存储器型号对照表
常见存储器：RAM,SRAM,SSRAM、DRAM,SDRAM,DDRSDRAM、ROM,。。。
常见存储器：RAM,SRAM,SSRAM、DRAM,SDRAM,DDRSDRAM、ROM,。
1、什么是存储器 存储器单元实际上是时序逻辑电路的⼀种，是许多存储单元的集合，按单元号顺序排列。
每个单元由若⼲三进制位构成，以表⽰存储单元中存放的数值，这种结构和数组的结构⾮常相似，故在VHDL语⾔中，通常由数组描述存储器。
存储器（Memory）是计算机系统中的记忆设备，⽤来存放程序和数据信息。
计算机中全部信息，包括输⼊的原始数据、计算机程序、中间运⾏结果和最终运⾏结果都保存在存储器中。
它根据控制器指定的位置存⼊和取出信息。
有了存储器，计算机才有记忆功能，才能保证正常⼯作。
2、存储器的分类 构成存储器的存储介质主要采⽤半导体器件和磁性材料。
存储器中最⼩的存储单位就是⼀个双稳态半导体电路或⼀个CMOS晶体管或磁性材料的存储元，它可存储⼀个⼆进制代码。
由若⼲个存储元组成⼀个存储单元，然后再由许多存储单元组成⼀个存储器。
根据存储材料的性能及使⽤⽅法的不同，存储器有⼏种不同的分类⽅法： （1）按存储介质分类 半导体存储器：⽤半导体器件组成的存储器。
磁表⾯存储器：⽤磁性材料做成的存储器。
（2）按存储⽅式分类 随机存储器：任何存储单元的内容都能被随机存取，且存取时间和存储单元的物理位置⽆关。
顺序存储器：只能按某种顺序来存取，存取时间与存储单元的物理位置有关。
（3）按存储器的读写功能分类 只读存储器(ROM)：存储的内容是固定不变的，它是只能读出⽽不能写⼊的半导体存储器，在制造ROM的时候，信息（数据或程序）就被存⼊并永久保存。
当电源关闭时，ROM仍然可以保存数据，不会丢失。
ROM⼀般⽤于存放计算机的基本程序和数据，如BIOS ROM。
其物理外形⼀般是双列直插式（DIP）的集成块。
随机读写存储器(RAM)：既能读出⼜能写⼊的半导体存储器。
当电源关闭时，存于RAM中的数据会丢失。
我们通常购买或升级的内存条就是⽤作电脑的内存，内存条（SIMM）就是将RAM集成块集中在⼀起的⼀⼩块电路板，它插在计算机中的内存插槽上，以减少RAM集成块占⽤的空间。
RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash等常见存储器概念辨析
RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash等常见存储器概念辨析常见存储器概念辨析：RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash存储器可以分为很多种类，其中根据掉电数据是否丢失可以分为RAM（随机存取存储器）和ROM（只读存储器），其中RAM的访问速度比较快，但掉电后数据会丢失，而ROM掉电后数据不会丢失。
ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。
ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
RAM 又可分为SRAM（Static RAM/静态存储器）和DRAM（Dynamic RAM/动态存储器）。
SRAM 是利用双稳态触发器来保存信息的，只要不掉电，信息是不会丢失的。
DRAM是利用MOS（金属氧化物半导体）电容存储电荷来储存信息，因此必须通过不停的给电容充电来维持信息，所以DRAM 的成本、集成度、功耗等明显优于SRAM。
SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。
DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
而通常人们所说的SDRAM 是DRAM 的一种，它是同步动态存储器，利用一个单一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号。
使用SDRAM不但能提高系统表现，还能简化设计、提供高速的数据传输。
在嵌入式系统中经常使用。
ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可编程ROM）两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。
闪存型号容量对照
K9GAG08U0M Samsung MLC2GB
K9GAG08U0D Samsung MLC2GB
K9HBG08U1M Samsung MLC4GB
K9HBG08U1A Samsung MLC4GB
K9MBG08U5M Samsung MLC4GB
K9F8G08U0M Samsung SLC1GB
K9G8G08U0A Samsung MLC1GB
K9amsung MLC1GB
K9L8G08U0A/M Samsung MLC1GB
K9HAG08U1M Samsung MLC2GB
MT29F2G08X Micron SLC256MB MT29F2G08AAB Micron SLC256MB MT29F4G08MAA Micron MLC512MB MT29F4G08AAA Micron SLC512MB
