武汉科技大学模拟电子技术期末试卷+答案 A卷(08级)
《模拟电子技术》复习题10套及答案
.《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型.图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
模拟电子技术期末试卷5套及答案
《模拟电子技术》期末考试试卷12010.05班级_ ______ 学号___ ___ 姓名___ ___ 分数___ ___一．填空（25分）（1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，掺杂越多，则其数量一定越 多 ，相反，少数载流子应是 空穴 ，掺杂越多，则其数量一定越 少 。
（2）把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。
（3）当PN 结外加正向电压时，PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。
（4）硅二极管的导通电压值约为 0.6V ，锗二极管的导通电压约为 0.2V 。
（5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。
（6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端不同，可以组成 共基、 共射 、 共集电 三种组态。
（7）放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变，称为 幅频特性，而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变，称为 相频 特性。
（8）假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为unu u u A A A A ......321、、，那么多级放大电路的放大倍数uA ＝ un u u A A A (21)（9）要使电路产生稳定的振荡，必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。
（10）小功率直流电源一般由四部分组成，分别是 电源变压器 、 整流 、 滤波和稳压电路。
二．选择题（每题2分，共20分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 。
（A ）电流负反馈 （B ） 电压负反馈 （C ） 直流负反馈 （D ）交流负反馈（2）RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。
（A ）感性 （B ） 阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。
（A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ） 差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。
模拟电子技术复习题+参考答案
模拟电子技术复习题+参考答案一、单选题（共80题，每题1分，共80分）1、差分放大电路能够有效地抑制零漂,因此具有很高的共模抑制比。
( )A、错误B、正确 ;正确答案：B2、射极输出器是典型的（）。
A、电压并联负反馈；B、电压串联负反馈。
C、电流串联负反馈；正确答案：B3、集成电路内部，各级之间的耦合方式通常采用（）A、直接耦合B、阻容耦合C、变压器耦合D、光电耦合正确答案：A4、二极管只要发生击穿现象，一定会造成二极管的永久性损坏。
（）A、对 :B、错正确答案：B5、若在本征硅中掺入适量的五价杂质元素，就可生成多子为自由电子的N型半导体。
A、正确 ;B、错误正确答案：A6、双极三极管是一种（）A、电流控制的电压源B、电流控制的电流源C、电压控制的电流源D、电压控制的电压源正确答案：B7、理想集成运放的输入电阻为（）。
A、0；B、不定。
C、∞；正确答案：C8、集成运算放大器的反馈深度|1+AF|=0时，运放处于（）A、深度负反馈B、正反馈C、负反馈D、自激振荡正确答案：D9、NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形出现底削波时的失真为（）失真。
A、截止B、频率C、饱和D、交越正确答案：C10、基本放大电路中的主要放大对象是( )。
A、直流信号;B、交流信号;C、交直流信号均有。
正确答案：B11、晶体三极管各种组态的放大电路，输入、输出均为反相关系。
（）A、对 :B、错正确答案：B12、集成运放的非线性应用存在( )现象。
A、虚断;B、虚地;C、虚断和虚短。
正确答案：A13、若使晶体三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A、发射结反偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结反偏；C、发射结反偏、集电结正偏。
D、发射结正偏、集电结正偏；正确答案：B14、微变等效电路中不但有交流量,也存在直流量。
( )A、错误B、正确 ;正确答案：A15、若分压偏置式共射放大电路的上偏流电阻RB1短路，则电路中晶体三极管处于（）。
2007-2008第二学期模拟电子技术期末试卷A详细答案
2007 - 2008学年第二学期《模拟电子技术》期末试卷（A）姓名：学号：专业班级：__________（请考生注意，本试卷共6页）8小题,每空1分, 总计20分）1. PN结的伏安特性方程 i =I S(e U/UT-1)，表明PN结呈现单向导电性。
