模电判断题
模电试题答案
模拟电子技术测试题答案一、判断题（在括号内画“√”表示正确，画“×”表示错误，共15分。
）1、因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ × ）2、二极管所加正向电压增大时，其动态电阻减小（√ ）。
3、测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
( × )4、晶体三极管是由电流来控制电流的器件（√ ），而场效应管是由电压来控制电流的器件（√ ）。
5、处在恒流区的场效应管U DS 与U GS 同极性（ ）×。
6、反相比例运算电路的输入电阻很大（ ）×。
7、只要是共射放大电路，输出电压的削底失真都是饱和失真。
（ ）×8、若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。
（ ）×9、在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
（ ）。
×10、在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（√ ）11、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（ ）×12、晶体管工作在饱和状态时，其发射结反偏（ ）×13、负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。
（ ）√14、运算电路中一般均引入负反馈。
（ ）√15、功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。
（ ）√16、功率放大电路中，输出功率越大，功放管的功耗越大（ × ）。
17、U GS =0时，耗尽型MOS 场效应管能够工作在恒流区（√ ）。
18、双端输出的差分放大电路是靠两个晶体管参数的对称性来抑制温漂的。
（ √）19、阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立，( √ )它只能放大交流信号。
( ) √20、凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
（ √ ）21、晶体管工作在截止状态时，其发射结反偏（ √ ）22、负反馈放大电路不可能产生自激振荡。
模电判断100题
模电判断100题1. （）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
答案:错. 两级接在一起，第二级就是第一级的负载，加了负载，放大倍数就会减小2.（）阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，它只能放大交流信号。
答案:对.阻容耦合，中间有隔直电容，只能传递交流，不能传递直流.所以能放大交流，但Q独立。
3.（）放大电路的输出电阻越小，称为放大电路的带负载能力越强。
答案：对4. （）只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。
答案：错5. （）在环境温度升高时，二极管的正向压降将减小。
答案：对。
在环境温度升高1度，二极管的正向压降将减小2-2.5mV6. （）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
答案：错7. （）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
答案：对8. （）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
答案：错。
半导体是不带电的，无论是N还是P。
多子是电子的，会相应的有正离子存在，整个半导体是中性。
9. （）图中电路能放大正弦信号。
答案：不能。
画交流通路。
Vbb把Ui短路了。
10. 图2为图1放大电路的交流等效电路。
答案：错，多Re11.放大电路的级数越多，引入的负反馈越强，电路的放大倍数也就越稳定。
答案：错。
因为放大倍数稳定决定于1+AF。
12.若放大电路的放大倍数为负倍数，则引入的反馈一定是负反馈。
答案：错。
负反馈与放大倍数正负无关，比如同相比例电路。
放大倍数是正，反馈是负。
13.运算电路中一般均引入负反馈。
答案：对。
14.若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电流基本不变。
答案：错。
因为没说引入的是什么（电压或电流）负反馈。
该是电流负反馈。
15.负反馈放大电路的放大倍数一定比组成它的基本放大电路的放大倍数小。
答案：对。
负反馈，净输入减小。
所以输出会减小，，输出比原始输入肯定减小。
输出/原始输入。
模电判断题
模电判断题 1 是正确,2 是错误1、PN结是构成一切半导体器件的基础，它具有单向导电性。
（1）2、单向导电指正偏时有较大正向电阻，反偏时有较小反向电阻。
（3、三极管按其材料分可以分为NPN和PNP（2）4、P型半导体是在本征半导体中掺入3价元素制成的。
（1）5、N型半导体中电子参与导电（1）6、空穴带负电。
（2）7、导体中存在空穴和自由电子。
（2）8、三极管可以由两个特殊构造的二极管制成。
（2）9、二极管可以由一个PN结制成。
（1）10、PN结具有单向导电性，正向是由P到No（1）11、硅二极管的导通电压是0.5v，死区电压是0.3v o （2）12、锗二极管的导通电压比硅二极管导通电压大。
（2）13、放大电路的两种状态是指未输入信号时的静态（直流状态）和输入信号时的动态。
（1）14、对放大器的定量分析，一是确定静态工作点；二是求出动态时的性能指标。
