完美的铁电存储器
FeRAM铁电存储器魏双
特点
射频识别系统 在非接触式存储器领域里，FeRAM提供一个理想的解决方案。低功耗访 问在射频识别系统中至关重要，因为能源消耗是以距离成指数下降的。 想要以最小的能耗读写标签数据就必须保持标签有足够近的距离。通 过对射频发射机和接收机改进写入距离，降低运动的灵敏性以及降低 射频功率需求，使需要写入的应用获得优势。 诊断和维护系统 在一个复杂的系统里，记录系统失效时的操作历史和系统状态是非常 宝贵的。如果没有这些数据，能够准确的解决或执行需求指令是很困 难的。由于FeRAM具备高耐久性的特点，可以生成一个理想的系统日志。 从计算机工作站到工业过程控制等的系统，都能从FeRAM中获益
制造工艺
铁电存储器技术和标准的CMOS制造工艺相兼容。铁电薄膜被放置 于CMOS基层之上，并置于两电极之间，使用金属互连并钝化的方 法完成铁电存储器的制造。
特点
FeRAM具有快速写入、高耐久性、低功耗的特性，以下列举了FeRAM在一 些领域中与其他存储器相比的主要优势： 频繁掉电环境 任何非易失性存储器可以保留配置。可是，配置更改或电源失效情况随 时可能发生，因此，更高写入耐性的FeRAM允许无限的变更记录。任何时 间系统状态改变，都将写入新的状态。这样可以在电源关闭可用的时间 很短或立即失效时状态被写入存储器。 高噪声环境 在嘈杂的环境下向EEPROM写数据是很困难的。在剧烈的噪音或功率波动 情况下，EEPROM的写入时间过长会出现漏洞（以毫秒衡量），在此期间 写入可能被中断。错误的概率跟窗口的大小成正比。FeRAM的写入执行窗 口少于200ns。
结构原理
铁电存储器工作原理
FeRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储 ，铁电晶体的结构如图所示。铁电效应是指在 铁电晶体上施加一定的电场时，晶体中心原子 在电场的作用下运动，并达到一种稳定状态； 当电场从晶体移走后，中心原子会保持在原来 的位置。这是由于晶体的中间层是一个高能阶 ，中心原子在没有获得外部能量时不能越过高 能阶到达另一稳定位置，因此FeRAM保持数据 不需要电压，也不需要像DRAM一样周期性刷新 。由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振 极化特性，与电磁作用无关，所以FeRAM存储 器的内容不会受到外界条件（诸如磁场因素） 的影响，能够同普通ROM存储器一样使用，具 有非易失性的存储特性。
用铁电存储器(FRAM)存储数据
一个完美的电表数据存储系统华胄科技陈其龙电表作为一个计量用电量的仪器电表的精度不但与检测芯片的精度有关更重要与其存储方式有很大的关系如果检测到的电量数据不能写入存储器或者写入存储器过程出错电表的精度就大大降低以前电表数据的存储方式有2种选择1用存储EEPROM数据2用NVRAM存储数据现在有了第三种选择用铁电存储器FRAM存储数据在以前在设计电表电量的存储方案过程中工程师在怎样把数据准确无误的写入存储绞尽脑汁主要的原因是以前的EEPROM速度慢,有10MS写的周期擦写次数少为了解决存储器的问题工程师必须在控制电路增加很多电路见图一由于EEPROM的擦写次数为10万次所以不能来一个脉冲就写入EEPROM只能将脉冲暂存MCU的SRAM内等脉冲计录到一定的值1度电或到了一定的时间1小时再把数据写入EEPROM正是由于电数据不能实时写入EEPROM引起一个问题如果停电怎么办在停电时MCU内存储的平均电量为0.5度,如果系统不管掉电情况,那么电表的精度很低(以10万家用户计算,每停一次电,供电局将有5万度电因存储器的原因而丢掉),这供电局当然不能接受为了解决这问题在电路上必需增加掉电检测电路在检测到掉电后把MCU中存储不到1度电的数据写入EEPROM由于EEPROM写入数据时有10MS写的周期这也引起了一个问题在停电后必需有足够长的电压维持EEPROM写的时间设计者的一般思路是利用滤波电路的大电容由于电容内部是电解液随着时间的推移电容的容量将变小因此为了使电表能使用10年必须把增大滤波的电容的容量和提前检测到掉电EEPROM写入数据时数据先是写入EEPROM的缓冲区当数据写入缓冲区后EEPROM 自动把数据写入EEPROM的具体地址其过程需要10MS由于EEPROM内部写入时间长所以容易受到干扰EEPROM一旦受到干扰写入的数据容易出错此时出错MCU 没有办法知道为了解决这一问题设计者必须把同一个数据写入三个不同的地址然后再把数据读出来校正图5从上述的阐述可知系统掉电时要把数据写入EEPROM此方案的筹码赌在掉电检测电路和电容上为了解决这一问题设计者把掉电检测提升到检测市电和用2个掉电检测电路把电容的容量增大和用2个电容为了减小检测电路和电容的影响采用2个EEPROM从而降低SRAM缓冲的量值提高存储的精度方案2采用NVRAM来做数据存储方案3这种方案可以解决EEPROM的不足但大家都知道NVRAM的价格很高用铁电存储器可以解决上面存储器所面临的问题首先看一看铁电存储器的特点1非易失性掉电后数据能保存10年所有产品都是工业级2擦写次数多5V供电的FRAM的擦写次数100亿次低电压的FRAM的擦写次数为1亿亿次3速度快串口总线的FRAM的CLK的频率高达20M并且没有10MS的写的等待周期并口的访问速度70NS4功耗低静态电流小于10UA读写电流小于150UA5读写无限次在FRAM读写次数超过100亿次5V供电的FRAM后FRAM还能工作只是数据不能保存基于铁电存储器的特点 我们可以对电表的设计进行完全的改革 图4由于FRAM 的读写次数为100亿次 MCU 检测到一个脉冲就可以写入FRAM 内 以3200个脉冲为1度计算 FRAM 能存3百万度电 对单相表和单相复汇率表以是足够用 由于电量数据是实时写入FRAM 所以不担心掉电后 数据会丢的问题 由于铁电存储器没有10MS 的写周期 所以不必担心电容的容量变小后会对FRAM 数据存储有影响 因为铁电存储器内没有缓冲区 数据是直接写如FRAM 对应的地址中 所以写入的数据不会出错 即使出错 MCU 通过协议可以知道 所以同一数据不必存储到3个不同的地址 图5铁电存储器应用在计量系统中有其他产品不可替代的优势 如电表 水表 煤气表等 在下期将与工程师讨论铁电存储器在税控机的应用。
FeRAM铁电存储器魏双
结构原理
铁电存储器器件结构
目前铁电存储器最常见的器件结构是 Planar (平面式)和Sபைடு நூலகம்ack(堆叠式)结 构，两者的区别在于铁电电容的位置 和电容与MOS管互连的方式。在平面式 结构中，将电容置于场氧上面，通过 金属铝，将电容上电极和MOS管有源区 相连，工艺相对简单，但单元面积较 大；而在堆叠式结构中，将电容置于 有源区，通过塞子(Plug)将电容下电 极和MOS管源端相连，需要CMP工艺， 集成密度较高。另外，堆叠式结构可 以采用铁电电容制作在金属线上的做 法，从而减少铁电电容在形成过程中 对工艺的相互影响。
应用
三、非易失性缓冲
铁电存贮器（FeRAM）可以在其它存储器之前快速存储数据。在此情况 下，信息从一个子系统非实时地传送到另一个子系统去。由于资料的 重要性, 缓冲区内的数据在掉电时不能丢失，在某些情况下，目标系 统是一个较大容量的存储装置。FeRAM以其擦写速度快、擦写次数多使 数据在传送之前得到存储。 典型应用：工业系统、银行自动提款机 (ATM), 税控机, 商业结算系 统 (POS), 传真机，未来将应用于硬盘非易失性高速缓冲存储器。
应用
二、参数设置与存储 FeRAM通过实时存储数据帮助系统设计者解决了突然断电数据丢失的问 题。参数存储用于跟踪系统在过去时间内的改变，它的目的包括在上电 状态时恢复系统状态或者确认一个系统错误。总的来说，数据采集是系 统或子系统的功能，不论何种系统类型，设置参数存储都是一种底层的 系统功能。 典型应用： 影印机,打印机,工业控制,机顶盒,网络设备和大型家用电 器
制造工艺
铁电存储器技术和标准的CMOS制造工艺相兼容。铁电薄膜被放置 于CMOS基层之上，并置于两电极之间，使用金属互连并钝化的方 法完成铁电存储器的制造。
MB85RC16
MB85RC16
■ ACKNOWLEDGE (ACK)
In the I2C bus, serial data including memory address or memory information is sent in units of 8 bits. The acknowledge signal indicates that every 8 bits of the data is successfully sent and received. The receiver side usually outputs the “L” level every time on the 9th SCL clock after every 8 bits are successfully transmitted. On the transmitter side, the bus is temporarily released on this 9th clock to allow the acknowledge signal to be received and checked. During this released period, the receiver side pulls the SDA line down to indicate that the communication works correctly.