2. 放大电路中，已知三极管三个电极的对地电位为 U A= -9V，U B= -6.2V，U C= -6V，则该三极管是锗PNP 型三极管，A为集电极；B为基极；C为发射极。
3. 对于下图所示的电压跟随器，其输出电压与输入电压的关系是 u o＝u i，输入电阻趋于零；输出电阻趋于无穷大，该电路是电压串联类型反馈电路（反馈组态）。
4．多级放大电路与各单级放大电路比较，多级放大电路压增益大，单级放大电路通頻带宽。
5．双端输入、双端输出差动放大电路如下所示，已知静态时V O=V C1-V C2=0，设差模电压增益|A VD|=100，共模电压增益A VC=0，V i1=10mV，V i2=5mV，则差模输入电压V id为 5mV ，共模输入电压V ic为7.5mV ，输出电压|V o|= 0.5V 。
6.所示放大电路中引入的反馈组态是电流串联负反馈。
该反馈能稳定电路的输出电__流_。
7．场效应管（FET）用于放大时，应工作在恒流区。
8．为了稳定放大器的静态工作点，应引入直流负反馈；为了稳定放大器的交流性能，应引入交流负反馈。
v o二、选择题（共10小题，每题1分，总计10分）1. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ C ]A．温度 B．掺杂工艺的类型C．杂质浓度 D．晶体中的缺陷2.滞回比较器有2个阈值电压，因此在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，其输出状态将发生次跃变。
［ A ］A. 1B. 2C. 3D. 03.当稳压管在正常稳压工作时，其两端施加的外部电压的特点为。
[ C ］A. 反向偏置但不击穿B. 正向偏置但不击穿C. 反向偏置且被击穿D. 正向偏置且被击穿4.双极型晶体管工作在饱和区的偏置条件是 [ A ]A．发射结正偏；集电结正偏 B．发射结正偏；集电结反偏C．发射结反偏；集电结正偏 D．发射结反偏；集电结反偏5.组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使。
《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)
《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。
二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。
0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。
掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。
烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。
最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。
0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。
击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。
I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。
波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。
晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。
0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。
1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。
武汉科技大学电子技术试卷A卷及答案
图 1.06 07．给 32 个字符编码，至少需要( A. 3 B. 4 ) 位二进制数。 C. 5
注：1、教师命题时题目之间不留空白； 2、考生不得在试题纸上答题，教师只批阅答题册正面部分，若考生须在试题 图上作解答，请另附该试题图。3、请在试卷类型、考试方式后打勾注明。 （第 1 页）
A．9V
B．18V ）
C．24V
D．28.3V
7．下列数中与十进制数(29)10 相等的是（ A．(11001)2
题4图
五、在题 5 图所示直流电源中，已知稳压二极管 DZ 的稳定电压 UZ=6V，R 1 =R 2 =2 KΩ。 （12 分） （1）当 R W 的滑动端在最下端时，输出电压 Uo =15 V，试求电位器 R W 的阻值； （2）在（1）选定的 R W 值情况下，当 R W 的滑动端在最上端时输出电压 Uo =?
A．饱和失真
B．截止失真
C．频率失真
D．交越失真 )。
05．与共射单管放大电路相比，射极输出器电路的特点是( A．输入电阻高，输出电阻低 C. 输入，输出电阻都很高
B. 输入电阻低，输出电阻高 D. 输入，输出电阻都很低
06．整流滤波电路如图 1.06 所示，变压器副边电压有效值是 10V，开关 S 打开后，二极管 承受的最高反向电压是（ A． 10V B． 12V ） 。 C．14.14V D．28.28V
（3）用与非门画出逻辑电路如题 6A 图所示。
题 6A 图
七、 （3 4=12 分） （1）驱动方程 (2) 次态方程
D2 Q1 ， D1 Q2 Q1
1 n 1 Qn Q1 ， Q1 Q2 Q1 2
(3) 由次态方程填写状态转移表如题 7A 表所示。 题 7A 表 状态转移表
《模拟电子技术基础》期末考试试卷标准答案