（1）15、静态工作点由1 B, I C, U BE, U BC组成。
（2）16 、二极管和三极管都是线性器件。
( 2)2)代表电压放大倍数。
17 、在半导体三极管的参数中,（2）放大电路空载和带载放大倍数相同。
（ 2） 电子电路需要交流电源供电。
（ 2） 三极管放大时 Ie=Ic+Ib 。
（1） 三极管分别有放大区，饱和区两个工作区。
（2） 发射结正偏，集电结反偏三极管工作在放大状态。
（ 1） 三极管的饱和区是发射结正偏，集电结反偏。
（2） 导体的导电能力不及半导体。
（ 2） 硅三极管发射结正偏是指 Ub-Ue=0.7V 。
（1） 放大电路中Ec 可以同时使三极管发射结正偏，集电结反偏。
（1） 三极管放大作用需要的外部条件是集电结反偏和发射结正偏。
1） 二极管的反向击穿是指给 N 加正P 加负。
（2） 二极管反向击穿两端电压为零。
（2）理想二极管反向截止是指反向电阻无穷大。
（1） 确定一个硅三极管发射结的依据是两端电压为 0.7v 。
模电判断题(有答案)
判断题：1：在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）答案：√难度：2知识点：杂质半导体2：因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）答案：×难度：2知识点：PN结3：PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）答案：√难度：1知识点：PN结4：处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（）答案：×难度：2知识点：晶体管的结构5：结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS大的特点。
（）答案：√难度：3知识点：晶体管的结构及类型6：若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。
（）答案：×难度：3知识点：二极管的种类，二极管的伏安特性7：只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（）答案：×难度：1知识点：放大电路的定义8：可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）答案：√难度：2知识点：放大电路的功率计算9：放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）答案：×难度：2知识点：放大电路的组成及个元件的作用10：电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（）答案：×难度：3知识点：放大电路的交流通路11：放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（ ）答案：√难度：1知识点：放大电路的组成原则12：由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（ ）答案：×难度：2知识点：放大电路的直流通路分析13：只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
（）答案：×难度：2知识点：基本共射放大电路14：在图P2.5所示电路中，已知晶体管的β＝80，r b e ＝1k Ω，iU &＝20mV ；静态时U B E Q ＝0.7V ，U C E Q ＝4V ，I B Q ＝20μA 。
(完整word版)模电复习资料(判断和填空有答案)
判断题第一章半导体 1、少数载流子是电子的半导体称为P型半导体。
(对）二极管1、由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是单向导电性.(对)2、普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿是不可逆的。
(错)3、晶体二极管击穿后立即烧毁。
（错)三极管1、双极型晶体三极管工作于放大模式的外部条件是发射结正偏，集电结也正偏。
（错）2、三极管输出特性曲线可以分为三个区,即恒流区，放大区,截止区。
(错）3、三极管处于截止状态时，发射结正偏。
（错）4、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。
（错）5、当集电极电流值大于集电极最大允许电流时，晶体三极管一定损坏。
（错）6、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化,温度升高，β减少。
(错）场效应管1、场效应管的漏极特性曲线可分成三个区域：可变电阻区、截止区和饱和区.（错)第二章1、技术指标放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的，对2、基本放大电路在基本放大电路中,若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。
（对）3、放大电路的三种组态射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。
（错)三种基本放大电路中输入电阻最大的是射极输出器。
(对）射极跟随器电压放大倍数恒大于1，而接近于1。
（错）射极输出器不具有电压放大作用.（对）4、多级放大电路直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号。
（错）直流放大器只能放大直流信号。
（错）现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数为10000。