FUJITSU SEMICONDUCTOR DATA SHEET
Memory FRAM
DS501-00001-2v0-E
16 K (2 K × 8) Bit I2C
MB85RC16
■ DESCRIPTION
The MB85RC16 is an FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 2,048 words × 8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells.
免费申请单片机样片
免费申请样片做项目常常避免不了申请样片，原因无外这几种情况：一是芯片不好买；二是太贵而又最小定量限制。
几个建议，一是要有正当用途，不要以为是免费午餐就滥申请；二是一般使用公司或学校等较为正式的邮箱申请。
1、ADI，需要注册成会员。
2、TI，也比较大方，会有人工审核，甚至会电话过来问一些问题。
如果申请数量过多，太贵，有可能被视为恶意申请而进入黑名单。
不过有申辩的机会，我一哥们被判为恶意申请后又邮件投诉依然申请成功，另一哥们两次申请10片INA128被直接电话质疑。
半年有6次申请机会，用完后不可申请。
注：我们实验室用MSP430比较多，TI的样片申请给我的感觉还是很不错的。
3、Microchip，速度很慢，有时候要自己到代理商那里去取。
可以申请，样片种类限制不多。
4、Maxim，就不用说了，公认的最容易申请的，就是快递速度较慢，普通包裹，北京发货。
5、Intersil，速度一般，限制不多，也没有特殊要求，也很大方。
6、Linear，速度很快，没什么限制，它的电源管理芯片很好用。
北京或香港发货。
7、WCH，国内的，南京沁恒电子，一次一片，以前是挂号，现在是自付邮资（快递），本人曾认真委婉地投诉过他们的客服。
注：这家的片子我没用过。
8、Cypress，赛普拉斯，也很大方，甚至连评估板都提供申请。
我兄弟申请过，没有亲自尝试。
9、Onsemi，安森美，专业搞电源管理的。
样片申请交给代理商了，比如武汉力源，对于武汉力源（icbase）的评价还是不错的。
10、Cirrus Logic ，样片申请是摆设，至少对于我的正式申请没有任何回音。
好在当时没有等待Cirrus Logic ，直接换成ADI的器件了。
11、NXP，恩智浦半导体，据说不太好申请，但其产品应用很广泛。
另一篇：1、(推荐)南京沁恒电子有限公司 USB芯片比较爽 CH375A/technique/index2.asp免费申请 USB 芯片 CH375南京沁恒公司首页：/index.asp申请网址：/technique/index2.asp2、(推荐)飞思卡尔免费样品申请/webapp/sps/site/homepage.jsp?nodeId=010984007869597059 2869294893、(推荐) 申请了10多次都收到了，一次能申请三种，每种两片的限制。
FM25CL64中文
共有六个被称为操作码的命令，它们可以由总线控制 器发布给FM25CL64，命令被列在下面的表中。这些操 作码控制存储器的操作。这些操作码被分为三类，第 一是没有并发操作的命令，它们只执行一些单一的功 能，比如设置写使能；第二是紧跟一个操作数的命令， 可能是输入，也可能是输出，他们对寄存器进行操作， 最后一类是对内存进行操作的命令，命令后面会紧跟 地址或者一个或多个字节的数据。
内存结构
FM25CL64内部地址可分为8192个字单元， 每个字单元为8位，数据位被串行移出。它使用 SPI协议，包括一个芯片选择，（它允许总线上连 接多个器件），一个操作码和两字节的地址，地 址的高三位是不关心的，13位的完整地址指定了 一个唯一的字节地址。
. FM25CL64的大多数功能是通过SPI接口来 控制，或者通过板载电路自动处理。FM25CL64 的内存访问时间从本质上讲是零，那就是说，内 存的存取是以SPI总线的速度进行。与EEPROM 不同，FM24C256不必对器件进行轮循以等待一 个就绪状态，因为器件是以总线速度进行写操 作， 一个新的总线转输将数据移入器件的同时， 一个写操作已经完成，更为详尽的描述将FM25CL64上电后的状态是禁止写操作。WREN命 令必须在任何写操作之前被发布，送出WREN命令 后将允许用户发布并发的写操作码以执行写操作， 这包括写寄存器或写内存。
送出WREN命令后，将使内部的写使能寄存器被置 位，状态寄存器中的一位被称为WEL，它表示了寄 存器的状态，WEL=1表明当前写操作是允许的，试 图去写状态寄存器中的WEL位是没有效果的，写操 作结束后，将自动复位写使能寄存器，如果没有 WREN命令送出，将禁止进一步的写操作。下面的 图5图示了WREN命令的总线时序。
WRSR-Write Status Register
铁电存储器
铁电存储器是一种在断电时不会丢失信息的非易失存储器， 它具有高速度、高密度、低功耗和抗辐射等优点，在IC卡、 移动电话、嵌入式微处理器、航空航天和军事应用等领域显 示出极大的发展潜力和良好的应用前景，受到了各国科技界 和产业界的广泛关注。图为RAMTRON公司的两款铁电存储 器。
背景介绍：铁电存储技术最早在1921年提出，直到1993年美 国Ramtron国际公司成功开发出第一个4Kb的铁电存储器 FRAM产品，标志着铁电存储技术开始实际应用，目前所有 的FRAM产品均由Ramtron公司制造或授权。最近几年， FRAM又有新的发展，采用了0.35μm工艺，推出了3V产品， 开发出“单管单容”存储单元的FRAM，最大密度可在256Kb。
PZT 是研究最多、使用最广泛。优点是能够 在较低的温度下制备，可以用溅射和金属有 机气相沉积（MOCVD）的方法来制备，具 有剩余极化较大、原材料便宜、晶化温度较 低的优点；缺点是有疲劳退化问题，还有含 铅会对环境造成污染。 SBT 最大的优点是没有疲劳退化的问题，而且 不含铅；但是它的缺点是工艺温度较高，使之工艺集成难度增大，剩余极化程度 较小。
传统存储器现状：随着人们对于存储容量越来越高需求，科 研人员也在不断的提高存储密度，但存储密度的提高使得浮 动栅与导电沟道之间绝缘介质层厚度减到 2.5nm 左右，这已 经很接近它的极限厚度。再进一步减薄绝缘介质层的厚度将 无法保证数据的存储寿命。
为了满足市场需求,开发新一代具有存储密度高、功耗低、写 入/擦除速度快、抗疲劳能力强、数据保持能力强、与传统 CMOS工艺相兼容等特点的新型非易失性存储器则成为必然 趋势。 因此，科研人员对包括电荷俘获型存储器、铁电存储器 (FeRAM)、磁存储器(MRAM)、相变存储器(PCRAM)和阻变存 储器(ReRAM)在内的一些新型存储器进行了广泛的研究。
铁电存储器
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FRAM与其它存储技术比较 与其它存储技术比较
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六、FRAM的用途 的用途
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FRAM的用途 的用途
仪表 电表、水表、汽表、流量表、邮资表。 汽车 安全气袋、车身控制系统、车载收音机、匀速控制、 车载 DVD 、引擎、娱乐设备、仪器簇、 传动系、保 险装置、遥感勘测/导航系统、自动收费系统。 通讯 移动通讯发射站、 数据记录仪 、电话、收音机、 电信、可携式GPS。 消费性电子产品 家电、机顶盒、等离子液晶屏电视。
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FRAM原理及特点 原理及特点
FRAM保持数据不需要电压，也不需要像DRAM 一样周期性刷新。 FRAM存储器的内容不会受到外界条件诸如磁场 因素的影响，能够同普通ROM存储器一样使用，具 有非易失性的存储特性。 FRAM速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗 极低，不存在如E2PROM的最大写入次数的问题。 但受铁电晶体特性制约，FRAM仍有最大访问（读） 次数的限制。
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背景介绍
铁电存储器采用人工合成的铅锆钛(PZT) 材料形成 存储器结晶体。当一个电场被施加到铁晶体管时，中 心原子顺着电场停在低能量状态I位置，反之，当电场 反转被施加到同一铁晶体管时，中心原子顺着电场的 方向在晶体里移动并停在另一低能量状态II。
