模电模拟试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分）1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。

3．差分放大电路中，若u I1=100V ，u I 2=80V 则差模输入电压u Id =20V ；共模输入电压u Ic =90 V 。

4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。

6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。

这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 % ，但这种功放有 交越 失真。

二、选择正确答案填空（20分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ， V ，则这只三极管是（ A ）。

A ．NPN 型硅管 型锗管型硅管 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。

A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。

A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。

A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。

A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。

a ．不用输出变压器b ．不用输出端大电容c ．效率高d ．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。

a ．正向导通区 b ．反向截止区 c ．反向击穿区三、放大电路如下图所示，已知：V CC 12V ，R S 10k ，R B1120k ， R B239k ，R C k ，R E k ，R L k ，r bb’，电流放大系数50，电路中电容容量足够大，要求：1．求静态值I BQ ，I CQ 和U CEQ (设U BEQ V)； 2．画出放大电路的微变等效电路；3．求电压放大倍数A u ，源电压放大倍数A u s ，输入电阻R i ，输出电阻R o 。

4．去掉旁路电容C E ，求电压放大倍数A u ，输入电阻R i 。

(12分)u Iu oR L解: (1) V 9.2212B B B B =⨯+=CC V R R R U V 3.2BE B E =-=U U UmA 09.1EEE C ==≈R U I I mA 02.0EB ==βI IV 46.5)(C E C CC CE =⨯+-=I R R V U Ω=+=k ..410912651200r be (3) 70)//(beL C -≈-=r R R A u β Ω≈=k 1////be B2B1i r R R R Ω==k 9.3C O R R817si is o s .A R R R u u A u u -≈+==Ω≈++=k 443])1([E be B2B1i .R r //R //R R β (4) 901Ebe L C u .R )(r )R //R (A -≈++-=ββ四、设图中A 为理想运放，请求出各电路的输出电压值。

(12分)U 016V U 026V U 03V U 0410V U 052VU 062V五、电路如图所示，设满足深度负反馈条件。

1．试判断级间反馈的极性和组态；2．试求其闭环电压放大倍数A uf 。

（8分） 为电流串联负反馈(1) (2) 10k(3) 20k2V(5)2V o5(6)2V20kLE1Ef 1uf R R R R R R A ++-=六、试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。

如可能振荡，指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等)，并估算其振荡频率。

已知这两个电路中的L mH ，C 1C 240pF 。

(8分)(a)不能振荡。

图(b)可能振荡，为电容三点式正弦波振荡电路。

振荡频率为MHz 591212121o .≈+π≈C C C C L f七、在图示电路中，设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为±12V 。

1． 试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路2． A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区3． 若输入为1V 的直流电压，则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大（10分）1． A 1组成反相比例电路，A 2组成单值比较器，A 3组成电压跟随器； 2． A 1和A 3工作在线性区，A 2工作在非线性区； 3． u O1 = -10V ，u O2 = 12V ，u O3 = 6V 。

八、在图示电路中，R f 和C f 均为反馈元件，设三极管饱和管压降为0V 。

1． 为稳定输出电压u O ，正确引入负反馈； 2． 若使闭环电压增益A uf = 10，确定R f =3． 求最大不失真输出电压功率P omax = 以及最大不失真输出功率时的输入电压幅值为多少（10分） 1． 电压串联负反馈。

(图略)2． 10)1(1f uf =+=R RA R f = 90 k3． W 142L2CC omax ==R VPV CC V CC(a) C b (b)+ -u O u I+ —最大输出时U om = V CC =A uf U imU im =中南大学模拟电子技术试卷（第4套）一、填空题(本题24分，每空分)1. 稳压管通常工作在状态（A.正向导通；B.反向击穿）。

2. 在OCL乙类功放中，若其最大输出功率为1W，则电路中功放管（单管）的集电极最大功耗约为。

3. 某放大电路负载开路时，U O=6V，接上3KΩ负载后，U O=4V，说明该放大电路的输出电阻R0= 。

4. 正弦波振荡器的振荡条件是。

5. 为了避免50Hz电网电压的干扰信号进入放大器，应选用滤波电路。

6. 在放大电路中，为了稳定静态工作点，应引入负反馈，为了稳定放大倍数应引入负反馈。

7. 互补输出级中的BJT通常采用接法，其目的是为了提高（A.负载能力；B.最大不失真输出电压）。

8. 通用型集成运放通常采用耦合方式。

9. 双极型三极管是控制器件，当其工作在放大区时发射极需要加偏置电压，集电极需要加偏置电压；场效应管是控制器件。

10. 在运算电路中，运算放大器工作在区；在滞回比较器中，运算放大器工作在区。

二、(共12分)1．二极管电路如图所示，考虑二极管的正向压降为，求输出电压U o （6分）2．测得处于放大状态的三极管三个管脚的直流电位如图所示，（6分）试说明三极管为（）管，（）类型。

a. 硅管；b. 锗管；c. NPN；d. PNP；三、电路如下图所示，集成运放输出电压的最大幅值为±14V ，写出u o1、u o2的表达式并填表。

（12分）u I /V 0u O 1/V u O 2/V四、判断电路中整体反馈的反馈组态，求U O的表达式。

（12分）五、下图中β=30，r be =1kΩ, R b =300kΩ, Rc=R L =5kΩ, R e =2kΩ,U BE =, Vcc=24V （本题16分） 1．计算电路的静态工作点； 2．画出该电路的微变等效电路； 3．计算Au 、Ri 、Ro参考答案一、1． 1．反向击穿； 2． 2．； 3． 3．；4． 4．1≥F A &&和πϕϕn B A 2=+；5． 5．带阻；6． 6．直流、交流； 7． 7．共集、负载能力； 8． 8．直接；9． 9．电流、正向、反向、电压； 10． 10． 线性、非线性；二、1． 1． Uo ＝－； 2． 2． 锗管、PNP ； 三、I o Io u u u u 111021=-=四、电压－串联负反馈1221111R R F A R R R U U F uf o f +=≈+==II uf o U R RU A U )1(12+==五、 1．AR R U V I eb BEQCC BQ μβ64)1(≈++-=mAI I BQ CQ 9.1==βVR R I V U e c CQ CC CEQ 7.10)(=+-≈2．3．2.1)1()//(-=++-=ebe L c uR r R R A ββ&Ω=++=K R r R R e be b i 52])1(//[β Ω==K R R c o 5练习一 一、填空(16分)1．半导体二极管的主要特性是___________ 。

2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。

3．当输入信号频率为fL 和fH 时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB ，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。

4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。

5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。

这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。

6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。

二、选择正确答案填空(24分)1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，V，则这只三极管是( )。

A．NPN 型硅管B．NPN 型锗管C．PNP 型硅管D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。

A．P沟道增强型MOS管B．P沟道结型场效应管C．N沟道增强型MOS管D．N沟道耗尽型MOS管3．在图示2差分放大电路中，若uI = 20 mV，则电路的( )。

A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。

B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。

C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。

D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。

4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。

A．输入电阻高B．输出电阻低C．共模抑制比大D．电压放大倍数大5．在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。