（错）多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄.（错）。
多级放大器总的电压放大倍数是各级放大倍数的和.（错）多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。
(错)第四章在三种功率放大电路中,效率最高是的甲类功放。
(对)第五章从信号的传输途径看，集成运放由输入级，输出级,偏置电路这几个部分组成。
模电判断题有标准答案
判断题：1：在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）答案：√难度：2知识点：杂质半导体2：因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）答案：×难度：2知识点：PN结3：PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）答案：√难度：1知识点：PN结4：处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（）答案：×难度：2知识点：晶体管的结构5：结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的GS特点。
（）答案：√难度：3知识点：晶体管的结构及类型6：若耗尽型N沟道MOS管的U大于零，则其输入电阻会明显变小。
（）GS答案：×难度：3知识点：二极管的种类，二极管的伏安特性7：只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（）答案：×难度：1知识点：放大电路的定义8：可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）答案：√难度：2知识点：放大电路的功率计算9：放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）答案：×难度：2知识点：放大电路的组成及个元件的作用10：电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（）答案：×难度：3知识点：放大电路的交流通路11：放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）答案：√难度：1知识点：放大电路的组成原则12：由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）答案：×难度：2知识点：放大电路的直流通路分析13：只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
（）答案：×难度：2知识点：基本共射放大电路U?，Ωr＝管的1k＝80，中：在图P2.5所示电路，已知晶体＝20mV；静14ebi态时U＝0.7V，U＝4V，I＝20μA。
判断下列结论是否正确：QECBEQQB44 ??AA.71??200??5??）1 （2）（（）（）uu3?70.1020?5.?28080?5 A??????200A400??）（）（）（4）（3uu117.200???1k?k??35)R?(kR?()k））（）（5）（6 （ii02200.R?3k?R?1k?（）（（7）8）（）ii R?5k?R?2.5k?（）（）9（）10）（oo UU）（11 12）) ≈60mV ( （) ≈20mV ( ssP2.5图答案：×）6（×）5（√）4（×）3（×）2（×）1（．）√（12×）（11）×（8）√（9）√（10（7）×4度：难解法析法和图电路的等效电路分知识点：放大成们连100，将它为压放大倍数均－测得两个共射放大电路空载时的电15：现() 10000。
模拟电子技术习题及答案
一、判断题：1、因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ 错 ）2、PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ 对 ）3、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ 错 ）4、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
（ 错 ）5、可以说任何放大电路都有功率放大作用。
（ 对 ）6、电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的。
（ 错 ）7、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
（ 对 ）8、由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
（错 ）9、现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
( 错 )10、阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立，( 对 )它只能放大交流信号。
( 对 )11、直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响，( 对 )它只能放大直流信号。
( 错 )12、只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。
( 错 )13、运放的共模抑制比c dCMR A A K ( 对 )14、在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。