MT29F4G08AAA(1)Micron SLC512MB MT29F8G08FAB Micron SLC1GB MT29F8G08DAA Micron SLC1GB MT29F8G08QAA Micron MLC1GB MT29F8G16MAA Micron MLC1GB MT29F128G08CJWAAAWC Micron MLC16GB MT29F8G08MAD Micron MLC1GB MT29F8G08BAA Micron SLC1GB MT29F8G08MAA Micron MLC1GB MT29F16G08FAA Micron SLC2GB MT29F16G08QAA Micron MLC2GB MT29F16G08MAA Micron MLC2GB MT29F16G08TAA Micron MLC2GB MT29F32G08QAA Micron MLC4GB MT29F32G08CBAAAWP Micron MLC4GB MT29F32G09CFAAA Micron MLC8GB MT29F32G08TAA Micron MLC4GB MT29F32G08FAA Micron SLC4GB MT29F32G08TAA1Micron MLC4GB MT29F64G08TAA Micron MLC8GB MT29F64G08MAA Micron MLC8GB JS29F02G08AAA intel SLC256MB JS29F04G08FANB3intel MLC512MB JS29F8G08CANCI intel MLC1GB JS29F16G08CANCI intel MLC2GB JS29F16G08CANC2intel MLC2GB JS29F08G08CANC1intel MLC1GB JS29F08G08AAMB2intel MLC1GB JS29F16G08CAMB2intel SLC2GB JS29F16G08AAMC1intel MLC2GB JS29F32G08CAMC1intel MLC4GB JS29F32G08FAMB2intel MLC4GB JS29F32G08AAMDB intel MLC4GB JS29F32G08AAMD2intel MLC4GB JS29F64G08CAMDB intel MLC8GB JS29F64G08CAMD1intel MLC8GB JS29F128G08FAMC1intel MLC16GB TC58128(A)FT Toshiba SLC16MB TC58256(A)FT Toshiba SLC32MB TC58DVM82A1FT Toshiba SLC32MB TC58512(A)FT Toshiba SLC64MB TC58DVM92A1FT Toshiba SLC64MB
内存编号大集合
内存编号大集合内存是计算机不可缺少的部件之一，常用的芯片有现代、三星……但并不是每个DIY 的高手们都熟悉刻在内存芯片上编号型号的。
现在我们就详细列出内存编号的各项含义。
（1）HYUNDAI（现代）现代的内存颗粒现在都改名为Hynix了，不过旧颗粒上还是印有HYUNDAI的标志。
其SDRAM芯片编号格式为：HY 5<1> <2> V <345> <67> <8> <9> <10> <11.12>-<13.14> s，具体的编号含义可以在现代的网站上找到：点击放大其中HY代表现代的产品：5<1>表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；<2> 代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；<345> 代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；<67> 代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；<8> 代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；<9> 代表接口（0=LVTTL［Low Voltage TTL］接口）；<10> 代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；<11.12>代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；<13.14>代表速度（7=7ns［143MHz］，8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100 CL2或3］，10s=10ns［PC-100 CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。
EEPROM对照表
ATcrossbyST_v1Atmel to ST Cross-referenceAT24C01-10PI-2.7Atmel M24C01-WBN6P AT24C01-10PU-2.7Atmel M24C01-WBN6P AT24C01-10TI-1.8Atmel M24C01-RDW6TP AT24C01-10TI-2.7Atmel M24C01-WDW6TP AT24C01-10TU-1.8Atmel M24C01-RDW6TP AT24C01-10TU-2.7Atmel M24C01-WDW6TP AT24C01A-10PI-2.7Atmel M24C01-WBN6P AT24C01A-10PU-2.7Atmel M24C01-WBN6P AT24C01A-10TI-1.8Atmel M24C01-RDW6TP AT24C01A-10TI-2.7Atmel M24C01-WDW6TP AT24C01A-10TU-1.8Atmel M24C01-RDW6TP AT24C01A-10TU-2.7Atmel M24C01-WDW6TP AT24C01AN-10SI-1.8Atmel M24C01-RMN6TP AT24C01AN-10SI-2.7Atmel M24C01-WMN6TP AT24C01AN-10SU-1.8Atmel M24C01-RMN6TP AT24C01AN-10SU-2.7Atmel M24C01-WMN6TP AT24C01BN-SH-B Atmel M24C01-RMN6TP AT24C01BN-SH-T Atmel M24C01-RMN6TP AT24C01B-TH-B Atmel M24C01-RDW6TP AT24C01B-TH-T Atmel M24C01-RDW6TP