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FRAM与其它存储技术比较 与其它存储技术比较
FRAM与DRAM DRAM适用于那些密度和价格比速度更重要的场合。 例如DRAM是图形显示存储器的最佳选择，有大量的像 素需要存储，而恢复时间并不是很重要。如果不需要下 次开机时保存上次内容，使用易失性的DRAM存储器就 可以。DRAM的作用与成本是FRAM无法比拟的，事实 证明，DRAM不是FRAM所能取代的。 FRAM与Flash 现在最常用的程序存储器是Flash，它使用十分方便 而且越来越便宜。程序存储器必须是非易失性的并且要 相对低廉，且比较容易改写，而使用FRAM会受访问次 数的限制。
储存器的终结者FRAM铁电存储器
个非易失性 的 Ｒ Ｍ存储器产 品。 Ａ
Ｉ ＣＣ
个 我 们 拿 来 记 忆 逻辑 中 的“ ”另 一 个 记 忆 … ’ 中 心 原 子 能 在 ０， １。 常 温 ， 有 电 场 的情 况 下 停 留 在 此 状 态 达 一 百 年 以 上 。铁 电 记 没 忆 体 不 需 要 定 时 刷 新 ， 在 断 电 情 况 下 保 存 数据 。 能 由 于 在 整 个 物 理 过 程 中没 有 任 何 原 子 碰 撞 ，铁 电记 忆 体 （Ｒ Ｍ） 有 高 速 读 写 、 低 功 耗 和 无 限 次 写 入 等 超级 特 性 。 ＦＡ 拥 超 传 统 半 导 体 记 忆 体 有 易失 性 记 忆 体 （ｏ ｔｅｍ ｍ ｒ） 非 ｖｌ ｉ ｅ ｏｙ 和 ａｌ 易 失 性 记 忆 体 （ｏ —ｖｌ ｉ ｅ ｒ） 大 体 系 ， 失 性 记 忆 体 ｎ ｎ ｏａ ｌ ｍ ｍｏ 两 ｔｅ ｙ 易 如 Ｓ Ａ 和 Ｄ Ａ 在 没 有 电 源 的情 况 下 都 不 能 保 存 数 据 ， ＲＭ Ｒ Ｍ， 但 这 种 存 储 器 拥 有 高 性 能 、易 用 等 优 点 。非 易 失 性 记 忆 体 如 Ｅ — Ｐ Ｏ 、 Ｅ Ｒ Ｍ 和 Ｆ Ａ Ｈ 能 在 断 电后 仍 保 存 数 据 ， 由于 所 Ｒ Ｍ Ｅ ＰＯ ＬＳ 但
Ｓ￣ｏ ｓ ｔｃ ｎ０
有这些记忆 体均源 自只读存储 器 （ Ｏ 技术 ，所 以它们都 有 Ｒ Ｍ）
不 易写 入 的 缺 点 。确 切 地 说 ， 这些 缺 点 包 括 写 入 缓 慢 、 限 写 有 入 次 数 、 入 时 需 要 特 大 功 耗 等 等 。图 １ １ Ｋ 比特 铁 电存 储 写 为 ６
Ｒａ ｒ ｎ ＦＭ２ ｍｔｏ ４Ｃ１ ６ Ａｔ ｌ ｍｅ Ｓ Ｔ ＡＴ２ ４Ｃ１ ６ ｓ ＇４Ｃ１ １２ ６
铁电存储器FM24C16原理及其综合应用
铁电存储器FM24C16原理及其综合应用Ramtron铁电存储器FRAM1、铁电存储器技术原理、特性及应用美国Ramtron公司铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料。
这一特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性。
铁电晶体的工作原理是：当在铁电晶体材料上加入电场，晶体中的中心原子会沿着电场方向运动，达到稳定状态。
晶体中的每个自由浮动的中心原子只有2个稳定状态，一个记为逻辑中的0，另一个记为1。
中心原子能在常温、没有电场的情况下，停留在此状态达100年以上。
铁电存储器不需要定时刷新，能在断电情况下保存数据。
由于整个物理过程中没有任何原子碰撞，铁电存储器有高速读写、超低功耗和无限次写入等特性。
铁电存储器和E2PROM比较起来，主要有以下优点：(1)FRAM可以以总线速度写入数据，而且在写入后不需要任何延时等待，而E2PROM在写入后一般要5～10ms的等待数据写入时间；(2)FRAM有近乎无限次写入寿命。
一般E2PROM的寿命在十万到一百万次写人时，而新一代的铁电存储器已经达到一亿个亿次的写入寿命。
(3)E2PROM的慢速和大电流写入使其需要高出FRAM 2 500倍的能量去写入每个字节。
由于FRAM有以上优点，其特别适合于那些对数据采集、写入时间要求很高的场合，而不会出现数据丢失，其可靠的存储能力也让我们可以放心的把一些重要资料存储于其中，其近乎无限次写入的使用寿命，使得他很适合担当重要系统里的暂存记忆体，用来在于系统之间传输各种数据，供各个子系统频繁读写。
从FRAM问世以来，凭借其各种优点，已经被广泛应用于仪器仪表、航空航天、工业控制系统、网络设备、自动取款机等。
在设计的碳控仪系统中，由于对控制碳势适时性的要求较高，而且系统由2个子系统构成，每个子系统都要频繁读写存储器，所以我们把原来的X25045换成FM24C16以满足要求。
2 FM24C16引脚说明及工作过程FM24C16-P(8脚双列直插)外形图及引脚定义如图1及表1所示。
铁电存储器的设计及其性能研究
铁电存储器的设计及其性能研究铁电存储器是一种新型的非挥发性随机访问存储器，其采用铁电薄膜作为储存介质，具有高速度、大容量、低功耗、可擦写等突出优点，广泛应用于数字存储、拓扑量子计算等领域。
本文将从铁电存储器的设计、性能研究等方面进行探讨。
一、铁电存储器的设计铁电存储器的核心是铁电薄膜，其结构简单、成本低廉，但薄膜厚度、极化方向、电容面积等都会对存储器性能产生影响，需要进行有效的设计。
目前，常用的铁电材料包括 Pb(Zr,Ti)O3（PZT）和 BiFeO3（BFO），其中 PZT 是一种传统的铁电材料，具有优异的电性能；BFO 是一种在铁电层和反铁磁层之间叠加的自旋结构异质界面，具有单域铁电材料所不具有的多种物理机制，并且自旋和铁电耦合，可以实现电场控制的磁性。
因此，选用合适的铁电材料对存储器的设计非常重要。
其次，铁电存储器需要通过极化和反极化来储存信息。
通常采用各种方法使铁电薄膜在不同的极化方向之间切换。
例如，可以通过外部电场、温度、磁场、压力等进行极化反极化操作。
同时，需要考虑铁电薄膜的硬度和耐久度，以确保长期稳定的性能。
此外，铁电存储器还需要配合信号调制和线路设计等技术进行系统集成。
其主要包括电路设计、数据调制和信号控制等方面，以保证铁电存储器的高效稳定运作。
二、铁电存储器的性能研究铁电存储器的性能研究是研究其能够满足不同应用需求的基础。
对存储器性能的研究，主要包括速度、容量、功耗和稳定性等方面。
1. 速度铁电存储器的访问速度是评价其性能的一个重要指标。
目前，铁电存储器的访问速度约为 10 ns 左右，远远快于闪存和硬盘。
其速度与铁电薄膜的特性、设计电路和信号控制策略等有关。
2. 容量铁电存储器可实现高密度的数据存储，主要取决于铁电薄膜的面积和厚度。
较厚的铁电薄膜可使储存单元的存储密度提高，但会影响存储速度。
而较薄的铁电薄膜可以提高存储速度，但会降低存储密度。
同时，在多层铁电存储器中，各层间也需要考虑独立的电路和信号控制策略，以确保高速稳定的运作。
美研制新型非易失性铁电存储设备
列 来存 储信 息 的 。 这 种铁 电晶体 管 随机 存取 存 储器 将 能执 行 计 算 机 存 储 器 的三 大 功 能 ：写 入 信 息 、 读 出 信 息 并 将 信 息 保 存 一 段 时 间 。铁 电 晶 体 管 随 机 存 取 存 储 器 同现 在 最 先 进 的铁 电 随机 存 取
（ ＲＡＭ ） 。 ” Ｓ
科 学家 们 表示 ，最新 技 术也 可 以与工 业 生 产 计 算 机 芯 片 的过 程 兼 容 ， 因此 有 望 替 代 传 统 的存 储 系 统 。他 们 已为 这 项 技 术 申请 了专 利。 （ 科技 日报 ）
作
美 国科 学家 首 次制 造 出 能在 室温 下 工作 的 石 墨 烯 变 频 器 ，克 服 了用 石 墨 烯 制 造 电子 设 备 时的 重要 障碍—— 能带 隙 。最 新研 究 有望 让 科 学 家 们 用 石 墨 烯 制 造 出 数 字 晶体 管 ， 从 而 大 大 扩展 石 墨烯 在 电子 设备领 域 的应 用 。 石 墨烯 是从 石 墨材 料 中剥 离 出来 、 由碳 原 子 组 成 的 二 维 晶 体 ， 只 有 一 层 碳 原 子 的 厚 度 ， 是 迄 今 最 薄 也 最 坚 硬 的 材 料 ，其 导 电、 导热 性 能 超 强 ， 远 远 超 过 硅 和 其 他 传 统 的 半 导体 材 料 。很 多 科 学 家 认 为 ，石 墨 烯 或 能 取 代 硅 成 为 未 来 的 电子 元 件 材 料 ，广 泛 应 用 于 超 级 计 算 机 、 触 摸 屏 和 光 子 传 感 器 等 多 个 领
