模电第2讲1.2
模电1.2
六、温度对晶体管特性的影响
T (℃) I CEO uBE不变时iB ,即iB不变时uBE
七、主要参数
iC iE 1
• 直流参数: 、 、ICBO、 ICEO • 交流参数:β、α、fT(β=1,特征频率)
• 极限参数:ICM、PCM、U(BR)CEO
注意事项:
红表笔是(表内)负极 , 黑表笔是(表内)正极 在 R1k 挡进行测量 测量时手不要接触引脚
1k
1k
C
B
E B
C E
数字万用表
1. 可直接用电阻挡的PN结挡分别测量判断两个结 的好坏 2. 插入三极管挡(hFE),测量 值或判断管型及管脚
注意事项: 红表笔是(表内)正极 , 黑表笔是(表内)负极 NPN和PNP管分别按EBC排列插入不同的孔 需要准确测量 值时,应先进行校正 三、晶体三极管的选用 1. 根据电路工作要求选择高、低频管 2. 根据电路工作要求选择PCM、 ICM 、 U(BR)CEO 应保证: P > P ICM > ICm U(BR)CEO > VCC
大功率管 > 1 W 二、放大电路中晶体管的偏置要求
发射结正偏,集电结反偏
VCC VBB
三、NPN型三极管内部载流子的传输过程 IC I CN
1) 发射区向基区扩散多子电子 基区空穴向发射区扩散形成IEP 2) 电子到达基区后 大部分继续向集电结方向运动, 漂移通过集电结,形成ICN。少数 与空穴复合,形成 IBN 。 基区空穴来源: 基极电源提供( IB ) 集电区少子漂移 (ICBO)
IE = IC + IB
IC IB
≈
iC iB
共射交流电流 放大系数
模电模块二放大电路ppt课件
(5) 耦合电容C1、C2 。起“隔直通交”的作用,它把信号源与放大电路之间, 放大电路与负载之间的直流隔开,在图2.1所示电路中,使C1左边,C2右边只有 交流而无直流,中间部分为交直流共存。耦合电容一般多采用电解电容器。在使 用时,应注意它的极性与加在它两端的工作电压极性相一致,正极接高电位,负 极接低电位。
为使放大器能对输入信号进行不失真地放大,必须设置合适的静态工作点。
2.放大原理 由于三极管具有较强的电流放大作用,可使iB(IBQ+ib)控制iC( βiB =ICQ+ic)
作更大的变化。只要电路参数选择合适,输出电压uo比输入电压ui要大得多,从 而实现电压放大作用。
17
模块二 测量分析半导体三极管
放大电路的非线性失真问题
因工作点不合适或者信号太大使放大电路的工作范围超出了晶体管特性曲线上 的线性范围,从而引起非线性失真。
(1 )“Q”过低引起截止失真
iB
iB
iC
iC 交流负载线
ib
O
t
O O
t
Q uBE/V O uBE/V
ui
ic
tO O
t
Q点过低时,输出信号出现顶部失真称为截止失真。
不发生截止失真的条件:IBQ > Ibm 。
27
模块二 测量分析半导体三极管
【例】 共射电路中, =8 0,UBEQ=0.7V,求: (1)静态工作点; (2)画出微变等效电路; (3)计算Au、Ri、Ro。
+VCC
RB
C1
510 +
k
+
ui
RC 3k
12 V C2
+
V
+
模电课件-第二章-基本放大电路
iB
iC
IBQ
Q
ICQ
uBE UBEQ
Q
uCE UCEQ
二、放大电路的工作原理及波形分析
iB
iC
ib t
ic
Q
t
ib t
ube uBE
假设uBE有一微小的变化
t
uCE怎么变化
uCE
iC
ic t
uce t
uCE的变化沿一 条直线
uce=Ec-icRc
uCE uce相位如何
uce与ui反相!
