芯片制程以Intel芯片为例
CPU的认识
移动版CPU介绍1、INTEL NEHALEM微架构（一代I3 I5）Nehalem微架构的CPU即俗称的I3 I5一代CPU，共分为三种不同的核心。
匹配5系列芯片组（HM55 HM57等）Auburndale Auburndale仍为45nm制程，处理器包含CPU、GPU两个芯片。
CPU属双核四线程，最大TDP为45W。
Arrandale Arrandale部分采用32nm制程，而Auburndale仍为45nm制程。
Arrandaled 最大特点就是处理器整合了图形核心，处理器包含CPU、GPU两个芯片。
CPU均为双核四线程，最大TDP 35W。
Clarksfield此核心中均为I7 CPU，且不集成显卡，CPU支持外接PCI-E独显。
45nm制程，四核八线程。
下图为Auburndale Cpu内部结构图I3 I5二代CPUSandy Bridge socket 988 采用32nm技术匹配的为6系列芯片组（HM65 HM67等）CPU与GPU真正融合在NEHALEM微架构中，处理器核心与PCIE控制器、内存控制器、GPU图形核心之间是通过QPI总线连接的，而在SANDY BRIDGE中，CPU核心与GPU核心完全融合，INTEL也放弃了使用已久的QPI总线，而使用了服务器处理器常用的环形总线（RING BUS）。
系统助理（SYSTEM AGENT）在SANDY BRIDGE中,系统助理（SYSTEM AGENT）被设计成了一个独立的部分，这部分从功能上来说相当于传统的北桥芯片，系统助手通过接入点与环形总线连接，以固定电压和频率运行，包括了以下几部分：PCI-E控制器，支持单条PCI-E X16或者两条PCI-E X8插槽；重新设计的双通道DDR3内存控制器；DMI总线接口；显示输出控制单元；电源控制单元。
系统助理最重要的部分之一是电源控制单元PCU。
PCU做为微控制器，它负责芯片级电源和热管理，包括Turbo Boost2,对图形的核心和缓存进行动态调节，采用了更先进的模型芯片。
Inter 芯片制造原理
。
生产的第一阶段
单晶硅锭：整体基本呈圆柱形，重约100千克，硅纯度99.9999％。
生产的第一阶段
生产第一阶段的三个步骤
生产第二阶段
硅锭切割：横向切割成圆形的单个硅片，也就是我们常说的晶圆(Wafer)。顺便说，这下知道 为什么晶圆都是圆形的了吧？
生产第二阶段
晶圆：切割出的晶圆经过抛光后变得几乎完美无瑕，表面甚至可以当镜子。事实上，中芯国 际自己并不生产这种晶圆，而是从第三方半导体企业那里直接购买成品，然后利用自己的生 产线进一步加工，比如现在主流的45nm HKMG(高K金属栅极)。值得一提的是，中芯国际创 立之初使用的晶圆尺寸只有6英寸/150毫米。
生产第二阶段
生产第二阶段的两个步骤
生产第三阶段
光刻胶(Photo Resist)：图中蓝色部分就是在晶圆旋转过程中浇上去的光刻胶液体，类似制 作传统胶片的那种。晶圆旋转可以让光刻胶铺的非常薄、非常平。
生产第三阶段
光刻：光刻胶层随后透过掩模(Mask)被曝光在紫外线(UV)之下，变得可溶，期间发生的化学 反应类似按下机械相机快门那一刻胶片的变化。掩模上印着预先设计好的电路图案，紫外线 透过它照在光刻胶层上，就会形成微处理器的每一层电路图案。一般来说，在晶圆上得到的 电路图案是掩模上图案的四分之一。
Inter 芯片制造原理
Ivan Mu 2009年9月2日
题记
可以说，中央处理器(CPU)是现代社会飞速运转的动力源泉，在任何电子设备上都可以找 到微芯片的身影，不过也有人不屑一顾，认为处理器这东西没什么技术含量，不过是一堆 沙子的聚合而已。是么？我搜集了Intel公布了的图文资料，详细展示了从沙子到芯片的全 过程，简单与否一看便知。 简单地说，处理器的制造过程可以大致分为沙子原料(石英)、硅锭、晶圆、光刻(平版印刷)、 蚀刻、离子注入、金属沉积、金属层、互连、晶圆测试与切割、核心封装、等级测试、包 装上市等诸多步骤，而且每一步里边又包含更多细致的过程。
INTEL P35芯片介绍
INTEL P35芯片介绍2007年05月26日星期六下午 08:23INTEL P35芯片介绍随着AMD的K10已经逐渐的明朗化，Intel的现有优势也受到了威胁。
所以这次Intel又利用了自己的老大地位，创新的发布了支持DDR3的3系列主板。
而这次发布的面对中端的P35系列芯片组是为了取代现在市场上风头正劲的P965。
那么P35相对P965有什么优势呢？下面就让我们来揭开P35神秘的技术面纱。
P35作为开启新时代大门的弓箭手当然要具备支持1333MHz的能力，45nm制程，新一代南桥芯片以及DDR3的能力，而P35正是集这些强力功能于一身的超强主板芯片组。
P35采用新一代的Bearlake北桥除了支持1333FSB前端总线这个大的进步之外还加入了省电的设计，使得最高平均功耗降低为18瓦。
而且PCI-E通道的数量达到了54条，其中有32条PCI-E2.0接口可以组成全速的SLI或者Cross Fire，使得多显卡技术可以得到更淋漓尽致的发挥。
并且加入了创新的Matri Storage技术，使得数据读取的安全性和速度得到大幅提升。
支持与前端总线同频率的1333MHz DDR3内存，配合全新的Turbo Memory技术有效降低内存延迟。
Intel的第九代I/O Controller Hubs带有四个版本，分别为ICH9, ICH9R, ICH9DH和ICH9DO。
ICH9标准版支持6个SATA接口，带有6条PCIEx1通道，Azalia HD audio芯片，不支持PATA设备；ICH9R加入了RAID 的支持，ICH9DO、ICH9DH则是支持vPro的digital office和digital home 版本，带有vPro省电特性。
全系列ICH9上都支持PCI Express 2.0接口，USB2.0接口的数量也增加到了12个。
ICH9南桥的硬盘性能得到了强化，除加入全新的Intel Rapid Recover Technology数据保护技术外，还将正式支持Command Based Port Multipliers技术。
英特尔芯片技术创新案例
英特尔芯片技术创新案例近年来，随着信息技术的迅速发展，芯片技术作为信息时代的核心基础，在实现计算机性能突破、简化设备体积、提高能效等方面发挥着重要作用。
