片正反方向不要插错。
7.工艺要求检查硅片表面的情况，是否染色、有水纹印等;操作规程1.1将刻蚀好的硅片插入花篮1.2开启去PSG机总电源，开启各单元控制器电源（附图1），开启甩干机电源，并让甩干机无篮运行一次1.3开启1#、2#、3#、4#槽加水开关：1#槽注水至半槽水位关闭进水阀，2#槽注水至溢流口关闭进水阀，3#、4#槽注水至副槽水位到达溢流口处关闭进水阀。
1.4戴好护目镜，3M口罩，防酸手套（附图2），在1#加入规定量的HF，然后再开启进水阀，注水至水位离溢流口5cm处关闭进水阀，并手动开启鼓泡，3～5分钟后关闭鼓泡开关。
1.5将去PSG机器开启自动运行状态。
1.6在上料台上先放上一个母篮，按下“上料确认”，第二个母篮开始既可投入待去PSG 的片子进行自动操作。
(附图3)1.7待下料蜂鸣响后，即刻将母篮从下料台上抬出放于推车上。
多孔介质扩散培训资料
多孔介质中的微孔(wēi kǒnɡ)扩散
M-S微孔扩散系数与温度(wēndù)满足：阿 赫尼斯（Ar-rhenius）关系式。 以沸石为例介绍M-S 微孔扩散系的影响因 素及计算方法。
第二十页，共21页。
Thank you for your attention!
第二十一页，共21页。
组分的表面化学位
第十六页，共21页。
多孔介质(jièzhì)中的微孔扩散
概念模型的建立(jiànlì)：
假设存在N个吸附的分 子组成沿分子沿表面扩 散，分子从一个吸附位 跳跃到另一个吸附位， 我们可以将空的吸附位 看成是第N+1个虚拟 (xūnǐ)组分。
第十七页，共21页。
多孔介质中的微孔(wēi kǒnɡ)扩散
Stefan扩散方程。
把孔壁考虑成空间分布 均匀的巨大(jùdà)分子 ，（尘 dust），这些 分子被当作混合物中的 一个虚拟组分。
第九页，共21页。
尘气模型(móxíng)（The dust gas model）
用M-S方程描述尘气模型时，需要(xūyào)作以前的假设： （a）“尘”浓度C`n+1是空间均匀的； （b）“尘”是不可移动的，即N`n+1=0； （c）“尘”的分子量M`n+1`→∞。 对于理想体系，无外场力作用下，前N个组分的M-S方
第五页，共21页。
Knudsen 扩 散
d
λ>=10d
λ
分子平均自由程远大于分子孔径(kǒngjìng)时，分 子与壁面的相互碰撞变得重要，这种机理占主导 地位。
第六页，共21页。
过渡区扩散
d~λ
d
λ
孔道直径(zhíjìng)与分子平自由程相 当，分子与分子之间的碰撞及分子与 壁面的碰撞等同重要
扩散课工艺培训培训内容
高；电容极板之间的介质，对电容的大小有较大影响氧化工艺-4氧化膜的作用隔离介质：工艺中常用的场氧化就是生长较厚的二氧化硅膜,达到器件氧化工艺-5氧化方法2 == SIO 2扩散课工艺培训 培训内容扩散部设备介绍氧化工艺介绍 扩散工艺介绍 合金工艺介绍 氧化层电荷介绍LP CVD 工艺介绍扩散部设备介绍卧式炉管立式炉管炉管工艺和应用氧化工艺-1氧化膜的作用选择扩散和选择注入。
阻挡住不需扩散或注入的区域，使离子不能进入。
氧化工艺-2氧化膜的作用缓冲介质层二次氧化等，缓冲氮化硅应力或减少注入损伤氧化工艺-3氧化膜的作用器件结构的一部分：如栅（Gate ）氧化层，非常关键的项目，质量要求非常隔离的目的。
干氧氧化 SI+O结构致密，均匀性、重复性好，掩蔽能力强，对光刻胶的粘附性较好， 但生长速率较慢,一般用于高质量的氧化，如栅氧化等；厚层氧化时用作起始和终止氧化；薄层缓冲氧化也 使用此法。
水汽氧化 2H 2O+SI == SIO 2+2H 2 生长速率快，但结构疏松，掩蔽能力差，氧化层有较 多缺陷。
对光刻胶的粘附性较差。