各点波形
RB RC IC
2. UCE=EC–ICRC 。
EC IC
与输出 特性的
UCE
RC
交点就 是Q点
直流通道
直流 负载线
Q IB
UCE EC
二、交流负载线 ic
uce
uo
ui
RB
RC RL
交流通路
ic 1
uce
RL
其中: RL RL // RC
iC 和 uCE是全量,与交流量ic和uce有如下关系
设置Q点的原因
iC
+EC
t
RB
RC
C1 iB
iC C2
ui
ui
iB
uC uC
t
uo
uo
t
t
t
通过波形分析,可得如下结论:
1. ui uBE iB iC uCE |-uo|
2. uo与ui相位相反;
三极管的电流 放大作用
这就是基本共射放大电路的工作原理。
总结正常放大电路的特点:
交流(信号)设定直流量 交、直流叠加 放大,隔直 交流
I
U
模电教材(PDF)
1.正向特性2.反向特性3.反向击穿特性4.温度对特性的影响1.2.3 半导体二极管的主要参数1.最大整流电流IF2.最大反向工作电压URM3.反向饱和电流IR4.二极管的直流电阻R5.最高工作频率fM1.2.4 半导体二极管的命名及分类1.半导体二极管的命名方法第2章半导体三极管及其放大电路本章重点内容�晶体三极管的放大原理、输入特性曲线、输出特性曲线�基本放大电路的工作原理及放大电路的三种基本偏置方式�利用估算法求静态工作点�微变等效电路及其分析方法�三种基本放大电路的性能、特点2.1 半导体三极管2.1.1 三极管的结构及分类1.三极管的内部结构及其在电路中的符号N PP2.输出特性曲线(1)放大区(2) 饱和区(3) 截止区2.1.4 三极管正常工作时的主要特点1.三极管工作于放大状态的条件及特点2.三极管工作于饱和状态的条件及特点3.三极管工作于截止状态时的条件及特点*2.1.5 特殊晶体管简介1.光电三极管2.1.6 三极管的主要参数1.电流放大系数2.反向饱和电流ICBO3.穿透电流ICEO4.集电极最大允许电流ICM5.集电极、发射极间的击穿电压UCEO。
6.集电极最大耗散功率PCM2.1.7 三极管的检测与代换1.国产三极管的命名方法简介2.三极管三个电极(管脚)的估测(aωωωωω2.4.2 放大电路的图解分析法1.用图解法确定静态工作点的步骤:(1)在i c 、u ce 平面坐标上作出晶体管的输出特性曲线。
(2)根据直流通路列出放大电路直流输出回路的电压方程式:U CE = V CC -I C ·R C(3)根据电压方程式,在输出特性曲线所在坐标平面上作直流负载线。
因为两点可决定一条直线,所以分别取(I C =0,U CE =V CC )和(U CE =0,I C =E C /R c )两点,这两点也就是横轴和纵轴的截距,连接两点,便得到直流负载线。
(4)根据直流通路中的输入回路方程求出I BQ 。
模拟电路基础教程PPT完整全套教学课件全
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透彻掌握器 件特性
1
重视对电路 构成原理的
学习
2
理论与实践 的关系
3
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模拟电路基础教程PPT课件
1.1.4 一般电子系统的构成 1.电子系统的分类
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模拟电子 系统
数字电子 系统
模拟电路基础教程PPT课件
2.电子系统的构成
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1.1.5 模拟电子技术的发展
在式(1-1-1)中,K 为常数,使u(t)和T(t)之间形成如图1-1-1所示的相 似形关系。如果K 不能保持为常数,则称模拟信号发生了失真。失真问 题是模拟电路中始终需要引起注意和克服的重要问题。
模电第二章-2讲解
Ui
-
iB
IBQ
uBE uBE
iC
ICQ
t
(UCC)
RC
RB
+
iC
iB
uV C2 CE RL
+
UCC Uo
-
iC
ui 0
uBE
UBEQ
t0
0
iB 0
IBQt
0 iC
ICQ
0 uCE
