芯片评估报告

2.2.3、经过对PCBA分析发现管脚开路，为BGASMT封装问题。
11PCS death with BK3560C test ure, frequency response, did not change.
The bad 11PCS reassemble (the only keep PCBA), the results did not change;
-83.581
-79.131
0.605
0.5
10#
-23.2
-75.645
-81.470
-78.182
0.586
0.3
11#
-21.9
12#
-23.3
13#
-21.7
14#
-23.7
15#
-22.5
16#
-26.1
17#
-22.9
18#
-21.4
19#
-22.4
20#
-22.5
21#
-23.5
22#
极化时间：7分钟，极化温度：常温。
电位计
1F样品组
210-240V
卷边机
单头卷边机，高度2.2mm
测试仪
Bako 3010
3.3V, 2.4MHz
烘箱
HX-02
老化时间：1小时，老化温度：120℃
1.3、极化信息Polarizationinformation：
要求电位Requirementspotential：230～260 V，实际抽测平均电位249 V（4个角和中间各2PCS）
3、增益
图增益测试原理图Gain test principle diagram
附录二：性能测试数据Performancetest data
AAP149:
1、增益测试：Gain test
编号
1#
2#
3#
4#
5#
Gain(dB)
-19.177
-19.499
-19.301
-19.505
-19.348
编号
6#
70+/-3℃, 存放200小时, 恢复2小时
合格qualified
不合格unqualified
Low
temperature experiments
-25/-3℃, 存放200小时, 恢复2小时
合格
不合格
温度循环
Temperature cycle
-25℃30min→20℃10min→70℃30min→20℃10min→-25℃ 循环5次，恢复2小时。
判定标准Criteria to judge
1.实验前后外观无明显变化Before and after the experiment,theappearancehasno change
2.实验前后灵敏度差值不大于Before and after the experiment,the poor sensitivity values are not greater than
AAP149
No.
Parameter
Test condition
Qty.
AAI Specification
Result
1
Gain
Input 10mVp shorted to GND
10
19.177～19.560dB
2
Frequency Response
94dBSPL,50cm
10
见附录二
3
Noise Floor
THD + N, GAIN, PSR,Noiseof AAI&AAP149chip,and characteristics& frequency response curve of digital microphone,etc.
实验测试仪器：Bk3010，AP2722。
Test equipment:
产品型号The product model：EMD6022-BC100NF-01-G
测试条件Test conditions
：3.3V 2.4MHZ
实验完成时间Experimentalcompletion time：11.01.06
实 验 项 目
高温实验
High temperature experiments
-22.3
23#
-22.7
24#
-21.6
25#
-24.2
26#
-22.5
27#
-21.2
28#
-24.6
29#
-25.6
30#
-22.9
31#
-22.3
32#
-22.7
33#
-21.6
34#
-21.9
35#
-21.8
36#
-23.8
37#
-22.4
38#
-21.6
39#
-21.8
40#
-22.3
41#
±3dB
（不合格质量水平为零缺陷,具体判定方法见例行实验细则。）Unqualifiedquality level zero defects
结果分析results
合格
不合格
备注Results note
：
申请单号Application number
：100120021
单号：800单
附录一：测试方法Test method
实验步骤：Test step:
1、外观检测；Appearance Test
2、芯片贴装实验;Mountingtestofchip;
2、单体制作；Bareproduction
3、样品性能测试；Samplesperformance test；
4、可靠性试验reliability test
实验数据：
外观检测Appearance test
审核:Review日期:date
实验目的：验证AAIAAP149芯片的性能。
Obiective:Experimental Validation ofAAI&AAP149Chipsperformance
实验结论：Test conclusion
验证参数Testparameters:
：AAI AAP149芯片的GAIN、THD+N、PSR、Noise、及成品数麦的降压特性和频响曲线等参数。
-22～-23dB
199
-23～-24dB
84
-24～-25dB
59
-25～-26dB
19
-26～-27dB
4
Dead Mic
11
TTL
507
2.2、不良分析Bad analysis：
2.2.1、11PCS死咪，用BK3560C测试频响，未发生变化。
2.2.2、将不良的11PCS重新组装（仅保留PCBA），结果未发生变化；
合格
不合格
恒温恒湿themostatic
60℃，95% 200小时，恢复6小时。
合格
不合格
振动实验Vibration experiment
振幅2mm，10～55Hz,X、Y 、Z 三轴，每轴各2小时，恢复2小时。
合格
不合格
跌落实验
Drop experiment
高度1.0m，六面，每面各2次，恢复2小时。
产出数量
Output quantity
合格品数
Qualifiednumber
不良品数
Unqualifiednumber
2011-02-13
