Silvaco中文学习手册
Silvaco操作指南
第二篇半导体工艺及器件仿真软件Silvacｏ操作指南主要介绍了半导体器件及工艺仿真软件Silvaｃｏ得基本使用。
书中通过例程引导学习工艺仿真模块Athenａ与器件仿真模块Atlａs,通过这两部分得学习可以使学习人员深入了解半导体物理得基本知识,半导体工艺得流程,以及晶体管原理得基本原理，设计过程，器件得特性。
对于学习集成电路得制备及后道工序有一定得帮助。
第一章ＳIＬVACO软件介绍ﻩ错误!未定义书签。
1、1程序启动............................... 错误!未定义书签。
1、2选择一个应用程序例子ﻩ错误!未定义书签。
1、3工艺模拟ﻩ错误!未定义书签。
1、3、１运行一次模拟 .................... 错误!未定义书签。
１、3、2 渐进学习模拟ﻩ错误!未定义书签。
1、3、３绘制结构 ........................ 错误!未定义书签。
1、３、4 使用Tonypｌot进行绘图ﻩ错误!未定义书签。
1、3、5 修正绘图得外观ﻩ错误!未定义书签。
1、3、6 缩放及在图上进行平移ﻩ错误!未定义书签。
1、３、7 打印图形ﻩ错误!未定义书签。
1、４使用H ISTＯRＹ功能..................... 错误!未定义书签。
１、5明确存贮状态ﻩ错误!未定义书签。
1、6创建用于比较得两个结构文件 ............ 错误!未定义书签。
1、6、1 存贮文件创建 ..................... 错误!未定义书签。
1、6、2 文件交叠 ......................... 错误!未定义书签。
1、7运行ＭOS工艺程序得第二部分 ........... 错误!未定义书签。
1、７、1 `Stop Ａt’ 功能ﻩ错误!未定义书签。
１、７、2 使用Ｔｏnｙploｔ用于2-Ｄ结构.. 错误!未定义书签。
１、7、3 使用Ｔoｎyplｏt来制备一轮廓图ﻩ错误!未定义书签。
silvaco TCAD 仿真速成手册
silvaco TCAD 仿真速成手册排行榜收藏打印发给朋友举报发布者：kongfuzi热度4票浏览33次时间：2010年2月26日09:01 silvaco TCAD 仿真速成手册第1章: 简介该指南手册针对首次应用SILVACO TCAD软件的新用户。
它旨在帮助新用户在几分钟时间内快速并成功安装和运行该软件。
该指南也演示如何快速有效查看手册，查找仿真器中使用的所有参数的解释和定义。
它也参照相应章节，来理解等式以及其使用的根本规则。
关于进一步的阅读和参考，用户可参照SILVACO网站的技术支持部分，那里有丰富的技术材料和发表文献。
第2章: 快速入门2.1: DeckBuild运行时间环境窗口"DeckBuild"是富含多样特征的运行时间环境，它是快速熟悉SILVACO的TCAD软件的关键。
Deckbuild 主要特征包括：自动创建输入文件、编辑现有输入文件，创建DOE，强大的参数提取程序和使得输入文件中的参数变量化。
更重要的是，DeckBuild包含好几百个范例，涵盖多种电学、光学、磁力工艺类型，便于首次使用该工具的用户。
使用入门用户可打开一个控制窗口，创建一个目录，用于保存该指南范例将创建的临时文件。
例如，要创建或重新部署一个名为"tutorial," 的目录，在控制窗口键入：mkdir tutorial cd tutorial然后键入下列命令开启deckbuild运行环境：deckbuild屏幕上将出现类似于图2.1的DeckBuild运行时间环境。
GUI界面包括两部分：上部窗口显示当前输入文件，而下部显示运行输入文件时创建的输出。
图2.1 DeckBuild 运行时间界面GUI2.2: 载入和运行范例输入文件可以由用户创建或者从范例库中加载。
为了熟悉软件语法，最好载入第一个实例中范例。
要从deckbuild运行时间环境的GUI载入范例，可点击：Main Control... Examples(范例)...屏幕将弹出一个窗口显示一列47个类别的范例。
Silvaco-TCAD交互式工具的界面及基本操作教学提纲
2.5 DeckBuild实时输出
• 程序运行时实时显示运行进度和结果
Page 16
3 Tonyplot界面及主要操作
第一部分 第二部分 第三部分
Silvaco TCAD框架 DeckBuild 界面及主要操作 Tonyplot 界面及主要操作
Page 17
3 Tonyplot界面
Stop at line（Ctrl + B）：设置断点。
Page 14
2.4 DeckBuild输入
• 仿真程序输入
go athena line x loc=0 spac=0.1 line x loc=1 spac=0.1 line y loc=0 spac=0.02 line y loc=10 spac=0.2 init c.phos=2e13 oreit=111 two.d tonyplot
Page 25
欢迎提问
谢谢！
Page 26
• Interactive Tools
DeckBuild，Maskviews，DevEdit，Tonyplot，Tonyplot3D；
• Virtual Wafer Fab
Page 4
1.2 Silvaco TCAD的主要交互工具
• 集成环境 DeckBuild
仿真控制 进行仿真语法输入和编辑； 仿真的实时输出； 各仿真器通过DeckBuild调用；
Stop（Shift + F5）：执行完当前行就停 止；
Next（F10）：运行完下一行就停止； Continue（F5）：在之前停止运行的行 开始往下运行；
Initialize：从仿真历史初始化； Kill（Ctrl + K）：强制立即结束； Line（Ctrl + L）：重置当前行为选择的 行；
SILVACO-ATLAS操作文档
实 四、 模型指定命令组 以上我们已经建立了器件结构，现在我们将进入模型指定命令组。在这个命令组中，我们将分别用 Model
室
验
实
子
电
微
学
大 图 4.3
图 4.4
山 以上我们将每个电极均定义为欧姆接触，接触势为 4.1。 中 3. 指定接触面特性
室 2. ATLAS 命令的顺序 在 ATLAS 中，每个输入文件必须包含按正确顺序排列的五组语句。这些组的顺序如图 1.1 所示。如果
不按照此顺序，往往会出现错误信息并使程序终止，造成程序非正常运行。
验
实
子
电
微
3. 开始运行 ATLAS
学图 1.1
1) 2)
大 点击桌面图标“Exceed XDMCP Broadcast”。 （如图 1.2）