河北科技大学 学年第 学期《 模拟电子技术基础 》期末考试试卷标准答案学院 班级 姓名 学号 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分得分一、选择填空题（每空1分，共10分）（ A ）1.在晶体管放大电路的三种基本接法中, 的输出电压与输入电压不同相。
A. 共射电路B.共集电路.C.共基电路（ C ）2.选用差分放大电路的原因是。
A.稳定放大倍数B.提高输入电阻C.克服温漂（ A ）3.若要实现电流—电压转换电路，应引入。
A.电压并联负反馈B.电流串联负反馈C.电流并联负反馈D.电压串联负反馈（ A ）4.二极管外加正向电压时处于_______状态。
A.导通B.放大C.截止（ A ）5.正弦波振荡电路必须由以下四个部分组成：放大电路、、正反馈网络和稳幅环节。
A.选频网络B.消除失真电路C.负反馈网络D.滤波环节（ C ）6.直流稳压电源中滤波电路的目的。
A.将高频变为低频B.将交流变为直流C.减小脉动，使输出电压平滑（ B ）7.在某电路中测得晶体管的e、b、c三个极的直流电位分别为0V 、0.7V、4.0V，则该晶体管工作在状态。
A.饱和B.放大C.截止（ C ）8.直流负反馈是指：。
A.只有放大直流信号时才有的负反馈B.直接耦合放大电路中引入的负反馈C.在直流通路中的负反馈（ D ）9.对于放大电路，所谓开环是指。
A.无负载B.无信号源C.无电源D.无反馈通路（ D ）10.集成运算放大器实质上是一个具有高电压放大倍数电路。
A. 阻容耦合多级放大B. 共发射极放大C. 变压器耦合多级放大D. 直接耦合多级放大模拟电子技术A卷，共（ 6 ）页，第（ 1 ）页模拟电子技术A 卷，共（ 6 ）页，第（ 2 ）页ZU R R R R Uo 3321++=ZU R R R R R Uo 32321+++=二、判断题（共10分）1．（请在括号中标明“√”或“×”;每空1分，共5分）（ √ ）1)阻容耦合多级放大电路各级Q 点相互独立，它只能放大交流信号。
模拟电子技术试卷五套(含答案)
模拟试卷一一、填空(16分)1．半导体二极管的主要特性是___________ 。
2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。
3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。
4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。
5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。
这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。
6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。
二、选择正确答案填空(24分)1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是( )。
A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。
A．P沟道增强型MOS管B．P沟道结型场效应管C．N沟道增强型MOS管D．N沟道耗尽型MOS管3．在图示2差分放大电路中，若uI = 20 mV，则电路的( )。
A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。
B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。
C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。
D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。
4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。
A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大5．在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。
A．减小C，减小Ri B．减小C，增大RiC．增大C，减小Ri D．增大C，增大 Ri6．如图所示复合管，已知V1的 b1 = 30，V2的 b2 = 50，则复合后的 b 约为( )。
《模拟电子技术》试卷及答案
一、 选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。
每小题2分，共14分） 1． 电路如图1所示，二极管的导通电压0.7V D U =，则图1中二极管的工作状态及输出电压值为（ ）。
A.D1导通，D2截止，0.7V OU =B.D1截止，D2导通， 5.3V O U =-C.D1截止，D2截止，12V O U =D.D1导通，D2导通，0.7V OU =2． 图2所示共射放大电路，设静态时2mA CQ I =，晶体管饱和管压降0.6V CES U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。
A. 饱和；底部B. 饱和；顶部C. 截止；底部D. 截止；顶部3． 在图2所示电路中，已知U T =26mV ，静态时2mA CQ I =，晶体管参数：100β=，bb'200r =Ω，正弦交流输入电压i t u ω=，则交流输出o u 为（ ）。
A．o )u t ωπ=+ B．o )u t ω= C．o )u t ωπ=+D．o )u t ω=4． 根据不同器件的工作原理，可判断下图中（ ）可以构成复合管。
（A）（B）（C）（D ）5． 对于RC 耦合单管共射放大电路，若其上、下限频率分别为H f 、L f ，则当L f f =时，下列描述正确的是（ ）。