2011-02-16
507
507
164
11
1.2、设备信息equipmentinformation
设备名称
设备编号
参数条件
极化仪
1F样品组
高压：-14KV，低压：-520V；
-22.7
61#
-22.8
62#
-22.9
63#
-23.9
64#
-22.5
65#
-22.3
66#
生产场地：17栋1F样品组车间Production site: 17 building 1F sample group workshop，
1.1、AAP149芯片单体主要信息Chip monomermain information
：
开始时间
Start time
结束时间
end time
投入数量
Investment amount
1#
-24.3
-74.932
-81.055
-77.230
0.588
0.2
2#
-24.9
-71.039
-82.921
-77.225
0.608
0.2
3#
-25.1
-75.521
-80.918
-76.919
0.611
0.6
4#
-23.9
-76.985
-83.328
-77.152
0.596
0.5
5#
-22.4
7#
8#
9#
10#
Gain(dB)
-19.560
-19.366
-19.323
-19.372
-19.312
1#
2#
3#
4#
5#
6#
7#
8#
9#
10#
2、其他参数
编号
灵敏度（dBFS）
THD+N
Noise
PSR
Current
（mA）
Sensitivity Loss across Voltage（3.3V→1.8V）
THD+N
1KHz,94dBSPL,50cm
10
-77.4～-71.0dBFS
7
Sensitivity Loss across
Voltage
Change in sensitivity over3.3Vto 1.8V
10
0.2～0.8dB
见附录二
四、可靠性试验
可 靠 性 实 验 报 告reliabilitytest report
-21.5
42#
-23.2
43#
-21.5
44#
-25.0
45#
-23.2
46#
-21.7
47#
-22.9
48#
-23.6
49#
-23.9
50#
-23.3
51#
-23.2
52#
-22.6
53#
-22.5
54#
-21.5
55#
-22.3
56#
-22.6
57#
-22.3
58#
-22.3
59#
-21.9
60#
实验报告
Experiment reportFra Baidu bibliotek
名称：AAP149芯片评估报告
Theme：Assessment reportfor AAP149MicrophoneChips
报告人:王俊、施祖建日期:2011.3.21
writor of thereport: (王俊)、(施祖建) date：March 21th 2011
合格
不合格
冷热冲击
Cold and hot shock
70℃30min→-20℃30min→70℃循环48次,恢复2小时。
合格
不合格
静电实验Static experiment
接触式6KV，非接触式8KV 正负各放电10次。
合格
不合格
实验目的Experiment aim
成品：EMD6022-BC100NF-01-G通过实验来验证它在实验后所受到的影响，以此来评定其本身的稳定性。Through the experiments to verify it，after the experiment to assess its its stability.
一、
包装方式为Tape包装，可采用SMT设备进行贴装。
Packing methodare Tape andcanbeuse SMTequipmenttomounting.
Packaging figure包装图：
单体芯片图Barechipfigure：
结论：合格。Conclusion:qualified
序号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
平均
电位（V）
225
224
237
211
232
240
228
218
235
224
235
2、单体测试结果monomer test results：
2.1、AAP149芯片单体：
AAP149
Sensitivity
Q'ty
-19～-20dB
1
-20～-21dB
17
-21～-22dB
113
"After the PCBA analysis found that tube feet), for BGA SMT encapsulation problem.
三、性能测试分析
Test Condition: VDD=3.3V, FCLK=2.4MHz, BW=70Hz~20 KHz, Ta=25±5°C, Room Humidity=60±5%
-77.411
-84.343
-76.596
0.602
0.1
6#
-21.4
-75.292
-83.396
-76.680
0.610
0.6
7#
-24.2
-73.883
-82.210
-78.402
0.606
0.3
8#
-22.6
-71.561
-80.467
-78.146
0.598
0.8
9#
-24.5
-75.820
芯片外观无破损，背部Marker点清晰完整；
Chip’sappearancehas notdamagedand theback”Marker”’spointsareclear and complete
二、单体制作信息
1、单体生产基本情况Monomer production’sbasic situation
1、灵敏度及频率响应曲线Sensitivityand frequency response curve
图AP2722灵敏度及频谱曲线测试原理图Sensitivity and frequency response curvetest principle diagram
2、噪声
图噪声测试原理图Noise test principle diagram
见附录一
10
Typ=4.5 μV RMS
-80.4～-84.3dBFS
4
Current
10
MAX=0.7mA
0.586～0.611mA
5
PSR
Input =100mVp,
217Hz square wave FFT response
10
MIN=-70 dBFS
-79.131～--76.596dBFS
6