1. 定义网格 在 ATLAS 中定义器件只能用矩形方式定义。如欲定义如右图的结构，必须按照三个
学 黑色矩形来定义。 这些矩形区域在 ATLAS 中称之为网格。网格的大小由 X、Y 坐标（loc）定义，为了 更为精确的描述网格，ATLAS 将网格进行细分(spac)，等号后面的参数即为细分的间隔。
大 网格的疏密决定仿真结果的精确程度。
能带间隙、少子寿命等。本节将用 material 命令来定义相关参数。 Material 参数分为几大类。区域参数，能带结构参数，迁移率模型参数，复合模型参数等等。每个参数
室 都对应一定的物理模型，由一系列方程来表示这些量。 常用参数（命令）有：本征载流子浓度允许的最小值（ni.min）、电子空穴的寿命（taun0、taup0）、电
varco用户手册(中文版)详解
TDS－11SA顶部驱动钻井系统V ARCO钻井系统用户手册2007年10月系统说明前言手册体例安全知识本手册中凡是出现有可能引起人身伤害或设备损坏的有关信息均以一定格式表示以引起用户注意重要信息、警告或注意小心。
见以下举例并注意这些重要提示。
●表明在操作及维护过程中没有人身伤害及设备损坏的危险。
▲表明有可能损坏设备。
◆表明存在着伤害人身的危险。
在操作、检查及维修前阅读本手册及相关文件以避免人身伤害及设备损坏。
方位说明本手册中涉及的部件前后左右方位假定TDS-11SA对着井口，站在其后面看顶驱系统（TDS-11SA）。
手册式样这一册包括几个独立小本，可以方便地单独运用。
第一章总述说明本册包括组成TDS-11SA顶驱钻井系统的主要部件的说明和操作理论。
TDS-11SA顶部驱动钻井系统具有结构紧凑和轻便的特点。
两套350马力或400马力变频交流钻井电机为TDS-11SA提供钻井动力，一套液压系统为所有辅助功能提供动力，省去了一套单独的液压动力系统和液体伺服回路。
下面的图1－1给出了组成TDS-11SA的九个组成部分。
图1-1 典型的TDS-11SAAC Drilling Motors交流钻井马达Bail提环Carriage and guide beam滑动架及导轨counterbalance system平衡系统Gooseneck鹅颈管bonnet阀罩washpipe packing assembly 冲管盘根总成transmission/motor housing and swivel assembly传动/电机和水龙头总成pipehandler 管子处理装第二章主要部件说明介绍以下介绍的TDS-11SA零部件和定义的条目适用于整个手册。
交流钻井电机TDS-11SA使用了两个400马力或两个350马力的交流电机，垂直并排安装在主机顶部给TDS-11SA提供动力（见图1-2）。
图1-2 交流钻井马达AC 350 hp drilling motor 350马力交流钻井马达350 hp AC drilling motor 350马力交流钻井马达main body主机一个经过改装的“D”型端面将钻井电机联接到主机上。
Silvaco中文学习手册
§ 4 工艺及器件仿真工具 SILVACO-TCAD本章将向读者介绍如何使用 SILVACO 公司的TCAD 工具ATHENA 来进行工艺仿真以及 ATLAS 来进行器件仿真。
假定读者已经熟悉了硅器件及电路的制造工艺以及MOSFET 和BJT 的基本概念。
使用ATHENA 的NMOS 工艺仿真概述本节介绍用ATHENA 创建一个典型的 MOSFET 输入文件所需的基本操作。
包括： a. 创建一个好的仿真网格 b. 演示淀积操作 c. 演示几何刻蚀操作d. 氧化、扩散、退火以及离子注入e. 结构操作f. 保存和加载结构信息 创建一个初始结构 1定义初始直角网格a. 输入UNIX 命令：deckbuild-an&，以便在deckbuild 交互模式下调用 ATHENA 。
在短暂的延迟 后，deckbuild 主窗口将会岀现。
如图所示， 点击File 目录下的 Empty Document ，清空DECKBUILD 文本窗口；Save ：a o_______________Emp;/ D9'；urr^n;-斗Quit .0 Stac=0.0021~ M nt j* fuk —2 J 0051 I ive、1 UL ^O . 5 雪(zmtLM y l-nc-sfl , (1 为1mt or 彳肺二HL I DH 叨IU <.phfts=l514 帥自m mul=2朴pwel 1 F>o rmsit I on i n^ludi ng ms.5ki n q off cf the rwe' 1 齡diffus tirw-30 tw-1000 dryoZ M .00 hcl-3 ttetch £iM-id 已 thicks.Uu(IIiTOl ^riC图清空文本窗口；图 以“ go athena 开始F 斯卞 Vi 帥 匸| Efit 『) Find 丁□p@n..P--- ------------------ — -------------Main Coitrnl ▼) CommaTd^ r Took 厂spa.-D* Ispac=0LOO6 坏W 匚.DOE ； sca^t-CLOt接下来要明确网格。
Silvaco傻瓜教程—张林—长安大学—2018.06
长安大学半导体工艺与器件仿真实验指导书——Silvoca“傻瓜教程”指导老师：张林副教授电子科学与技术系2018.06前言1. 仿真软件只是一种辅助计算工具，它只是根据你设定的输入和内部设定的运算方法客观的给出输出；仿真结果没有对与不对之分。
作为一个专业人员，需要理解软件的仿真过程，了解你的输入到底如何被代入软件运行过程中，从而影响输出结果。
2. 仿真只是一种手段，只是专业理论知识的延续。
仿真的内容和仿真的结果，如果缺乏专业知识的支撑，就只是一些代码和数据。
软件是个黑匣子，越是复杂的界面和功能，越是会影响你理解仿真的内部过程。
不要被软件代替你思考！3. 仿真有什么用？第一，仿真是对理论的一种重现，各种模型之间相互验证；第二，在准确的仿真基础和工艺逻辑上，可以准确预测不同的结构和工艺，设计和优化器件；4. 如何开展仿真？第一，仿真前先了解器件的原理，预测仿真的结果；第二，根据相关的理论，定义器件和仿真内容；第三，根据预设的目的，分析仿真结果。
运行完成并不是结束，而是开始。
如何利用仿真结果指导工作才是专业人员的工作中心。
3. 专业软件一般都没有“中文版傻瓜教材”，学会充分利用软件自带的例库和用户手册才是王道。
需要仿真什么，先在软件中找类似的例子，直接修改。
遇到不会用的操作或者语句，在用户手册中查找语法。
不要痛恨英文说明手册，谁叫软件都是老外编的呢！4. 在安装文件夹中检索名为athena_users和atlas_users的pdf文件。