UCEQ
0 uo
0
Q VCEQ
ib t -1/RL
uCE
t
uCE
t
t
t
t 8
ui 0
t 结论:
uBE
UBEQ
21
uCE UCE
uce Ucem
uCE(min)
uCE(max)
uCE UCE uce 瞬 时 值 t
Ucem 峰 值
Uce
Ucem 2
有效值
22
iB
iB
一、共射混合π iBma x
1.忽略寄生效应分析
IBQ
iBmin
Q IBQ
首先分析输入端的等效电路:
+
ic
ib
+
+
+ uce
RC RL Uo
u be
r be
rce uce
rbe (1 )re
-
g mu be
-
e (b)
1、rbe:反映ube对ib的控制作用
2、gm:反映ube对ic的控制作用
re
UT I EQ
gm
rbe
ICQ UT
3、rce:反映uce对ic的控制作用 4、rbc:反映uce对ib的控制作用
模拟电子技术课件第2 讲.ppt
2.3 基本线性运算放大器
2.3.1 同相放大电路
3. 负反馈的基本概念(具体内容在第七章讲) a.负反馈和正反馈
若引回的反馈信号与输入信号相位相同,则使净输
入信号加强,就称为正反馈。 if Rf
引入反馈前:
ii
vP idvN
+
-
vo
R1
ii = id 引入反馈后:
id= ii+ if
16
2.3 基本线性运算放大器
vo
vP
+
vo
vN
-
vi
Rf
9
2.2理想集成运算放大器
2.2.3 结论 3.集成运放工作在非线性区的必要条件: 开环或接成正反馈
vP
+
vN
-
vo
v0
+V0m
Rf
vI (vP-vN)
vP
+
vN
-
vo
-V0m
10
2.3 基本线性运算放大器
理想运放工作在线性区的两个特点 (1) “虚短”
→IdvN -
)vs
Avf
v o
vs
1 Rf R1
若Rf=0,R1=∞
v o
vs
12
2.3 基本线性运算放大器
2.3.1 同相放大电路
R' vP
1. 基本电路 2. 电压跟随器
vs
vN
vo
根特据点虚:断的概念得:iP iN 0
Rf
所3根12v)s))以v据输输vP,oR虚入出=f一Rv短电电1vs般Rs的阻阻1作v概大v小o N放念,,大得信带R电1:号负R路1A源载Rvv得ffP提能v输0供力vvv入so电强N级流1、很R输1RR小f1出;级平 R’和衡= 中R电1间阻// 级Rf。
模拟电子技术基础复习课件(高等教育出版社)第二章 二极管及基本电路
第二章第二章二极管及基本电路模拟电子技术基础第二章二极管及基本电路一、半导体的基本知识二、PN结的形成及特性三、二极管及伏安特性三、二极管的等效模型五、二极管基本电路及分析方法六、特殊二极管一、本征半导体1、半导体、本征半导体导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。
导体--铁、铝、铜等金属元素等低价元素,其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动,形成电流。
绝缘体--惰性气体、橡胶等,其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强,只有在外电场强到一定程度时才可能导电。
半导体--硅(Si)、锗(Ge),均为四价元素,它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。
本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。
无杂质稳定的结构2、本征半导体的结构共价键:两个原子外层电子的共有轨道由于热运动,具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子自由电子的产生使共价键中留下一个空位置,称为空穴2、本征半导体的结构自由电子与空穴相碰同时消失,称为复合。
温度一定时,自由电子与空穴对的浓度一定;温度升高,热运动加剧,挣脱共价键的电子增多,自由电子与空穴的浓度加大。
本征半导体中自由电子与空穴的浓度相同。
3、本征半导体中的两种载流子运载电荷的粒子称为载流子。