作为全球领先的芯片制造商之一，英特尔公司一直致力于技术创新，推动芯片技术的不断进步。
本文将以英特尔芯片技术创新案例为例，介绍英特尔公司在芯片领域的技术突破与创新。
1. 英特尔酷睿处理器——高性能与低功耗的完美结合英特尔酷睿处理器是英特尔公司在芯片技术创新方面的代表作之一。
该处理器在高性能计算的同时，极大地降低了功耗，提高了电脑系统的能效。
首先，英特尔酷睿处理器采用了先进的多核心技术，有效提升了单个处理器的计算能力。
通过多个核心的同时工作，酷睿处理器能够更有效地处理大量的任务，使计算机在运行多个程序的同时保持较高的性能表现。
其次，英特尔酷睿处理器采用了先进的动态频率调整技术，根据不同的工作负载自动调节处理器的频率和电压。
这种技术使得处理器能够根据实际需要进行灵活的动态调整，实现功耗与性能的平衡，从而延长电池续航时间，降低设备发热问题，提升了电脑系统的可靠性和稳定性。
2. 英特尔快速存储技术——加速数据访问的利器在大数据时代，数据的高速处理和存储对计算机系统来说，显得尤为重要。
针对这一需求，英特尔公司开发了英特尔快速存储技术，为计算机存储业务带来了突破性的创新。
英特尔快速存储技术首先采用了高速闪存作为存储介质，其读写速度远远超过传统的硬盘驱动器。
通过优化数据的存取方式和存储结构，英特尔快速存储技术能够将数据读写速度提升到一个全新的水平，加快了计算机系统对数据的处理速度。
此外，英特尔快速存储技术还采用了先进的数据压缩算法，可以将数据压缩率提升至原始数据容量的一半左右，从而节省了存储空间，降低了存储成本。
3. 英特尔集成显卡技术——打破独立显卡的壁垒在过去，独立显卡一直是提供图形处理能力的主要解决方案。
然而，英特尔公司通过集成显卡技术的创新，成功打破了独立显卡的壁垒，使得集成显卡在提供图形处理能力方面逐渐得到了重视。
intel手机芯片
intel手机芯片Intel是全球知名的半导体技术公司，其芯片在电脑、服务器和移动设备等领域广泛应用。
而关于Intel手机芯片可以从其背景、发展历程和特点等方面进行介绍，下文将以1000字为范围，详细阐述Intel手机芯片。
一、背景介绍（200字）作为全球最大的集成电路制造商之一，Intel长期以来一直致力于研发高性能、高可靠性的半导体产品。
由于其在电脑和服务器领域的技术优势，Intel在手机芯片市场的竞争一度较为弱势。
然而，随着智能手机的快速普及，Intel意识到移动市场的巨大潜力，于是决心加大对手机芯片的研发和投入。
二、发展历程（300字）Intel的手机芯片发展历程经历了几个重要阶段。
最初，Intel试图将其在电脑领域的x86体系架构引入手机芯片市场，但由于x86架构在功耗和性能方面的不足，导致其面临着和ARM 架构竞争的挑战。
之后，Intel推出了Atom系列芯片，这一系列芯片针对低功耗、高效能和多媒体处理做出了专门优化。
Atom芯片在2012年进入了手机市场，但由于技术和市场等多方面原因，其市场份额始终不大。
自2014年起，Intel开始转向14纳米制程技术，并推出了首款采用此技术的手机芯片-Atom x3系列。
这一系列芯片在低端和中端市场取得了一定的成功。
之后，Intel不断推出新的手机芯片，如Atom x5、Atom x7等，不断提升产品性能和功耗比。
此外，Intel还与一些知名手机厂商合作，如华为和联想，共同开发基于Atom芯片的手机产品，进一步推动了其市场份额的增长。
三、特点（500字）Intel手机芯片具有以下特点：1. 高性能和多核心处理：Intel手机芯片采用了强大的多核技术，能够同时处理多个任务，提供更加流畅的用户体验。
其高性能和低功耗的设计使得手机在运行大型应用和游戏时表现出色。
2. 先进的制程技术：Intel不断在手机芯片的制程技术上进行创新，如14纳米、10纳米等，在实现更小尺寸、更低功耗的同时，提高了芯片的性能和效能。
b360芯片组
b360芯片组B360芯片组是Intel推出的一种主板芯片组，它主要针对中低端的市场定位。
在这1000字的文章中，我将从B360芯片组的特点、性能以及适用范围等方面进行介绍。
首先，B360芯片组采用了22纳米的制程工艺，并且支持第八代酷睿处理器。
相较于之前的B250芯片组，B360芯片组在性能上有了显著的提升。
它采用了双通道内存，最高支持DDR4-2666的内存频率，最大支持64GB的内存容量。
同时，它还支持英特尔Rapid Storage Technology（IRST）和英特尔高清音频。
其次，B360芯片组在扩展性方面也有很大的改进。
它提供了6个SATA 6Gb/s接口和一个M.2插槽，满足用户对存储设备的需求。
此外，B360芯片组还提供了12个USB接口（包括4个USB 3.1 Gen 2和8个USB 2.0），以及6个PCI Express x1插槽和1个PCI Express x16插槽，方便用户扩展其他的硬件设备。
B360芯片组还采用了英特尔的电源管理技术，提供了出色的节能性能。
它支持英特尔Dynamic Power Delivery和英特尔Precision Power，可以根据系统的使用情况自动调整功率，提供最佳的能效。
适用范围方面，B360芯片组适合于一般办公和娱乐使用的电脑。
它的性能可以满足大多数用户的需求，例如日常办公、网页浏览、高清视频播放等。
另外，由于B360芯片组支持英特尔的Turbo Boost Technology 2.0和英特尔Quick Sync Video，所以它也可以处理一些轻度的媒体创作工作。
总的来说，B360芯片组是一款性能稳定、功能丰富的主板芯片组。
它具备很多先进的技术，并且价格相对较为亲民，非常适合中低端市场的用户。
无论你是普通办公用户，还是轻度媒体创作者，都可以选择B360芯片组来搭建你的电脑。
intel最新芯片组
intel最新芯片组Intel最新芯片组是指Intel发布的最新的一系列处理器芯片组。
Intel作为全球最大的半导体芯片制造商之一，不断推出新的芯片组，以不断提升计算机的性能和功能。
最新的Intel芯片组包括第11代酷睿处理器（Codename Tiger Lake），以及第12代酷睿处理器（Codename Alder Lake）。
这两个芯片组采用了Intel的超级FinFET工艺，提供更高的性能和更低的功耗。
第11代酷睿处理器是基于Willow Cove架构，采用了10nm的制程工艺。