A ．o U 滞后iU 45︒B ．o U 滞后iU ︒135 C ．o U 超前iU ︒45D ．o U 超前iU 135︒6． 某负反馈放大电路，其开环增益9.9mS iu A =，反馈系数10ui F k =Ω，开环输入电阻5.0i R K '=Ω，可推算出其闭环输入电阻if R '=（ ）。
A. 500k Ω；B. 50k Ω；C.50Ω；D. 5Ω图17． 如下图4所示单相桥式整流、电容滤波电路，电容量足够大时，已知副边电压有效值为210V U =，测得输出电压的平均值() 4.5V O AV U =，则下列描述正确的是（ ）。
(完整版)模拟电子技术基础期末考试试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。
(完整版)模电期末试题及答案-模拟电子技术
(完整版)模电期末试题及答案-模拟电子技术-CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One1《模拟电子技术基础》试卷及参考答案1、在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价2、稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿3、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏4、（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小5、U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管6、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。
A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定7、选用差分放大电路的原因是。
A.克服温漂B.提高输入电阻C.稳定放大倍数8、差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的，共模信号是两个输入端信号的。
A.差B.和C.平均值9、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e，将使电路的。
A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大10、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。
A．输入电阻增大 B．输出量增大C．净输入量增大 D．净输入量减小11、交流负反馈是指。
A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈B．只有放大交流信号时才有的负反馈C．在交流通路中的负反馈12、功率放大电路的转换效率是指。
A．输出功率与晶体管所消耗的功率之比B．最大输出功率与电源提供的平均功率之比C．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比13、整流的目的是。
A. 将交流变为直流B. 将高频变为低频C. 将正弦波变为方波14、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。
A. 基准电压B. 采样电压C. 基准电压与采样电压之差15、开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是。
模拟电子技术练习题库(附参考答案)
模拟电子技术练习题库（附参考答案）一、单选题（共103题，每题1分，共103分）1.PNP型三极管工作在放大状态时，其发射极电位最高，集电极电位最低。
（）A、对 :B、错正确答案：A2.集成运放的非线性应用存在（）现象。
A、虚地；B、虚断；C、虚断和虚短。
正确答案：B3.设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。
( )A、错误B、正确 ;正确答案：B4.集成运算放大器采用差动放大电路作为输入级的原因是A、提高输入电阻B、抑制零漂C、稳定放大倍数D、克服交越失真正确答案：B5.理想集成运放的开环放大倍数Au0为( )。
A、∞;B、0;C、不定。
正确答案：A6.分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现( )。
A、截止失真;B、饱和失真;C、晶体管被烧损。
正确答案：B7.射极输出器的特点是（）A、只有电流放大而没有电压放大，输出电阻小、输入电阻大B、只有电流放大而没有电压放大，输出电阻大、输入电阻小C、只有电压放大而没有电流放大，输出电阻小、输入电阻大D、既有电流放大也有电压放大，输出电阻小、输入电阻大正确答案：A8.分析集成运放的非线性应用电路时,不能使用的概念是( )。
A、虚短;B、虚地;C、虚断。
正确答案：A9.基极电流iB的数值较大时,易引起静态工作点Q接近( )。
A、饱和区B、死区C、截止区正确答案：A10.正弦电流经过二极管整流后的波形为（）。
A、正弦半波；B、矩形方波；C、等腰三角波；D、仍为正弦波。
正确答案：A11.晶体三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。