AT24C01N-10SI-1.8Atmel M24C01-RMN6TP AT24C01N-10SI-2.7Atmel M24C01-WMN6TP AT24C01N-10SU-1.8Atmel M24C01-RMN6TP AT24C01N-10SU-2.7Atmel M24C01-WMN6TP AT24C02-10PI-2.7Atmel M24C02-WBN6P AT24C02-10PU-2.7Atmel M24C02-WBN6P AT24C02-10TI-1.8Atmel M24C02-RDW6TP AT24C02-10TI-2.7Atmel M24C02-WDW6TP AT24C02-10TU-1.8Atmel M24C02-RDW6TP AT24C02-10TU-2.7Atmel M24C02-WDW6TP AT24C02A-10PI-2.7Atmel M24C02-WBN6P AT24C02A-10PU-2.7Atmel M24C02-WBN6P AT24C02A-10TI-1.8Atmel M24C02-RDW6TP AT24C02A-10TI-2.7Atmel M24C02-WDW6TP AT24C02A-10TU-1.8Atmel M24C02-RDW6TP AT24C02A-10TU-2.7Atmel M24C02-WDW6TP AT24C02AN-10SI-1.8Atmel M24C02-RMN6TP AT24C02AN-10SI-2.7Atmel M24C02-WMN6TP AT24C02AN-10SU-1.8Atmel M24C02-RMN6TP AT24C02AN-10SU-2.7Atmel M24C02-WMN6TP AT24C02BN-SH-B Atmel M24C02-RMN6TP AT24C02BN-SH-T Atmel M24C02-RMN6TP AT24C02B-TH-B Atmel M24C02-RDW6TP AT24C02B-TH-T Atmel M24C02-RDW6TP AT24C02BY6-YH-T Atmel M24C02-RMB6TG AT24C02N-10SI-1.8Atmel M24C02-RMN6TP AT24C02N-10SI-2.7Atmel M24C02-WMN6TP AT24C02N-10SU-1.8Atmel M24C02-RMN6TP AT24C02N-10SU-2.7Atmel M24C02-WMN6TP AT24C04-10PI-2.7Atmel M24C04-WBN6P AT24C04-10PU-2.7Atmel M24C04-WBN6P AT24C04-10TI-1.8Atmel M24C04-RDW6TPAT24C04-10TI-2.7Atmel M24C04-WDW6TP AT24C04-10TU-1.8Atmel M24C04-RDW6TP AT24C04-10TU-2.7Atmel M24C04-WDW6TP AT24C04A-10PI-2.7Atmel M24C04-WBN6P AT24C04A-10PU-2.7Atmel M24C04-WBN6P AT24C04A-10TI-1.8Atmel M24C04-RDW6TP AT24C04A-10TI-2.7Atmel M24C04-WDW6TP AT24C04A-10TU-1.8Atmel M24C04-RDW6TP AT24C04A-10TU-2.7Atmel M24C04-WDW6TP AT24C04AN-10SI-1.8Atmel M24C04-RMN6TP AT24C04AN-10SI-2.7Atmel M24C04-WMN6TP AT24C04AN-10SU-1.8Atmel M24C04-RMN6TP AT24C04AN-10SU-2.7Atmel M24C04-WMN6TP AT24C04BN-SH-B Atmel M24C04-RMN6TP AT24C04BN-SH-T Atmel M24C04-RMN6TP AT24C04B-TH-B Atmel M24C04-RDW6TP AT24C04B-TH-T Atmel M24C04-RDW6TP AT24C04BY6-YH-T Atmel M24C04-RMB6TG AT24C04N-10SI-1.8Atmel M24C04-RMN6TP AT24C04N-10SI-2.7Atmel M24C04-WMN6TP AT24C04N-10SU-1.8Atmel M24C04-RMN6TP AT24C04N-10SU-2.7Atmel M24C04-WMN6TP AT24C08-10PI-2.7Atmel M24C08-WBN6P AT24C08-10PU-2.7Atmel M24C08-WBN6P AT24C08-10TI-1.8Atmel M24C08-RDW6TP AT24C08-10TI-2.7Atmel M24C08-WDW6TP AT24C08-10TU-1.8Atmel M24C08-RDW6TP AT24C08-10TU-2.7Atmel M24C08-WDW6TP AT24C08A-10PI-2.7Atmel M24C08-WBN6P AT24C08A-10PU-2.7Atmel M24C08-WBN6P AT24C08A-10TI-1.8Atmel M24C08-RDW6TP AT24C08A-10TI-2.7Atmel M24C08-WDW6TP AT24C08A-10TU-1.8Atmel M24C08-RDW6TP AT24C08A-10TU-2.7Atmel M24C08-WDW6TP AT24C08AN-10SI-1.8Atmel M24C08-RMN6TP AT24C08AN-10SI-2.7Atmel M24C08-WMN6TP AT24C08AN-10SU-1.8Atmel M24C08-RMN6TP AT24C08AN-10SU-2.7Atmel M24C08-WMN6TP AT24C08BN-SH-B