晶体管放大器的三种基本接法
三极管放大电路
思考题
•
1.基本放大电路由哪些必不可少的部
分组成?各元件有什么作用?
• 2.试画出PNP型三极管的基本放大电路
，并注明电源的实际极性，以及各极电流
实际方向。
2.2 图解分析法
• 所谓图解法，就是利用三极管的特性曲线，通过 作图来分析放大电路性能的方法。其优点是直观 ，物理意义清楚。
• 2.2.1 静态分析
小知识 输入电阻是从输入端看 放大电路的等效电阻，输出电阻 是从输出端看放大电路的等效电 阻。因此，输入电阻要包括RB ， 而输出电路就不能把负载电阻算 进去。
• 思考题 • 1.对于共射极放大电路，为什么通常希望输入
电阻较高为好?
2.4 放大电路静态工作点的稳 定
• .4.1 温度对静态工作点的影响
2.2.3 用图解法分析波形的非线性失真
• 1.由三极管特性的非线性引起的失真
•
三极管的非线性表现在输入特性曲线的弯曲
部分和输出特性曲线间距的不均匀分布。
• 2.静态工作点选择不当引起的失真
•
如果静态工作点没有选择在放大区中间，沿
着负载线偏上或偏下，这时输出电压信号就可能
进入三极管输出特性曲线上的饱和区或截止区，
•
（3）输出电阻
• 小知识 • 射极输出器的特点: • ①电压放大倍数小于1，但近似等于1; • ②输出电压与输入电压同相; • ③输入电阻高，输出电阻低。
*2.5.2 共基极电路
• 1.电路的组成
•
如图2-21（a）所示是一个共基极放大电路，图2-21
（b）是共基极放大电路的交流通路，从图中看出基极是
2.1.2 放大电路的工作原理
• 1.无输入信号时放大器的工作情况
晶体管的三种连接方式 -回复
晶体管的三种连接方式-回复晶体管是现代电子设备中最基本的组件之一。
它是一种半导体器件，具有放大和开关功能。
在实际应用中，晶体管可以通过多种方式连接，以适应不同的电路和系统需求。
本文将介绍晶体管的三种主要连接方式：集电极连接、基极连接和发射极连接，并详细解释它们的工作原理和应用场景。
一、集电极连接（又称共集连接或电压跟随连接）：在集电极连接中，晶体管的集电极被连接到电源电压，而发射极被连接到负载。
这种连接方式下，基极是输入信号的接入点，而集电极是输出信号的接出点。
集电极连接适合需要放大输入信号并将其反相输出的场景。
工作原理：当输入信号施加到基极时，基极电压的变化将引起发射极电流的变化。
晶体管的结构使得发射极电流的变化会导致集电极电压的变化，即使输入信号在基极与发射极之间只有微小的变化。
这种负反馈机制有助于减小放大电路中的非线性失真。
应用场景：集电极连接适用于需要转换信号极性的场景，例如电压反相器。
由于集电极连接的放大倍数较低，常用于功率放大器、电流源以及一些特殊应用，如对输入电流进行调整。
二、基极连接（又称共基连接）：在基极连接中，晶体管的基极被连接到输入信号源，发射极被连接到公共地，集电极则是输出信号的接出点。
这种连接方式下，输入信号通过基极-发射极之间的电流变化来控制输出信号的变化。
工作原理：当输入信号施加到基极时，基极电流的变化将引起发射极电流的变化。
晶体管的结构使得发射极电流的变化会导致集电极电压的变化，从而在输出上形成放大后的信号。
基极连接有较高的输入电阻和较低的输出电阻，因此可以保持信号的较好线性度。
应用场景：基极连接适用于需要放大小信号并保持较好线性度的场景，例如射频功率放大器和调制解调器。
它还通常用于产生高频信号的起振电路或频率倍频器。
三、发射极连接（又称共发射极连接或共阴连接）：在发射极连接中，晶体管的发射极被连接到电源电压，基极被连接到输入信号源，而集电极则是输出信号的接出点。
三极管
Q点的影响因素有很多，如电源波动、偏
置电阻的变化、管子的更换、元件的老化等等，
不过最主要的影响则是环境温度的变化。三极
管是一个对温度非常敏感的器件，随温度的变 化，三极管参数会受到影响，具体表现在以下 几个方面。
• 1.温度升高，三极管的反向电流增大
• 2.温度升高，三极管的电流放大系数β增大
• 3.温度升高，相同基极电流IB下，UBE减小，
2.2 共射放大电路
一、 放大的概念
电子学中放大的目的是将微弱的变化信号放大成
较大的信号。这里所讲的主要是电压放大电路。
电压放大电路可以用有输入口和输出口的四端网
络表示，如图。
ui
Au
uo
1、放大体现了信号对能量的控制作用，放大的信
号是变化量。
2、放大电路的负载所获得的随信号变化的能量要
比信号本身所给出的能量大得多，这个多出的
②电感视为短路
共射电路的直流通路
用图解法分析放大器的静态工作点
直流负载线 UCE=UCC–ICRC
U CC RC
ICQ
IC Q
IB UCE
与IB所决 定的那一 条输出特 性曲线的 交点就是 Q点
UCEQ UCC
2、动态分析
计算动态参数Au、Ri、Ro时必须依据交流通路。 交流通路：是指ui单独作用（UCC=0）时，电路 中交流分量流过的通路。 画交流通路时有两个要点：
有以下两种。
IC
IB A RB
V
mA C
B E
UBE
RC USC V
UC（1）输入特性曲线
它是指一定集电极和发射极电压UCE下，三极管 的基极电流IB与发射结电压UBE之间的关系曲线。实 验测得三极管的输入特性曲线如下图所示。
三极管的电流放大原理 演示文稿
