中级电工试题

4． 晶体三极管放大器，为了消除湿度变化的影响，一般采用固定偏置电路。（X ）
5．可控硅整流电路中，对触发脉冲有一定的能量要求，如果脉搏冲电流太小，可控硅也无法导通。 （ ）
6．两个不同频率的正弦量在相位上的差叫相位差（ X）
7．并联电容器可以提高感性负载本身的功率因数。 （X ）
8．叠加原理只能用严寒计算电压电流，不能用来计算电路的功率（ ）
37．可控硅有（3个 ）PN结组成。
38．电容器的电流I=CΔUC/Δt，当UC增大时，电容器为（充电过程并吸取电能转换为电场能 ）。
39．晶体三极管处于放大工作状态，测得集电极电位为6V，基极电位0.7V，发射极接地，则该三极管为（NPN ）型。
40．已知：电流I=6+j8，电源频率为50Hz，其瞬时值表达式为I=（10 sin (314t+53.1°) ）。
14．某正弦交流电压的初相角中，φU=π/6，在t=0时，其瞬时值将（不定 ）。
15．已知msinwt第一次达到最大值的时刻是0.005s，则第二次达到最大值时刻在（0.025s ）。
16．U=311sin（314t-15°）伏，则U=（ 220∠-15°）伏。
17．实际电压源与实际电流源的等效互换，对内电路而言是（不等效 ）。
45．若电路中某元件两端电压u=100 sin (100πt+50°)V，电流I=10 sin (100πt+140°)A，则该元件是（电容 ）。
46．阻容交流电路中电流与电压的相位关系是电流（超前0~90° ）电压。
二、多选题：
1．在正弦交流电路中，下列公式正确的是（B.C.E ）。
A：ic=duc/dt B：Ic=jwcU C：UC=-jwct D：XC=1/wc E：QC=UIsinφ
2．基本逻辑运算电路有三种，即为（BCE ）电路。
A：与非门 B：与门 C：非门 D：或非门 E：或门
3．对于三相对称交流电路，不论星形或三角形接法，下列结论正确的有（ABCD ）。
A：P=3UmImcosφ B：S= 3UmIm C：Q= U1I1sinφ D：S= E：S=3UI
4．多级放大器极间耦合形式是（CDE ）。
A：二极管 B：电阻 C：阻容 D：变压器 E：直接
5．电子电路最基本的逻辑电路是（ABD ）。
A：与门 B：非门 C：与非 D：或门 E：异或
6．基尔霍夫定律有（AB ）。
A：节点电流定律 B：回路电压定律 C：以路电流定律 D：节点电压定律
7．正弦交流电的三要素是（ABC ）。
A：最大值 B：初相角 C：角频率 D：串联 E：并联
中级电工证考试试题及答案
一、单选题：
1．金属导体的电阻值随着温度的升高而（增大 ）。
2．纯电感电路的感抗为（ωL ）。
3．在正弦交流电阻电路中，正确反映电流电压的关系式为（I=U/R ）。
4．在有些情况下为了缩短晶闸管的导通时间，加大触发电流（两倍以上）这个电流称为（ 强触发电流）。
A：各相阻抗值相等 B：各相阻抗值差 C：各相阻抗复角相差120° D各相阻抗值复角相等 E：各相阻抗复角相差180°
11．晶闸管导通条件是（AC ）。
A：阳极与阴极之间加正向电压 B：阳极与阴极之间加反向电压
C：控制极与阴极之间加正向电压 D：控制极与阴极之间加反向电压 E：阳极与控制极间加正向电压
A：负载相电压：UΔ相=3UY相 B：线电流：IΔ相=3IY C：功率：PΔ=3PY D：相电流：IIΔ相= IY E：承受的相电压相同
19．在电力系统中，采用并联补偿电容器进行无功补偿主要作用有（ABCD ）。
A：提高功率因数 B：提高设备出力 C：降低功率损耗和电能损失 D：改善电压质量 E：改善架空线路的防雷性能
20．RLC串联的正弦交流电路中，当XL=XC时，电路发生谐振，谐振特性有（ABCD ）。 Байду номын сангаас
A：电容上电压与电感上电压大小相等，方向相反 B：电路中电流最大 C：电路中阻抗最小
D：电路中无功功率为0 E：电阻上电压与外加电压大小相等，方向相反
21．单相变压器连接组的测定方法有（AC ）。
A：直流法 B：电阻法 C：交流法 D：功率测量法 E：交流电流法
5．三相负载接在三相电源上，若各相负载的额定电压等于电源线电压1/ ，应作（星形 ）连接。
6．单相正弦交流电路中有功功率的表达式是（UIcosφ ）。
7．纯电容交流电路中电流与电压的相位关系为电流（超前90° ）。
8．两个正弦量为u1=36sin(314t+120°)V,u2=36sin(628t+30°)V，则有（不能判断相位差 ）。
30．放大电路的三种组态是（BCE ）。