Atmel M24C08-RMN6TP AT24C08BN-SH-T Atmel M24C08-RMN6TP AT24C08B-TH-B Atmel M24C08-RDW6TP AT24C08B-TH-T Atmel M24C08-RDW6TP AT24C08BY6-YH-T Atmel M24C08-RMB6TG AT24C08N-10SI-1.8Atmel M24C08-RMN6TP AT24C08N-10SI-2.7Atmel M24C08-WMN6TP AT24C08N-10SU-1.8Atmel M24C08-RMN6TP AT24C08N-10SU-2.7Atmel M24C08-WMN6TP AT24C1024BN-SH25-B Atmel M24M01-RMN6TP AT24C1024BN-SH25-T Atmel M24M01-RMN6TP AT24C1024BN-SH-B Atmel M24M01-RMN6TP AT24C1024BN-SH-T Atmel M24M01-RMN6TP AT24C1024BW-SH25-B Atmel M24M01-RMW6TGAT24C1024BW-SH25-T Atmel M24M01-RMW6TG AT24C1024BW-SH-B Atmel M24M01-RMW6TG AT24C1024BW-SH-T Atmel M24M01-RMW6TG AT24C1024W-10SU-2.7Atmel M24M01-RMW6TG 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CAT24WC08JI-TE13Catalyst M24C08-RMN6TP CAT24WC08L Catalyst M24C08-WBN6P CAT24WC08L-1.8Catalyst M24C08-WBN6P CAT24WC08LI Catalyst M24C08-WBN6P CAT24WC08LI-1.8Catalyst M24C08-WBN6P CAT24WC08P Catalyst M24C08-WBN6P CAT24WC08P-1.8Catalyst M24C08-WBN6P CAT24WC08PI Catalyst M24C08-WBN6P CAT24WC08PI-1.8Catalyst M24C08-WBN6P CAT24WC08U Catalyst M24C08-RDW6TP CAT24WC08U-1.8Catalyst M24C08-RDW6TP CAT24WC08U-1.8TE13Catalyst M24C08-RDW6TP CAT24WC08U-TE13Catalyst M24C08-RDW6TP CAT24WC08UI Catalyst M24C08-RDW6TP CAT24WC08UI-1.8Catalyst M24C08-RDW6TP CAT24WC08UI-1.8TE13Catalyst M24C08-RDW6TP CAT24WC08UI-TE13Catalyst M24C08-RDW6TP CAT24WC08W Catalyst M24C08-RMN6TP CAT24WC08W-1.8Catalyst M24C08-RMN6TP CAT24WC08W-1.8TE13Catalyst M24C08-RMN6TP CAT24WC08W-TE13Catalyst M24C08-RMN6TP CAT24WC08WI Catalyst M24C08-RMN6TP CAT24WC08WI-1.8Catalyst M24C08-RMN6TP CAT24WC08WI-1.8TE13Catalyst M24C08-RMN6TP CAT24WC08WI-TE13Catalyst M24C08-RMN6TP CAT24WC08Y Catalyst M24C08-RDW6TP CAT24WC08Y-1.8Catalyst M24C08-RDW6TP CAT24WC08Y-1.8TE13Catalyst M24C08-RDW6TP CAT24WC08Y-TE13Catalyst M24C08-RDW6TP CAT24WC08YI Catalyst M24C08-RDW6TP CAT24WC08YI-1.8Catalyst M24C08-RDW6TP CAT24WC08YI-1.8TE13Catalyst M24C08-RDW6TP CAT24WC08YI-TE13Catalyst M24C08-RDW6TP CAT24WC128J Catalyst M24128-BRMN6TP CAT24WC128J-1.8Catalyst M24128-BRMN6TP CAT24WC128J-1.8TE13Catalyst M24128-BRMN6TP CAT24WC128J-TE13Catalyst M24128-BRMN6TP CAT24WC128JI Catalyst M24128-BRMN6TP CAT24WC128JI-1.8Catalyst M24128-BRMN6TP CAT24WC128JI-1.8TE13Catalyst M24128-BRMN6TP CAT24WC128JI-TE13Catalyst M24128-BRMN6TP CAT24WC128W Catalyst M24128-BRMN6TP。
内存大全
内存大全Samsung具体含义解释：例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。
通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。
所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。
长虹存储器
微处理器
CHT0605
CHT0605 CHT0406
CHT0808,CHT0818 TMP87CM38N-1H55 CH04T1218 CHT0410