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铁电存储器的原理特点
铁电存储器的原理特点
铁电存储器的基本原理和特点概括如下:
1. 铁电存储器利用了铁电材料在电场作用下极化方向可反复翻转的特性。
2. 根据极化方向不同,代表了存储的“0”和“1”二进制数据。
3. 典型结构是1transistor 1capacitor,选用铁电薄膜作为电容的介质。
4. 根据读写电路施加的电场方向,使薄膜中铁电域的方向翻转,完成数据写入。
5. 读出电路可以检测电容两端的饱和极化电荷,判断储存的数据值。
6. 每个存储单元可实现非易失性数据存储,断电后不会丢失,且写入速度快。
7. 与DRAM相比,铁电存储器不需要刷新电路,结构更简单。
8. 铁电材料也可以制成铁电晶体,应用在非易失性存储器中。
9. 利用铁电储存的数据读取速度快,可用于缓存或寄存器。
10. 铁电材料可实现比电容大得多的极化量,有利于多位数据的存储。
11. 但存储容量受限于单元尺寸难以继续缩小。
12. 也有小容量的铁电快闪存储器用于可穿戴设备中。
13. 铁电存储器成本较高,难以替代主流存储器,常用于专用领域。
14. 其非易失性和高速特点适合工控、医疗等对可靠性要求高的应用。
15. 铁电材料和制程技术的改进,也是未来研究的重点。
铁电存储器的三个典型应用
铁电存储器的三个典型应用2009-07-24 09:46:51 来源：与非网摘要:铁电存储器(FRAM)以其非挥发性,读写速度块, 擦写次数多,和低功耗等特点被广泛应用各行各业. 文章首先介绍铁电的原理, 之后分别介绍铁电储存器在电表, 税款机, 和电子道路收费系统的典型应用.关键词: 铁电储存器, 应用1 铁电储存器的原理上图是铁电的原子结构图. 当一个电场施加到铁电晶体时, 中心原子会顺着电场的方向在晶体里移动. 当原子移动通过一个能量壁垒时, 会引起电荷击穿. 内部电路感应到电荷击穿并设置储存器. 移去电场后, 中心原子保持不动, 储存器的状态也得以保存.铁电储存器不需要定时更新, 调电后数据却能够继续保存, 速度快而且不容易写坏. 铁电储存器就是根据该原理设计而成.2 铁电储存器的典型应用2.1 铁电存储器在电表存储中的应用2.1.1 概述在电子技术日新月异、新型多功能电能表层出不穷的今天，电能表中存储器的选择也是多种多样，存储器的好坏直接关系到电能表的正常使用和测量精度。
目前应用最多的方案仍是SRAM加后备电池、EEPROM、NVRAM 这三种。
但这三种方案均存在着缺陷。
其中SRAM加后备电池的方法增加了硬件设计的复杂性，同时由于加了电池又降低了系统的可靠性；而EEPROM的可擦写次数较少(约100万次)，且写操作时间较长(约10 ms)；而NVRAM的价格问题又限制了它的普及应用。
因此，工程人员在设计电能表的存储模块时，往往要花很大的精力来完善方案，才能使电表数据准确无误的写入存储器中。
由于所有的非易失性记忆体均源自ROM技术。
你能想象到,只读记忆体的数据是不可能修改的。
所有以它为基础发展起来的非易失性记忆体都很难写入，而且写入速度慢，它们包括EPROM（现在基本已经淘汰）,EEPROM和Flash，它们存在写入数据时需要的时间长，擦写次数低,写数据功耗大等缺点。
鉴于以上情况，越来越多的设计者将目光投向了新型的非易失性铁电存储器(FRAM)。
FM24CK64中文资料
Ramtron 中国应用研发与推广中心FM24CL6464Kb 3V FRAM 串行存储器特性64K位非易失性铁电存储器组织结构为8,192 x 8位读/写次数无限制掉电数据保持10年写数据无延时采用先进的高可靠性的铁电制造工艺低功耗操作真正2.7V-3.6V操作电压动态工作电流 (100 kHz) 75 υΑ可编程的看门狗定时器静态电流1 υΑ快速的串行两线接口总线速度最大可达1MHz硬件上可直接取代EEPROM支持以前的时速100 kHz & 400 kHz 工业标准配置工业温度-40° C 到 +85° C 8管脚 SOIC 封装易失性存储器铁电随机存储器或是非易失性的并且可以像一样的快速读写数据在掉电后可以年并且它比易失性记忆体系统可靠性更高结构更简单功耗低等优点以总线速度执行写操作无写延时下一个总线操作可立即开始而无需数据轮询此外此产品能够EEPROM升因而它比功耗更低非易失性应用场合中非常理想举例来说数据采集的应用中系统对写周期的要求很高在苛刻的工业控制中EEPROM数据丢失FM24CL64更少的系统消耗供了极大的便利这些便利可直接替换硬件来获得使用工业标准两线接口脚表面贴片式封装操作温度范围为-+85°C图1方框图管脚描述管脚名类型管脚描述SDA I/O 串行数据/地址这个双向的引脚用来为两线接口传送地址和输入输出数据它使用一个开漏输出以便与其他器件通过线或并接在双线总线上输入缓冲区集成Schmit触发器用以提高抗干扰性能输出驱动器控制下降沿的斜率此管脚必须外加一个上拉电阻SCL输入串行时钟两线总线串行时钟输入数据在时钟下降沿移出器件而在时钟上升沿移入器件SCL也兼容一个施密特触发器以提高抗干扰性WP输入写保护当WP紧靠VDD时整个内存阵列写保护WP接地时所有地址可写此管脚内部下拉VDD 电源电源电压 2.7V-3.6VVSS电源接地NC 不连接典型系统结构存储器记位使用工业标准的两线串行接口FRAM 相似 要的差异是同样的脚位排列而前者具有更优越的写性能 字单元每个字单元为位数据位被串行移出它使用两线协议包括一个从地址区别其他非存储器或器件和一个位扩展地址地址低位用来为内存访问译码最高地址量的器件协议时间是相等的也就是说读写操作跟不同待一个就绪状态因为器件是以总线速度执行写操作也就是当一个新的总线传输将数据移入器件的同时一个写操作已经完成这将在下面的接口界面更详尽地描述 相比较由于的特性用户能获得一些明显的系统优势然而也有不明显的优点例如在高噪音环境下FM24CL64断因为它写入速度极快相反在大部分的时钟周期中要求以毫秒级EEPROM 受干扰的可能性就大得多 注意用户需要确保电源电压在数据表规定的误差范围内以防器件误操作传输规约进行双向传输这种方式脚位少占用线路板空间小图的典型配置大多数用户对工业标准的两线制总线协议已经很熟悉了但这一节仍然对其进行描述按照惯例传送数据到总线的器件是发送器而目接受数据得器件是接收器控制总线的是主机主机为所有操作产生时钟所有在总线上被控制的叫从机FM24CL64永远都是从机个脚位状态来确定的有四种状态开始结束数据和应答图介绍了四种状态的时序图详细的时序图将在电气特性中描述从低电平拉高而信号为高电平时为停止信号所有操作都应该以此信号结束如果停止信号出现操作未完成此操作中止总线不是记忆体读取以发布停止信号 从高电平到拉低而信号为高电平时为开始信号所有读写操作都开始于开始信号正停止 开始 数据位 数据位 确认主机主机发送发送接收图3 数据传输协议 这可以使最后一个传送字节在通讯错误的情况下恢复第二且最常见的是接收器有意不应答以便结束操作例如在读操作中只要接收器发出应答信号和时钟FM24CL64就会继续将数据发送到总线上读操作完成后无需更多数据接收器不应答最后传送的字节如果接收器应答了最后传送字节将会导致FM24CL64在下一个时钟来临时会试图继续驱动总线而此时主机正发送一个新的命令比如停止信号从机地址开始信号后FM24CL64所接收的第一个字节就是从机地址如图4所示从机地址包括器件类型器件选择位和读写控制位数位74是器件类型FM24CL64必须被设置为1010b 器件类型用以区分挂在两线接口上的各种功能部件数位31是器件选择位必须跟相应的外部引脚地址值相匹配以选择芯片共有8个FM24CL64芯片被置于同一两线总线上而各具有不同的地址值位0是读/写控制位A1表示读操作低电平A 0 表示写操作为一个开始信号宣布而中止开始信号中止一个操作时FM24CL64处于开始一个新的操作的就绪状态 在操作过程中当电源电压降低到规定电压VDD 最小值以下系统将优先发布一个开始信号再至执行其他操作 数据/地址 传送 所有数据传送包括地址都发生在SCL 信号为高电平时除了在上述两种情况下当SCL 为高电平时SDA 信号不能改变 应答 在任何传送中应答信号发生在第8位数据位被传送后在此状态下发送器应该释放SDA 信号以便接收器驱动接收器驱动SDA 信号到低电平来应答收到一个字节数据如果接收器没有把SDA 拉低即无应答操作中止 接收器无应答有两个明显原因首先数据传送失败无应答结束正进行的操作以便器件能被重新寻址的存储器产品相似的操作形式主要的写性能这些改进产生了在写操作上的一些差异完整的读写操作描述如下 