当输入电压ui由+U2跳变到-U1时，存 储电荷不能立即消失，而是在反向电 压作用下产生漂移运动而形成反向基 流，促使超量存储电荷泄放。在存储 电荷完全消失前，集电极电流维持ICS 不变，直至存储电荷全部消散，晶体 管才开始退出饱和状态，iC开始下降。 这个过程所需要的时间称为存储时间ts。
基区存储的多余电荷全部消失后，基 区中的电子在反向电压作用下越来越 少，集电极电流iC也不断减小，并逐 渐接近于零。集电极电流由0.9ICS降 至0.1ICS所需的时间称为下降时间tf。
（2）场效应管是利用多数载 流子导电，所以称之为单极 型器件，而晶体管是即有多 数载 流子，也利用少数载流
子导电。被称之为双极型器 件。
（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换 使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管 好。
（4）场效应管能在很小电流和很低电压的 条件下工作，而且它的制造工艺可以很方 便地 把很多场效应管集成在一块硅片上， 因此场效应管在大规模集成电路中
Ic与Ib是维持一定的比例关系
即： β1=Ic/Ib 式中：β--称为直流放大倍数， 集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化 量△Ib之比为： β= △Ic/△Ib 式中β--称为交 流电流放大倍数，由于低频时β1和β区分，β值约为几十至一百多。三极管 是一种电 流放大器件，但在实际使用中常常 利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变 为电压放大作用。
经过延迟时间td后，发射区不断向基区注入电子， 电子在基区积累，并向集电区扩散，形成集电极 电流iC。随着基区电子浓度的增加，iC不断增大。 iC上升到最大值的90%所需要的时间称为上升时 间tr。
开通时间ton =td+tr
开通时间的长短取决于晶体管的结构和电路工 作条件。
电子技术考试
一、填空题（每空1分，共15分）1． PN结具有单向导电性，正向偏置时导通，反向偏置时截止。
2．晶体管用来电流放大时，应使发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。
3．晶体管在电路中的三种基本连接方式分别是共基极、共发射极和共集电极。
4．三极管放大电路的组成一般包括信号源、放大电路和负载三部分。
5．放大器中信号的耦合形式主要有三种：直接耦合、电压耦合和电阻耦合。
6.正弦波振荡电路由放大电路、稳幅电路、选频电路和正反馈电路四部分组成。
7．运算放大器构成反相输入比例放大电路时，其闭环电压放大倍数为负数。
8．放大电路的电压放大倍数为负值，说明输出信号与输入信号相位相差180度。
9.数字电路主要研究电路的输出和输入之间的逻辑关系，故数字电路又可称为逻辑门电路。
10.二进制数只有0和 1两种数码，计数基数是2 ，进位关系是逢二进一。
11.BCD码是用4位二进制数码来表示1位十进制数。
12.三种基本的逻辑关系是或逻辑、与逻辑、非逻辑。
13.逻辑代数中的三种基本运算是逻辑加、逻辑乘和求反。
14.三种基本逻辑门电路是或门、与门和非门。
15. 组合逻辑电路的特点是输出状态只与输入状态有关，与电路的原状态无关，其基本单元电路是门电路。
16．半导体数码显示器的内部接法有两种形式：共阴接法和共阳接法。
17．一个基本RS触发器在正常工作时，它的约束条件是R+S=1，则它不允许输入S=0且R= 0 的信号。
18．触发器有两个互补的输出端Q、Q，定义触发器的1状态为置位状态，0状态为复位状态，可见触发器的状态指的是Q端的状态。
19．数字电路按照是否有记忆功能通常可分为两类：时序电路、组合电路。
20．触发器有 2个稳态，存储8位二进制信息要 8个触发器。
二、判断题（每题1分，共15分）1、硅二极管两端加上正向电压时立即导通。
（√）1、当二极管两端正向偏置电压大于死区电压时，二极管才能导通。
（√）3、半导体就是导电性能介于导体与绝缘体之间的一类物质。
模电复习试题讲解
【例4-1】三个两级放大电路如下图所示，已知图中所有晶体管的β均为100，r be 均为1 k Ω，所有电容均为10 μF ，V CC 均相同。
填空： （1）填入共射放大电路、共基放大电路等电路名称。
图（a ）的第一级为_________，第二级为_________；图（b ）的第一级为_________，第二级为_________；图（c ）的第一级为_________，第二级为_________。
（2）三个电路中输入电阻最大的电路是_________，最小的电路是_________；输出电阻最大的电路是_________，最小的电路是_________；电压放大倍数数值最大的电路是_________；低频特性最好的电路是_________；若能调节Q 点，则最大不失真输出电压最大的电路是_________；输出电压与输入电压同相的电路是_________。
【相关知识】晶体管放大电路三种接法的性能特点，多级放大电路不同耦合方式及其特点，多级放大电路动态参数与组成它的各级电路的关系。
【解题思路】（1）通过信号的流通方向，观察输入信号作用于晶体管和场效应管的哪一极以及从哪一极输出的信号作用于负载，判断多级放大电路中各级电路属于哪种基本放大电路。