A：低频放大器 B：共集极放大器 C：共基极放大器 D：多极放大器 E：共发射极放大器
三、判断题：
1．功率因数无是负载电路中电压U与电流I的相位之差，它越大，功率因数越小（ ）
2．TTL集成电路的全称是晶体管—晶体管逻辑集成电路。 （ ）
3．当三极管的发射结和集电结都处于正偏状态时，三极管一定工作在饱和区（ ）
9．晶闸管控制角越大电压则越高。 （ X）
10．某电气元件两端交流电压的相位超前于流过它上面的电流，则该元件为容性 负载（X ）
11．晶闸管的导通条件是晶闸管加正向电压门极加反向电压。 （X ）
12．晶闸管具有正反向阻断能力。（ ）
13．电感元件在电路中不消耗能量，它是无功负荷。（ ）
14．所谓部分电路欧姆定律，其部分电路是指不含电源的电路（ ）
41．共发射极放大器，集电极电阻RC的作用是（晶体管电流放大转变速器成电压放大 ）。
42．三相电源Y连接，已知UB=220∠-10°伏，其UAB=（380∠140° ）伏。
43．某正弦交流电压的初相角φ=-π/6，在t=0时，其瞬时值将（小于零 ）。
44．发生LC串联谐振的条件是（ωL=1/ωC ）。
A：可以充分发挥电源设备容量 B：可以提高电动机的出力 C：可以减少线路功率损耗
D：可以减少电动机的启动电流 E：可以提高电机功率
15．电桥外接电源时过高过低会产生（ABC ）现象。
A：损坏电阻 B：降低灵敏度 C：降低精确度 D：无法调零 E：读数不准
16．关断晶闸管的方法有（BCD ）。
A：开路 B：放大 C：截止 D：短路 E：饱和
28．晶闸管的阻断作用有（AB ）。
A：正向阻断 B：反向阻断 C：正向偏置 D：反向偏置 E：门极偏置
29．提高功率因数的意义有（AC ）。
A：充分利用设备容量 B：提高供电质量 C：线路功率和电压损耗减小 D：节约经济开支 E：节省线路投资
25．放大器采用射极偏置改善工作点偏离的是（电流负反馈）。
26．可控硅的正向阻断是（ 可控硅加反向阳极电压，控制极不加反向电压）。
27．一三相对称负载，三角形连接，已知：相电流IBC=10∠-10°安，则线电流I=（ 17.3∠80°）安。
28．单相半波可控硅整流电路，决定控制角的元件是（ ）。
20．纯电感负载功率因数为零，纯电容负载功率因数为1。(X)
9．射极输出器的输出阻抗（低 ），故常用在输出极。
10．二极管半波整流时负载两端的直流电压等于（0.45U2 ）。
11．三相变压器的连接组别是表示（ 原付边线电压的相位关系）。
12．射极输出器的电压放大倍数约等于（1 C：<50 ）。
13．晶闸管的控制角越大，则输出电压（ 越低 ）。
15．线圈中磁通产生的感应电势与磁通成正比。（ ）
16．射极输出器不仅能作电压放大器，主要是为了增加输入阻抗，减低输出阻抗。（X ）
17．晶闸管触发电路的脉冲前沿要陡，前沿上升时间不超过100μs。 （X ）
18．单结晶体管具有一个发射极、一个基极、一个集电极。 （X ）
19．单结晶体管的发射极电压高于谷点电压时，晶体管就导通。 （X ）
8．我国规定三相电力变压器的联结组别有（ABCD ）等。
A：Y/Δ-11 B：Y0/Δ-11 C：Y0/Y-12D：Y/Y-12 E：Y/Δ-7
9．人为提高功率因数的方法有（AB ）。
A：并联适当电容器 B：电路串联适当电容器 C：并联大电抗器 D：串联大电容器 E：串联适当的电感量
10．三相负载对称是（AD ）。
29．所有条件都具备，才有肯定的结论，这是（与 ）逻辑。
30．单相桥式半控整流电路，通过改变控制角，负载电压可在（0~0.9U2 ）之间连续可调。
31．已知：I=-14.1sin100πtA，其电流相量I=（10∠-180° ）A。
32．可控硅导通条件是(阳极与阴极加正向电压，控制极与阴极加正向电压 )。
A：切断控制极电压 B：断开阳极电源 C：降低正向阳极电压 D：给阳极加反向电压 E：减少控制极电流
17．三根电源作Y连接时，线电压与相电压的（A ）倍，且线电压超前相电压（D ）。
A： B： C：60° D：30° E：90°
18．一三相对称感性负载，分别采用三角形和Y形接到同一电源上，则有以下结论：（BCD ）
22．戴维南定理适用外部电路为（AD ）电路。
A：线性 B：整流 C：放大 D：非线性 E：饱和
23．已知放大电路中三极管三个管脚对地电位是（1）0V，（2）0.7V，（3）6V。该三极各管脚对应的电场是（ BCD）。
A：（1）是基极 B：（2）是基极 C：（1）是发射极 D：（3）是集电极 E：（3）是发射极
26．设三相正弦交流电的ia=Imsinωt，则ib为（AB ）。