目录Chap 1. 器件仿真领域的“Hello World”！ (1)Chap 2. 一个最简单的PN结仿真 (5)Chap 3. 一个简单的MOSFET仿真 (10)Chap 4. 一个也许是最简单的工艺仿真 (14)Chap 5. 一个也许是最简单的MOSFET工艺仿真 (17)Chap 6. 一个完整的MOSFET工艺仿真流程详解 (19)Chap 7. 也许是最简单的BJT仿真 (28)Chap 8. 采用电流扫描的PN结击穿仿真 (32)Chap 9. PIN功率二极管反向恢复特性仿真 (34)作者的编后语 (38)Chap 1. 器件仿真领域的“Hello World”！下面的例子，可能最简单的一个仿真例子了！go atlasmeshx.mesh location=0.00 spac=1.0x.mesh location=1.00 spac=1.0y.mesh location=0.00 spac=0.1y.mesh location=1.00 spac=0.1region num=1 siliconelectrode name=anode topelectrode name=cathode bottomdoping n.type conc=5e16 uniformmodel conmob fldmobsolve initlog outfile=resist.logsolve vanode=0.05 vstep=0.05 vfinal=1 name=anodequit下面我们来解释一下这个例子：go atlas#启动软件中的仿真器atlas，在atlas中可以直接定义器件结构并仿真其电学特性；mesh#开始定义网格；x.mesh location=0.00 spac=1.0x.mesh location=1.00 spac=1.0y.mesh location=0.00 spac=0.1y.mesh location=1.00 spac=0.1#网格的空间范围同时“框定”了材料的初始区域（长宽分别为1和1μm的矩形）；并对这个区域进行了离散化；#定义了一个一维的、均匀的网格结构；（x方向实际没有划分网格，y方向均匀划分）region num=1 silicon#定义材料为硅，没有指定区域，就是之前定义的整块材料；electrode name=anode topelectrode name=cathode bottom#定义电极的名称和位置，位于“顶上”的那条边设定为名称为“anode”的欧姆接触电极，位于“底部”的那条边设定为名称为“cathode”的欧姆接触电极；doping n.type conc=5e16 uniform#定义整块材料为N型均匀掺杂，浓度为5e16，没有指定区域，就是整块材料。
Silvaco中文学习手册
S i l v a c o中文学习手册-CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIAN§4 工艺及器件仿真工具SILVACO-TCAD本章将向读者介绍如何使用SILVACO公司的TCAD工具ATHENA来进行工艺仿真以及ATLAS来进行器件仿真。
假定读者已经熟悉了硅器件及电路的制造工艺以及MOSFET和BJT的基本概念。
4.1 使用ATHENA的NMOS工艺仿真4.1.1 概述本节介绍用ATHENA创建一个典型的MOSFET输入文件所需的基本操作。
包括：a. 创建一个好的仿真网格b. 演示淀积操作c. 演示几何刻蚀操作d. 氧化、扩散、退火以及离子注入e. 结构操作f. 保存和加载结构信息4.1.2 创建一个初始结构1定义初始直角网格a. 输入UNIX命令： deckbuild-an&，以便在deckbuild交互模式下调用ATHENA。
在短暂的延迟后，deckbuild主窗口将会出现。
如图4.1所示，点击File目录下的Empty Document，清空DECKBUILD文本窗口；图4.1 清空文本窗口b. 在如图4.2所示的文本窗口中键入语句go Athena ；图4.2 以“go athena”开始接下来要明确网格。
网格中的结点数对仿真的精确度和所需时间有着直接的影响。
仿真结构中存在离子注入或者形成PN结的区域应该划分更加细致的网格。
c. 为了定义网格，选择Mesh Define菜单项，如图4.3所示。
下面将以在0.6μm×0.8μm的方形区域内创建非均匀网格为例介绍网格定义的方法。
图4.3 调用ATHENA网格定义菜单2 在0.6μm×0.8μm的方形区域内创建非均匀网格a. 在网格定义菜单中，Direction（方向）栏缺省为X；点击Location（位置）栏并输入值0；点击Spacing（间隔）栏并输入值0.1；b. 在Comment（注释）栏，键入“Non-Uniform Grid(0.6um x 0.8um)”,如图4.4所示；c. 点击insert键，参数将会出现在滚动条菜单中；图4.4 定义网格参数图 4.5 点击Insert键后d. 继续插入X方向的网格线，将第二和第三条X方向的网格线分别设为0.2和0.6，间距均为0.01。
Silvaco操作指南-53页
第二篇半导体工艺及器件仿真软件Silvaco操作指南主要介绍了半导体器件及工艺仿真软件Silvaco的基本使用。
书中通过例程引导学习工艺仿真模块Athena和器件仿真模块Atlas，通过这两部分的学习可以使学习人员深入了解半导体物理的基本知识，半导体工艺的流程，以及晶体管原理的基本原理，设计过程，器件的特性。
对于学习集成电路的制备及后道工序有一定的帮助。
第一章 SILVACO软件介绍 (3)1.1程序启动 (3)1.2选择一个应用程序例子 (4)1.3工艺模拟 (6)1.3.1 运行一次模拟 (6)1.3.2 渐进学习模拟 (6)1.3.3 绘制结构 (6)1.3.4 使用Tonyplot进行绘图 (7)1.3.5 修正绘图的外观 (7)1.3.6 缩放及在图上进行平移 (8)1.3.7 打印图形 (9)1.4使用H ISTORY功能 (9)1.5明确存贮状态 (10)1.6创建用于比较的两个结构文件 (10)1.6.1 存贮文件创建 (10)1.6.2 文件交叠 (11)1.7运行MOS工艺程序的第二部分 (13)1.7.1 `Stop At' 功能 (13)1.7.2 使用Tonyplot用于2-D结构 (14)1.7.3 使用Tonyplot来制备一轮廓图 (14)1.7.4 产生交互式图例 (16)1.8工艺参数的抽取 (17)1.8.1 源漏结深 (18)1.8.2 器件阈值电压 (18)1.8.3 电导及偏压曲线 (18)1.8.4 一些薄层电阻 (20)1.8.5 沟道表面掺杂浓度 (20)1.9器件模拟 (21)1.9.1 器件模拟界面工艺 (21)1.9.2 建立器件模拟 (21)1.9.3 执行器件模拟 (22)1.9.4 抽取器件参数 (22)第二章电阻仿真及阻值抽取 (23)第三章扩散二极管仿真 (33)2.1硼扩散 (33)2.2进行MESH的实验 (38)2.3绘制杂质掺杂轮廓曲线 (39)2.4查看抽取结果 (40)第四章 NMOS电学特性仿真 (42)3.1NMOS例子加载 (42)3.2T ONYPLOT操作 (43)3.3查看电学仿真结果 (47)第五章工艺流程的横断面观察 (50)4.1初始化衬底 (50)4.2氧化层屏蔽 (50)4.3NWELL注入 (51)4.4PWELL注入 (51)4.5场氧化层生长 (52)4.6 阱推进52第一章 Silvaco软件介绍本章将介绍下面两个VWF（虚拟wafer制备）交互工具的基本使用：∙Deckbuild：VWF运行时控制应用程序。
Silvaco中文学习手册
§4 工艺及器件仿真工具SILVACO-TCAD本章将向读者介绍如何使用SILV ACO公司的TCAD工具ATHENA来进行工艺仿真以及A TLAS来进行器件仿真。
假定读者已经熟悉了硅器件及电路的制造工艺以及MOSFET 与BJT的基本概念。
4、1 使用ATHENA的NMOS工艺仿真4、1、1 概述本节介绍用A THENA创建一个典型的MOSFET输入文件所需的基本操作。
包括:a、创建一个好的仿真网格b、演示淀积操作c、演示几何刻蚀操作d、氧化、扩散、退火以及离子注入e、结构操作f、保存与加载结构信息4、1、2 创建一个初始结构1定义初始直角网格a、输入UNIX命令: deckbuild-an&,以便在deckbuild交互模式下调用ATHENA。
在短暂的延迟后,deckbuild主窗口将会出现。
如图4、1所示,点击File目录下的Empty Document,清空DECKBUILD文本窗口;图4、1 清空文本窗口b、在如图4、2所示的文本窗口中键入语句go Athena ;图4、2 以“go athena”开始接下来要明确网格。
网格中的结点数对仿真的精确度与所需时间有着直接的影响。
仿真结构中存在离子注入或者形成PN结的区域应该划分更加细致的网格。
c、为了定义网格,选择Mesh Define菜单项,如图4、3所示。
下面将以在0、6μm×0、8μm的方形区域内创建非均匀网格为例介绍网格定义的方法。
图4、3 调用ATHENA网格定义菜单2 在0、6μm×0、8μm的方形区域内创建非均匀网格a、在网格定义菜单中,Direction(方向)栏缺省为X;点击Location(位置)栏并输入值0;点击Spacing(间隔)栏并输入值0、1;b、在Comment(注释)栏,键入“Non-Uniform Grid(0、6um x 0、8um)”,如图4、4所示;c、点击insert键,参数将会出现在滚动条菜单中;图4、4 定义网格参数图 4、5 点击Insert键后d、继续插入X方向的网格线,将第二与第三条X方向的网格线分别设为0、2与0、6,间距均为0、01。
Silvaco操作指南
第二篇半导体工艺及器件仿真软件Silvaco操作指南主要介绍了半导体器件及工艺仿真软件Silvaco的基本使用。
书中通过例程引导学习工艺仿真模块Athena和器件仿真模块Atlas，通过这两部分的学习可以使学习人员深入了解半导体物理的基本知识，半导体工艺的流程，以及晶体管原理的基本原理，设计过程，器件的特性。
对于学习集成电路的制备及后道工序有一定的帮助。
第一章 SILVACO软件介绍 (3)1.1程序启动 (3)1.2选择一个应用程序例子 (4)1.3工艺模拟 (5)1.3.1 运行一次模拟 (5)1.3.2 渐进学习模拟 (5)1.3.3 绘制结构 (5)1.3.4 使用Tonyplot进行绘图 (6)1.3.5 修正绘图的外观 (6)1.3.6 缩放及在图上进行平移 (7)1.3.7 打印图形 (8)1.4使用H ISTORY功能 (8)1.5明确存贮状态 (9)1.6创建用于比较的两个结构文件 (9)1.6.1 存贮文件创建 (9)1.6.2 文件交叠 (10)1.7运行MOS工艺程序的第二部分 (12)1.7.1 `Stop At' 功能 (12)1.7.2 使用Tonyplot用于2-D结构 (13)1.7.3 使用Tonyplot来制备一轮廓图 (13)1.7.4 产生交互式图例 (15)1.8工艺参数的抽取 (16)1.8.1 源漏结深 (17)1.8.2 器件阈值电压 (17)1.8.3 电导及偏压曲线 (17)1.8.4 一些薄层电阻 (19)1.8.5 沟道表面掺杂浓度 (19)1.9器件模拟 (20)1.9.1 器件模拟界面工艺 (20)1.9.2 建立器件模拟 (20)1.9.3 执行器件模拟 (21)1.9.4 抽取器件参数 (21)第二章电阻仿真及阻值抽取 (22)第三章扩散二极管仿真 (32)2.1硼扩散 (32)2.2进行MESH的实验 (37)2.3绘制杂质掺杂轮廓曲线 (38)2.4查看抽取结果 (39)第四章 NMOS电学特性仿真 (41)3.1NMOS例子加载 (41)3.2T ONYPLOT操作 (42)3.3查看电学仿真结果 (46)第五章工艺流程的横断面观察 (49)4.1初始化衬底 (49)4.2氧化层屏蔽 (49)4.3NWELL注入 (50)4.4PWELL注入 (50)4.5场氧化层生长 (51)4.6 阱推进51第一章 Silvaco软件介绍本章将介绍下面两个VWF（虚拟wafer制备）交互工具的基本使用：•Deckbuild：VWF运行时控制应用程序。
Silvaco傻瓜教程—张林—长安大学—2018.06
长安大学半导体工艺与器件仿真实验指导书——Silvoca“傻瓜教程”指导老师：张林副教授电子科学与技术系2018.06前言1. 仿真软件只是一种辅助计算工具，它只是根据你设定的输入和内部设定的运算方法客观的给出输出；仿真结果没有对与不对之分。
作为一个专业人员，需要理解软件的仿真过程，了解你的输入到底如何被代入软件运行过程中，从而影响输出结果。
2. 仿真只是一种手段，只是专业理论知识的延续。
仿真的内容和仿真的结果，如果缺乏专业知识的支撑，就只是一些代码和数据。
软件是个黑匣子，越是复杂的界面和功能，越是会影响你理解仿真的内部过程。
不要被软件代替你思考！3. 仿真有什么用？第一，仿真是对理论的一种重现，各种模型之间相互验证；第二，在准确的仿真基础和工艺逻辑上，可以准确预测不同的结构和工艺，设计和优化器件；4. 如何开展仿真？第一，仿真前先了解器件的原理，预测仿真的结果；第二，根据相关的理论，定义器件和仿真内容；第三，根据预设的目的，分析仿真结果。