外加电场时,带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电,且运动方向相反。
由于载流子数目很少,导电性很差。
温度升高,热运动加剧,载流子浓度增大,导电性增强。
热力学温度0K时不导电。
载流子二、杂质半导体5 +杂质半导体主要靠多数载流子导电。
掺入杂质越多,多子浓度越高,导电性越强,实现导电性可控。
多数载流子1、N型半导体在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质,可使半导体的导电性发生显著变化。
掺入的杂质主要是三价或五价元素。
掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。
磷(P)N型半导体主要靠自由电子导电,掺入杂质越多,自由电子浓度越高,导电性越强,3 +多数载流子2、P型半导体硼(B)P型半导体中主要由空穴导电,掺入杂质越多,空穴浓度越高,导电性越强,杂质半导体中,温度变化时载流子的数目同时变化;少子与多子变化的数目相同,少子与多子浓度的变化不相同。
模拟电子学基础课件-第二章讲解
由于理想运算放大器Avo→∞,因此由vo=Avo(vP-vn),可得
vP
vn
vo ห้องสมุดไป่ตู้vo
0
同相放大电路的输出通过负反馈的作用,使vn自动地跟踪vp, 即vp≈vn,或vid=vp-vn≈0。这种现象称为虚假短路,简称虚短。
由于运放的输入电阻ri很大,所以,运放两输入端之间的 ip=in = (vp-vn) / ri ≈0,这种现象称为虚断。
分放大的输入为
v3
v4
(1
2R2 R1
)(v1
v2
)
最终的输出电压为
vo 电压增益为
R4 R3
(v3
v4 )
R4 R3
(1
2R2 R1
)(v1
v2 )
Av
v O
v1 v2
R4 R3
(1
2R2 R1
)
A3差分输 入接法组
成第二级 放大电路
2.4.3 求和电路
根据虚短、虚断和虚地可得:
Av
vo vi
1
图2.3.2 电压跟随器
虽然电压跟随器的电压增益等于1,但它的输入电阻Ri→∞,输 出电阻Ro→0,故它在电路中常作为阻抗变换器或缓冲器。
电压跟随器的作用
可见输出 电压很小
(a)无电压跟随器时
负载上得到的电压
vo
RL Rs RL
vs
1 100
1
vs
0.01vs
可见当负载
有电压跟随器时
变化时,对 输出电压几
模电课件第二章PPT课件
2 集电极最大允许电流ICM ICM一般指β下降到正常值的2/3时所对应的
集电极电流。当iC >ICM时,虽然管子不致于损坏, 但β值已经明显减小。
第27页/共71页
3 集电极最大允许耗散功率PCM ※ PCM 表示集电极上允许损耗功率的最大
1.三区(发射区、基区、集电区)二结(发射结、 集电结) 2.分类:PNP型、NPN型 3.双极型晶体管具有放大作用的结构条件: ①N+、P(发射区相对于基区重掺杂)②基 区薄③集电结的面积大 4.管子符号的箭头方向为发射结正偏的方向
第4页/共71页
2-1-1 放大状态下晶体管中载流子的传输过程
IC
ICQ
+
分析:
IBQ RB 270k UBB 6V
3k UCEQ
12V
-
RC 当UBB从0~0.7V之间时, 两个结都反偏,管子进入
UCC 截止区。IBQ=ICQ≈0。 UCEQ≈UCC。
(a) 电路
第38页/共71页
ICQ
IBQ RB 270k UBB 6V
+
3k UCEQ
12V
RC UCC
-
(a) 电路
四、晶体管的极限参数
1 击穿电压 U(BR)CBO指发射极开路时,集电极—基极间的
反向击穿电压。 U(BR)CEO指基极开路时,集电极—发射极间的
反向击穿电压。 U(BR)CEO < U(BR)CBO。
第26页/共71页
U(BR)EBO指集电极开路时,发射极—基极间的 反向击穿电压。普通晶体管该电压值比较小,只 有几伏。
《模电李震梅第二章》PPT课件
常用的三极管的结构有硅平面管和锗合金管两种类型。
二氧化硅 e
b
b
N
N
P
ePP
c
N
c
(a)平面型(NPN)
(b)合金型(PNP)
NPN 型三极管结构示意图和符号
集电极 c
集电区
c
N
集电结
基极 b
P
基区
b
发射结
N