它具备了更高的核心频率和更强大的集成显卡性能，适用于高性能笔记本电脑和台式机。
第12代酷睿处理器是基于Golden Cove架构，采用了10nm和7nm的混合制程工艺。
它采用了big.LITTLE架构，结合高效能和高能效核心，提供更好的性能和功耗平衡。
此外，第12代酷睿处理器还引入了新的单线程性能标准，以提升游戏和创作等应用的体验。
除了提升计算性能，最新的Intel芯片组还加强了安全性和人工智能性能。
它们支持硬件加密、虚拟化技术和深度学习加速，以提升数据的安全性和处理速度。
另外，最新的Intel芯片组还支持PCIe 4.0技术，提供更高的数据传输速度。
它们还具备Thunderbolt 4和Wi-Fi 6E等最新的外部接口技术，提供更稳定和快速的数据传输。
总体来说，最新的Intel芯片组在性能、功耗、安全性和功能方面都有很大的提升。
它们能够为用户提供更流畅的计算体验，以应对日益复杂和多样化的应用需求。
Intel作为全球领先的芯片制造商，不断推出新的芯片组来满足市场需求。
未来，我们可以期待更多创新的芯片组的发布，以提升计算机的性能和功能，为用户带来更好的体验。
半导体数字化转型成功案例
半导体数字化转型是指半导体行业利用数字技术和信息化手段来改进制造、设计、测试和供应链等方面的业务流程，以提高效率、降低成本、增强创新能力和产品质量。
以下是一些半导体数字化转型的成功案例：英特尔（Intel）：英特尔是一家全球领先的半导体制造商，他们在数字化转型方面有着广泛的经验。
英特尔通过引入物联网（IoT）技术来改进制造过程的监控和优化，以及通过数据分析提高供应链的可见性。
他们还积极采用先进的制造技术，如3D NAND闪存和FinFET工艺，以提高芯片性能和能效。
台积电（TSMC）：台积电是全球最大的半导体代工厂之一，他们通过数字化转型来提高生产效率和降低生产成本。
他们采用先进的制造自动化系统，以实现智能制造，并通过大数据分析来优化生产过程和资源分配。
三星电子（Samsung Electronics）：三星电子是韩国的一家全球领先的半导体和电子设备制造商。
他们通过数字化转型来提高研发效率，采用了虚拟设计和仿真技术，以缩短新产品的开发周期。
此外，他们也积极推动智能工厂的建设，以提高生产效率。
意法半导体（STMicroelectronics）：意法半导体是一家总部位于瑞士的半导体制造商，他们采用数字化技术来改进产品设计和测试。
他们利用仿真和建模工具，以及大数据分析来优化设计流程，降低产品开发时间和成本。
高通（Qualcomm）：高通是一家知名的移动通信技术公司，他们通过数字化转型来加速5G 技术的研发和部署。
高通采用虚拟化技术来加速5G芯片的设计和测试，以满足快速发展的移动通信市场需求。
这些公司的成功案例表明，数字化转型在半导体行业中具有巨大的潜力，可以帮助企业提高竞争力、创新能力和生产效率。
通过采用先进的数字技术和数据驱动的方法，半导体制造商可以更好地适应不断变化的市场需求，并在日益竞争激烈的行业中取得成功。
Intel2025年制程路线图：4nm、3nm、20A和18A？！
Intel2025年制程路线图：4nm、3nm、20A和18A？！在英特尔Accelerated 活动中，英特尔表⽰正在考虑到 2025 年的⽬标。
⾸席执⾏官 Pat Gelsinger在今年早些时候表⽰，英特尔将在 2025 年重返产品领导地位，但⼀直没有解释如何实现。
直到今天，英特尔披露了其到 2025 年的未来五代⼯艺节点技术的路线图。
英特尔相信它可以采取积极的战略来匹配并超越其代⼯竞争对⼿，同时开发新的封装服务为外部客户开展代⼯业务。
最重要的是，英特尔重命名了其⼯艺节点。
以下是英特尔今天的披露的路线图。
技术⽤于⽣产和进⼊零售之间是有区别的；英特尔将某些技术称为“准备就绪”，⽽其他技术则称为“加速”，因此这个时间表只是提到的那些⽇期。
正如您想象的那样，每个⼯艺节点都可能存在数年，此图只是展⽰了英特尔在给定时间的领先技术。
英特尔定义了⼀个强⼤的未来：台积电是否⾯临风险？今年早些时候，⾸席执⾏官 Pat Gelsinger 宣布了英特尔的新 IDM 2.0 战略，包括三个要素：1.建⽴ (7nm)2.扩张（台积电）3. 产业化（英特尔代⼯服务）这⾥的⽬标是继续致⼒于英特尔的⼯艺节点技术开发，超越⽬前⽣产中的当前 10nm 设计，但同时使⽤合作伙伴（或竞争对⼿）的其他代⼯服务来重新获得/保持英特尔在其处理器中的地位的公司收⼊。
第三个要素是 IFS，即英特尔的代⼯服务，英特尔正在⼤⼒承诺向外部半导体业务开放其制造设施。
⽀撑建⽴和产业化⽬标的是英特尔如何执⾏⾃⼰的⼯艺节点开发。
虽然在英特尔最近的 2021 年第三季度财报电话会议中，⾸席执⾏官 Gelsinger 证实，英特尔现在每天⽣产的 10nm 晶圆⽐ 14nm 晶圆多，这标志着两种设计之间的信⼼发⽣转变，但英特尔难以从 14nm ⼯艺过渡到其 10nm ⼯艺已不是什么秘密。
今年 6 ⽉ 29 ⽇，英特尔还表⽰，其下⼀代 10nm 产品需要额外的验证时间，以简化 2022 年在企业系统上的部署。
集成电路行业案例
集成电路行业案例集成电路（Integrated Circuit，简称IC）是现代电子技术的重要组成部分，广泛应用于计算机、通信、医疗、汽车等各个领域。
在集成电路行业中，有许多成功的案例，下面将介绍几个代表性的案例，以展示集成电路行业的发展和创新。
案例一：英特尔（Intel）的处理器技术英特尔是全球领先的集成电路生产商之一，以其卓越的处理器技术而闻名。
英特尔的处理器被广泛应用于个人电脑、服务器、工业控制等领域。
英特尔不断创新，推出了多代处理器产品，从单核到多核，再到如今的人工智能处理器，不断提升了计算能力和性能效率。
英特尔的成功在于其持续投入研发，并与全球各大合作伙伴合作，推动了集成电路行业的进步和发展。
案例二：三星电子（Samsung Electronics）的存储芯片技术三星电子是全球最大的半导体生产商之一，其存储芯片技术在行业内领先。
三星电子的闪存存储芯片被广泛应用于智能手机、平板电脑、固态硬盘等设备中。
三星电子的存储芯片具有高速读写、大容量、低功耗等优势，满足了消费者对存储设备的需求。
三星电子通过持续的研发和创新，不断提升存储芯片的性能和稳定性，为用户提供更好的使用体验。
案例三：华为（Huawei）的5G芯片技术随着5G技术的发展，华为成为了全球领先的5G设备和解决方案提供商。