运行完成并不是结束，而是开始。
如何利用仿真结果指导工作才是专业人员的工作中心。
3. 专业软件一般都没有“中文版傻瓜教材”，学会充分利用软件自带的例库和用户手册才是王道。
需要仿真什么，先在软件中找类似的例子，直接修改。
遇到不会用的操作或者语句，在用户手册中查找语法。
不要痛恨英文说明手册，谁叫软件都是老外编的呢！4. 在安装文件夹中检索名为athena_users和atlas_users的pdf文件。
目录Chap 1. 器件仿真领域的“Hello World”！ (1)Chap 2. 一个最简单的PN结仿真 (5)Chap 3. 一个简单的MOSFET仿真 (10)Chap 4. 一个也许是最简单的工艺仿真 (14)Chap 5. 一个也许是最简单的MOSFET工艺仿真 (17)Chap 6. 一个完整的MOSFET工艺仿真流程详解 (19)Chap 7. 也许是最简单的BJT仿真 (28)Chap 8. 采用电流扫描的PN结击穿仿真 (32)Chap 9. PIN功率二极管反向恢复特性仿真 (34)作者的编后语 (38)Chap 1. 器件仿真领域的“Hello World”！下面的例子，可能最简单的一个仿真例子了！go atlasmeshx.mesh location=0.00 spac=1.0x.mesh location=1.00 spac=1.0y.mesh location=0.00 spac=0.1y.mesh location=1.00 spac=0.1region num=1 siliconelectrode name=anode topelectrode name=cathode bottomdoping n.type conc=5e16 uniformmodel conmob fldmobsolve initlog outfile=resist.logsolve vanode=0.05 vstep=0.05 vfinal=1 name=anodequit下面我们来解释一下这个例子：go atlas#启动软件中的仿真器atlas，在atlas中可以直接定义器件结构并仿真其电学特性；mesh#开始定义网格；x.mesh location=0.00 spac=1.0x.mesh location=1.00 spac=1.0y.mesh location=0.00 spac=0.1y.mesh location=1.00 spac=0.1#网格的空间范围同时“框定”了材料的初始区域（长宽分别为1和1μm的矩形）；并对这个区域进行了离散化；#定义了一个一维的、均匀的网格结构；（x方向实际没有划分网格，y方向均匀划分）region num=1 silicon#定义材料为硅，没有指定区域，就是之前定义的整块材料；electrode name=anode topelectrode name=cathode bottom#定义电极的名称和位置，位于“顶上”的那条边设定为名称为“anode”的欧姆接触电极，位于“底部”的那条边设定为名称为“cathode”的欧姆接触电极；doping n.type conc=5e16 uniform#定义整块材料为N型均匀掺杂，浓度为5e16，没有指定区域，就是整块材料。
Silvaco中文学习手册
§4 工艺及器件仿真工具SILVACO-TCAD本章将向读者介绍如何使用SILV ACO公司得TCAD工具ATHENA来进行工艺仿真以及A TLAS来进行器件仿真。
假定读者已经熟悉了硅器件及电路得制造工艺以及MOSFET 与BJT得基本概念。
4、1 使用ATHENA得NMOS工艺仿真4、1、1 概述本节介绍用A THENA创建一个典型得MOSFET输入文件所需得基本操作。
包括:a、创建一个好得仿真网格b、演示淀积操作c、演示几何刻蚀操作d、氧化、扩散、退火以及离子注入e、结构操作f、保存与加载结构信息4、1、2 创建一个初始结构1定义初始直角网格a、输入UNIX命令: deckbuild-an&,以便在deckbuild交互模式下调用ATHENA。
在短暂得延迟后,deckbuild主窗口将会出现。
如图4、1所示,点击File目录下得Empty Document,清空DECKBUILD文本窗口;图4、1 清空文本窗口b、在如图4、2所示得文本窗口中键入语句go Athena ;图4、2 以“go athena”开始接下来要明确网格。
网格中得结点数对仿真得精确度与所需时间有着直接得影响。
仿真结构中存在离子注入或者形成PN结得区域应该划分更加细致得网格。
c、为了定义网格,选择Mesh Define菜单项,如图4、3所示。
下面将以在0、6μm×0、8μm得方形区域内创建非均匀网格为例介绍网格定义得方法。
图4、3 调用ATHENA网格定义菜单2 在0、6μm×0、8μm得方形区域内创建非均匀网格a、在网格定义菜单中,Direction(方向)栏缺省为X;点击Location(位置)栏并输入值0;点击Spacing(间隔)栏并输入值0、1;b、在ment(注释)栏,键入“Non-Uniform Grid(0、6um x 0、8um)”,如图4、4所示;c、点击insert键,参数将会出现在滚动条菜单中;图4、4 定义网格参数图 4、5 点击Insert键后d、继续插入X方向得网格线,将第二与第三条X方向得网格线分别设为0、2与0、6,间距均为0、01。
silvaco的学习心得
silvaco的学习心得1.Silvaco的各仿真组件均在DeckBuild中启动，包括结果由可视化工具T onyplot输出。
主要组件包括以下三个：ATHENA 对工艺（淀积，离子注入，扩散，氧化光刻，掩膜）进行控制，生成器件结构ALTAS 对器件特性进行仿真计算DevEdit 编写器件结构和Mesh编辑器2.ATHENA的仿真流程a.建立仿真网格命令是line,参数有x、y、location、spacing。