WL6816-02 CH05T1603
小信号解码芯片
AN5086K AN5095K
LA76832N LA76810
存储器型号
24C04 24C04 24C04 24C04 24C04 24C04 24C04 24C04 24C04 24C04 24C04 24C04 24C04 24C04 24C04 24C04 24C04 24C04 24C04 24C08 24C04 24C08 24C08 24C08 24C08 24C16 24C16 24C16 24C16 24C16 24C16 24C08 24C16 24C04 24C08 24C04 24C16 24C16 24C16 24C08 24C08 24C04
TMP87CM38N-1H55
CHT0605 M37102M8-AB2SP 87CP38N-1P08
TB1238
AN5095 TA8759 TB1238
24C08 24C08 24C08 24C08 24C08 24C08 24C08 24C08 24C08 24C08 24C08 24C08 24C08 24C08 24C08 24C08 24C08 24C08 24C08 24C08 24C08 24C08 24C08 24C08 24C08 24C08 24C08 24C08 24C04 24C08 24C04 24C08 24C04 24C04 24C08 24C08 24C08 24C08 24C08 24C08 24C08 24C08 24C04 24C01 24C16
常用存储器的代换对照
常用存储器的代换对照存储器, 代换PCA8581=24C01PCA8582=24C02PCE8522EP=24C02PCF8594C-2=24C04PCF8598C=24C08A510C=24C08(直接代换)代换时注意第7脚的状态，一般24C系列7脚都是接地的。
存储器24C04在彩电中运用广泛，目前大多数品牌彩电均选用它的系列型号作为存储器，其系列型号为：24C0l、24C02、24C04、24C08、24C16、24C32等等。
根据不同的制造厂商，在它们的前面冠以不同的字母，如AT、ST、BR、SL、KOR、KS等。
它们之间代换时，重点对⑦脚进行改接。
存储器24C04引脚功能与参数见表7。
存储器24C04的特点：(1)存储容量大，有4000bit，可存储100套电视节目(注：24C02存储60套，24C08存储200套)；(2)外围电路简洁，内部设计有I2C接口电路，很方便地通过数据线与CPU连接，实现I2C总线控制，提高整机的工作性能；(3)工作电压范围宽2.5～6.8V，当电压为6V时写入峰值电流为3mA，最大读取电流150μP，待机时电流1μA左右，典型工作电压为5V左右；(4)内部设计有数据写入保护电路；(5)断电后内部数据可保存80年以上；(6)有噪音抑制功能，采用施密特触发器。
更换存储器24C04应注意：1．长虹2918FN彩电中，24C04典型连接图如图6所示。
图62．当微处理器及外围电路正常后需要更换存储器，只能用尾数大于或等于的型号代换，否则会造成存储节目数量减少，有的会造成某些功能失常等。
3．更换24C04系列存储器时，必须注意该存储器的制造商及电路板上⑦脚的接法。
24CXX系列存储器⑦脚的功能有：写保护控制(Wt))、取消写保护控制。
当⑦脚为低电平时，即⑦脚接地．为取消写保护控制。
这时微处理器通过总线写入需要存储的数据．完成存储，制造商有AT、ST、BR等生产的24CXX系列存储器：当⑦脚为高电平时，即⑦脚通过一只10kΩ上拉电阻至5V电眍，处于写保护状态，如果是．AT、ST、BR等厂商的24CXX系列存储器不能存入数据，KOR、KS等韩国厂商的24CXX系列存储器却能写入数据存储。
EMC存储产品速查、对比表
2 2 2 * 2.0GHz 双核 2 * Intel Xeon 2.8 Intel Xeon CPU GHz 16-32GB 16G Cache数据只能保留24 Cache数据保存到flash 或48小时 Memory 480 256 472 TB 256 TB SAS: 400GB FC: 300GB, 400GB SSD: 72GB FC: 400GB 10,000rpm SAS: 10,000rpm FC: 10,000rpm FC: 146GB, 146GB, 300GB 146GB, 300GB, 450GB 300GB, 450GB 15,000rpm SATA: - 15,00rpm SATA: 15,000rpm FATA: 1TB 500GB, 1TB 500GB, 750GB, 1TB 7,200rpm 7,200rpm 不支持 不支持 不支持 支持 不支持 不支持 不支持 不支持 支持 16(iSCSI端口=0）或 8 16 8(iSCSI端口=4） 4Gb/s 4Gb/s 4Gb/s 8* 1Gb/s （FC端口 无(需外加IP Bridge) 无 =0）或 4*1Gb/s （FC端口=8） 12 * 4Gb/s FC 32* 3Gb/s SAS 16 * 4Gb/s FC 256 1024 512 2048 4096 2048 VRAID0, VRAID1, VRAID 0+1, VRAID5, VRAID 0+5 RAID0(SAS only),1,10,5,6 0,1,1/0,3,5,6
规 格 64 位操作系统， 多核处 理器 控制器数量 CPU配置 最大缓存 系统意外断电, Cache数据保护 最大磁盘驱动器数量 最大裸容量
CX4-480 是 2 2 * Intel 双核 Xeon 2.2Ghz 16G Cache数据转存到磁盘， 确保数据不丢失 480 471 TB EFD: 73GB,400GB FC: 146GB, ,300GB, 450GB - 15KRPM FC: 400GB - 10KRPM SATA:1TB -5400RPM, 7200RPM 支持 支持 支持 16 4Gb/s 或 8Gb/s 12 * 1Gb/s 8 * 4Gb/s FC 256 4096 RAID 0,1,1/0,3,5,6 基于Web浏览器管理