址然后是字地址主机通过设置从机地址最低有效位LSB 为示一个写操作寻址后主机传送每一数据字节到存储器中存储器收到后发送应答任意数量的连续字节都可被写入存储器如果地址到达最后一个字节地址计数器将从000h 与其他非易失性存储技术不同实质上无写延时整个存取周期比一个总线时钟还短因此在一个写操作后可以进行任何操作包括写操作或读操作应答轮询是方法用来查询一个写操作是否完芯片内部当数据的第后写操作开始写操作在应答信号送出前完成这样如果用户需要中止一个写操作而不变更内存内容就位数据被发送前发送开始或停止信号FM24CL64页缓冲 护设置引脚为高电平写保护所有地址FM24CL64写入被保护地址的数据地址计数器成这对于来说是不需要的如果区查询那么将总是返回一个已完成信号 立的2wire ID 接口协议描述如下寄存器包含计时数据控制位或信息标志位对于每一个寄存器的具体描述总结如下表 FM24CL64作为接收器应答器件地址后主机将内存地址放到总线上预备一个写操作内存地址包含两个字节第一个字节是地址的最高有效位高字节因为器件仅使用位地址高数位被忽略紧跟高位字节的是地址的低位字节它包含余位地址地址内部锁存每次访问产生锁存地址自动递增当前地址是锁存器中锁存地址或者是最近写入的值或者是上次内存访问的地址值只要电源保持或者直到一个新的数值被写取当前地址就会被一直保留读操作总是使用当前地址写入操作来实现解释如下 每一个数据字节被传送后在应答之前FM24CL64内部地址递增这允需额外外部寻址到达最后一个地址1FFh 后地址锁存器内容将返回到0000h 读写操作的访问的字节数目是没有限制的 所有地址信息被传送后主机和行读操作时FM24CL64数据放到总线上等待应答如果应答出现开始下一个连续字节被传送如果无应答读操作退出写操作时FM24CL64据然后发出应答所有数据传送都以最高有效位在前的方式传送也不会递增设置WP 为低电平写保护无效WP 内部下拉图5和6描述的是单字节和多字节的操作图6多字节写入读操作读操作有当前地址读操作和随机地址读操作两种基本形式在当前地址读操作中FM24CL64使用内部地址锁存器的内容作为操作的低8位地址在随机地址读操作中用户执行相应操作以设置地址锁存器的值为指定值当前地址和连续地址读FM24CL64使用一个内部锁存器提供低8位地址来进行读操作当前地址读操作使用一个地址锁存器内已存在的数值作为读操作的起始地址这个地址紧跟上一个操作执行当前地址读操作时主机提供一个最低有效位置1的从机地址这表示读操作将开始接收完完整的器件地址后FM24CL64将从当前地址移出数据到下一个时钟当前地址是内部地址锁存器上的值 从当前地址开始主机能够读写任意数目的字节因此一个连续读操作实际上就是多个数据传递的当前地址读每传递一个字节内部地址计数器都会递增主机每确认一个字节FM24CL64将读取下一个连续字节有四种正确终止读操作的方式终止读操作失败将很有可能造成总线竞争此时FM24CL64总是试图读出多余的数据送到总线上四种正确操作方法如下1. 主机在第9个时钟不发应答信号在第10个时钟发出停止信号具体解释如下图这是首选方法2. 主机在第9个时钟不发应答信号在第10个时钟发开始信号3. 主机在第9个时钟发出停止信号4. 主机在第9个时钟发出开始信号如果内部地址到达1FFFh 下一个读周期将会翻转到000h图7和图8描述当前地址读的正确操作图7当前地址读图8连续地址读图9选择随机读域很明显除了一次编程应用的其他所有领域铁电记忆体在读写次数更具优势领域中 中简单介绍如下1 数据采集 在数据采集和存储领域中FRAM 的方案它比带后备电池的更节省成本并且比好的写特性2参数配置都能保持其配置参数信息但是如果配置参数需要改变或者电源有可能失效FRAM 录任何时候当系统的状态发生改变时所有变化的参数都可以被写入FRAM 这就避免了当系统掉电再记录数据时可用时间短或能源供应不足的问题 3高噪声环境据对于极具挑战性在严下易被干扰从而使写操作过程发生错误而写速度非常快可在一微秒内完成时间之短可有效避免噪声或电源波动的干扰4加快上市速度在一个复杂的系统中多个软件程序都需要例行访问非易失性记忆体在这种情况下由于EEPROM操作中必须有延时这不适当地增加了软件开发的复杂性在允许一个软件程序访问前当前的软件操作必须结束当上市时间要求很严的时候FRAM就可以排除这一障碍FM24CL64在写操作中无任何延时写操作发生时就已经完成了5RF/ID 在无接触存储领域中FRAM提供一个理想的方案因为RF/ID存储器是由RF方式供电的太长的写入时间和太大功耗使得EEPROM在这种应用场合中不可取FRAM提供一个完美的解决方案FM24CL64特别适合应用于多芯片的RF/ID产品中6保存轨迹黑匣子在一个高度复杂的系统中系统状态和操作记录在发生故障前都必须被记录当信息需要频繁记录时这种记录装置就是成为必需了由于FRAM出色的写性能可以完美的记录系统日志除此之外FM24CL64方便的两线协议可以占用最少的系统资源电性规格Ramtron 中国应用研发与推广中心Ramtron 商务中心北天星国际有限公司。
2_让你透彻理解铁电存储器FRAM
什么是铁电存储器？相对于其它类型的半导体技术而言，铁电存储器具有一些独一无二的特性。
传统的主流半导体存储器可以分为两类--易失性和非易失性。
易失性的存储器包括静态存储器SRAM（static random access memory)和动态存储器DRAM （dynamic random access memory)。
SRAM和DRAM在掉电的时候均会失去保存的数据。
RAM 类型的存储器易于使用、性能好，可是它们同样会在掉电的情况下会失去所保存的数据。
非易失性存储器在掉电的情况下并不会丢失所存储的数据。
然而所有的主流的非易失性存储器均源自于只读存储器（ROM）技术。
正如你所猜想的一样，被称为只读存储器的东西肯定不容易进行写入操作，而事实上是根本不能写入。
所有由ROM技术研发出的存储器则都具有写入信息困难的特点。
这些技术包括有EPROM (几乎已经废止）、EEPROM和Flash。
这些存储器不仅写入速度慢，而且只能有限次的擦写，写入时功耗大。
铁电存储器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。
铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁--一种非易失性的RAM。
美国Ramtron公司铁电存储器（FRAM）的核心技术是铁电晶体材料。
这一特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体（RAM）和非易失性存储器的特性。
铁电晶体的工作原理是：当在铁电晶体材料上加入电场，晶体中的中心原子会沿着电场方向运动，达到稳定状态。
晶体中的每个自由浮动的中心原子只有2个稳定状态，一个记为逻辑中的0，另一个记为1。
中心原子能在常温、没有电场的情况下，停留在此状态达100年以上。
铁电存储器不需要定时刷新，能在断电情况下保存数据。
由于整个物理过程中没有任何原子碰撞，铁电存储器有高速读写、超低功耗和无限次写入等特性。
铁电存储器和E2PROM比较起来，主要有以下优点：（1）FRAM可以以总线速度写入数据，而且在写入后不需要任何延时等待，而E2PROM在写入后一般要5～10 ms的等待数据写入时间；（2）FRAM有近乎无限次写入寿命。
智能指南：Trinity EcoStorage 5-Tier 18 x18 x56.5 方形架-铅金