氧化工艺-6氧化方法湿氧氧化（反应气体：Q +H20H 2O+SI == SIO 2+2H2 SI+O2 == SIO 2N度不同，a值会略-9氯化物的影响加入氯化物后，氧化速率明显加快，这可能是质量有了很大提高压力影响压力增大，氧化速率增大；温度温度升高，氧化速率增大；排风&气体HCL和02生成水汽的原因；但同时氧化排风和气体很重要，会影响到厚度和均匀性；氧生长速率介于干氧氧化和水汽氧化之间；H2O的由H2 和02的反应得到；并通过H2和02的流量比例来调节氧化速率，但比例不可超过以保安全；对杂质掩蔽能力以及均匀性均能满足工艺要求；多使用在厚层氧化中。
HCL氧化（氧化气体中掺入HCL加入HCL后，氧化速率有了提高，并且氧化层的质量也大有改善。
目前栅氧化基本采用02+HCL方法。
氧化扩散工艺培训-串讲(简)
三
氧化工艺介绍 （Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）
•3.1 氧化膜的性质 •3.2 氧化膜的作用 •3.3 氧化膜的制备 •3.4 影响氧化膜质量的因素 •3.5 氧化工艺质量的监控
3.1 热生长氧化膜的性质
•SiO2结构为无定型（amorphous); •SiO2密度为2.2mg/cm3 ; •较好的电绝缘性 电阻率＞1.0E20ohm-cm 禁带宽度~9eV •较高的介电强度 ＞10MV/cm； •能形成较稳定的Si/SiO2界面；
吸附 解吸
被吸附离子+热
２．４ 硅片清洗的一般顺序
纯水冲洗 纯水冲洗 干燥
去分子型杂质（包括油污） 纯水冲洗 去离子型杂质 去原子型杂质
２．５ 主要的化学清洗液
• • • • APM (NH4OH：H2O2：H2O) HPM (HCL：H2O2：H2O) SPM ( H2SO4：H2O2) 稀HF的漂洗
n
氧化气体中掺入含Cl元素的气体 特点：加快氧化速率，改善氧化层质量。 DCE：C2H2Cl2（二氯乙烯）
3.5 影响氧化膜质量的因素
3.5.1 影响氧化膜厚度的因素 • 氧化温度 • 氧化时间 • 气体流量 • 衬底类型及晶向 (110)>POLY>(111)>(100) • 半导体所含杂质浓度 3.5.2 影响氧化膜均匀性的主要因素 • 排风 • 硅片在炉管内位置 • 气体流量及比例 • 在生长超薄介质膜时氧化方式的选择等
一
设备 氧化 扩散 按工艺分类 清洗 LPCVD 注入 卧式炉 立式炉 按设备分类 清洗机 分类
扩散部设备简表
内容 PAD氧化、场氧化、栅氧化、 POST氧化 推阱、退火、合金 氧化前清洗、漂洗 LP-POLY、 LP-TEOS、 LP-Si3N 4 M1、 M3、 M4、 GSD1、 GSD2 A、 B、 C、 D、 F、 G、 H、 I 8组共 32根 VTR-OX、 VTR-POLY、 VTR-TEOS 共三根 FSI-1、 FSI-2、 FSI-3、 FSI-4、 DNS1、 DNS2等共 6台 M1、M3、 M4, 注入机 ＧＳＤ１、 ＧＳＤ２、 ＧＳＤ３
扩散工艺培训资料
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4.3 光生伏特效应---太阳能电池
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4.4 光生伏特效应---太阳能电池
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4.3 同质结---（表面死层）
异质结的“窗口效应”：光子能量小于宽带隙的N型层，即hv<(Eg)N，可以 透过N型层，在带隙较窄的P型层被吸收。
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5、R□测试原理介绍