内存芯片容量表
三星颗粒一、三星颗粒一般以KM开头二、内存颗粒类型：4表示DDR SDRAM三、芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位四、工作电压：H=DDR SDRAM，3.3V、L=DDR SDRAM，2.5V五、内存颗粒位数：4：4Mbit、8：8 Mbit、16：16 Mbit、32：32 Mbit、64：64 Mbit、12：128 Mbit、25：256 Mbit、51：512 Mbit六、芯片容量及刷新速度：0：64m /4K [15.6μs]、1：32m/2K [15.6μs]、2：128m/8K [15.6μs]、3：64m/8K [7.8μs]、4：128m/16K[7.8μs]七、内存BANK：3：4排、4：8排八、电压：混合接口LVTTL+SSTL3(3.3V)、1：SSTL2(2.5V)九、封装类型：T：66针TSOP II、B：BGA、C：微型BGA(CSP)十、工作频率：0：10ns、100MHz(200Mbps)；8：8ns、125MHz(250Mbps)；Z：7.5ns、133MHz(266Mbps)；Y：6.7ns、150MHz(300Mbps)；6：6ns、166MHz(333Mbps)；5：5ns、200MHz(400Mbps)HYUNDAI一、HY是现代颗粒的标志二、内存颗粒类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；三、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V四、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref五、芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位六、内存BANK：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系七、电压代表：1:SSTL_3、2:SSTL_2八、芯片版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新九、功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片十、封装类型：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，T TG=16mm TSOP-Ⅱ十一、工作频率：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、K :DDR266A Micron（美光）一、 MT是代表Micron的产品二、内存颗粒类型：48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus三、工作电压：C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS四、设备号码五、内存容量：无字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）六、芯片输出的数据位宽：4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位七、代表封装:TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60 针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA八、内存颗粒速度：分为四大类 DRAM SD RAMBUS DDR1、DRAM-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns2、SDRAM，x32 DDR SDRAM（时钟频率 @ CL3）-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，- 65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHz3、DDR SDRAM（x4，x8，x16）时钟频率 @ CL=2.5-8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz4、Rambus（时钟频率）-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns+的含义-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）-8支持PC200（CL2）-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。
微芯片型号为AT28C010的电容程序存储器参考表说明书
5962-88634 02 XA 5962-88634 02 ZA 5962-88634 02 YA 5962-88634 02 UA
5962-88634 04 XA 5962-88634 04 ZA 5962-88634 04 YA 5962-88634 04 UA
AT28C256-25LM/883 AT28C256-25LM/883-815
AT28C256-25UM/883 AT28C256-25UM/883-815
5962-88525 06 XA 5962-88525 06 ZA 5962-88525 06 YA 5962-88525 06 UA 5962-88525 04 XA 5962-88525 04 ZA 5962-88525 04 YA 5962-88525 04 UA 5962-88525 03 XA 5962-88525 03 ZA 5962-88525 03 YA 5962-88525 03 UA