OWNER’S MANUALTRINITY ECOSTORAGE™ 5-TIER 18"x18"x56.5"SQUARE RACK –CHROME Model # TBFZ-0956Important / Important / ImportanteDOW NLOAD THE FREE APP |TÉLÉCHARGER L’APPLICATION GRATUITE |DESCARGUE LA APLICACIÓN GRATUITADirectives intelligentes Instrucciones InteligentesFOR QUICK & EASY 3D ASSEMBLY INSTRUCTIONS POUR DES DIRECTIVES D’ASSEMBLAGE 3D RAPIDES ET FACILES PARA INSTRUCCIONES DE ENSAMBLAJE RÁPIDAS Y SENCILLAS EN 3D© 2019 TRINITY -800.985.5506Your TRINITY EcoStorage ™ 5-Tier Square Rack should include the following parts. Please inspect box contents to ensure you have received all components.If you are missing any parts, need assistance with assembly or have questions, please contact TRINITY CustomerService:*******************************************.Partscanalsoberequestedonline at (Help & More, Contact Us). You will NOT need additional tools for assembly.PARTS LIST1SIDEBAR W/ HOOKS (1)E A B SHELF (3)CTOP POLE (4)End Cap (4) and Pole Connector (4)pre-installedBOTTOM POLE (4)Threaded Insert (4)pre-installedD FNote: The black circular plastic spacers in between Shelves are used only for packaging purposes. They are NOT needed. Please discard.ANTI-TIP HARDWARE PACK(1)G H I JWRENCH (1)LOCKING CASTER (4)MIDDLE POLE (4)Pole Connector (4)pre-installedBASKET (2)SLIP SLEEVE (42) + (4) extra© 2019 TRINITY -800.985.55062A (4)I (2)STEP 1Screw each LOCKING CASTER (H) into each BOTTOM POLE (A). Turn clockwise to screw in place.Use provided caster wrench to tighten completely. Failure to do as instructed could result in caster stem breaking.For easiest assembly, do NOT attach TOP POLES (C), MIDDLE POLES (B) and BOTTOM POLES (A) until instructed. Once connected, these will be posts for the rack.Note that POLES (A+B+C) have slight horizontal line indentations at 1” intervals. Each SLIP SLEEVE (G) has raised horizontal lines inside designed to lock them in place on POLES (A+B+C). On BOTTOM POLE (A), place one pair of SLIP SLEEVES (G) at desired height no higher than 3rd indentation from bottom.Please make sure arrow faces up and word “TOP” is right side up. Slide pair of SLIP SLEEVES (G) until you hear a click to confirm pair is locked onto BOTTOM POLE (A). Do this for each BOTTOM POLE (A) and make sure height is identical for each BOTTOM POLE (A). Do NOT place more than one pair on each pole at a time.A (4)G (8)Note: There will be a very small gap in-between two locked SLIP SLEEVES (G)—this is normal.STEP 2H (4)IGAHA© 2019 TRINITY -800.985.55063Place SHELF (D) on its side and slide each BOTTOM POLE (A) through each corner cylinder on SHELF (D). Make sureSHELF (D) corner cylinders are positioned over SLIP SLEEVES (G).Stand unit upright.Note:•Use a rubber mallet, if needed, to secure SHELF (D).D (1)STEP 3STEP 4DEE (1)G (8)GIn the same way as indicated in STEP 2 & 3, install BASKET (E).Note:•Use a rubber mallet, if needed, to secure BASKET (E).© 2019 TRINITY -800.985.55064In the same way as indicated in STEP 2 & 3, install 1 BASKET (E), 2 SHELVES (D) and then 1 SIDEBAR W/ HOOKS (F) as desired.STEP 5STEP 6D (2)G (26)E (1) Note:•Shelves, Sidebar and baskets are adjustable in 1” increments and can be placed as needed to best fit storage needs.•Use a rubber mallet, if needed, to secure SHELVES (D), BASKET (E) and SIDEBAR W/ HOOKS (F).C (4)B (4)Screw MIDDLE POLE (B) into BOTTOM POLE (A). Repeat for each remaining MIDDLE POLE (B).Screw TOP POLE (C) into MIDDLE POLE (B). Repeat for each remaining TOP POLE (C). Note: Top of each TOP POLE (C) is indicated by a BLACK END CAP.CBF (1)DEGF5© 2019 TRINITY -800.985.5506Anti-tip Hardware InstallationJ (1)On Wood StudDetermine wood stud location and mark it on wall, level with topmost shelf. Do this on two different studs along top shelf.Place Shelving Rack into position.Insert Screw through Washer and backside frame of top shelf as shown. Fasten Screw tightly into stud. Do this for each stud that was marked out.On Brick/ConcreteMark out two separate locations on wall, level with topmost shelf.With a 1/4” drill bit, drill a hole 1-1/4” deep at each marked location. Push Anchors