( 错 )15、若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。
（ 错 ）16、若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。
（ 错 ）17、只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。
（ 错 ）18、放大电路的级数越多，引入的负反馈越强，放大倍数就越稳定。
（ 错 ）19、反馈量仅仅决定于输出量。
（ 对 ）20、既然电流负反馈稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。
（ 错 ）21、运算电路中一般均引入负反馈。
（ 对 ）22、在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
（ 错 ）23、凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
（对）24、只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。
模电试卷及答案 大题判断填空选择
模电大题选择，填空判断一、VD1,VD2为理想二极管，其导通电压为0V，电路如图所示，画出u O的波形。
（15分）二、判别题：（21分）1、若放大电路中三极管3个电极的电位分别为下列各组数值，试确定它们的电极和三极管的类型。
（a）①5V ②1.2V ③0.5V（b）①6V ②5.8V ③1V（c）①-8V ②-0.2V ③0V2、某一放大电路中引入了直流负反馈和交流电流并联负反馈，这些反馈是否能够（1）稳定输出电压（）（2）稳定输出电流（）（3）增加输出电阻（）（4）增加输入电阻（）（5）增大静态电流（）（6）稳定静态电流（）三、某两级阻容耦合放大电路如图所示，已知β1= β2=40，试求：（24分）（1）各级电路的静态工作点；（2）各级电压放大倍数Au1，Au2和总电压放大倍数Au；（3）放大器输入电阻Ri和输出电阻Ro；（4）后级采用什么电路？有什么优点？四、OTL电路如图所示，电容C足够大，三极管的饱和压降U CES=1V，求：（15分）（1）电路中VT1、VT2工作在哪一种方式？（2）R1、VD1、VD2的作用是什么？（3）电位器RP的作用是什么？（4）负载R L上能够得到的最大不失真输出功率P omax是多少？五、如图所示电路属长尾式差动放大器。
已知VT1、VT2为硅管。
β =100，试计算（15分）（1）电路静态工作点Q；（2）差模电压放大倍数A ud；（3）差模输入电阻R id和输出电阻R od。
六、判断图示电路中反馈是何种交流反馈类型，若满足深度负反馈条件，求电压放大增益。
（15分）七、运算放大器应用电路如图所示，图中运放均为理想运放，U BE=0.7V。
（15分）（1）求出三极管c、b、e各极对地电位；（2）若电压表读数为200mV，试求出三极管的β值。
九、具有放大环节的串联型稳压电路如图所示，已知变压器副边u2的有效值为16V，三极管VT1、VT2的β1= β2 =50，U BE1=U BE2=0.7V, U Z=+5.3V，R1=300Ω，R2=200Ω，R3=300Ω，Rc2=2.5kΩ。
模电判断题
模拟电子技术版）期末练习判断题一、判断题(每题1分)1.在桥式整流电路中，如用交流电压表测出变压器二次侧的交流电压为20V，则在纯电阻负载两端用直流电压表测出的电压值约为18V。
（）2. P型半导体带正电，N型半导体带负电。
3.在P型半导体中掺入高浓度的五价元素，可以改型为N型半导体。
4.硅二极管正向导通时，其两端的电压很小的变化，会引起电流较大的变化。
5. PN结正偏时，势垒电容效应明显；PN结反偏时，扩散电容效应明显。
6. PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）7.二极管在反向电压超过最高反向工作电压U RM时会损坏。
8.半导体中空穴带正电，电子带负电。
9.二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
（）10.在变压器二次侧电压和负载电阻相同的情况下，因为桥式整流电路的输出电流是半波整流电路的输出电流的2倍，因此，它们的整流管的平均电流比值为2:1。
（）11.在变压器二次侧电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电流是半波整流电路的输出电流的2倍。
（）因此，它们的整流管的平均电流比值为2:1。
（）12.若电源变压器二次侧电压的有效值为U2，则半波整流电容滤波电路和全波整流电容滤波电路在空载时2U。
（）的输出电压均为213.光电二极管是受光器件，能将光信号转换电信号。
（）14.发光二极管使用时必须反向偏置，光电二极管则应该正向偏置。
（）15.变容二极管的特点是结电容随反偏电压的大小变化。
（）16.在变压器二次侧电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电流是半波整流电路的输出电流的2倍。
（）17.二极管在工作频率大于最高工作频率f M时会损坏。
18.当输入电压为正弦波时，若PNP管共发射极放大电路发生饱和失真，则基极电流的波形将正半波削波，（）。
输出电压u o的波形将负半波削波（）19.由于发射区和集电区的杂质浓度以及面积不同，因此BJT的集电极和发射极不能互换使用。
20.阻容耦合多级放大电路各级的静态工作点Q相互独立，（）它只能放大交流信号。
模电判断题
第一篇电子电路基础知识一、判断题（正确的打√，错误的打×）1、射极输出器不具有电压放大作用。