AT28C256-15LM/883 AT28C256-15LM/883-815
AT28C256-15UM/883 AT28C256-15UM/883-815
AT28C256-20DM/883 AT28C256-20DM/883-815
AT28C256-20FM/883 AT28C256-20FM/883-815
Catalog Numbey Drawing Number (SMD#) Dual marked packages (2)
5962-88525 16 XA 5962-88525 16 ZA 5962-88525 16 YA 5962-88525 16 UA
闪存芯片型号容量表
SLC闪存芯片型号容量表品牌类型容量型号Samsung SLC16M K9F2808U0M/A/B/C Samsung SLC16M K9F2816Q0C(x16) Samsung SLC32M K9F5608U0M/A/B/C Samsung SLC32M K9F5616U0C(x16) Samsung SLC32M K9F5616U0B(x16) Samsung SLC64M K9F1208U0M/A/B/C Samsung SLC64M K9F1208Q0CSamsung SLC64M K9K1216U0C(x16) Samsung SLC64M K9k1216Q0C(x16) Samsung SLC128M K9K1G08Q0ASamsung SLC128M K9K1G08U0M/A/B Samsung SLC128M K9K1G16U0A(x16) Samsung SLC128M K9F1G16U0M(x16) Samsung SLC128M K9F1G08U0ASamsung SLC128M K9F1G08R0ASamsung SLC128M K9F1G08U0M/A Samsung SLC128M K9F1G08R0M/A Samsung SLC128M K9F1G08U0BSamsung SLC128M K9F1G16Q0B(x16) Samsung SLC128M K9F1G16Q0M(x16) Samsung SLC256M K9E2G08U0MSamsung SLC256M K9E2G08U1MSamsung SLC256M K9K2G08U1ASamsung SLC256M K9K2G08Q0M/A Samsung SLC256M K9K2G08U0M/A Samsung SLC256M K9K2G16Q0M/A(x16) Samsung SLC256M K9K2G16U0M/A(x16) Samsung SLC256M K9F2G08U0MSamsung SLC256M K9F2G16U0M(x16) Samsung SLC256M K9F2G08U0ASamsung SLC256M K9F2G08R0ASamsung SLC512M K9W4G08U1MSamsung SLC512M K9W4G16U1M(x16) Samsung SLC512M K9K4G08U0M Samsung SLC512M K9F4G08U0M Samsung SLC1G K9W8G08U1M Samsung SLC1G K9K8G08U1M Samsung SLC1G K9K8G08U0M/A Samsung SLC1G K9F8G08U0M Samsung SLC2G K9WAG08U1M/A Samsung SLC2G K9KAG08U0M Samsung SLC4G K9NBG08U5M/A Samsung SLC4G K9WBG08U1M Samsung SLC8G K9NCG08U5MMicron SLC128M MT29F1G08ABBMicron SLC128M MT29F1G16ABB(x16) Micron SLC128M MT29F1G08ABCMicron SLC128M MT29F1G16ABC(x16) Micron SLC128M MT29F1G08AACMicron SLC128M MT29F1G16AAC(x16) Micron SLC128M MT29F1G08AACMicron SLC256M MT29F2G08AAAMicron SLC256M MT29F2G08AABMicron SLC256M MT29F2G16AAB(x16) Micron SLC256M MT29F2G08ABDMicron SLC256M MT29F2G16ABD(x16) Micron SLC256M MT29F2G08AADMicron SLC256M MT29F2G16AAD(x16) Micron SLC256M MT29F2G08ABBEA Micron SLC256M MT29F2G16ABBEA(x16) Micron SLC256M MT29F2G08ABAEA Micron SLC256M MT29F2G16ABAEA(x16) Micron SLC256M MT29F2G16AAA(x16) Micron SLC512M MT29F4G08BBCMicron SLC512M MT29F4G16BBC(x16) Micron SLC512M MT29F4G08BABMicron SLC512M MT29F4G16BAB(x16) Micron SLC512M 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SLC256M SDTNGBHE0-2048 SanDisk SLC256M SDTNGFHE0-2048 SanDisk SLC512M SDTNIHHSM-4096 SanDisk SLC512M SDTNIHHSM-4096(x16) SanDisk SLC512M SDTNKEHSM-4096 