flush into each hole.Place Shelving Rack into position.Insert Screw through Washer and backside frame of top shelf as shown. Fasten Screw tightly into Anchor. Do this on both Anchors that were placed in wall.Washer (2)Anchor (2)Screw (2)ANTI-TIP HARDWARE PACK (J) is used to protect against accidental tipping –especially due to curious children. Note that installing ANTI-TIP HARDWARE PACK (J) will no longer allow your rack to be mobile.Part NumberDescription Part Number Description 1)ZSV-03-080-1818Shelf7)ZSV-99-008-3010Locking Caster 2)ZSV-02-007-0010Sidebar w/ Hooks 8)XXX-97-002-0001Wrench 3)ZSV-04-029-1675Top Pole 9)ZSV-21-013-1818Basket 4)ZSV-01-030-2523Pole Connector 10)XBK-01-011-2543Slip Sleeve5)ZSV-04-030-1800Middle Pole 11)ZSV-02-011-0001Anti-tip Hardware Pack 6)ZSV-04-031-1825Bottom Pole12)XBK-23-004-2517End CapTRINITY Customer Service provides the following replacement parts:SERVICE PARTS LIST –TBFZ-0956© 2019 TRINITY -800.985.55066123456121110987WARNINGS1.Read and understand all instructions.Failure to follow all instructions may result in injuryand/or damage.e the provided caster wrench to tighten casters completely. Failure to do as instructedcould result in the caster stem breaking thereby causing the shelving rack to collapse.3.The warnings, cautions, and instructions discussed in this manual cannot cover allpossible conditions or situations that may occur.The user must always be aware of theenvironment where the product will be placed and make sure to use the product in a safeand responsible manner.4.Do NOT modify the product in any way.Unauthorized modification may impair thefunction and/or safety of the product, and may affect the life of the product. Anymodifications will void product warranty.5.Check for damaged parts.Before using this product, carefully check that all parts are ingood condition, and that the product will operate properly and perform its intendedfunction. Check for damaged parts and any other conditions that may affect the operation of this product. Replace damaged or worn parts, and never use this product with a damaged part.6.Do NOT overload the product.Weight capacity per shelf (evenly distributed)75lbWeight capacity per basket (evenly distributed)25lbWeight capacity per sidebar w/ hooks (evenly distributed)10 lbTotal weight capacity of shelving rack (evenly distributed)285lb7.Do NOT allow children to climb or play around the product. Tipping may occur causinginjury.8.Only use the product on an even and stable surface.9.Load the product evenly and place the heaviest items on the lower shelves.10.Always lock the locking casters when not moving the product.CARE AND MAINTENANCE•Avoid harsh, abrasive cleaners, and other corrosive chemicals.•This product is not certified for outdoor use.7© 2019 TRINITY -800.985.5506Thank you for purchasing a TRINITY EcoStorage™ 5-Tier Square Rack. In order to register your product and receive streamlined customer service, please fill out the following Product Registration Form and(1) fax the form to 310.347.4134 (2) complete the Product Registration Form online ator(3)**************************************************.Includeacopyofyour original receipt with your submission.First Name: Last Name:Address:City: State: Zip Code:Email Address: Phone:Product Model #: TBFZ-0956 Purchase Date: / /Location of Purchase:Please rate the importance of each feature (1=least important; 10=most important)Quality Price Size/Capacity Appearance OtherHow did you hear about our product?Magazine Ad Catalog Salesperson Word of MouthInternet Store Display OtherMarital Status:Single MarriedHousehold Income:Below $50,000 $50,000-$150,000 $150,000+Education:High School College Graduate SchoolPrimary Residence:Own RentComments/Suggestions:© 2019 TRINITY -800.985.550689© 2019 TRINITY -800.985.55061 YEAR LIMITED WARRANTYTRINITY EcoStorage™ 5-Tier Square RackModel # TBFZ-0956Trinity International Industries (“Trinity”) warrants to the original consumer purchaser (“Purchaser”) of the TRINITY EcoStorage™ 5-Tier Square Rack (“Product”) that each Product shall be free from defects in workmanship and materials for a period of 1 year from the date of original purchase. 