（）A、对 :B、错正确答案：B12.对于工作在放大区的晶体三极管而言，下列式子正确的是：A、I=βIbB、Ic=βIbC、Ie=βIb正确答案：B13.集成电路内部,各级之间的耦合方式通常采用 ( )A、直接耦合B、变压器耦合C、光电耦合D、阻容耦合正确答案：A14.具有输入、输出反相关系的小信号放大电路是 ( )A、共集电放大电路B、射极输出器C、共射放大电路D、共基放大电路正确答案：C15.共集电极放大电路的输入信号与输出信号，相位差为180°的反相关系。
模拟电子技术习题及答案完整版本
习题88.1判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。
（1）与分立元件比较，集成电路的主要优势是低成本和优良的性能。
（）（2）集成放大器采用直接耦合的主要原因是集成电路技术很难制造大容量的耦合电容。
（3）直接耦合的主要缺点是零点漂移。
（）（4）晶体管的参数受温度的影响，但不影响零点漂移。
（）（5）零点漂移受电源电压变化、器件参数老化和温度变化的影响。
（）（6）在集成电路中元件的对称性差。
（）（1）集成放大器主要有由输入级、中间放大级、输出级和偏置电路组成。
（）答：（1）√（2）√（3）√（4）×（5）√（6）×（7）√8.2选择合适答案填入空内。
（1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为。
A．可获得很大的放大倍数 B. 可使温漂小C．集成工艺难于制造大容量电容（2）通用型集成运放适用于放大。
A．高频信号 B. 低频信号C. 任何频率信号（3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的。
A. 指标参数准确B. 参数不受温度影响C．参数一致性好（4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以。
A．减小温漂 B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻（5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。
A．共射放大电路 B. 共集放大电路C．共基放大电路答：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A8.3 电路如题图8.3所示，已知β1=β2=β3=100。
各管的V B E均为0.7V，试求I C2的值。
题图8.3解：分析估算如下： 100BE1BE2CC =--=RU U V I R μAC2E2C11C1C0C2C0C22C2222(2)111111()2210022B R R I I I I I I I I I I I I A ββββββββββββββμββ++==+===+++++=+=+++==++8.4 多路电流源电路题图8.4所示，已知所有晶体管的特性均相同，V B E 均为0.7V ，β0=β1=β2=β3=100。
模拟电子技术期末试卷8套及答案
《模拟电子技术》期末考试试卷1班级_ ______ 姓名___ ___ 分数___一．填空（25分）（1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是 ，掺杂越多，则其数量一定越 ，相反，少数载流子应是 ，掺杂越多，则其数量一定越 。
（2）把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 特性。
（3）当PN 结外加正向电压时，PN 结内多子 形成较大的正向电流。
（4）硅二极管的导通电压值约为 ，锗二极管的导通电压约为 。
（5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 区和 区。
（6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端不同，可以组成 、 、 三种组态。
（7）放大电路的频率特性是指 随信号频率而变，称为 特性，而输出信号与输入信号的 随信号频率而变，称为 特性。
（8）假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为un u u u A A A A ......321、、，那么多级放大电路的放大倍数u A ＝（9）要使电路产生稳定的振荡，必须满足 和 两个条件。
（10）小功率直流电源一般由四部分组成，分别是 、 、 和 。
二．选择题（每题2分，共 分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ；为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。
（A ）电流负反馈 （B ） 电压负反馈 （C ） 直流负反馈 （D ）交流负反馈（2）RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。
（A ）感性 （B ）阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。
（A ）共基接法 共集接法 （C ）共射接法 （D ）差分接法（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。
（A ）β （B ） β2 （C ）2β （D ）1+β（5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是 ；既能放大电流，又能放大电压的电路是 。
（A ）共基放大电路 （B ） 共集放大电路 （C ） 共射放大电路 （6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uCuBuE 。
模拟电子技术基础试卷及答案(期末)