华为不仅在5G通信设备上取得了突破，还在5G芯片领域有着重要的突破。
华为的5G芯片具有高速传输、低延迟和低功耗的特点，为5G网络的建设和应用提供了重要的支持。
华为的5G芯片技术在全球范围内被广泛应用，推动了5G的发展和普及。
案例四：台积电（TSMC）的制造工艺技术台积电是全球领先的半导体制造企业之一，其制造工艺技术在行业内具有重要地位。
台积电采用先进的制造工艺，如7纳米、5纳米工艺，实现了集成电路芯片的微缩和性能提升。
台积电的制造工艺技术被许多全球知名的芯片设计公司选择，合作伙伴包括英特尔、苹果、高通等。
台积电的成功在于其持续的技术创新和高效的制造能力，为客户提供高质量的芯片产品。
INTER迅驰CPU全面解析
3、迅驰三代（Napa）
Core Duo 处理器（Yonah核心, 65nm制程, 2M二级缓存, 667FSB） + 945芯片组（Intel 945GM/945PM） + 802.11a/b/g无线网卡（Intel Pro/Wireless 3945ABG）
注：由于市场需要，目前市场上中高端迅驰三代平台普遍搭配了Core 2 Duo 处理器（Merom核心, 为迅驰四代平台准备的处理器）。
2、迅驰二代（Sonoma）
Pentium M 处理器（Dothan核心, 90nm制程, 2M二级缓存, 533FSB）+ 915芯片组（Intel 915GM/915PM）+ 802.11b/g无线网卡（Intel Pro/Wireless 2200GB/2915ABG）
注：Intel Pro/Wireless 2915ABG支持 802.11a/b/g 协议。
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4、迅驰四代（SantaRosa）
Core 2 Duo 处理器（Merom核心, 65nm制程, 2M/4M二级缓存, 667FSB）+ 965芯片组 （Intel 965GM/965PM）+ 802.11n 无线网卡
注：
（1）、Core 2 Duo T5200 是 533FSB ；
下面我们逐一认识一下多年来在市场上征战厮杀的几代迅驰产品，包括了迅驰一代、迅驰二代、迅驰三代和迅驰
Pentium M 处理器（Banis核心, 130nm制程, 1M二级缓存, 400FSB） + 855芯片组（Intel 855GM/855PM） + 802.11b无线网卡（Intel Pro/Wireless 2100）
从10μm-45nm 英特尔CPU制程发展史
首先我们来了解一下摩尔定律，是由Intel的创始人戈登摩尔(Gordon Moore)通过长期的对比，研究后发现：CPU中的部件(我们现在所说的晶体管)在不断增加，其价格也在不断下降。“随着单位成本的降低以及单个集成电 路集成的晶体管数量的增加;到1975年，从经济学来分析，单个集成电路应该集成65000个晶体管。”Intel此后几年的发展都被摩尔提前算在了纸 上，使人们大为惊奇，“摩尔定律”也名声大振。为了让人们更直观地了解摩尔定律，摩尔及其同事总结出一句极为精练的公式 “集成电路所包含的晶体管每18个月就会翻一番”。
从10μm－45nm 英特尔CPU制程发展史
(2009-06-13 205433)
转载
从10μm－45nm 英特尔CPU制程发展史
[ 来源工作站之 家 作者 工作站之家新闻组 时间2008-09-09 180605 收藏本文 ] 【大 中 小】
自1947年晶体管发明迄今，科技进步的速度惊 人，催生了功能更为先进强大，又能兼顾成本效益和耗电量的产品。虽然科技进展迅速，但晶体管产生的废热和漏电，仍是缩小设计及延续摩尔定律 (Moore ' s Law) 的最大障碍，因此业界必须以新材料取代过去40年来制作晶体管的材料。
1995年后，半导体行业已普遍采用0.35微米(350nm)工艺进行主流芯片的生产。从 Pentium 133开始，Intel也开始采用0.35微米制程断提高，功耗降低，性能也相应提高了。
cpu芯片制程是什么
cpu芯片制程是什么要了解CPU的生产工艺，我们需要先知道CPU是怎么被制造出来的。
下面是店铺带来的关于cpu芯片制程是什么的内容，欢迎阅读!cpu芯片制程是什么：生产CPU等芯片的材料是半导体，现阶段主要的材料是硅Si，这是一种非金属元素，从化学的角度来看，由于它处于元素周期表中金属元素区与非金属元素区的交界处，所以具有半导体的性质，适合于制造各种微小的晶体管，是目前最适宜于制造现代大规模集成电路的材料之一。
在硅提纯的过程中，原材料硅将被熔化，并放进一个巨大的石英熔炉。
这时向熔炉里放入一颗晶种，以便硅晶体围着这颗晶种生长，直到形成一个几近完美的单晶硅。
以往的硅锭的直径大都是300毫米，而CPU厂商正在增加300毫米晶圆的生产。
折叠(2)切割晶圆硅锭造出来了，并被整型成一个完美的圆柱体，接下来将被切割成片状，称为晶圆。
晶圆才被真正用于CPU的制造。
所谓的“切割晶圆”也就是用机器从单晶硅棒上切割下一片事先确定规格的硅晶片，并将其划分成多个细小的区域，每个区域都将成为一个CPU的内核(Die)。
一般来说，晶圆切得越薄，相同量的硅材料能够制造的CPU成品就越多。
影印(Photolithography)在经过热处理得到的硅氧化物层上面涂敷一种光阻(Photoresist)物质，紫外线通过印制着CPU复杂电路结构图样的模板照射硅基片，被紫外线照射的地方光阻物质溶解。
而为了避免让不需要被曝光的区域也受到光的干扰，必须制作遮罩来遮蔽这些区域。
这是个相当复杂的过程，每一个遮罩的复杂程度得用10GB数据来描述。
折叠(4)蚀刻(Etching)这是CPU生产过程中重要操作，也是CPU工业中的重头技术。
蚀刻技术把对光的应用推向了极限。
蚀刻使用的是波长很短的紫外光并配合很大的镜头。
短波长的光将透过这些石英遮罩的孔照在光敏抗蚀膜上，使之曝光。
接下来停止光照并移除遮罩，使用特定的化学溶液清洗掉被曝光的光敏抗蚀膜，以及在下面紧贴着抗蚀膜的一层硅。
英特尔第五代酷睿处理器制程与性能解析
英特尔第五代酷睿处理器制程与性能解析京时间2015年1月7日凌晨，英特尔在正在美国拉斯维加斯举办的CES 2015展会上，发布了第五代酷睿处理器。
可以说是千呼万唤始出来，让消费者们一睹了它的真容。
从2014年中期开始，就已有消息称英特尔将会在CES 2015上发布第五代酷睿处理器。