（√）2、普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿是不可逆的。
（√）3、在三种功率放大电路中，效率最高是的甲类功放。
（×）说明：效率最高是的乙类功放.4、逻辑电路中“1”比“0”大。
（×）说明：逻辑电路中“1”与“0”不存在大小之分。
5、石英晶体振荡器的主要优点是振荡频率稳定性高。
（√）6、直流放大器只能放大直流信号。
（√）7、在基本放大电路中，若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。
（√）8、振荡器的负载变动将影响振荡频率稳定性（×）9、直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号（√）10、差动放大器如果注意选择元件，使电路尽可能对称，可以减小零点漂移（√）11、放大器具有正反馈特性时，电路必然产生自激振荡（×）12、多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄（×）说明：级数愈少，通频带愈宽。
13、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类型半导体构成的，所以e极和c极可以互换使用（×）14、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。
（×）15、少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体。
（×）16、晶体二极管击穿后立即烧毁。
（×）17、用万用表测二极管正向电阻，插在万用表标“+”号插孔的测试棒（通常是红色棒）所连接的二极管的管脚是二极管正极，另一为负极。
（×）18、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。
（×）19、PNP三极管处于截止状态时，发射结正偏（×）20、晶体三极管具有能量放大功能。
（×）21、当集电极电流值大于集电极最大允许时，晶体三极管一定损坏。
（√）22、一个完全对称的差分式放大器，其共模放大倍数为零。
模拟电子技术判断题
1，在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
√2，因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
×3，二极管在工作电流大于最大整流电流If时会损坏。
×4，只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
×1，可以采用小信号电路模型进行静态工作点的分析。
×2，MOSFET具有输入阻抗非常高、噪声低、热稳定性好等优点。
√3，NMOS管存在异电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。
×4，结型场效应管外加的栅源电压应是栅源间的PN结反偏。
√5，场效应管用于放大电路时，应工作于饱和区。
√1，放大电路的输出电阻只与放大电路的负载有关，而与输入信号源内阻无关。
×2，共发射极放大电路由于输出电压与输入电压反相，输入电阻不是很大而且输出电阻又较大，估很少应用。
×3，单端输出的具有电流源的差分放大电路，主要靠电流源的横流特性来抑制温漂。
√4，乙类互补对称功率放大电路输出功率越大，功率管的损耗也就越大，所以放大器效率也越小。
×5，OCL电路中输入信号越大，交越失真也越大。
×6，直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是晶体管参数受温度影响。
√1，直流负反馈只存在于直接耦合电路中，交流负反馈只存在于阻容耦合电路中。
×2，若放大电路的A＞0，则接入的反馈一定是正反馈，若A＜0，则接入的反馈一定是负反馈。
×3，共集电极放大电路，由于Au≤1，估该电路没有负反馈。
×4，当输入信号是一个失真的正弦波，加入负反馈后能使失真减小。
×5，负反馈只能改善反馈环路以内电路的放大性能，对反馈环路之外电路无效。
√6，在深度负反馈放大电路中，只有尽可能的增大开环放大倍数，才能有效地提高闭环放大倍数。
×1，凡是集成运算放大器构成的电路，都可以“虚短”和“虚断”概念加以分析。
×2，放大电路低频段没有转折频率，则说明该电路采用了直接耦合方式。
判断题(模电)
下列各种说法，你认为正确的，请在题后的括号内打“√”，错的打“×”。
（每小题1分，共20分）第一章判断题：1在本征半导体中参入三价元素，可以形成P型半导体。
（）2在本征半导体中参入五价元素，可以形成N型半导体。
（）3半导体二极管的基本导电特性是单向导电性。
（）4只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。
（）5本征半导体温度升高后两种载流子浓度依然相等。
（）6因为N型半导体的多子是电子，所以它带负电。
（）7本征半导体温度升高后两种载流子浓度不再相等。
（）8杂质半导体中的少数载流子浓度跟环境温度有关系。
（）9二极管两端加反向电压时导通，加正向电压时截止。
（）10N型半导体中的多数载流子是自由电子。
（）11杂质半导体中的多数载流子浓度取决于环境温度。
（）12二极管具有单向导电性，即外加正向电压时二极管导通，外加反向电压时二极管截止。
（）13P型半导体的多数载流子是空穴，因此P型半导体带正电。
（）14稳压管起稳压作用时工作在击穿区。
（）15在PN结形成过程中，空穴的扩散运动方向是从P区到N区。
（）16在PN结形成过程中，漂移运动方向是从N区到P区。
（）17完全纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。