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完美守护，金河田MD-U2553移动硬盘盒
完美守护，金河田MD-U2553移动硬盘盒
佚名
【期刊名称】《计算机应用文摘》
【年(卷),期】2006(000)025
【摘要】金河田MD-U2553采用金属外壳设计，外壳表面经过磨沙处理，硬盘盒外壳的金属厚度为1．2mm，可以在对硬盘起到良好保护作用。
同时，对移动硬盘的被动散热也有所帮助。
金河田MD-U2553采用的是赛普拉斯
CY7C68300B控制芯片，可以满足用户对移动硬盘低功耗高速度的要求。
附件方面，随产品赠送了驱动光盘、说明书、USB连接线以及精美皮套。
【总页数】1页(P33)
【正文语种】中文
【中图分类】TP333.35
【相关文献】
1.守护健康金河田SOHO7618B机箱 [J],
2.简约而不简单，金河田移动硬盘盒 [J],
3.完美定制,守护母婴健康 [J], 刘晶晶
4.完美"她力量":从"母亲水窖"到"完美守护包" [J], 周琦
5.风行T5 EVO完美通过智能辅助全场景测试展“智勇双全”硬核守护实力 [J], 徐飞
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完美的铁电存储器
一. Fujitsu铁电存储器(FRAM) 技术原理
日本Fujitsu公司是全球最大的铁电存储器(FRAM)供货商，至2010年12月31日，全球已经累计出货17亿颗铁电存储器！
Fujitsu公司铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁晶体管材料，这一特殊材料使得铁电存储产品同时拥有随机存取内存(RAM) 和非挥发性存贮产品(ROM)的特性。
铁晶体管材料的工作原理是：当我们把电场加载到铁晶体管材料上，晶阵中的中心原子会沿着电场方向运动，到达稳定状态，晶阵中的每个自由浮动的中心原子只有两个稳定状态，一个我们拿来记忆逻辑中的０、另一个记亿１，中心原子能在常温，没有电场的情况下停留在此状态达一百年以上。
铁电存储器不需要定时刷新，能在断电情况下保存资料。
二、Fujitsu铁电存储器(FRAM) 技术优点
传统半导体内存有两大体系：挥发性内存(Volatile Memory)，和非挥发性内存(Non-volatile Memory)。
挥发性内存如SRAM和DRAM 在没有电源的情况下都不能保存资料，但这种内存拥有高性能、易用等优点。
非挥发性内存像 EPROM、 EEPROM和 FLASH 能在断电后仍保存资料，但由于所有这些内存均起源自只读存储器 (ROM) 技术，所以您不难想象得到它们都有不易写入的缺点，
确切的来说，这些缺点包括写入缓慢、有限次写入次数、写入时需要特大功耗等等。
FRAM第一个最明显的优点是FRAM可跟随总线(Bus Speed)速度写入，若比较起 EEPROM/Flash的最大不同的是 FRAM在写入后无须任何等待时间(NoDelayTM Write)，而 EEPROM/Flash须要等 3~10毫秒 (mS) 才能写进下一笔资料。
铁电存储器(FRAM)的第二大优点是近乎无限次读写。
当 EEPROM/Flash只能应付十万次 (10的5次方)至一百万次写入时，新一代的铁电存储器(FRAM)已达到一百亿个亿次(10的 10次方)的写入寿命。
铁电存储器(FRAM)的第三大优点是超低功耗。
EEPROM的慢速和高电流写入令它需要高出 FRAM 2,500倍的能量去写入每个字节。
三、 Fujitsu FRAM铁电存储器的应用
我们向来用EEPROM或者Flash 来存储设置资料和启动程序，用 SRAM 来暂存系统或运算变量．如果掉电后这些资料仍需保留的话，我们会通过加上后备电池的方法去实现．很久以来我们没有检验这种内存架构的合理性．铁电存储器(FRAM)的出现为大家提供了一个简洁而高性能的一体化存贮技术。
1. 数据采集和记录
铁电存储器(FRAM) 的出现使工程师可以运用非挥发性的特点进行多次高速写入。
在这以前在只有 EEPROM和Flash的情况下，大量数据采集和记录对工程师来说是一件非常头疼的事。
数据采集包括记录和贮存资料，更重要的是能在失去电源的情况下不丢失任何资料。
在数据采集的过程中，资料需要不断高速写入，对旧资料进行更新，EEPROM和Flash的写入寿命和速度往往不能满足要求。
典型应用包括：数字式仪表(电力表、水表、煤气表、暖气表、车用仪表表)、量测仪器、非接触式智能卡(RF ID)、门禁保安系统、行驶记录仪(Black Box) 、医疗器材和卫星天线(Satellite Antenna)等…
２. 存储配置参数(Setting)
以往在只有EEPROM和Flash的情况下，由于写入次数限制，工程师们只能在侦测到掉电的时候，才把更新了的配置参数及时地存进 EEPROM和Flash里，这种做法很明显地存在着可靠性的问题。
铁电存储器(FRAM)的推出使工程师可以有更大的发挥空间去选择实时记录最新的配置参数，免去是否能在掉电时及时写入的忧虑。
典型应用包括：电话里的电子电话簿、复印机、网络设备、工业用微控制器、游戏机、机顶盒 (Set-Top-Box)、TFT Panel /(Smart Panel)、自动贩卖机和打印机等…
３. 非挥发性缓冲记忆 (Buffer)
铁电存储器(FRAM)无限次快速读写令这种产品十分适合担当重要系统里的暂存内存。
在一些重要系统里，往往需要把资料从一个子系统非实时地传到另一个子系统去，由于资料的重要性，缓冲区内的资料在掉电时不能丢失。
以往，工程师
们只能通过 SRAM加后备电池的方法去实现.虽然知道这种方法隐藏着电池耗干、化学液体泄出等安全、可靠性等等问题。
铁电存储器(FRAM)的出现为业界提供了一个高可靠性，且低成本的解决方案。
典型应用包括：自动提款机(ATM) 、RAID、商业结算系统(POS) 和 MFP等…
４. SRAM的取代和扩展
铁电存储器(FRAM)无限次快速读写和非挥发性的特点，令系统工程师可以把现在在线路板上分离的SRAM和 EEPROM组件整合到一个铁电存储器(FRAM)里，更可为整个系统节省功耗、成本与空间，并同时增加了整个系统的可靠性。
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典型应用包括：用铁电存储器(FRAM)加一个便宜的微控制芯片(Microcontroller)来取代一个较贵的 SRAM嵌入式单芯片和外围 EEPROM/Flash
四、 Fujitsu FRAM铁电存储器的接口方式
所有产品皆符合工业规格温度标准-40℃至 85.
℃，所提供产品有串行I2C和SPI 接口以及并行接口三种方式：
1. 串行接口：I2C接口配选最少的接脚; SPI (SPI Bus) 产品需要多一至两个
接脚，但均具有高速和通讯协议简单的优点。
2. 并行接口：与标准SRAM脚位兼容。
并行FRAM对SRAM+Battery (后备电
池)的无奈设计方式，提供了一个最佳的解决方案。
系统工程师不再需要担心电池干涸，和在系统里加上笨拙的机械装置。
FRAM 的封装就像SRAM 一样有简单的 SMD表面黏着封装 (SOIC) 或插脚封装(DIP) --- 而您也该是时候把电池仍掉了！。