而之前Broadwell-Y的推出，也令我们能够提前知道有关第五代酷睿处理器的一些特性，其中最重要的莫过于Broadwell制程工艺的提升。
得益于Broadwell-Y的出色表现，我们对第五代酷睿的期待值也直线上升。
英特尔Broadwell-U处理器成员：●Broadwell Intel Core i7：i7-5557U、i7-5650U、i7-5550U、i7-5600U、i7-5500U●Broadwell Intel Core i5：i5-55287U、i5-5257U、i5-5350U、i5-5250U、i5-5300U、i5-5200U●Broadwell Intel Core i3：i3-5157U、i3-5010U、i3-5005U●Broadwell Intel Pentium：3805U●Broadwell Intel Celeron：3755U、3205UIntel Broadwell-Y处理器成员：Intel Core M-5Y71、M-5Y70、M-5Y51、M-5Y31、M-5Y10c、M-5Y10a、M-5Y10英特尔此次发布的Broadwell-U处理器共17款，其中隶属酷睿系列共14款，隶属奔腾系列共1款，隶属赛扬系列共2款。
不过Broadwell-Y虽然与第五代酷睿制程相同，但英特尔并未将它列入到第五代酷睿当中，而是当做一个新的分类，因此第五代酷睿只有17款处理器。
TDP 15W的Core i7/i5产品系列Keyword：制程工艺由于Broadwell-Y的发布，英特尔第五代酷睿l处理器的制程工艺早已不是什么秘密。
intel第五代处理器解析
北京时间2015年1月7日凌晨，英特尔在正在美国拉斯维加斯举办的CES 20 15展会上，发布了第五代酷睿处理器(Broadwell-U)。
对于第五代酷睿我们早已期盼多时，其实它理当应该来的更早，只是英特尔数次的延迟让我们在2015年才能见到它的“真实”面目。
从2014年中期开始，就已有消息称英特尔将会在CES 2015上发布第五代酷睿处理器，尤其是在Broadwell-Y(Core M)的发布后，在CES 2015上发布第五代酷睿变得理所应当。
不过也是要感谢Broadwell-Y的提前“泄密”，令我们能够提前知道有关第五代酷睿处理器的一些特性，其中最重要的莫过于Broadwell 制程工艺的提升，Broadwell-Y的14nm制程令PC散热风扇也变得“无关紧要”，令PC在性能提升的前提下还能降低功耗提升续航。
得益于Broadwell-Y的出色表现，我们对第五代酷睿的期待值也直线上升。
英特尔Broadwell-U处理器成员：●Broadwell Intel Core i7：i7-5557U、i7-5650U、i7-5550U、i7-5600U、i7-5500U●Broadwell Intel Core i5：i5-55287U、i5-5257U、i5-5350U、i5-5250U、i5-5300U、i5-5200U●Broadwell Intel Core i3：i3-5157U、i3-5010U、i3-5005U●Broadwell Intel Pentium：3805U●Broadwell Intel Celeron：3755U、3205UIntel Broadwell-Y处理器成员：Intel Core M-5Y71、M-5Y70、M-5Y51、M-5Y31、M-5Y10c、M-5Y10a、M-5Y10英特尔此次发布的Broadwell-U处理器共17款，其中隶属酷睿系列共14款，隶属奔腾系列共1款，隶属赛扬系列共2款。
b85芯片
b85芯片B85芯片是Intel公司推出的一款主板芯片组，主要面向台式电脑市场。
该芯片集成了丰富的功能和接口，为用户提供了卓越的性能和可靠性。
首先，B85芯片采用了22纳米的制程工艺，这意味着它能够在更小的空间内集成更多的晶体管，提高了芯片的性能和功耗比。
同时，该芯片还支持Intel第四代Core i3、i5和i7处理器，以及Celeron和Pentium系列处理器。
这使得用户可以选择不同级别的处理器来满足自己的需求。
B85芯片还具有强大的扩展性，它提供了多个PCI Express x16插槽，可以支持多个独立的显卡，提供超高的图形性能。
此外，该芯片还支持SATA 6Gb/s接口和USB 3.0接口，可以实现更快的数据传输速度和更高的扩展性。
另外，该芯片还支持Intel Rapid Storage Technology，可以提供更好的数据保护和恢复能力。
B85芯片还具有出色的温度控制和功耗管理功能。
它支持Intel Dynamic Power Management技术，能够根据不同的工作负载和环境状况智能地调整芯片的功耗。
此外，该芯片还支持Intel Advanced Vector Extensions（AVX）和Intel Quick Sync Video等技术，可以提供更加流畅的多媒体体验和卓越的图像处理能力。
此外，B85芯片还支持Intel Rapid Start Technology和Intel Smart Connect Technology等功能。
Intel Rapid Start Technology可以使计算机快速从睡眠状态唤醒，提高系统的响应速度。
Intel Smart Connect Technology可以在计算机睡眠状态下自动更新邮件、社交网络和其他应用程序，让用户随时随地保持最新的信息。
综上所述，B85芯片是一款功能强大、性能卓越的主板芯片组。
它提供了丰富的功能和接口，为用户提供了卓越的性能和可靠性。
英特尔芯片最高的工艺技术
英特尔芯片最高的工艺技术英特尔（Intel）是全球领先的半导体公司之一，以其创新和卓越的工艺技术而闻名。
该公司的芯片工艺技术一直处于行业的领先地位，并且不断推动着计算机产业的发展。
在这篇文章中，我将重点介绍英特尔芯片当前最高的工艺技术。
当前，英特尔芯片的最高工艺技术是10纳米（nm）制程。
工艺制程是指在制造芯片的过程中，所采用的微缩技术和材料。
一个纳米相当于十亿分之一米，小到可以容纳几个原子的尺度。
因此，10纳米工艺技术是一项非常先进和精密的技术。
10纳米工艺技术是英特尔在多年研发和创新的基础上实现的重大突破。
相对于之前的14纳米工艺技术，10纳米工艺技术可以实现更高的晶体管密度，提供更高的性能和更低的功耗。
这种工艺技术的进步使得芯片可以变得更小、更快，同时也更加节能。