（）第二章判断题：1双极型晶体管仅靠一种载流子导电。
（）2处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（）3处于放大状态的晶体管，发射极电流主要是多子扩散运动形成的。
（）4在温度升高时，晶体三极管的极间反向电流和电流放大倍数都将增大。
（）5只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
（）6任何放大电路都能放大电压。
（）7可以说任何放大电路都有功率放大作用。
（）8共基极放大电路的输出电压与输入电压同相位。
（）9PNP型晶体管处于放大状态时，集电极电位最高，发射极电位最低。
（）10NPN型晶体管处于放大状态时，集电极电位最高，发射极电位最低。
（）11晶体管工作在截止区时，发射结正偏。
（）12只要晶体三极管的发射结正向偏置，它就工作在放大区。
模电复习试题及答案(选择、填空、判断)
《模拟电子技术》复习题综合（半导体基础知识、单管共射放大电路）一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于3、本征半导体温度升高以后， C 。
A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1010、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。
图1为 D ；图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]A.NPN 硅管B.PNP 硅管C.NPN 锗管D.PNP 锗管12、场效应管是 D 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 A 。
A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是 B 。
模电判断题
A三、判断题。
正确的打“√”，错误的打“×”。
（共5小题，每小题1分，共5分。
）1．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
（√）2．放大电路产生饱和失真或截止失真的根本原因是静态工作点不合适。
（√）3．复合管的β值近似等于组成它的各三极管β值的乘积。
（√）4．只要放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。
（×）5．直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换为直流能量。
（√）B三、判断题。
正确的打“√”，错误的打“×”。
（共5小题，每小题1分，共5分。
）1．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（×）2．任何放大电路都既能放大电流又能放大电压。
（×）3．在推挽功率放大器中，当两只晶体三极管有合适的偏置时，就可以消除交越失真。
（√）4．在输入量不变的情况下，若引入反馈后净输入量减小，则说明引入的反馈是负反馈。
（√）5．功率放大电路中，输出功率越大，功放管的功耗越大。
（×）C三、判断题。
正确的打“√”，错误的打“×”。
（共5小题，每小题1分，共5分。
）1．温度升高后，本征半导体两种载流子的浓度仍然相等。
（√）2．场效应管是由电压来控制电流的器件，仅靠一种载流子导电。
（√）3．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
（√）4．负反馈放大电路的闭环放大倍数和开环放大倍数的量纲不相同。
（×）5．直流电源是一种将正弦信号变换为直流信号的波形变换电路。
（×）D三、判断题。
正确的打“√”，错误的打“×”。
（共5小题，每小题1分，共5分。
）1．稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性进行稳压的。
（√）2．阻容耦合多级放大电路各级的静态工作点是相互独立的，它只能放大交流信号。
（√）3．差分放大电路中，公共发射极电阻R E的主要作用是提高共模抑制比。
（√）4．二阶压控电压源低通滤波器在高频段幅频特性的变化规律为40dB/十倍频。
模电试题-选择、判断题
一、判断题（1）√（2）×（3）√（4）×（5）√（6）×（7）×（8）√（9）×（10）×（11）√（12）×（13）×（14）×（15）√（16）×（17）×（18）√（19）×（20）√（21）×（22）√（23）√（24）×（25）√（26）×（27）√（28）×（29）×（30）×（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。
（）（）（6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。
（7）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（）（8）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）（9）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）（10）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（）（11）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）（12）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）（13）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