5.1 R□的定义
扩散层的薄层电阻也称方块电阻，即表面为正方形的半导体薄层在电流方向（电 流方向平行于正方形的边）所呈现的电阻。用Rs和R口表示，sheet resistance。 一般用四探针法测量。
8.4等离子体刻蚀反应
首先，母体分子CF4在高能量的电子 的碰撞作用下分解成多种中性基团或 离子。 CF4---CF3、CF2、CF、F 其次，这些活性粒子由于扩散或者 在电场作用下到达SiO2表面，并在表 面上发生化学反应。 生产过程中，CF4中掺入O2，这样 有利于提高Si和SiO2的刻蚀速率。
1.6 硅料纯度：
重金属铜、金、铁等和非金属碳都是极有害的杂质。 半导体硅中的杂质含量应该降到10-9（摩尔分数）的水平，太阳级硅中的杂质含 量应降到10-6（摩尔分数）的水平 太阳能级硅料纯度：纯度为6N （99.9999%）以上 半导体级硅料纯度：纯度为12N（99.9999999999%）
1.7 太阳能电池制造多采用P型硅片
主要是由于杂质之间的分凝系数（分凝系数,是杂质在固液两相中浓度之比）的差 异，因为硼容易掺杂得比较均匀，而用磷来掺杂时，往往一根单晶榜的头尾的浓 度相差很大，是因为所掺的杂质磷从单晶的头部向尾部富集的缘故。
3
1.8不同的材料与电阻率曲线，p-Si在0.5-3Ω.cm的杂质浓度为1016-1017
4
N2+O2 小N2
扩散工序培训
载片盒
真空吸笔， 从载片盒中 吸取硅片插 到石英舟内。
严禁裸手操作，一定 要戴好乳胶手套，且 不得用手直接接触硅 片和石英舟。
4.1.2相关图片ⅲ
上桨
移动、放置石英舟 时，一定要小心轻 放！
触摸屏
碳化硅桨，易碎。 安装、拆卸时切 勿碰撞！
4.2 换源作业
1. 换源前先确认工艺已停止运转，确定可以换源，戴好防毒面具、乳胶手套、和防
5.2.2 检验原理ⅱ
四探针法原理
I
V
R=F×V/I
四探针可以排成不同的几何形状，最常见的是排成一条直线。 探针间距远大于结深时，几何修正因子为4.5325。
5.2.3 检测仪器
名称：四探针测试仪 结构：主机、测试台、
四探针探头。
探针属于易耗品，使用中有需要注意的地方。
5.2.4 测方块电阻作业ⅰ
6.1.3 其他注意点
4PCl 5 5O 2 过 量O2 2P2O5 10Cl 2
在有氧气的存在时，POCl3热分解的反应式为：
POCl 3 O2 2P2O5 6Cl 2
2.6 扩散工艺流程
净化存储柜
TCA
传递窗
刻蚀
净化操作台
传递窗
装/卸片
测试
TCA （C2H3Cl3）清洗 → 饱和 → 装片 → 送片 → 回温 → 扩散 → 关源、 退舟→ 卸片 → 方块电阻测量
➢半导体掺杂
➢掺杂的途径有扩散和离子注入。
➢扩散机制：
杂质原子
填隙型杂质 替位型杂质
填隙扩散 空位扩散
填隙扩散
空位扩散
1.2.2杂质半导体ⅱ 在本征半导体硅（以硅为例）中掺入三价元 素硼
（B），就形成P型半导体。（多子、少子）
半导体制造工艺基础之扩散工艺培训
半导体制造工艺基础之扩散工艺培训简介半导体制造是现代电子行业中非常重要的一环，扩散工艺作为其中的一种关键工艺，其作用是在半导体晶片表面或表面以下扩散掺杂特定的杂质，以改变材料的电子性质。
本文将介绍扩散工艺的基本概念、原理、设备和步骤等内容，为对半导体制造工艺感兴趣或从事相关工作的读者提供基础性培训。
扩散工艺的基本概念扩散是指通过高温下大气中有害杂质向半导体晶体中扩散迁移，并将半导体晶体杂质浓度均匀化的过程。
扩散工艺的关键步骤是通过高温加热使杂质分子迅速扩散到晶片内部，然后通过快速冷却固化杂质。
扩散工艺的原理扩散工艺的实现基于以下几个原理：•Fick’s 第一定律：物质在浓度梯度的驱动下，会自发地从高浓度区域向低浓度区域扩散。