10纳米工艺技术的实现离不开英特尔对材料和制造工艺的深入研究。
在这项工程中，英特尔利用了一种名为“三维跨门极（FinFET）”的结构。
FinFET是一种革命性的晶体管设计，能够使得芯片的性能得到显著提升。
这种设计有效地解决了漏电流的问题，同时提供了更好的控制和传输功能。
因此，10纳米工艺技术所采用的FinFET结构可以大大提高芯片的性能和功效。
除了FinFET结构，英特尔还应用了一系列先进的材料和制造工艺。
例如，该公司采用了极紫外（EUV）光刻技术，通过使用更短波长的光线来实现更高的分辨率。
这种技术的引入使得芯片的制造更加精确和准确。
此外，英特尔还使用了先进的高效面片工艺、低功耗技术以及优化的互连技术。
所有这些技术的结合，使得10纳米工艺技术成为英特尔目前最高的工艺水平。
10纳米工艺技术的实现对于英特尔来说是一项重大的突破。
它不仅提升了芯片的性能和功耗，还为计算机产业的发展带来了新的机遇。
例如，该工艺技术使得人工智能（AI）和云计算等应用得以更好地实现。
此外，更小、更快和更节能的芯片也有助于推动智能手机、物联网和可穿戴设备等新兴市场的发展。
主板架构介绍-intel芯片举例
主板架构介绍主板基础知识如果把中央处理器CPU比喻为整个电脑系统的心脏，那么主板上的芯片组就是整个身 体的躯干。
在电脑界称设计芯片组的厂家为Core Logic，Core的中文意义是核心或中 心，光由字面的意义就足以看出其重要性。
对于主板而言，芯片组几乎决定了这块主 板的功能，进而影响到整个电脑系统性能的发挥，芯片组是主板的灵魂。
芯片组（Chipset）是主板的核心组成部分，按照在主板上的排列位置的不同，通常分 为北桥芯片和南桥芯片。
北桥芯片一般提供对CPU的类型和主频、内存的类型和最大 容量、ISA/PCI/AGP插槽、ECC纠错等支持，通常在主板上靠近CPU插槽的位置，由 于此类芯片的发热量一般较高，所以在此芯片上装有散热片。
北桥芯片在芯片组中起 着主导性的作用，也称为主桥（Host Bridge）。
南桥芯片主要用来与I/O设备及ISA设备相连，并负责管理中断及DMA通道，让设备工 作得更顺畅，其提供对KBC(键盘控制器)、RTC(实时时钟控制器)、USB(通用串行总 线)、传输Ultra DMA/33(66)EIDE数据方式和ACPI(高级能源管理)等的支持，在靠近 PCI槽的位置。
南北桥命名规则INTEL南桥命名规则：南桥ICH的编号都是82801，其后的第一个字母 代表第几代晶片，如82801Gx就是ICH7系列。
第二个字母B为Base、 不支持RAID，R代表支持Raid，M标识Mobile； INTEL915系列之后的北桥命名规则：G是主流集成显卡芯片组，支持 主流的FSB和内存，支持PCI-E×16；P也是主流版本，但无集成显卡； PL相对于P是简化版本，在支持的FSB和内存上有所缩水，无集成显 卡，支持PCI-E×16；M为Mobile平台；名词解释FSB: (Front Side Bus) 前端系统总线 GMCH: (Graphics and Memory Controller Hub)图形和内存控制中 心 MCH: (Memory Controller Hub) 内存控制中心 ICH: (I/O Controller Hub ) I/O控制中心 PCH:(Platform controller hub）平台控制中心 MCP: (Multi-chip package ) 两个独立的dies：processor core 和 GPU/memory core主要的芯片组及CPU厂商主要的芯片组厂商：• • • • INTEL VIA（威盛） AMD（超威） SIS（矽统）主要的CPU厂商：• • • INTEL VIA（威盛） AMD（超威）INTEL系列主板架构2007 Low Power Platform - Santa RosaChipset Support: • 965GM Express Chipset + ICH8M • DDR2 533/667, 1-2 channels, 4GB max • Graphics, Video & Advanced I/O (on MCH): – Gen 4 Core with 8 execution cores – Video post-processing enhancements – Advanced display capabilities (LVDS 24bpp) • Advanced I/O (on ICH): – PCI Express: 6 ports – Integrated 10/100 LAN MAC (optional) – Intel® Active Management Technology (AMT, optional) – Legacy I/O including 3xSATA, 4xPCI, 10xUSB 2.0 Software • OS Support: Microsoft XPe, SuSe Enterprise Linux, Red Hat Enterprise Linux for POS, QNX Neutrino • BIOS & Driver Support: Embedded Graphics Driver (IEGD), Legacy BIOS and EFI BIOSIntel® Core™2 Duo (Merom) Intel® Celeron® M (Merom)LVDS Flat panel/TV/CRT Support for Media Expansion CardSDVO533/800 MTS FSBGen 4.0 GMA PCI Express* x16 Graphics Intel® High Definition Audio, 8 Independent DMA Audio Engines 10 Hi-Speed USB 2.0 Ports 6 PCI Express* x1 82566DM Ninevah GbE 8GBsIntel® GME965 Express GMCH (Crestline)DDR2 533/667DDR2 533/667ICH8M or ICH8EM3 SATA Ports4 PCI Bus MastersLPC or SPI BIOS Support2008 Menlow for