x、y分别设定垂直x、y轴的网格线，location(loc)为轴上坐标，spacing为网格线之间间距（单位um）b.仿真初始化命令是initialize(init)c.工艺步骤（如淀积、光刻、氧化、刻蚀、扩散...）d.抽取特性（如结深、材料厚度、浓度分布...）命令是extracte.结构操作（导入结构、对结构旋转、对结构做镜像和保存...）命令是structure保存文件structure outfile=filename.str对结构做镜像structure mirror left结构上下翻转，将衬底置表面structure flip.y导入结构文件structure infile=filename.strf.Tonyplot显示3.文件类型输入文件 *.in(DeckBuild界面仿真输入文件)结构文件 *.str(器件结构文件)器件仿真结果文件 *.log(仿真结果文件或日志文件)显示设置文件 *.set(Tonyplot设置文件)掩膜文件 *.lay(掩膜结构信息文件)Filename.dat(结果抽取文件)4.Silvaco命令格式1.由command和paramter组成如 command parameter1= n 表数值command parameter2= c表字符串2.一行写不完在行尾加“\”续接，“#”表注释5.DeckBuild命令有：Extract,Go,Set和tonyplot1.extract 语法（syntax）：extract name=parameters2.go 语法：go simulator可以是athens或atlasgo simflags= simflags仿真参数和程序版本3.set 语法：set =value value可以是数值或表达式即定义变量4.tonyplot语法：tonyplot filename.str/filename.log/filename.dat 即将文件显示出来6.器件特性仿真ALTASgo atlasmeshregionelectrode 结构定义dopingmaterialmodels 材料模型定义contactinterfacemethod 选取数值计算方法logsolve 求解loadsaveextracttonyplot 结果分析quitATLAS语法：状态和参数：ATLAS输入文件包含一系列状态量，每个参量都有对应的关键词格式：statment parameter=value四种定义器件结构的方法：1.直接导入结构文件mesh infile=filename2.由ATHENA直接生成器件结构electrode name=substrate backside3.由ATLAS命令生成 x.mesh location= spacing=4.由器件编辑器DecEdit写器件结构 region number=一.结构定义之1.网格定义mesh1.网格化分：mesh 如mesh space.mult= #value默认是1，大于1，则网格变粗糙。
Silvaco操作指南
第二篇半导体工艺及器件仿真软件Silvaco操作指南主要介绍了半导体器件及工艺仿真软件Silvaco的基本使用。
书中通过例程引导学习工艺仿真模块Athena和器件仿真模块Atlas，通过这两部分的学习可以使学习人员深入了解半导体物理的基本知识，半导体工艺的流程，以及晶体管原理的基本原理，设计过程，器件的特性。
对于学习集成电路的制备及后道工序有一定的帮助。
第一章 SILVACO软件介绍 .............. 错误!未定义书签。
程序启动................................... 错误!未定义书签。
选择一个应用程序例子...................... 错误!未定义书签。
工艺模拟 .................................. 错误!未定义书签。
运行一次模拟............................. 错误!未定义书签。
渐进学习模拟............................. 错误!未定义书签。
绘制结构................................. 错误!未定义书签。
使用Tonyplot进行绘图 ................... 错误!未定义书签。
修正绘图的外观 .......................... 错误!未定义书签。
缩放及在图上进行平移 .................... 错误!未定义书签。
打印图形................................. 错误!未定义书签。
使用H ISTORY功能 ........................... 错误!未定义书签。
明确存贮状态 .............................. 错误!未定义书签。
创建用于比较的两个结构文件................. 错误!未定义书签。
存贮文件创建............................. 错误!未定义书签。
SilvacoTCAD半导体仿真工具培训教程资料手册
Silvac o TCA D 半导体仿真工具培训教程_资料手册S ilvac o TCA D 2014.00Win32 1DVD半导体仿真工具Sy nopsy s.Tca d.Sen tauru s.vH-2013.03.Li nux64 3CDSilva co的TC AD 建模服务提供解决方案给那些有特别半导体器件建模需求而内部又没有时间和资源运行TCAD软件的客户。
使用TC AD建模服务，可运用Silva co在半导体物理和T CAD软件操作方面的专长，提供完全、快速和精确的即可使用的解决方案。
Silva co AM S v2010.00 Win32 1CDSil vacoAMS 2008.09 Lin ux3264S ilvac o AMS 2008.09 S olari s 1CDSil vacoAMS 2008.09 Man ual 1CDS ilvac o Icc ad 2008.09 1CDSilv aco I ccad2008.09 Li nux32 64Silva co Ic cad 2008.09 Sol aris1CDSilva co Ic cad 2008.09 Man ual 1CDS ilvac o Log ic 2008.09 1CDSilv aco L ogic2008.09 Li nux32 64Silva co Lo gic 2008.09 Sol aris1CDSilva co Lo gic 2008.09 Man ual 1CDS ilvac o TCA D 2012.00Win32_64 1DVDSilva co TC AD 2010.00 Linu x 1CDSil vacoTCAD2012Linux64 1D VDS ilvac o TCA D 2008.09Solar is 1C DSi lvaco TCAD 2008.09 M anual 1CDSilv aco C ataly st 2008.09 Linu x32 64Si lvaco Cata lyst2008.09 So laris 1CDSilv aco C har 2008.09 Lin ux3264S ilvac o Cha r 2008.09Solar