模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷三（本科）及其参考答案试卷三一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共16分）1．有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）a. 输入电阻大b. 输入电阻小c. 输出电阻大d. 输出电阻小2．共模抑制比K CMR越大，表明电路（）。
a. 放大倍数越稳定b. 交流放大倍数越大c. 抑制温漂能力越强d. 输入信号中的差模成分越大3．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）。
a. 变宽b. 变窄c. 不变d. 与各单级放大电路无关4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。
当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。
a. 43dBb. 40dBc. 37dBd. 3dB图1-4 图1-55．LC正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。
a. 满足振荡条件，能产生正弦波振荡b. 由于无选频网络，不能产生正弦波振荡c. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡6．双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。
已知静态时，V o=V c1－V c２＝０，设差模电压增益100vd=A ，共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ，则输出电压o V 为（ ）。
a. 125mV b. 1000 mV c. 250 mV d. 500 mV图1-6 图1-77．对于图1-7所示的复合管，假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEO I 为（ ）。
a. CEO2CEO I I =b. CEO2CEO1CEO I I I +=c. CEO1CEO I I =d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++=8．某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（ ）。
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1. 在 某 放 大 电 路 中 , 晶 体 管 三 个 电 极 的 电 流 如 图 1 所 示 ， 已 知 I1 1.2mA ，
I2 0.02mA ， I3 1.22mA ，由此可知对应电极①是______。
A.发射极
B.基极
C.集电极
D.不定
图1
图2
2.在图 2 所示电路中,设 C1、C2 对交流信号的影响可以忽略不计,当输入 f=1KHz 的正弦
（1）静态工作点 Q ；
（2）输入电阻 Ri 、输出电阻 Ro ； （3）电压增益 AV 。
图7
注：1、教师命题时题目之间不留空白； 2、考生不得在试题纸上答题，教师只批阅答题册正面部分，若考生须在试题图 上作解答，请另附该试题图。3、请在试卷类型、考试方式后打勾注明。
（第 3 页）
2．在图 8 所示电路中，试求： （1）电位器打在中间位置时的输出电压值； （2）输出电压的调节范围。
RO RC 2kΩ （2 分）
（ 3）
Av
rbe
RL (1 )Re1
50 (2 // 2) 0.86 51 0.2
4.5
（2 分）
2、解 ：
（ 1）
VR1
R1 R1 R2
6
R3 R4 R3
VO
VO
1 2
6 (1
R4 R3
)
C.截止
D.击穿
4.为了减小温漂，通用型运放的输入级大多采用
。
A．共射电路 B.差动放大电路 C．OCL 电路 D.共集电路
5.在放大器中引入直流负反馈,说法正确的是______。
A.稳定输出电压
B.稳定输出电流
C.性能不变
D.静态工作点稳定性变好
6.在甲乙类互补对称功放电路中，为了改善交越失真，应_______。
3．场效应管放大电路如图 5 所示，设已知管子的参数 gm ，试写出电压增益和输入电 阻的表达式。
图5
图6
4．判断图 6 所示电路是否满足正弦波振荡的相位条件。
五、分析计算题（每题 10 分，共 40 分）
1．射极偏置电路如图 7 所示， Rb1 60kΩ ， Rb2 30kΩ , Rc 2kΩ ， Re1 200Ω ， Re2 1.5kΩ ， RL 2kΩ ,VCC 12V ，晶体管的 50 ， rbb 200 ，VBE 0.6V ，试计算：
5、 D； 10、 C。
1、
（5 分）
2、
AV
(1
10000
j
f 105
)(1
j
f 106
)
（3
分）
fH 105 H Z （ 2 分 ）
3、 gm (Rd // RL ) （3 分）
R i R g1// R g2 （2 分
4、不满足（5 分）
五 、分析计 算题（每题 10 分，共 40 分）
（第 4 页）
模拟电子技术试卷（A 卷）参考答案(08 级)
一、选择正确的答案的代码填空（每空 2 分，共 20 分）
1、 C； 6、 D；
2、 D； 7、 C；
3、 B； 8、 A；
4、 B； 9、 A；
二、填空题（每空 1 分，共 10 分0
4、 相同 5、 共模抑制比 6、 偏置电路 7、 电源变压器 ， 整流 电路，滤波电 路 三 、判断题 （每题 2 分 ，共 10 分 ） 1、 2、 3、 4、 5、 四 、简答题 （每题 5 分 ，共 20 分 ）
1、
解
：（
1）
VB