（2）根据各种晶体管基本放大电路的参数特点，以及单级放大电路连接成多级后相互间参数的影响，分析各多级放大电路参数的特点。
【解题过程】（1）在电路（a ）中，T 1为第一级的放大管，信号作用于其发射极，又从集电极输出，作用于负载（即第二级电路），故第一级是共基放大电路；T 2和T 3组成的复合管为第二级的放大管，第一级的输出信号作用于T 2的基极，又从复合管的发射极输出，故第二级是共集放大电路。
在电路（b ）中，T 1和T 2为第一级的放大管，构成差分放大电路，信号作用于T 1和T 2的基极，又从T 2的集电极输出，作用于负载（即第二级电路），是双端输入单端输出形式，故第一级是（共射）差分放大电路；T 3为第二级的放大管，第一级的输出信号作用于T 3的基极，又从其发射极输出，故第二级是共集放大电路。
晶体管放大电路的三种组态
2.6 三极管放大电路的三种组态
第2章 三极管及其放大电路
(4) 晶体管共基截止频率fα远大于共射截止频率fβ，
因而共基放大电路的频带宽，常用于无线电通讯和
宽频带放大电路。 (5) 当输入恒定时，uce变化引起的ic变化很小， 即共基电路是很好的恒流源电路。
基于这些优点，功率放大和高频放大常采用共
(3) 求解输出电阻 将信号源 U s 短路，保留其内阻Rs ，负载RL开路，输出端 信号源 U 与流入电流 I 之比即为输出电阻。如图2—34 (b)
o
o
所示。
I ( U R R ) o br be s // b r I ( 1 ) I e b
' o
r R // R be s b r R // R R // 3 7 Ω o e e ( 1 )
(1)电压放大倍数
列出输入和输出回路电压方程，即
I r U i b be
' U RL o Au rb e Ui
' U I ( R // R ) I R o c c L b L
其中：
rb e rhb'
26 IE Q
(2)输入电阻
因为
U r I r ' i be b be r i ( 1 I 1 ) I e b
(1)求解电压放大倍数： 列输入回路和输出回路方程
' U I r I ( R // R ) I r ( 1 ) I R i b be ee L b be b L
' U I ( R // R ) ( 1 ) I R o e e L b L
共集电极放大电路和共基极放大电路
ib Rb r be
ui ui Ri R b rbe (1 ) Re ii ib ic
ib
uo
ui
ie Re
uo uo R b rbe Ro Re // uo uo io 1 (1 ) Re Rb rbe
ib Rb r be
ic
ib
Ui reb Ie I b rbe (1 ) I b rbe 1
2.5.3 三种组态基本放大电路的比较
共射 电压增益： ( Rc // RL )
rbe
共集
(1 ) ( Re // RL ) rbe (1 )( Re // RL )
2.5 晶体管单管放大电路的三种基本接法
2.5.1 基本共集放大电路
2.5.2 基本共基放大电路
2.5.1 基本共集放大电路 （射极输出器）
1、电路结构
+VCC
Rb C1 T C2 Re RL
RS
uS +
+
ui -
+
uo -
2、静态分析
VCC I B Rb U BE I E Re
+ VCC Rb
Ro1
Ui
Ri
U o1
Ro2
Ri2
Uo
U o1
U o2
Au1
Au 2
例1：在如图所示电路中，已知 =50，bb 300 ， r 试求放大器的静态工作点Q，源电压放大倍数 ，输 AuS 入电 阻Ri ，输出电阻Ro
RB C1 Rs
1K
RC c 1K b e RE
RC RB 12 ( 0.2) 1K c 45A 200K C1200 (1 b ) 1.2 50 T C2 + Rs I 50 (e 45) 2.25mA Ic B + 1K + RE ui uo RL us U CE _ VCC I C RC I E RE 1.2K _ 1.8K -
模拟电子技术基础试习题汇总
欢迎阅读模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将()。
A 增大B 减小C 不变D 等于零2.某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管()A.处于放大区域B.处于饱和区域C.处于截止区域D.已损坏3.某放大电路图所示.设V CC >>V BE,L CEO ≈0，则在静态时该三极管处于()A.放大区B.饱和区C.截止区D.区域不定S1S2模输入电压△υid 为()A.10mVB.20mVC.70mVD.140mV12.为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入()。
A.共射电路B.共基电路C.共集电路D.共集-共基串联电路13.在考虑放大电路的频率失真时，若i υ为正弦波，则o υ()A.有可能产生相位失真B.有可能产生幅度失真和相位失真C.一定会产生非线性失真D.不会产生线性失真14.工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在()。
A.开环或正反馈状态B.深度负反馈状态C.放大状态D.线性工作状态15.多级负反馈放大电路在()情况下容易引起自激。
A.回路增益F A 大B 反馈系数太小o V 为()。