(4)考虑三极管的安全工作条件,管子用作放大器件时必 须工作在安全区,注意PCM、ICM、U(BR)CEO的值。
4. 三极管的检测
以半圆塑封s9014,s9013,s9015,s9012,s9018 系列的晶体小功率三极管为例,说明管脚的判别。
(1)把显示文字平面朝自己,三极管的三个管脚朝下, 从左向右依次为发射极e 、基极b 、集电极c ,如图所示。
2. 根据三极管各极电位,判断三极管的类型 判断依据为:对NPN型管有: UC>UB>UE
对PNP型管有: UC<UB<UE 对于硅管 ︱UBE︱=0.6~0.8V 对于锗管 ︱UBE︱=0.1~0.3V
判断步骤为:1)先找电位差为0.2V或0.7V左右的电压, 它们必为b极和e极,并可判断出硅管或锗管;
两个结都处于反向偏置。
(3) 饱和区
IC / mA
4
饱饱饱3 和和和 区区区2
1 05
条件:两个结均正偏
100 µA
80µA
特点:iC 基本上不随 iB 而变化,在饱和区三极管失
60 µA 40 µA
去放大作用。 i C iB。
模拟电路课件2
(4)、输出电阻
b
c
i iRe (1 β )ib
ib rbe
e
β ib i
RS
Rb
+
+
u Re
(1 β )ib
Re
u -
Ro
ib
Rs
u rbe
Rs RS // Rb
Ro
u i
u u + βu Rs rbe Rs rbe
u Re
Re
∥
Rs 1
rbe β
uo ui
(1 β )( Re // RL ) rbe (1 β )( Re // RL )
1
(3)输入电阻
ii
ib b
c ic
RS
+
uS -
+
ui
-
rbe
β ib
e
Rb
+
+
Re
RL
uo -
Ri Ri
Ri=uibi rbe (1 β )( Re // RL ) Ri Ri // Rb [rbe (1 β)(Re // RL )] // Rb
RL
uo -
Ri Ri
+VCC
T C2
+
Re
RL uo
-
(2)电压放大倍数:
ii
ib b
c ic
RS
+
uS -
+
u i
-
rbe
β ib
e
Rb
+
+
Re
RL
u o
模电课件1.2-2
Rmin < R Rmax
限流电阻R的选取
由上述稳压原理可知,稳压管稳压电路的 稳压功能是靠稳压管稳压特性和限流电阻R的 相互配合来实现的。因此,在实际应用中,当 V I 和 RL 变化时,必须合理地选取限流电阻R才 能保证稳压管工作在( I z min ~ I z max )范围 内。 限流电阻R的取值范围 :
半导体二极管的型号
国家标准对半导体器件型号的命名举例如下,
(欧洲,美国,日本的命名方法各有不同,详见晶体管手册)
1.2.2. 二极管的伏安特性
二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。
i f (u )
i IS (e
u UT
1)
(常温下 U T 26m ) V
材料
硅Si 锗Ge
击穿 电压
稳压二极管
. 稳压二极管主要参数 (1) 稳定电压VZ 在规定的稳压管反向 工作电流IZ下,所对应的 反向工作电压。 (2) 动态电阻rZ rZ =VZ /IZ (3)最大耗散功率 PZM
(4)最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流 IZmin
(5)稳定电压温度系数——VZ
稳压管电路
U
(很重要)
例1:电路如图,v(t)=2sin2π×104t(mV) C=200μF ,估算Si二极管电流中的交流成分 id(t) 。(T=300K)
例1:电路如图,v(t)=2sin2π×104t(mV) C=200μF ,估算Si二极管电流中的交流成分 id(t) 。(T=300K)
解1)v(t)=0V 时,画出直流通 路(反映直流电流与电压之间 关系的电路,即直流电流流 通的电路(b)图。 求静态工作点: ID =( E-VON )/R=(3-0.7)/300 =7.67mA
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uO=uI = 6sinwt V
2、二极管限幅电路
二极管限幅电路如图所示。若ui = 5sin(V),试画出uo 的波形(设D为理想二极管)。