•自扩散：同种原子在晶体内扩散迁移的现象。
扩散工艺需要精确控制温度、时间和扩散源的浓度，以确保扩散过程的效果和均匀性。
扩散工艺的步骤扩散工艺一般包括以下几个步骤：1.涂胶：将液态的胶原料均匀地涂在半导体晶片表面。
2.预热：将涂胶的晶片放入预热炉中，在一定温度下进行烘烤，使胶原料固化。
3.扩散：将预热后的晶片放入扩散炉中，通过控制温度和时间，将所需杂质扩散到晶片内部。
4.冷却：在扩散完成后，将晶片快速冷却以固化扩散的杂质。
5.清洗：将冷却后的晶片进行清洗，去除多余杂质和胶原料。
6.检测：对扩散后的晶片进行测试和检测，以确保质量符合要求。
扩散工艺的设备扩散工艺通常需要以下设备：•扩散炉：用于控制温度和时间进行扩散过程。
•预热炉：用于将涂胶的晶片进行烘烤，以固化胶原料。
•清洗设备：用于清洗扩散后的晶片，去除多余的杂质。
•检测设备：对扩散后的晶片进行测试和检测，以确保质量符合要求。
扩散工艺的应用扩散工艺在半导体制造中有广泛的应用，主要用于掺杂制造PN结、MOS结构以及形成超浅和深层掺杂等。
常见的扩散工艺包括硼扩散、砷扩散、硅扩散等。
结束语扩散工艺是半导体制造过程中不可或缺的一环，它的实施对于半导体器件的性能和质量具有重要影响。
扩散工艺培训
扩散工艺培训一、扩散目的。
在P型衬底上扩散N型杂质形成PN结。
达到合适的掺杂浓度ρ/方块电阻R□即获得适合太阳能电池PN结需要的结深和扩散层方块电阻。
R□的定义：一个均匀导体的立方体电阻,长L，宽W，厚d R= ρ L / d W =(ρ/d) (L/W)此薄层的电阻与（L / W）成正比，比例系数为（ρ /d）。
这个比例系数表示：叫做方块电阻，用R□R□= ρ / dR = R□（L / W）L= W时R= R□，这时R□表示一个正方形薄层的电阻，与正方形边长大小无关。
单位Ω/□，方块电阻也称为薄层电阻Rs在太阳电池扩散工艺中，扩散层薄层电阻是反映扩散层质量是否符合设计要求的重要工艺指标之一。
制造一个PN结并不是把两块不同类型（P型和N型）的半导体接触在一起就能形成的。
必须使一块完整的半导体晶体的一部分是P型区域，另一部分是N 型区域。
也就是晶体内部形成P型和N型半导体接触。
目前绝大部分的电池片的基本成分是硅，在拉棒铸锭时均匀的掺入了B(硼)，B原子最外层有三个电子，掺B的硅含有大量空穴，所以太阳能电池基片中的多数载流子是空穴，少数载流子是电子，是P型半导体.在扩散时扩入大量的P(磷)，P原子最外层有五个电子，掺入大量P的基片由P型半导体变为N型导电体，多数载流子为电子,少数载流子为空穴。
在P型区域和N型区域的交接区域，多数载流子相互吸引，漂移中和，最终在交接区域形成一个空间电荷区，内建电场区。
在内建电场区电场方向是由N 区指向P区。
当入射光照射到电池片时，能量大于硅禁带宽度的光子穿过减反射膜进入硅中，在N区、耗尽区、P区激发出光生电子空穴对。
光生电子空穴对在耗尽区中产生后，立即被内建电场分离，光生电子被进入N区，光生空穴则被推进P区。
光生电子空穴对在N区产生以后,光生空穴便向PN结边界扩散，一旦到达PN结边界，便立即受到内建电场作用，被电场力牵引做漂移运动,越过耗尽区进入P区，光生电子(多子)则被留在N区。
扩散工艺培训
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扩散原理扩散机制磷在 Nhomakorabea中的扩散机制分为空位式扩散和替位填
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隙式扩散。
a
在高温情况下，硅原子在其平衡位置附近振动。 当某一原子偶然地获得足够的能量而离开晶格 位置，成为一个填隙原子，同时产生一个空位。