A.125mVB.1000mVC.250mVD.500mV22.对于图所示的复合管，假设1CEO I 和2CEO I 分别表示T 1.T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEO I 为()。
A.2CEO CEO I I =B.21CEO CEO CEO I I I +=C.1CEO CEO I I =D.21)1(CEO CEO CEO I I I ++=β23.某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选()。
A.电流串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流并联负反馈D.电压串联负反馈24.多级放大电路与组成它的任何一个单级放大电路相比，通频带()。
(A)变宽 (B)变窄(C)不变(D)与单级放大电路无关25.电流源电路的特点是输出电流恒定，交流等效电阻()。
模拟电子技术基本概念题--填空题及答案
填空题二极管:1. 在半导体中．漂移电流是在 作用下形成的，扩散电流是在 作用下形成的。
(电场，浓度差）2. 二极管最主要的特点是 ;确保二极管安全工作的两个主要参数分别是 和 。
（单向导电性,IF ，UR ）3. 在室温（27度)时，锗二极管的死区电压约 V ，导通后在较大电流下的正向压降约 V ；硅二极管的死区电压约 V ，导通后在较大电流下的正向压降约 V 。
（0.1， 0.3， 0。
5， 0。
7)4. 二极管的交流等效电阻rd 随静态工作点的增大而 。
（减小）5. 硅稳压管稳压电路正常工作时，稳压管工作在 状态。
（反向击穿区)晶体管及放大电路基础：6. 晶体管从结构上可分成 和 两种类型:根据使用的半导体材料不同可分成 和 管。
它们工作时有 和 两种载流子参与导电，常称之为双极型晶体管。
(NPN ，PNP ；硅,锗;电子，空穴）7. NPN 型和PNP 型晶体管的区别是 （P 区和N 区的位置不同）8. 晶体管的穿透电流ICEO 是集—基反向饱和电流ICBO 的 倍。
-般希望尽量选用ICEO 的管子（1+β，小)9. 晶体管的电流放大作用是指基极或发射极电流对 电流的控制作用。
(集电极）10. 已知晶体管β=99，IE=1mA ，ICBO=0，则IB= ，IC= 。
（0。
01mA ，99mA)11. 晶体管在放大电路中三种接法分别是 、 和 。
（共射，共集,共基）12. 当温度上升时．晶体管的管压降UBE 、电流放大系数β及反向饱和电流ICBO 分别将 、 和 。
(降低，增大，增大）13. 从晶体管的输入特性可知，晶体管存在死区电压。
硅管的死区电压约为 ，锗管约为 ；晶体管在导通之后,管压降UBE 变化不大，硅管的UBE 约为 ．锗管的UBE 约为 。
（0.5 0。
1 0.7 0。
2）14. 从晶体管的输出特性可知，当基极电流增大，集电极和发射极之间的击穿电压会随着基极电流的增大而 。
（减小）15. 温度升高时,晶体管的共射极输入特性曲线将 ,输出特性曲线将 。
实验三--晶体管共射极单管放大器
实验三 晶体管共射极单管放大器一、实验目的1. 学会放大器静态工作点的调试方法，分析静态工作点对放大器性能的影响2. 掌握放大器电压放大倍数A V 、输入电阻R i 、输出电阻R O 及最大不失真输出电压的测试方法。
3. 熟悉常用电子仪器及模拟电路实验仪的使用方法。
二、实验原理晶体管单级放大电路有三种基本接法，即共射电路、共集电路、共基电路。
三种基本接法的特点分别为：1. 共射电路既能放大电流又能放大电压，输入电阻在三种电路中居中，输出电阻大，频带较窄；常做为低频电压放大电路的单元电路。
2. 共集电路只能放大电流不能放大电压，是三种接法中输入电阻最大、输出电阻最小的电路，具有电压跟随的特点。
常用于电压放大电路的输入级和输出级，在功率放大电路中也常采用射极输出的形式。
3. 共基电路只能放大电压不能放大电流，输入电阻小，电压放大倍数和输出电阻与共射电路相当，但频率特性是三种接法中最好的电路，常用于宽频带放大器。
放大电路的主要性能指标有：放大倍数、输入电阻、输出电阻、通频带等。
而保证基本放大电路处于线性工作状态（不产生非线性失真）的必要条件是设置合适的静态工作点Q ，Q 点不但影响电路输出是否失真，而且直接影响放大器的动态参数。
本实验所采用的放大电路为电阻分压式工作点稳定的单管放大电路（图3-1）。
它的偏置电路采用R B1和R B2组成分压电路，因此基极电位U B 几乎仅决定于R B1与R B2对V CC 的分压，而与环境温度的变化无关；同时三极管的发射极中接有电阻R E ，它将输出电流I C 的变化引回到输入回路来影响输入量U BE ，以达到稳定静态工作点的目的。
当放大器的输入端加入输入信号u i 后，在放大器的输出端便可以得到一个与u i 相位相反，幅值被放大了的输出信号u O ，从而实现了电压放大。
图3-1电路的静态工作点可用下式估算：CC 2B 1B 1B B R +R R ≈U Ｖ C EBEB E I ≈R U U I －=)R R (I V ≈U E C C CC CE +-而电压放大倍数、输入电阻、输出电阻分别为： beLC V r R //R A β-= be 2B 1B i r //R //R =RC O R ≈R 注意：测量放大器的静态工作点时，应在输入信号u i =0的条件下进行。