is 1C DSi lvaco Fire bird2008.09 Li nux32 64Silva co Fi rebir d 2008.09Solar is 1C DSi lvaco Mode 2008.09 L inux32 64Silv aco M ode 2008.09 Sol aris1CDSilva co Pa rasit ic 2008.09 Linu x32 64Si lvaco Para sitic 2008.09 S olari s 1CDSil vacoUT 2007.04 Linu x32 64S ilvac o UT2007.04 So laris 1CDSilv aco V WF 2007.04 Linu x32 64S ilvac o VWF 2007.04 S olari s 1CDPar allel Smar tSpic e 1.9.3.E1CD■□■□■□■□■□■□■□■□■□■□■□■□■□■□■□■□■□■□+ 诚信合作，保证质量！！！长期有效: +电话TE L：18980583122 客服 QQ：1140988741■□■□■□■□■□■□■□■□■□■□■□■□■□■□■□■□■□■□Pin nacle产品:Fracp roPT.2007.v10.4.52 1CD（石油工业界的先进压裂软件工具，它提供支撑剂和酸液压裂处理的设计、模拟、分析、执行和优化功能。
【Silvaco TCAD实用教程】4 仿真流程及语法规则
分开 • 一行写不完的在该行的末尾加反斜杠
“\”(注意“\”前需留有空格)，则下一行和 该行将被视为同一个命令 • “#”进行注释 • 空行不运行
Page 11
2.3 参数规则
参数类型
Parameter
Character Integer Logical Real
第一部分 第二部分 第三部分
仿真流程 语法规则 语法学习及书写建议
Page 15EXAMPLE： • EXAMPLE路径，X:\ sedatools\ examples\... • 用户手册： • ATHENA手册位置：
X:\sedatools\lib\Athena\<version_number >.R \ docs\athena_users1.pdf • SILVACO官方网站 : silvaco • SILVACO中国 : silvaco
0主要内容
第一部分 第二部分 第三部分
仿真流程 语法规则 语法学习及书写建议
Page 2
1 仿真流程
第一部分 第二部分 第三部分
仿真流程 语法规则 语法学习及书写建议
Page 3
1.1 仿真流程
• TCAD仿真流程
输入命令 程序运行 输出结果 结果分析
工
划分网格
艺 定义衬底 仿 真 工艺步骤
流 结构操作 程
• 仿真≠真，尽信软件不如没有软件 • 在使用中学习，而不是在记忆中学习
Page 18
4 总结
• 本课的主要内容
• Silvaco TCAD的仿真流程 • Silvaco TCAD的语法规则及学习和书写建议
• 下一课主要内容 • 工艺仿真器介绍 • 工艺仿真流程
varco用户手册105页word
TDS－11SA顶部驱动钻井系统V ARCO钻井系统用户手册2019年10月系统说明前言手册体例安全知识本手册中凡是出现有可能引起人身伤害或设备损坏的有关信息均以一定格式表示以引起用户注意重要信息、警告或注意小心。
见以下举例并注意这些重要提示。
●表明在操作及维护过程中没有人身伤害及设备损坏的危险。
▲表明有可能损坏设备。
◆表明存在着伤害人身的危险。
在操作、检查及维修前阅读本手册及相关文件以避免人身伤害及设备损坏。
方位说明本手册中涉及的部件前后左右方位假定TDS-11SA对着井口，站在其后面看顶驱系统（TDS-11SA）。
手册式样这一册包括几个独立小本，可以方便地单独运用。
第一章总述说明本册包括组成TDS-11SA顶驱钻井系统的主要部件的说明和操作理论。
TDS-11SA顶部驱动钻井系统具有结构紧凑和轻便的特点。
两套350马力或400马力变频交流钻井电机为TDS-11SA提供钻井动力，一套液压系统为所有辅助功能提供动力，省去了一套单独的液压动力系统和液体伺服回路。
下面的图1－1给出了组成TDS-11SA的九个组成部分。
图1-1 典型的TDS-11SAAC Drilling Motors交流钻井马达Bail提环Carriage and guide beam滑动架及导轨counterbalance system平衡系统Gooseneck鹅颈管bonnet阀罩washpipe packing assembly 冲管盘根总成transmission/motor housing and swivel assembly传动/电机和水龙头总成pipehandler 管子处理装置第二章主要部件说明介绍以下介绍的TDS-11SA零部件和定义的条目适用于整个手册。
交流钻井电机TDS-11SA使用了两个400马力或两个350马力的交流电机，垂直并排安装在主机顶部给TDS-11SA提供动力（见图1-2）。
图1-2 交流钻井马达AC 350 hp drilling motor 350马力交流钻井马达350 hp AC drilling motor 350马力交流钻井马达main body主机一个经过改装的“D”型端面将钻井电机联接到主机上。
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§4 工艺及器件仿真工具SILVACO-TCAD
本章将向读者介绍如何使用SILV ACO公司的TCAD工具ATHENA来进行工艺仿真以及A TLAS来进行器件仿真。
假定读者已经熟悉了硅器件及电路的制造工艺以及MOSFET 和BJT的基本概念。
4.1 使用ATHENA的NMOS工艺仿真
4.1.1 概述
本节介绍用A THENA创建一个典型的MOSFET输入文件所需的基本操作。
包括：
a. 创建一个好的仿真网格
b. 演示淀积操作
c. 演示几何刻蚀操作
d. 氧化、扩散、退火以及离子注入
e. 结构操作
f. 保存和加载结构信息
4.1.2 创建一个初始结构
1定义初始直角网格
a. 输入UNIX命令：deckbuild-an&，以便在deckbuild交互模式下调用A THENA。
在短暂的延迟后，deckbuild主窗口将会出现。
如图 4.1所示，点击File目录下的Empty Document，清空DECKBUILD文本窗口；
图4.1 清空文本窗口
b. 在如图4.2所示的文本窗口中键入语句go Athena ；
图4.2 以“go athena”开始
接下来要明确网格。
网格中的结点数对仿真的精确度和所需时间有着直接的影响。