ui(V) 5
t 0 -2 -5 uo(V)
t 0 -2 -5
3、二极管开关电路
求uI1和uI2不同值组合时的u0值(二极管为理想模型)。
4.7K uI1
iD
us
uD
us
ud
uO uD
uO UO uo 4.3 0.0994 sinwt (V )
uO/V
直流通路、交流通路、静态、动态等概念, 在放大电路的分析中非常重要。
特别注意:
小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。
采用二极管小信号模型进行电路分析的步骤: 利用恒压降模型,画出直流通路,确定
增大1倍/10℃
§1.2.3 二极管的等效电路
1. 由伏安特性折线化得到的等效电路
(1)理想模型
uD
理想开关 导通时 UD=0 截止时IS=0
(b)代表符号
uD (a)U-I 特性
适用场合:电源电压远远大于二极管导通压降。 特点:误差最大。
§1.2.3 二极管的等效电路
1. 由伏安特性折线化得到的等效电路 (2)恒压降模型
静态工作点Q; 利用Q点,计算二极管的微变等效电阻rd。 画出小信号模型的交流通路,求解交流输出。 将动态值与静态值叠加,得到完整的输出结果。
符号规定
UA 大写字母、大写下标,表示直流量。 ua 小写字母、小写下标,表示交流分量。 uA 小写字母、大写下标,表示全量。
Ua 大写字母,小写下标,表示有效值
二极管按结构分
点接触型 面接触型
PN 结面故最积结高可允工大许作可的频小电率,流高小大。的,工作 频率用高于最,检高大波工的和作结变频允频率许等的低高电,频流用电大路, 用于于高工频频整流大和电开流关整电流路电中路。
平面型
§1.2.2 二极管的伏安特性
二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。
u
i IS (eUT 1) (常 温 下UT 26mV)
的图表必须用直尺要画在作业上,需在图 上标注的要标清楚; • 做题步骤要完整; • 每周交一次作业,同一周内的作业要写在 一起上交;
注:发现作业有抄袭现象,一次平时 成绩扣2分。
uD
Uon (b)电路模型
Uon uD (a)U-I 特性
适用场合:二极管中的正向电流较大且变化范围小。
特点:误差较小,应用最普遍。
§1.2.3 二极管的等效电路
1. 由伏安特性折线化得到的等效电路 (3)折线模型
uD
Uon
(b)电路模型
Uon
uD
适用场合:信号变化范围较大的场合。 (a)U-I 特性
§1.2.1 半导体二极管的几种常见结构
将PN结封装,引出两个电极,就构成了二极管。
小功率 二极管
大功率 二极管
稳压 二极管
发光 二极管
§1.2.1 半导体二极管的几种常见结构
PN结面积小,结电容小,
• 晶体二极管的结构类型 往往P用N故于结结集面允成积许电大的路,电制结流造电小工容,艺大中,。
恒压模型 UD 0.7 V (硅二极管典型值)
ID (VDD UD ) / R 0.03 mA
折线模型 Uon 0.5 V (硅二极管典型值)
ID
VDD Uon R rD
0.049 mA
设 rD 0.2 k
UD Uon IDrD 0.51 V
模型分析法应用举例 小信号工作情况分析
时,绘出相应的输出电压uO的波形。
uI UREF
uO
uI
UD
uO
UREF
2、二极管限幅电路
Hale Waihona Puke R = 1kΩ,UREF = 3V,硅二极管。
恒压降模型求解,uI = 6sinwt V,
绘出uO的波形。
uI
UD UREF
uO
uI≥UREF+UD时: uO/V
uI
uO=UREF+UD=3.7V
uI<UREF+UD时:
uI2 D1
VCC 5V
uO
解:
uI1 uI2
二极管工作状态
D1
D2
u0
0V 0V
导通 导通 0V
0V 5V
导通 截止 0V
5V 0V 5V 5V
截止 导通 0V 截止 截止 5V
D2
利用二极管的单向导电性可作为电子开关
4、二极管电平选择电路
设D1、D2为理想二极管。① 若E2<E<E1。判别D1、 D2状态,uo ?② 若E1、E2均小于E,但 E1>E2。判别D1、D2状态,uo ?