第6章 级联放大电路
12/28
二、多级放大电路的动态分析(续） 多级放大电路的动态分析(
(1)输入电阻法：在求单级放大电路的放大倍数时必须将后 输入电阻法： 输入电阻法 一级的输入电阻作为前一级的负载考虑， 一级的输入电阻作为前一级的负载考虑，即将第二级的输入 电阻与第一级集电极负载电阻并联。 电阻与第一级集电极负载电阻并联。
+Vcc RB1 RC1 RB2 RC2 RB2 RC2 +Vcc
VT1 RS + us + ui -
+ uo1 ro1
VT2 RE2
+ uo -
VT2
+ uo -
ro1
+ uo1 b)
a)
15/28
RB1 RC1 RB2 RC2
+Vcc RB2 RC2
+Vcc
VT1 RS + us + ui -
第一级输出电阻 R o1 ≈ R c1 第二级电压增益
R o1
R2 i
hfe Rc2 Ri2 AUs2 = − × Ro1 + Ri2 hie2 2.8 100× 4.3 =− × = −54.3 5.1 + 2.8 2.8
总电压增益
AU = AU1 AU2 = −54.3×(−164.5) = 8932
+Vcc RB1 RC1 RB2 RC2 RB1 RC1 +Vcc
VT1 Rs + us + ui -
+ uo1 -
VT2 RE2
+ uo Rs + us -
VT1
+ uo1 -
ri2
ri1
a)
ri2
晶体管放大器的三种基本接法
Re Re // RL
结论：电压放大倍数恒小于 1，而接近 1，且输出电
压与输入电压同相，又称射极跟随器。
4
五、输入电阻
U i Ibrbe IeRe
Ii b Ib
RS
U S
+
~
+
U i
_
e Ie Io
rbe
+
Ib
U O Re
Ic _
图2.5.2交流等效c电路
Ri
U i Ii
rbe
(1 )Re
Io
IIbe
Ie 所以
(1
RS
U S
)
+
~
+
rbe
+
U i
Ib
U O
_
Ic _
图2.5.2交流等效c电路
Re
四、电压放大倍数 Uo IeRe (1 )Ib Re
A u
U U
o
r
(1 )R e
(1 )R
i
be
e
U i Ibrbe IeRe Ibrbe (1 )Ib Re
rbe
1
Ro
频率 响应
中
小
大
(几十千欧~几百千 (几欧 ~ 几十欧) (几百千欧 ~几兆
欧)
rbe Rs
1
(1 欧) )rce
rce
差
较好
好
14
例 如图属于何种组态？其输出电压的波形是否正确？若有 错，请改正。
R1
Re
解 共集电极组态 ui +
ui
R3
不正确。 R2
uo uo
共集电极电路特点：
晶体管放大电路
2、晶体管放大电路原理2.1 晶体管和FET 的工作原理2.1.1晶体管和FET 的放大工作的理解晶体管和FET 的放大作用：晶体管或FET 的输入信号通过器件而出来，晶体管或FET 吸收此时输入信号的振幅信息，由电源重新产生输出信号，由于该输出信号比输入信号大，可以看成将输入信号放大而成为输出信号。
这就是放大的原理。
2.1.2晶体管和FET 的工作原理1、双极型晶体管的工作原理晶体管内部工作原理：对流过基极与发射极之间的电流进行不断地监视，并控制集电极-发射极间电流源使基极-发射极间电流的β倍的电流流在集电极与发射极之间。
就是说，晶体管是用基极电流来控制集电极-发射极电流的器件。
电源电源输入输出输出（a ）双极型晶体管(以NPN 型为例) （b ）FET （以N 型JFET 为例）A被基极电流控制的电流源检测基极电流的电流计集电极（输出端）基极（输入端）发射极（公共端）双极型晶体管的内部原理2、FET 的工作原理FET 内部工作原理：对加在栅极与源极之间的电压进行不断地监视，并控制漏极-源极间电流源使栅极-源极间电压的g m 倍的电流流在漏极与源极之间。
就是说，FET 是用栅极电压来控制漏极-源极电流的器件。
2.1.3分立元件放大电路的组成原理放大电路的组成原理（应具备的条件）1放大器件工作在放大区（三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置；结型FET 与耗尽型MOSFET 可采用自偏压方式或分压式偏置或混合偏置方式，增强型MOSFET 则一定要采用分压式偏置或混合偏置 方式）即要保证合适的直流偏置； （2）：输入信号能输送至放大器件的输入端； （3）：有信号电压输出。
判断放大电路是否具有放大作用，就是根据这几点，它们必须同时具备。
2.1.4晶体管放大电路的直流工作状态分析（以晶体管电路为例）直流通路：在没有信号输入时，估算晶体管的各极直流电流和极间直流电压，将放大电路中的电容视为开路，电感视为短路即得。
三极管放大电路
三极管放大电路一/共基极（Common-Base Configuration）的基本放大电路，如图1所示，图 1主要应用在高频放大或振荡电路，其低输入阻抗及高输出阻抗的特性也可作阻抗匹配用。
电路特性归纳如下：输入端（EB之间）为正向偏压，因此输入阻抗低（约20～200 ）；输出端（CB之间）为反向偏压，因此输出阻抗高（约100k～1M ）。
电流增益：虽然A I小于1，但是R L / R i很大，因此电压增益相当高。
功率增益，由于A I小于1，所以功率增益不大。