（）解：（14）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
( )（15）阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，它只能放大交流信号。
( )（16）直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，它只能放大直流信号。
( )（17）只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。
模电试卷
一、判断题1、在P 型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N 型半导体。
（X ）2、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
（X ）3、只要集成运放引入正反馈，就一定工作在非线性区。
（X ）4、在电源电压相同的情况下，功率放大电路比电流放大电路的输出功率大。
（ ）5、整流的目的是将交流变为直流。
（ ）二、选择题1、PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为（ C ）A 正值B 负值C 零D 未知2、集成运放电路采用直接耦合方式是因为（ A ）A 集成工艺难于制造大容量电容B 可获得很大的放大倍数C 可使温漂小3、直流负反馈是指（ B ）A 直接耦合放大电路中所引入的负反馈B 在直流通路中的负反馈C 只有放大直流信号时才有的负反馈而交流负反馈是指（ A ）A 在交流通路中的负反馈B 阻容耦合放大电路中所引入的负反馈C 只有放大交流信号时才有的负反馈4、通用型集成运放适用于放大（ C ）A 任何频率信号B 高频信号C 低频信号5、为了避免50Hz 电网电压的干扰进入放大器，应采用哪种类型的滤波电路（ A ）A 带阻B 带通C 低通D 高通6、欲实现50-=u A 的放大电路，应选用（C ）A 微分运算电路B 同相比例运算电路C 反相比例运算电路D 积分运算电路7、LC 串联网络在谐振时呈（ B ），在信号频率大于谐振频率时呈（A ），在信号频率小于谐振频率时呈（ C ）A 感性B 阻性C 容性8、现有直接耦合基本放大电路如下：A 共射电路B 共集电路C 共基电路选择合适答案填入空内。
（1）输入电阻最小的电路是（ C ）（2）输出电阻最小的电路是（B ）（3）高频特性最好的电路是（ C ）（4）输入电压与输出电压反相的电路是（ A ）9、在输入量不变的情况下，若引入反馈后（B ），则说明引入的反馈是负反馈。
A 输入电阻增大B 净输入量减小C 净输入量增大D 输出量增大三、填空题1、欲得到电流-电压转换电路，应在放大电路中引入 （1）电压并联 负反馈；欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（2）电流串联 负反馈；欲减小电路从信号源索取的电流，增强带负载能力，应在放大电路中引入（3）电压串联 负反馈；欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（4）电流并联 负反馈。
模拟电路考试题及答案【精】
精品文档自测题一一、判断题1．因为P 型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。
（ F ）2．在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ T ） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。
（ F ） 二、单选题1．半导体中的少数载流子产生的原因是（ D ）。
A ．外电场B ．内电场C ．掺杂D ．热激发 2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（ C ）。
A ．正、反向电阻相等 B ．正向电阻大，反向电阻小 C ．反向电阻比正向电阻大很多倍 D ．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（ B ）。
(X 轴为电压) A ．右移 B ．左移 C ．上移 D ．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（ A ）。
A ．增大 B ．减小 C ．不变 D ．不确定 5．三极管β值是反映（ B ）能力的参数。
（三极管可改为电流控制电流源）A ．电压控制电压B ．电流控制电流C ．电压控制电流D ．电流控制电压6．温度升高时，三极管的β值将（ A ）。
A ．增大B ．减少C ．不变D ．不能确定7．下列选项中，不属三极管的参数是（ B ）。
A ．电流放大系数B ．最大整流电流C ．集电极最大允许电流D ．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=，V U 4.52=，V U 123=，则对应该管的管脚排列依次是（ B ） 。
A ．e, b, cB ．b, e, cC ．b, c, eD ．c, b, e9．晶体三极管的反向电流是由（ B ）运动形成的。
A ．多数载流子 B ．少数载流子C ．扩散D ．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V 、12V 和6.7V ，则此三极管是（ D ）。
模拟电路考试题及答案【精】
自测题一一、判断题1．因为P 型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。