Rb2 Rb2 Rb1
VCC
30 30 60
12
4V
（1 分）
IC
IE
VB VBE Re1 Re2
4 0.6 1.5 0.2
2mA
（1
分）
IB IC / 40A （ 1 分 ）
VCE VCC IC (RC Re1 Re2 ) 12 2 (2 1.5 0.2) 4.6V （ 1 分 ）
3.若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。（ ）
4.在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来
的一半。（
）
5.只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。（
）
注：1、教师命题时题目之间不留空白； 2、考生不得在试题纸上答题，教师只批阅答题册正面部分，若考生须在试题图 上作解答，请另附该试题图。3、请在试卷类型、考试方式后打勾注明。
7.在 OCL 乙类功放电路中，若最大输出功率为 1W，则电路中功放管的集电极最大功
耗约为（ ）。
A．1W
B．0.5W
C．0.2W
D.0.4W
8.正弦波振荡电路的振荡条件是______。
A. AF 1
B. AF 1
C. AF 1
D. AF 1
9．若想抑制频率低于 100Hz 的信号，应选择
试题
_ 2009 _年~__2010__年第 1 学期
课程名称： 模拟电子技术
专业年级： 自动化 08 级
考生学号：
考生姓名：
试卷类型： A 卷 ■ B 卷 □
考试方式: 开卷 □ 闭卷 ■
………………………………………………………………………………………………………
一、选择正确答案的代码填入空内。(每空 2 分，共 20 分)
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四、简答题（每题 5 分，共 20 分）
1．电路如图 3 所示，已知 vi 10 sin ωt V ，二极管导通压降可忽略不计，试画出 vi 和 vo 的波形，并标出幅值。
2．已知某放大电路的幅频特性如图 4 所示，试写出其电压增益 AV 的表达式，并说明 fH 是多少？
图3
图4
图9
4．在图 10 所示电路中， A1 、 A 2 为理想运放。 （1）求出 vo1 、 vo2 、 vo 对 vI 的运算关系； （2）分别说明 A1 、 A2 所组成的电路引入了哪种组态的交流负反馈。
图 10
注：1、教师命题时题目之间不留空白； 2、考生不得在试题纸上答题，教师只批阅答题册正面部分，若考生须在试题图 上作解答，请另附该试题图。3、请在试卷类型、考试方式后打勾注明。
6V
（4
分
）
（
2）
VOmin
1 2
6(1
1) 3
4V
（3
分）
VO m a x
1 6(1 2
3) 1
12V
（3
分
）
3、解：（1）Vom VCC / 2 6V
Pom
Vom 2
2RL
62 24
4.5W （3
分）
PV
2(VCC / 2)Vom RL
2 62 3.14 4
注：1、教师命题时题目之间不留空白； 2、考生不得在试题纸上答题，教师只批阅答题册正面部分，若考生须在试题图 上作解答，请另附该试题图。3、请在试卷类型、考试方式后打勾注明。
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（
2）
rbe
200
51
26 2
0.86kΩ
Ri Rb1 // Rb2 // rbe (1 )Re1 60 // 30 //11 7.1kΩ （2 分）
A.适当提高电源电压
B.适当增加负载电阻 RL 的阻值
注：1、教师命题时题目之间不留空白； 2、考生不得在试题纸上答题，教师只批阅答题册正面部分，若考生须在试题图 上作解答，请另附该试题图。3、请在试卷类型、考试方式后打勾注明。
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C.适当减小功放管静态值 UBE
D.适当增大功放管静态值 UBE
（2）A1 组成电压串 联负反馈 A2 组成电压并联负反馈
（2 分） （2 分）
注：1、教师命题时题目之间不留空白； 2、考生不得在试题纸上答题，教师只批阅答题册正面部分，若考生须在试题图 上作解答，请另附该试题图。3、请在试卷类型、考试方式后打勾注明。
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图8
3．功率放大电路如图 9 所示，设晶体管的饱和压降可以忽略，且管子的导通压降为 VBE 0.7V 。
（1）若 T1 能为互补对称功率放大电路提供尽可能大的输入信号，且 RL 4 ， VCC 12V ，求最大输出功率 Pom 及电源功率 PV 。
（2）该电路中，A、B、K 三点的直流电位各为多少？
个基本组成部分，即输入级 、中间级 、输出级和
。
7、直流稳压电源由
、
、
和稳压电路组成。
三、判断下列命题正误，正确的在其题干后的括号内打“√”，错误的打“ ” 。（每题 2
分，共 10 分）
1.只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（ ）
2.放大电路在低频信号作用时，放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。（ ）
5.73W
（3
分）
（ 2） VK 6V （ 2 分 ） VA 6.7V （ 1 分 ） VB 5.3V （ 1 分 ）
4、 解：
（ 1）
vO1
(1
R2 R1
)vI
(1
100 10
)vI
11vI
（2 分）
vO2
R4 R3
vO1
vO1
11vI
（2 分）
vO vO1 vO2 11vI (11vI ) 22vI （ 2 分 ）