二/共发射极放大电路与特性图2共发射极放大组态的简化电路，共射极（Common-Emitter的放大电路，如图2所示。
图 2因具有电流与电压放大增益，所以广泛应用在放大器电路。
其电路特性归纳如下：输入与输出阻抗中等（Ri约1k～5k ；RO约50k）。
电流增益：电压增益：负号表示输出信号与输入信号反相（相位差180°）。
功率增益：功率增益在三种接法中最大。
三/共集电极（Common-Collector）接法的放大电路，如图3所示，图 3高输入阻抗及低输出阻抗的特性可作阻抗匹配用，以改善电压信号的负载效应。
其电路特性归纳如下：输入阻抗高（Ri约20 k ）；输出阻抗低（RO约20 ）。
电流增益：电压增益：电压增益等于1，表示射极的输出信号追随着基极的输入信号，所以共集极放大器又称为射极随耦器（emitter follower）。
功率增益Ap = AI × Av≈β，功率增益低。
图4自给偏压方式此电路不稳定，又称为基极偏压电路最简单的偏压电路，容易受β值的变动影响，温度每升高10°C时，逆向饱和电流ICO增加一倍，温度每升高1°C时，基射电压VBE减少2.5mV ，β随温度升高而增加(影响最大)图5射极加上电流反馈电阻改善特性自给偏压方式但还是不太稳定图6此为标准低频信号放大原理图电路路,见图6，其R1（下拉电阻）及R2为三极管偏压电阻（这种偏压叫做分压式偏置）为三极管基极提供必要偏置电流,R3为负载电阻，R4为电流反馈电阻（改善特性），C3为旁路电容，C1及C3为三极管输入及输出隔直流电容（直流电受到阻碍）,信号放大值则为R3/R4倍数.设计上注意: 三极管Ft值需高于信号放大值与工作频率相乘积,选择适当三极管集电极偏压、以避免大信号上下顶部失真,注意C1及C3的容量大小对低频信号(尤其是脉波)有影响.在R4并联一个C2，放大倍数就会变大。
双极型晶体管及其放大电路
第2章 双极型晶体管及其放大电路
二、电子在基区中边扩散边复合
，成为基区中的非平衡少子，它在e结 处浓度最大，而在c结处浓度最小(因c结反偏，电子浓 度近似为零)。因此，在基区中形成了非平衡电子的浓 度差。在该浓度差作用下，注入基区的电子将继续向c 结扩散。在扩散过程中，非平衡电子会与基区中的空 穴相遇，使部分电子因复合而失去。但由于基区很薄 且空穴浓度又低，所以被复合的电子数极少，而绝大 部分电子都能扩散到c结边沿。基区中与电子复合的空 穴由基极电源提供，形成基区复合电流IBN，它是基极 电流IB的主要部分。
(2―4)
称为穿透电流。因ICBO很小，在忽略其影响时，则有
IC IB IE (1 )IB
(2―5a) (2―5b)
式(2―5)是今后电路分析中常用的关系式。
第2章 双极型晶体管及其放大电路
为了反映扩散到集电区的电流ICN与射极注入电流
IEN的比例关系，定义共基极直流电流放大系数 为
第2章 双极型晶体管及其放大电路
为了反映扩散到集电区的电流ICN与基区复合电流 IBN之间的比例关系，定义共发射极直流电流放大系数
为
ICN IC ICBO
I BN I B ICBO
(2―2)
其含义是：基区每复合一个电子，则有
个电子扩散到集电区去。 之间。
值一般在20~200
确定了 值之后，由式(2―1)、(2―2)可得
IC IB (1 )ICBO IB ICEO (2―3) IE (1 )IB (1 )ICBO (1 )IB ICEO
模拟电子技术基础试题汇总附有答案(四川农业大学)
二. 填空题
1．当温度升高时， 三极管的下列参数变化趋势为：电流放大系数 增大 ，反向
饱和电流 I CBO 增大 ，I B 不变时，发射结正向电压 VBE 减 小。
2 ．某差动放大电路的输入信号 vi1 20mV,vi2 10mV, 则该差动放大
电路的差模信号
vid
30 mV, vic
益为 100 倍，共模
7. 图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线， 静态工作点
由 Q2 点移动到 Q3 点可
能的原因是 。
A ：集电极电源 +VCC电压变高
B：集电极负载电阻
RC 变高
C ：基极电源 +VBB电压变高
D：基极回路电阻 Rb
变高。
8. 直流负反馈是指 ( C )
A. 存在于 RC 耦合电路中的负反馈
负载或为放大电路提供
稳定的 直流偏置 。
20. 晶体管是利用 基 极电流来控制 集电 极电流从而实现 放大的半导体器件。
21. 放 大 电 路 的 交 流 通 路 用 于 研 究 放 大 电 路 的 动 态 参
数
。
22. 为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通 常令输出电压为零，
看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈不复存在则 为 电压反馈 。
A. 放大区 B. 饱和区 C. 截止区 D. 区域不定
4. 半导体二极管的重要特性之一是 ( B ) 。 ( A) 温度稳定性 ( B) 单向导电性 ( C) 放大作用 ( D)
滤波特性 5. 在由 NPN型 BJT 组成的单管共发射极放大电路中， 如静态工作
点过高，容易产生
(B)
失真。
( A) 截止失真 ( B) 饱和 v 失真 ( C) 双向失真 ( D) 线
晶体管在电路中的三种基本连接方式
