模电判断题

模电判断题1是正确,2是错误

1、PN结是构成一切半导体器件的基础，它具有单向导电性。（1）

2、单向导电指正偏时有较大正向电阻，反偏时有较小反向电阻。（2）

3、三极管按其材料分可以分为NPN，和PNP（2）

4、P型半导体是在本征半导体中掺入3价元素制成的。（1）

5、N型半导体中电子参与导电（1）

6、空穴带负电。（2）

7、导体中存在空穴和自由电子。（2）

8、三极管可以由两个特殊构造的二极管制成。（2）

9、二极管可以由一个PN结制成。（1）

10、PN结具有单向导电性，正向是由P到N。（1）

11、硅二极管的导通电压是0.5v，死区电压是0.3v。（2）

12、锗二极管的导通电压比硅二极管导通电压大。（2）

13、放大电路的两种状态是指未输入信号时的静态（直流状态）和

输入信号时的动态。（1）

14、对放大器的定量分析，一是确定静态工作点；二是求出动态时

的性能指标。（1）

15、静态工作点由I B，I C，U BE，U BC组成。（2）

16、二极管和三极管都是线性器件。（2）

17、在半导体三极管的参数中， 代表电压放大倍数。（2）

18、放大电路空载和带载放大倍数相同。（2）

19、电子电路需要交流电源供电。（2）

20、三极管放大时Ie=Ic+Ib。（1）

21、三极管分别有放大区，饱和区两个工作区。（2）

22、发射结正偏，集电结反偏三极管工作在放大状态。（1）

23、三极管的饱和区是发射结正偏，集电结反偏。（2）

24、导体的导电能力不及半导体。（2）

25、硅三极管发射结正偏是指Ub-Ue=0.7V。（1）

26、放大电路中Ec可以同时使三极管发射结正偏，集电结反偏。（1）

27、三极管放大作用需要的外部条件是集电结反偏和发射结正偏。

（1）

28、二极管的反向击穿是指给N加正P加负。（2）

29、二极管反向击穿两端电压为零。（2）

30、理想二极管反向截止是指反向电阻无穷大。（1）

31、确定一个硅三极管发射结的依据是两端电压为0.7v。（1）

32、r be的单位是KΩ。（2）

33、某放大电路Ec=12V，Uce=0.5V。（2）

34、Rb//r be≈r be (1)

35、Rb+r be≈Rb (1)

36、稳压二极管是利用PN结的反向击穿特性工作的。（1）

37、现实中的二极管导通后两端电压为0。（2）

38、三极管是电流控制元件。（1）

39、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、

2.7V，则2v是发射极。（1）

40、上题是NPN型三极管。（1）

41、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、

1.3V、-5V，则2v是发射极。（1）

42、上题是NPN型三极管。（2）

43、某NPN型三极管,Ub=4.3V,Ue=4V,Uc=9V,此三极管工作在放大状

态（1）。

44、上题此三极管是硅三极管。（2）

45、某NPN型三极管,Ub=-7v,Ue=-6v,Uc=9V,此三极管工作在截止状

态（1）。

46、某饱和状态硅三极管，Ue=5v，Uc=1V，Ub一定等于5.7V。（1）