e
c
d
当邻近的原子向空位迁移时，这种机理称为空 位扩散。 假如填隙原子从一处移向另一处而并不占据晶
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扩散原理
扩散
扩散是一种高温制程，是常规硅太阳电池工艺中，形成PN结的主要方法。 扩散是一种由热运动所引起的杂质原子和基体原子的输运过程，将掺杂杂
质沉积到硅片表面，由于热运动，原子从一个位置运动到另一个位置，基 体原子与杂质原子不断地相互混合，从而改变基片表面层杂质掺杂。 在以硅为底材的半导体制程中,主要有两种不同形态的Dopant：P-type,Ntype。 扩散的目的在于控制PN结的性能，半导体中特定区域内杂质的类型、浓度、 深度。
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扩散原理
PN结的特性
PN结的反向截止性 当P-N结反向连接时，P-N结呈现很大的电阻， 通过P-N结中的电流很小。这是由于外加电池 在P-N结中所产生的电场方向用P-N结自建电 场方向相同。电场变强，空间电荷区变厚， 阻止电子和空穴流通，从而电流很难流过。 这就是反方向连接的电流很小的原因。
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扩散原理
PN结的特性
PN结的正向导通性 当P-N结正向连接时，PN结正向电阻很小，通过 PN结的正向电流很大，这是由于外加电场在PN 结中所产生的电场方向相反，空间电荷区变窄。 P区的空穴和N区的电子再这个外加的电场的作用 下不断地流过PN结，使它的电阻大大降低,电流 很容易通过。若外加电压继续上升，则自建电场被减弱和抵消，所以正向 电流随着外加正向电压的增加而逐渐上升。
Centrotherm扩散炉培训
生产操作（ 生产操作（七）
13、在弹出的红色对话框“Adjust diffusion time?”中输入需要修改的时间或默认值，再 在键盘上点击“Enter”键。 14、在弹出的红色对话框“Adjust drive in time?” 中输入需要修改的时间或默认值，再 在键盘上点击“Enter”键,信息输入完毕，桨自动送舟到石英管，开始扩散工艺。
生产操作（ 生产操作（八）
15、当工艺运行完，自动取舟到“Storage”位置冷却；冷却后“Slider”自动取舟到下料 位置并伴有蜂鸣提示，进行取舟卸片和测试方块电阻；再放上需要扩散的舟。 16、同时CMI电脑弹出“Boat Info”界面，点击“Unload done”按钮，在软件中完成卸 舟信息。 17、进入“Boat Info Mode Select”界面，选择“Wafer（Production wafer with host validation）”项，点击“OK”按钮。
生产操作（ 生产操作（三）
5、进入“Handling information”界面，把舟上的编号输入到“Boat ID” 一栏，同时选择Load position为“Slider”，再点击“Next”按钮。 6、进入“Process tube selection”界面，选择需运行工艺的管号，在正 常情况下1-4管全部选中，再点击“Next”按钮。
生产操作（ 生产操作（二）
3、在“Setup”界面选择“Boat”项，选择一个舟号，进行工艺信息编 辑。 4、选择确定后，进入“boat activation”界面，点选“Set boat active for handling”、 “Set boat to ‘Ready for processing’和‘Boat will be removed for unload’”复选框,再点击“Next”按钮。