湖北电子信息高技术产业项目可行性研究报告

湖北电子信息高技术产业项目可行性研究报告

规划设计/投资分析/实施方案

报告摘要说明

半导体材料升级换代。作为集成电路发展基础，半导体材料逐步更新

换代，第一代半导体材料以硅（Si）为主导，目前，95%的半导体器件和99%以上的集成电路都是硅材料制作。20世纪90年代以来，光纤通讯和互联网的高速发展，促进了以砷化镓(GaAs)、磷化铟（InP）为代表的第二代半导

体材料的需求，其是制造高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料，广泛应用于通讯、光通信、GPS导航等领域。第三代半导体材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、金刚石等，因其禁带宽度（Eg）大于或等

于2.3电子伏特（eV），又被称为宽禁带半导体材料。

据了解，2019年由于受世界经济发展的增速减缓、整机厂商的去库存

化等综合因素的干扰，全球半导体产业普遍处于下滑态势。作为半导体产

业里的关键产品之一，集成电路领域的发展趋势备受关注。

该半导体集成电路项目计划总投资5668.65万元，其中：固定资

产投资4346.50万元，占项目总投资的76.68%；流动资金1322.15万元，占项目总投资的23.32%。

本期项目达产年营业收入11446.00万元，总成本费用8817.91万元，税金及附加114.34万元，利润总额2628.09万元，利税总额3104.93万元，税后净利润1971.07万元，达产年纳税总额1133.86万

元；达产年投资利润率46.36%，投资利税率54.77%，投资回报率

34.77%，全部投资回收期4.38年，提供就业职位209个。

1956年国务院制定的《1956-1967科学技术发展远景规划》中，已将

半导体技术列为四大科研重点之一，明确提出“在12年内可以制备和改进

各种半导体器材、器件”的目标。

当前，大数据、云计算、物联网、人工智能等信息产业技术快速发展，持续为半导体产业提供强劲市场需求，全球集成电路产业将迎来新一轮的

发展机遇。

湖北电子信息高技术产业项目可行性研究报告目录

第一章项目总论

第二章市场调研预测

第三章主要建设内容与建设方案

第五章土建工程

第六章公用工程

第七章原辅材料供应

第八章工艺技术方案

第九章项目平面布置

第十章环境保护

第十一章安全卫生

第十二章风险防范措施

第十三章节能说明

第十四章计划安排

第十五章投资方案

第十六章经济收益分析

第十七章项目招投标方案

附表1：主要经济指标一览表

附表2：土建工程投资一览表

附表3：节能分析一览表

附表4：项目建设进度一览表

附表5：人力资源配置一览表

附表6：固定资产投资估算表

附表7：流动资金投资估算表

附表8：总投资构成估算表

附表9：营业收入税金及附加和增值税估算表附表10：折旧及摊销一览表

附表11：总成本费用估算一览表

附表12：利润及利润分配表

附表13：盈利能力分析一览表

第一章项目总论

一、项目建设背景

1956年国务院制定的《1956-1967科学技术发展远景规划》中，已将半导体技术列为四大科研重点之一，明确提出“在12年内可以制备和改进各种半导体器材、器件”的目标。

半导体产业链复杂、技术难度高、需要资金巨大，且当时国内外特定的社会环境，中国在资金、人才及体制等各方面困难较多，导致中国半导体的发展举步维艰。

直到70年代，中国半导体产业的小规模生产才正式启动。原电子工业部部长在其著作《芯路历程》中回忆这一阶段历史，提到发展中第一个误区“有设备就能生产”，70年代从日本、美国引进了大量二手、淘汰设备建立了超过30条生产线，但引进后无法解决技术、设计问题，也没有管理、运营能力，第一批生产线未能发挥应有的作用，就淡出了市场。

90年代，国家再度启动系列重大工程，为改变半导体行业发展困境，最知名的为908、909工程，908工程在1990年启动，投资20亿元建设国际领先的1微米(1000nm)制程工艺的晶圆制造产线。由于中国彼时整体经济力量还在蓄积，因此经费、设备引进、建厂等环节仍

然阻力较大，直至1998年产线得以竣工。此时国际工艺节点达到0.18微米，中国生产线刚建成就落后两代。在1996年国家启动了“909”

工程，整体投资约100亿元，并且做出很多打破审批的特事特办，参

与其中的公司如今只剩两家，一个是909工程的主体华虹集团，另一

个则是完全自筹 1.355亿元资金的华为设计公司，也就是后来的海思。

集成电路产业链主要分为集成电路设计、集成电路制造以及集成

电路封装测试等三个主要环节，同时每个环节配套以不同的制造设备

和生产原材料等辅助环节。

半导体设备位于整个半导体产业链的上游，在新建晶圆厂中半导

体设备支出的占比普遍达到80%。一条晶圆制造新建产线的资本支出占比如下：厂房20%、晶圆制造设备65%、组装封装设备5%，测试设备7%，其他3%。

其中晶圆制造设备在半导体设备中占比最大，进一步细分晶圆制

造设备类型，光刻机占比30%，刻蚀20%，PVD15%，CVD10%，量测10%，离子注入5%，抛光5%，扩散5%。

2017年全球半导体设备市场总量约为566亿美元，同比增长37%，2018年约在600亿美元规模。中国是全球半导体设备的第三大市场，2018年中国半导体设备123.78亿元。

我国半导体设备销售收入一直保持高速增长状态，2018年全国半

导体设备销售收入123.78亿元，同比增长39.14%，2015-2018年期间，我国半导体设备销售收入复合增长率高达37.93%。

半导体设备具备极高的门槛和壁垒，全球半导体设备主要被日美

所垄断，核心设备如光刻、刻蚀、PVD、CVD、氧化/扩散等设备的top3市占率普遍在90%以上。

目前光刻机、刻蚀、镀膜、量测、清洗、离子注入等核心设备的

国产率普遍较低。经过多年培育，国产半导体设备已经取得较大进展，整体水平达到28nm，并在14nm和7nm实现了部分设备的突破。

从政策上看，随着《国家集成电路产业发展推进纲要》《中国制

造2025》等纲领的退出，国内针对半导体装备的税收优惠、地方政策

支持逐步形成合力，为本土半导体设备厂商的投融资、研发创新、产

能扩张、人才引进等创造良好环境。

财政部先后于2008、2012、2018年出台税收政策减免集成电路生

产企业所得税。从地方产业政策来看，多地退出集成电路产业扶持政

策及发展规划，从投融资、企业培育、研发、人才、知识产权、进出

口以及政府管理等方面退出一系列政策，对符合要求的企业给予奖励

和研发补助。