仿真结构中存在离子注入或者形成PN结的区域应该划分更加细致的网格。
c. 为了定义网格，选择Mesh Define菜单项，如图4.3所示。
下面将以在0.6μm×0.8μm 的方形区域内创建非均匀网格为例介绍网格定义的方法。
图4.3 调用ATHENA网格定义菜单
2 在0.6μm×0.8μm的方形区域内创建非均匀网格
a. 在网格定义菜单中，Direction（方向）栏缺省为X；点击Location（位置）栏并输入值0；点击Spacing（间隔）栏并输入值0.1；
b. 在Comment（注释）栏，键入“Non-Uniform Grid(0.6um x 0.8um)”,如图4.4所示；
c. 点击insert键，参数将会出现在滚动条菜单中；
图4.4 定义网格参数图 4.5 点击Insert键后
d. 继续插入X方向的网格线，将第二和第三条X方向的网格线分别设为0.2和0.6，间距均为0.01。
这样在X方向的右侧区域内就定义了一个非常精密的网格，用作为NMOS晶体管的有源区；
e. 接下来，我们继续在Y轴上建立网格。
在Direction栏中选择Y；点击Location栏并输入值0。
然后，点击Spacing栏并输入值0.008；
f. 在网格定义窗口中点击insert键，将第二、第三和第四条Y网格线设为0.2、0.5和
0.8，间距分别为0.01，0.05和0.15，如图4.6所示。
图4.6 Y方向上的网格定义
g. 为了预览所定义的网格，在网格定义菜单中选择View键,则会显示View Grid窗口。
h. 最后，点击菜单上的WRITE键从而在文本窗口中写入网格定义的信息。
如图4.7。
图4.7 对产生非均匀网格的行说明
4.1.3定义初始衬底参数
由网格定义菜单确定的LINE语句只是为ATHENA仿真结构建立了一个直角网格系的基础。
接下来需要对衬底区进行初始化。
对仿真结构进行初始化的步骤如下：
a.在ATHENA Commands菜单中选择Mesh Initialize…选项。
A THENA网格初始化菜单将会弹出。
在缺省状态下，<100>晶向的硅被选作材料；
b.点击Boron杂质板上的Boron键，这样硼就成为了背景杂质；
c.对于Concentration栏，通过滚动条或直接输入选择理想浓度值为1.0，而在Exp栏中选择指数的值为14。
这就确定了背景浓度为1.0×1014原子数/cm3；（也可以通过以Ohm·cm 为单位的电阻系数来确定背景浓度。
）
d.对于Dimensionality一栏，选择2D。
即表示在二维情况下进行仿真；
e.对于Comment栏，输入“Initial Silicon Structure with <100> Orientation”，如图4.8；
f.点击WRITE键以写入网格初始化的有关信息。
图4.8 通过网格初始化菜单定义初始的衬底参数
4.1.4运行ATHENA并且绘图
现在，我们可以运行ATHENA以获得初始的结构。
点击DECKBUILD控制栏里的run 键。
输出将会出现在仿真器子窗口中。
语句struct outfile=.history01.str是DECKBUILD通过历史记录功能自动产生的，便于调试新文件等。
使初始结构可视化的步骤如下：
a.选中文件“.history01.str”。
点击Tools菜单项，并依次选择Plot和Plot Structure…，如图4.9所示；在一个短暂的延迟之后，将会出现TONYPLOT。
它仅有尺寸和材料方面的信息。
在TONYPLOT中，依次选择Plot和Display…；
b.出现Display（二维网格）菜单项，如图4.10所示。
在缺省状态下，Edges和Regions 图象已选。
把Mesh图象也选上，并点击Apply。
将出现初始的三角型网格，如图4.11所示。
现在，之前的INIT语句创建了一个0.6μm×0.8μm大小的、杂质硼浓度为1.0×1014原子数/cm3、掺杂均匀的<100>晶向的硅片。
这个仿真结构已经可以进行任何工艺处理步骤了（例如离子注入，扩散，刻蚀等）。
图4.9 绘制历史文件结构
图4.10 Tonyplot：Display（二维网格）菜单
图4.11 初始三角网格
4.1.5栅极氧化
接下来，我们通过干氧氧化在硅表面生成栅极氧化层，条件是1个大气压，950°C，3%HCL,11分钟。
为了完成这个任务，可以在ATHENA的Commands菜单中依次选择Process 和Diffuse…，ATHENA Diffuse菜单将会出现。
a.在Diffuse菜单中，将Time（minutes）从30改成11，Tempreture（C）从1000改
成950。
Constant温度默认选中（见图4.12）；
图4.12 由扩散菜单定义的栅极氧化参数
图4.13 栅极氧化结构
b.在Ambient栏中，选择Dry O2项；分别检查Gas pressure和HCL栏。
将HCL改成3%；在Comment栏里输入“Gate Oxidation”并点击WRITE键；
c.有关栅极氧化的数据信息将会被写入DECKBUILD文本窗口，其中Diffuse语句被用来实现栅极氧化；
d.点击DECKBUILD控制栏上的Cont键继续ATHENA仿真。
一旦栅极氧化完成，另一个历史文件“.history02.str”将会生成；选中文件“.history02.str”，然后点击Tools菜单项，并依次选择Plot和Plot Structure…，将结构绘制出来；最终的栅极氧化结构将出现在TONYPLOT中，如图4.13所示。
从图中可以看出，一个氧化层淀积在了硅表面上。
4.1.6提取栅极氧化层的厚度
下面过DECKBUILD中的Extract程序来确定在氧化处理过程中生成的氧化层的厚度。
a.在Commands菜单点击Extract…，出现A THENA Extract菜单；Extract栏默认为Material thickness；在Name一栏输入“Gateoxide”；对于Material一栏，点击Material…，并
选择SiO~2；在Extract location这一栏，点击X，并输入值0.3；
b.点击WRITE键，Extract语句将会出现在文本窗口中；
在这个Extract语句中，mat.occno=1为说明层数的参数。
由于这里只有一个二氧化硅层，所以这个参数是可选的。
然而当存在有多个二氧化硅层时，则必须指定出所定义的层；
c.点击DECKBUILD控制栏上的Cont键，继续进行A THENA仿真仿真。
Extract语句运行时的输出如图4.14所示；
从运行输出可以看到，我们测量的栅极氧化厚度为131.347Å。
图4.14 Extract语句运行时的输出。