Embedded PlatformSilverthorne Supported Processors • 1.6 GHz/533MHz/2W/512K • 1.33 GHz/533MHz/2W/512K • 1.1 GHz/400MHz/2W/512K SCH • Single chip SCH (GMCH + ICH) Memory • Single Channel • DDR2 400/533 • 2GB Max Memory Graphics • Low Power Graphics Core • Dual Independent Displays • Internal LVDS IO Support • 1 PATA (Master / Slave) • 2 -(x1) PCIe Ports • 8 USB (1 client) • Intel® High Definition Audio24bit LVDS400/533 MT/s CMOS FSBSDVO Poulsbo 8* USB 2.0 PortsDDR2 400/533 (memory down or SODIMM)2 x1 PCI ExpressGPIO SMBus LP C FWH3 portsSIOECSPI Intel® High Def Audio2008 Navy-Pier Platform (Intel® Atom™ Processor N270, 945GSE, ICH7M)Intel® Atom™ Processor N270 • 45nm technology; 22x22mm package • TDP ~ 2.5W • Hyper-Threading technology, C4 low power state • Intel® 945 GSE • 27x27mm package • TDP >= 3.5 W (depends on config.) • LVDS, VGA, SDVO • Intel Generation 3.5 Integrated GFX Core (133 MHz) • Single Channel DDR2 400/533 – 1 SODIMM + Memory Down – B/W:5.3 GB/s (1 Ch) • Intel® ICH7 • 31x31mm package • TDP ~1.5W • 4 PCIe, 4 PCI • 2 SATA, 1 PATA • Intel® High Definition Audio • 10/100 LAN controller • 8 USB 2 ports Intel® Atom™ Processor N270 SC, 1.6GHzFSB 533 MHz x2 LVDS VGA SDVO/DVI945 GSE DDR2 533x2 DMIx1 SO-DIMMx2ATA/100 ICH7-MPCIe Wifi mini-card Codec PCIe LAN Parallel Serial PS2 x6TPM GbESIO2009 Luna-Pier Platform (Pineview-M Processor, ICH8M)Pineview-M Processor • 22mm x 22mm package • TDP ~5.5W • 512KB cache • TDP ~ 2.5W2GB Max Memory • Single Channel DDR2 667 • Integrated Graphics Controller • Intel® ICH8M • 31x31mm package • TDP ~2.4W • 6 PCIe, 4 PCI • 3 SATA, 1 PATA • Intel® High Definition Audio • 10/100/1000 Ethernet MAC • 10 USB 2.0 ports • O/S Support • Windows XP, XPe, WEPOS, WinCE • Fedora Core 8 • VxWorks • MontaVista Linux* • QNX NeutrinoDDR2 SO-DIMMPineview-M MicroprocessorLVDSDX9 Graphics: 200 MHz DDR2 Memory Controller (Single Channel)VGA10 Hi-Speed USB 2.0 Portsx4 DMI 6 PCI Express x1 Lanes ICH8M3 SATA4 PCI LPCLPC TPM SIO1 IDE Channel Intel® High Definition AudioSPIGbE LANSPI Flash Device2010 Luna-Pier Refresh Platform (Pineview-D SC/DC Processor, ICH8MPineview-D** Processor • Single and Dual core SKUs • Fan less design capability for both SKUs • 400Mhz graphics engine • 45nm technology • 512Kb L2 cache • Kit TDP: ~13W (SC) / ~17W (DC) • 64bit DDR2 667 - 4GB Max • Single Memory Channel • Intel® 64, HT, XD Bit • Intel® ICH8-M • GbE (10/100/1000) MAC • Intel® High Definition Audio • 3 SATA Ports • 6 x1 PCI Express Ports • 10 USB PortsDDR2 SODIMMPineview D SC/DCLVDS VGAx4 DMI 10 Hi-Speed USB 2.0 Ports 6 PCI Express x1 LanesICH8M4 PCI 3 SATA LPC or SPI 1 IDE Channel FWH Intel® High Definition Audio GbE LAN TPM SIO2010 LOW Power Platform-CalpellaToday’s 3-Chip