（ F ）2．在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ T ） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。
（ F ） 二、单选题1．半导体中的少数载流子产生的原因是（ D ）。
A ．外电场B ．内电场C ．掺杂D ．热激发 2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（ C ）。
A ．正、反向电阻相等 B ．正向电阻大，反向电阻小 C ．反向电阻比正向电阻大很多倍 D ．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（ B ）。
(X 轴为电压) A ．右移 B ．左移 C ．上移 D ．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（ A ）。
A ．增大 B ．减小 C ．不变 D ．不确定 5．三极管β值是反映（ B ）能力的参数。
（三极管可改为电流控制电流源）A ．电压控制电压B ．电流控制电流C ．电压控制电流D ．电流控制电压6．温度升高时，三极管的β值将（ A ）。
A ．增大B ．减少C ．不变D ．不能确定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（ B ）。
A ．电流放大系数B ．最大整流电流C ．集电极最大允许电流D ．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=，V U 4.52=，V U 123=，则对应该管的管脚排列依次是（ B ） 。
A ．e, b, cB ．b, e, cC ．b, c, eD ．c,b, e9．晶体三极管的反向电流是由（ B ）运动形成的。
A ．多数载流子 B ．少数载流子C ．扩散D ．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V 、12V 和6.7V ，则此三极管是（ D ）。
（发正偏集反偏）A ．PNP 型硅管B ．PNP 型锗管C ．NPN 型锗管D ．NPN 型硅管 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ B ）。
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模电判断题1是正确,2是错误
1、PN结是构成一切半导体器件的基础，它具有单向导电性。
（1）
2、单向导电指正偏时有较大正向电阻，反偏时有较小反向电阻。
（2）
3、三极管按其材料分可以分为NPN，和PNP（2）
4、P型半导体是在本征半导体中掺入3价元素制成的。
（1）
5、N型半导体中电子参与导电（1）
6、空穴带负电。
（2）
7、导体中存在空穴和自由电子。
（2）
8、三极管可以由两个特殊构造的二极管制成。
（2）
9、二极管可以由一个PN结制成。
（1）
10、PN结具有单向导电性，正向是由P到N。
（1）
11、硅二极管的导通电压是0.5v，死区电压是0.3v。
（2）
12、锗二极管的导通电压比硅二极管导通电压大。
（2）
13、放大电路的两种状态是指未输入信号时的静态（直流状态）和
输入信号时的动态。
（1）
14、对放大器的定量分析，一是确定静态工作点；二是求出动态时
的性能指标。
（1）
15、静态工作点由I B，I C，U BE，U BC组成。
（2）
16、二极管和三极管都是线性器件。
（2）
17、在半导体三极管的参数中， 代表电压放大倍数。
（2）
18、放大电路空载和带载放大倍数相同。
（2）
19、电子电路需要交流电源供电。
（2）
20、三极管放大时Ie=Ic+Ib。
（1）
21、三极管分别有放大区，饱和区两个工作区。
（2）
22、发射结正偏，集电结反偏三极管工作在放大状态。
（1）
23、三极管的饱和区是发射结正偏，集电结反偏。
（2）
24、导体的导电能力不及半导体。
（2）
25、硅三极管发射结正偏是指Ub-Ue=0.7V。
（1）
26、放大电路中Ec可以同时使三极管发射结正偏，集电结反偏。
（1）
27、三极管放大作用需要的外部条件是集电结反偏和发射结正偏。
（1）
28、二极管的反向击穿是指给N加正P加负。
（2）
29、二极管反向击穿两端电压为零。
（2）
30、理想二极管反向截止是指反向电阻无穷大。
（1）
31、确定一个硅三极管发射结的依据是两端电压为0.7v。
（1）
32、r be的单位是KΩ。
（2）
33、某放大电路Ec=12V，Uce=0.5V。
（2）
34、Rb//r be≈r be (1)
35、Rb+r be≈Rb (1)
36、稳压二极管是利用PN结的反向击穿特性工作的。
（1）
37、现实中的二极管导通后两端电压为0。
（2）
38、三极管是电流控制元件。
（1）
39、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、
2.7V，则2v是发射极。
（1）
40、上题是NPN型三极管。
（1）
41、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、
1.3V、-5V，则2v是发射极。
（1）
42、上题是NPN型三极管。
（2）
43、某NPN型三极管,Ub=4.3V,Ue=4V,Uc=9V,此三极管工作在放大状
态（1）。
44、上题此三极管是硅三极管。
（2）
45、某NPN型三极管,Ub=-7v,Ue=-6v,Uc=9V,此三极管工作在截止状
态（1）。
46、某饱和状态硅三极管，Ue=5v，Uc=1V，Ub一定等于5.7V。
（1）。