晶体管在电路中的三种基本连接方式大家好，今天咱们来聊聊“晶体管在电路中的三种基本连接方式”。
听到“晶体管”，是不是有点犯晕？别担心，其实它就是一个小小的电子元件，却能在电路中玩出大大的花样。
想象一下，晶体管就像是电路的“调音师”，能把各种信号调整得刚刚好。
那么，它究竟有哪三种连接方式呢？咱们一起来看看吧！1. 集极接法（Common Emitter）1.1 概述首先我们得聊聊集极接法。
这个名字听上去就有点高大上，对吧？但其实它就是把晶体管的集极接在公共点上。
这样说吧，想象一下你在参加一个聚会，大家都在一起嗨，而你就是那个发起者，把大家的情绪调动得热火朝天。
就是这个意思！在这个连接方式下，输入信号和输出信号都是从基极和发射极这两点来的，能够获得非常强的放大效果。
1.2 优点和应用哎，优点多得数不胜数。
例如，它的增益高，因为通过基极的小信号变化，可以引起集极上大得多的电流变化。
就像是一根火柴引燃了一堆干草，瞬间火焰四射！在音响放大器和开关电路中，集极接法是个老好人，永远给你制造大的声音和惊喜。
2. 发射极接法（Common Emitter）。
2.1 概述然后咱们聊聊发射极接法。
这是一种颇为实用的连接方式，就像那种既能打球又能看电影的朋友！在这个连接方式下，发射极成为公共端，基极和集极分别是输入和输出。
说白了，就是在这里，发射极承担着大任，让信号在这里聚集和传递。
2.2 特点和应用和集极接法一样，发射极接法也有强大的放大功能，但它的噪声比较低，稳定性好。
就像一位贞静雅致的美女，虽然不张扬，但却总是那样稳重，给人一种可靠的感觉。
所以说，在许多电源稳压器和信号调节器中，它可谓是一个“万金油”，特别受欢迎。
3. 基极接法（Common Collector）。
3.1 概述最后，让我们来聊聊基极接法，听起来是不是有点像大厨做菜的调配法？其实，这个连接方式把基极接在公共端，电流在这里被“收割”。
可以这样理解，基极接法就像一个缓冲区，把来自发射极的电流送到集极，完美过渡。
比较全的模电复习试题一到九章,不含判断题.(DOC)
d一、选择题1.晶体管能够放大的内部条件是（a ）A两个背靠背的PN结 B空穴和电子都参与了导电 C有三个掺杂浓度不一样的发区域 Ddd射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，并且基区很薄，集电结面积比发射结大2.晶体管能够放大的外部条件是（）A发射结正偏，集电结正偏 B发射结正偏，集电结反偏C发射结反偏，集电结正偏 D发，集电结反偏3.在一个由NPN型晶体管构成的放大电路中，关于晶体管三个电极的电位，下列说法正确的是（）A集电极电位一定最高 B集电极电位一定最低C发射极电位一定最高 D基极电位一定最低4.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的（）A输出功率 B交流参数C静态工作点 D交流和直流参数5.放大器产生零点漂移的主要原因是（）A电路增益太大 B电路采用了直接耦合方式C电路采用了变压器耦合 D电路参数随坏境温度的变化而变化6. 场效应管的漏极电流是由_________的漂移运动形成。
A 少子B 多子 C两种载流子7. 场效应管是利用外加电压产生的_________来控制漏极电流的大小的。
A 电流B 电场C 电压8.夹断电压指的是（）A ID=0时的Ugs电压B ID=0时的Uds电压C ID最大时的Ugs电压9．当场效应管的漏极直流电流ID从1mA变为2mA时，它的低频跨导将_________。
A 增大 B 减小 C 不变10．当ugs=0时，不能够工作在恒流区的场效应管是_________。
A 结型B 增强型MOS管C 耗尽型MOS管11.测得某放大电路中三极管三个管脚对地电压分别为U1=2V，U2=6V，U3=2.7V，则三极管三个电极为（）。
A.①管脚为发射极，②管脚为基极，③管脚为集电极；B.①管脚为发射极，②管脚为集电极，③管脚为基极；C.①管脚为集电极，②管脚为基极，③管脚为发射极；D. ①管脚为发射极，②管脚为集电极，③管脚为基极。
12.在共射基本放大电路中，集电极电阻RC的作用是（）。
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Uo IeRe (1 )Ib Re
A u
U o
U
r
(1 )R e
(1 )R
i
be
e
Ui Ibrbe IeRe Ibrbe (1 )Ib Re
Re Re // RL
结论：电压放大倍数恒小于 1，而接近 1，且输出电 压与输入电压同相，又称射极跟随器。
五、输入电阻
Ui Ibrbe IeRe
2.5.1 共集放大电路
一、电路的组成
信号从基极输入， 从发射极输出
Rb
+VCC
C1+
C2
RS
+
+
Us
+
~
Re
RL Uo
图 2.5.1 基本共集放大电路
二、静态工作点
由基极回路求得静态基极电流
IBQ
VCC UBEQ
Rb (1 )Re
则
ICQ IBQ
UCEQ VCC IEQ Re VCC ICQ Re
而 所以
Io Ie (1 )Ib
Ro
Uo Io
rbe 1
Rs
rbe
Ib
+
Ic
Re ~ _
UO
c
Ro
如输出端加上发射极电阻Re
图 2.5.3 共集放大电路的输出电阻
R
R
r R
// be
s
o e 1
输出电阻低，故带载能力比较强。
2+
T