例2:电路如右图,求输出电压uO。
其中VDD = 5V,R = 5k,
恒压降模型的UD=0.7V,us = 0.1sinwt V。
iD
us
uD
uO
UD UO
§1.2.3 二极管的等效电路 2. 微变等效电路
当二极管在静态基础上有一动态信号作用时,则可将二极管 等效为一个电阻,称为动态电阻,也就是微变等效电路。
3. 反向电流IR IR=IS其值越小,单向导电性越好,IR与温度有关。
4. 最高工作频率fM 当工作频率超过fM时,二极管的单向导电性能变坏。
§1.2.5 稳压二极管
稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。
1. 伏安特性
-UZ
-UZO
ΔiZ
-IZmin
uO/ V
uUZ Z
iZ UZO rz
ΔuZ
-IZmax
模拟电子技术基础
1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管 1.5 单结晶体管和晶闸管 1.6 集成电路中的元件
§1.2 半导体二极管
§1.2.1 半导体二极管的几种常见结构 §1.2.2 二极管的伏安特性 §1.2.3 二极管的等效电路 §1.2.4 二极管的主要参数 §1.2.5 稳压二极管 §1.2.6 其它类型二极管 §1.2.7 二极管的应用
i/mA
IQ Δi
Q Q越高, rd越小。
Δu
ui=0时直流电源作用
根据电流方程,rd
uD iD
UT IQ
0
UQ
静态电流
u/V
小信号作用
模型分析法应用举例 小信号工作情况分析
例2:电路如右图,求输出电压uO。
其中VDD = 5V,R = 5k,
恒压降模型的UD=0.7V,us = 0.1sinwt V。
特点:误差更小。
模型分析法应用举例 静态工作情况分析
例1:当VDD=10V 时,(R=10k)
求uD和iD。
uD
理想模型
恒压降模型
uD Uon
Uon uD
折
线
uD
模 型
模型分析法应用举例 静态工作情况分析
例1:当VDD=1V 时,(R=10k)
理想模型 UD 0 V
ID VDD / R 0.1 mA
uA
全量
ua
交流分量
UA直流分量
t
§1.2.4 二极管的主要参数
1. 最大整流电流IF (平均值) 指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。 使用时其正向平均电流 I 应小于IF。
2. 最大反向工作电压UR (瞬时值) 指二极管使用时所允许加的最大反向工作电压,通常取 U(BR)/2作为UR。使用时反向电压应小于此值。
由上述分析可以得出结论,当E1不等于E2,E1、E2均小于E 时,uo总是等于E1和E2中的较小者。故称为二极管低电平 选择电路。
小结
重点:二极管应用及其等效电路分析方法
建立非线性器件的电路模型是分析非线性电路 的首要环节。
器件的工作状态、动态范围是选择电路模型的 主要依据。
电子器件、电子电路的模型分析是电子学的基 本内容和分析思路。
远红外接收管 利用PN结光敏特性
只有在加正向电压时才发光
开启电压比普通二极管大 优点:驱动电压低,功耗小
寿命长,可靠性高
在反压下受到光照产生光电流 光电流大小与光照强度有关
应用:遥控、报警等
§1.2.7 二极管的应用 1、二极管整流电路
把交流电变为脉动直流电的过程,称为整流。 ⑴采用二极管理想模型
稳压原理
IZ Ui
1. 输入电压变化时:
稳压二极管在工作时应反 接,并串入一只电阻。
电阻起限流作用,保护稳 压管;其次是当输入电压或负 载电流变化时,通过该电阻上 电压降的变化,取出误差信号 以调节稳压管的工作电流,从 而起到稳压作用。
Ui↑ (假设)Uo↑ IZ↑ IR↑ UR↑ Uo ↓
2. 当负载变化时:
RL↓
若IL不变 UO↓
IZ↓ IR↓
UR↓ UO ↑
例:
§1.2.5 稳压二极管
电路如右图所示:
UZ=6V,IZmin=5mA, IZmax=25mA, RL=600Ω, 求R的取值范围。
§1.2.6 其它类型二极管
发光二极管
光电二极管
• 定义:将电能转换成光能
属电致发光
• 定义:将光能转换成电能
分析思路:分别观察每个二极管单独存在时,二极 管两端的开路电压,可以判别该二极管导通或截止。
① D1两端开路电压EE1<0,故D1截止;D2两端开 路电压EE2>0,故D2导通。因此uo E2。 ② 单独考虑D1:D1两端开路电压EE1>0,D1导通。 因此uo E1。单独考虑D2:D2两端开路电压 EE2>0,D2导通。因此uo E2。
§1.2.5 稳压二极管
2. 稳压二极管主要参数