SolutionProcessorPCIe GraphicsFSB PCIe Graphics Intel® 4 Series Chipset DDR2/ DDR32-Chip SolutionProcessorGFX IMC Graphics moves into Processor1 Memory Controller moves into the ProcessorDDR3Flexible Display Interface (Intel® FDI) Intel®iGFX DisplayIMC MEDMIDMIDisplayICHClocksIntel® 5 series Chipset3 DisplayDisplay Clock BufferDisplay moves into PCH Intel® Management Engine moves into PCH Clock Buffers integrate into PCHI/OMEI/O1313Notes: 1: Only on Clarkdale, Arrandale 2: Not all features enabled on all products 3: Formerly called Ibex PeakProcessorArrandale 是下一代64位32nm工艺制程的处理器； 该处理器内部集成了图形和内存控制器，图形和内存控制器是45nm制程； Arrandale支持两种封装： A 37.5 x 37.5 mm rPGA package (rPGA988A) A 34 x 28 mm BGA package (BGA1288) QM57可搭配的CPU： Intel(r) CoreTM i7-620M Processor PGA SV Intel(r) CoreTM i7-610E Processor BGA SV Intel(r) CoreTM i7-620LE Processor BGA LV Intel(r) CoreTM i7-620UE Processor BGA ULV Intel(r) CoreTM i5-520M Processor PGA SV Intel(r) CoreTM i5-520E Processor BGA SV Intel Embedded还有Celeron处理器P4500(PGA), P4505 (BGA, w/ECC)；QM57Intel® 5 Series Chipset Mobile SKUQM57QM57 FeatureFeatureDMI PCI-ExpressPCH(QM57)DMI×4 only 8 Ports PCI Express 2.0 running at 2.5GT/S Ports 1-4 and 5-8 support eight x1s, two x4s,two x2s and four x1s, or one x4 and four x1port widths PCI Rev 2.3 @ 33MHz Up to 4 Bus Masters 14 ports w/ two EHCI 2 Integrated USB2.0 Rate Matching Hub(RMH) six SATA portsExam ple on ly actu va ry al p rodu c t mayPCI USB 2.0 Ports SATAFeatureCore Voltage SATA RaidPCH(QM57)1.05V Raid 0/1/5/10Digital & Analog Display Interfaces Display interface into three lanes Port B：Display Port/HDMI/SDVO (LVDS, SDVO, DP, HDMI, VGA) Port C：Display Port/HDMI Port D：Display Port/HDMI TDP (Watts) Package Intel® Active ManagementTechnology 3.5W 1071 balls, 27x25x0.6 mm FCBGA AMT 6.0上电时序简单介绍G3状态G3状态特点：•Mechanical off机械关机，通过切断总电源来彻底关闭计算机，这时除了电池的功耗外，其他功耗为0，可以安全地拆装电脑；•G3状态下的主要信号：VCC_RTC,RTC_RST-；•拿到一块主板，没有接上ATX电源之前，由主板上的电池产生VBAT 电压（VCC_RTC）和CMOS跳线上的RTCRST-来供给南桥，RTCRST-用来复位南桥内部的逻辑电路；G2状态G2状态的特点：•G2/S5-Soft off软关机，这时电脑功耗很小，不可运行应用程序和操作系统。
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精心整理
芯片制程（以Intel芯片为例）
如果问及芯片的原料是什么，大家都会轻而易举的给出答案——是硅。
这是不假，但硅又来自哪里呢？其实就是那些最不起眼的沙子。
难以想象吧，价格昂贵，结构复杂，功能强大，充满着神秘感的芯片竟然来自那根本一文不值的沙子。
当然这中间必然要经历一个复杂的制造过程才行。
下面，就让我们跟随芯片的制作流程，了解这从“沙子”到“黄金”的神秘过程吧！
（以Intel芯片为例）
这效果正是我们所要的。
这样就得到我们所需要的二氧化硅层。
4、搀加杂质将晶圆中植入离子，生成相应的P、N类半导体。
具体工艺是是从硅片上暴露的区域开始，放入化学离子混合液中。
这一工艺将改变搀杂区的导电方式，使每个晶体管可以通、断、或携带数据。
简单的芯片可以只用一层，但复杂的芯片通常有很多层，这时候将这一流程不断的重复，不同层可通过开启窗口联接起来。
这一点类似所层PCB板的制作制作原理。
更为复杂的芯片可能需要多个二氧化硅层，这时候
精心整理
通过重复光刻以及上面流程来实现，形成一个立体的结构。
5、晶圆测试经过上面的几道工艺之后，晶圆上就形成了一个个格状的晶粒。
通过针测的方式对每个晶粒进行电气特性检测。
一般每个芯片的拥有的晶粒数量是庞大的，组织一次针测试模式是非常复杂的过程，这要求了在生产的时候尽量是同等芯片规格构造的型号的大批量的生产。
数量越大相对成本就会越低，这也是为什么主流芯片器件造价低的一个因素。
6、封装将制造完成晶圆固定，绑定引脚，按照需求去制作。