+ C2
C1+
+C2
++
+ C2 +
Ui Re +
_ Cb
Rb2 RL UO Rb1 VCC _
Ai
大
(几十 ~ 一百以上)
大 (1 )
(几十 ~ 一百以上)
小
大(十几 ~ 一几百) 小(小于、近于 1 )
大(数值同共射
Au
RL
rbe
(1 )Re rbe (1 )Re
电路，但同相)
RL
rbe
2.5.3 三种基本组态的比较
一、静态工作点(IBQ , ICQ , UCEQ) C1+
+C2
U U
I BQ
BEQ
EQ
R
e
1(
R b1
V U
)
R R R CC
BEQ
e
b1
b2
+
Ui Re +
_
Cb
+
Rb2
Rc RL UO
Rb1
VCC _
I CQ
图 2.5.4(c)实际电路
I BQ
I EQ
1
Rb2
UCEQ VCC ICQRc IEQ Re
bc
的电压增益AV、输入电阻Ri和输出电阻RO
T
①vs2=0，从集电极输出；
e
②vs1=0，从集电极输出； ③vs2=0，从发射极输出。
vs+1 -
解 ① 共发射极接法
AV
Vo Vi
IbRc Ib[rbe (1 )Re
]
rbe
Rc (1
)Re
b
Re +-vs2
c
R i
V
i
I
r be
Ii b Ib
RS
+
US
+
~
Ui
_
e Ie Io
rbe
+
Ib
UO Re
Ic _
图2.5.2交流等效c电路
Ri
Ui Ii
rbe
(1
)Re
Ri
输入电阻较大。
六、输出电阻 Ro
如输出端无发射极电阻Re
Uo Io
US 0 RL
b
Ib
e Ie Io
Uo Ib (rbe Rs)
式中
Rs Rs // Rb RS
为
rcb (1 + )rce
如果考虑集电极负载电阻，则共基极放大电路的输
出电阻为
Ro = Rc // rcb Rc
2.5.3 三种基本组态的比较
组态 性能
共射组态
共集组态
共基组态
电 路
Rb Rc
C1 + +
Ui
+C2 +VCC
RL +
UO
Rb C1 + +
Ui
+VCC
+C2
+
Re
RL UO
C1 + +
没有电流放大作用。
三、电压放大倍数
由微变等效电路可得
所以
+
Ui Ibrbe
Ui
Uo Ib RL _
Au
Uo Ui
RL
rbe
e Ii Ie IC
Ib
c IO Ib +
Re
rbe
UO RL
_
b
R R // R
L
C
L
共基极放大电路没有电流放大作用，但是具有电压放
大作用。电压放大倍数与共射电路相等，但没有负号，说
组态 性能
共射组态
共集组态
共基组态
中
大
小
Ri
(几百欧~几千欧) (几十千欧以上) (几欧 ~几十欧)
rbe
rbe (1 )Re
rbe
1
Ro
频率 响应
中
小
大
(几十千欧~几百千 (几欧 ~ 几十欧) (几百千欧 ~几兆
欧)
rbe Rs
1
(1 欧) )rce
rce
差
较好
好
例 如图属于何种组态？其输出电压的波形是否正确？若有 错，请改正。
+
+
Ui
Re
Rc
RL
UO
Ui Re +
Rb2
Rc RL UO
_
VEE
VCC _ _
Cb Rb1
VCC _
(a)原理电路
(b)实际电路
图 2.5.4 共基极放大电路
VEE 保 证 发 射 结 正 偏 ； VCC 保证集电结反偏；三极管 工作在放大区。
实际电路采用一个电 源 VCC ，用 Rb1、Rb2 分 压提供基极正偏电压。
Rb1
VCC ICQ( Rc Re )
二、电流放大倍数
微变等效电路
+
由图可得：
Ui
e Ii Ie IC
Ib
c IO Ib +
Re
rbe
UO RL
Ii Ie ,
Io Ic _
图 2.5.4
_ b
(C)共基极放大电路的等效电路
所以
Ai
Io Ii
Ic Ie
由于 小于 1 而近似等于 1 ，所以共基极放大电路
R1
Re
解 共集电极组态 ui +
ui
R3
不正确。 R2
uo uo
-Vcc
共集电极电路特点：
◆ 电压增益小于1但接近于1， UO与Ui同相。 ◆ 输入电阻大，对电压信号源衰减小 ◆ 输出电阻小，带负载能力强
例 电路如图题所示，BJT的
Rc
电流放大系数为β，输入电阻为rbe， 略去了偏置电路。试求下列三种情况下
(1
)R e
i
Ro Rc
+
rbe
Ib
βIb
+
vi
Ie
e Re
Rc vo
-
-
vs1=0，从集电极输出
②共基极组态 Rc
b
c T
e
vs1+
Re
-
+-vs2
+ vs2
-
+ vs2
-
Re e T c
Rc +
b
vo
-
Re e
βIb c
Ie rbe Ib b
Rb C1+
RS
US
+
~
+VCC
C2
+
+
Re
RL UO
(a)电路图
图 2.5.1 共集电极放大电路
三、电流放大倍数
Ii b Ib
e Ie Io
Ii Ai
Ib
Io Ii
Io
Ie Ib
Ie 所以
(1
RS
US
)
+
~
+
rbe
+
Ui
Ib
UO
_
Ic _
图2.5.2交流等效c电路
Re
四、电压放大倍数
明该电路输入、输出信号同相位。
四、输入电阻
暂不考虑电阻 Re 的作用
Ri
Ui Ii
Ibrbe
(1 )Ib
rbe
1
五、输出电阻
如考虑电阻 Re 的作用
R i
U i I
R e
r be
1
i
暂不考虑电阻 RC 的作用 Ro rcb .
已知共射输出电阻 rce ，而 rcb 比 rce大 得多，可认