SanDisk SLC512M SDTNKEHSM-4096(x16) SanDisk SLC1G SDTNKFHSM-8192 SanDisk SLC1G SDTNLJAHSM-1024 SanDisk SLC1G SDTNKFHSM-8192(x16) SanDisk SLC2G SDTNKGHSM-16384 SanDisk SLC2G SDTNKGHSM-16384(x16) SanDisk SLC2G SDTNLJBHSM-2048 SanDisk SLC4G SDTNLJCHSM-4096 Infineon SLC64M HYF33DS512800ATC Infineon SLC64M HYF33DS512800BTC Infineon SLC64M HYF33DS512804(5)BTC/I Infineon SLC128M HYF33DS1G800CTI Spansion SLC64M S30MS512RSpansion SLC64M S39MS512RSpansion SLC128M S30MS01GRSpansion SLC128M S39MS01GRSpansion SLC256M S39MS02GRSpansion SLC256M S30MS02GR Spansion SLC512M S30MS04GR表制程CE Pin1111111111111111111112211111111211221 50nm12 50nm14 50nm2 50nm411111111111111 M69A1 M69A1 M69A1 M69A11111111 M60A1 M60A1 M60A1 M60A112211 M60A1 M60A1 M60A1 M60A1 50nm1 34nm1 50nm122 34nm1 50nm2 50nm2 50nm2 50nm2 34nm2 34nm2112 50nm1 34nm134nm1 50nm2 50nm2 34nm2 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存储器分类及功能大全
RAM/ROM存储器ROM和RAM指的都是半导体存储器，RAM是Random Access Memory的缩写，ROM是Read Only Memory的缩写。
ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
一、 RAM有两大类：1、静态RAM（Static RAM，SRAM），静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失；而且，一般不是行列地址复用的。
SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。
但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，而SRAM却需要很大的体积，所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。
优点：速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。
缺点：集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。
2、动态RAM（Dynamic RAM，DRAM），动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。
而且是行列地址复用的，许多都有页模式。
DRAM利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息，一旦掉电信息会全部的丢失，由于栅极会漏电，所以每隔一定的时间就需要一个刷新机构给这些栅电容补充电荷，并且每读出一次数据之后也需要补充电荷，这个就叫动态刷新，所以称其为动态随机存储器。
由于它只使用一个MOS管来存信息，所以集成度可以很高，容量能够做的很大。
DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快；DRAM存储单元的结构非常简单，所以从价格上来说它比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/ FastPage、EDORAM、SDRAM、DDRRAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等 I.SDRAM，即Synchronous DRAM（同步动态随机存储器），曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型，即便在今天SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。
存储服务器产品对应表
业界存储产品对应表厂商EX1000等级DS3200等级DS3200DS3300等级DS3300 AX150iDS3400等级DS3400 AX150 ST2540CX3-10等级DS4200 DS4700-M70 CX300 CX3-10 ST3510 EVA4100 FAS270 FAS2020 WMS100CX3-20等级DS4700-M72 CX3-20 CX3-20C ST6140 EVA6100 FAS2050 FAS3020 AMS200 CX3-20 CX3-20CCX3-40等级DS4800 CX3-40 CX3-40C ST6540 EVA8100 FAS3040 FAS3050 AMS500 CX3-40 CX3-40C IX3040, IX3080 IX3240, IX3620ST2530 HP MSA500 MSA1510iMSA1000 MSA1500 FAS250SMS100 MD3000 MD3000i AX150i IX1000 IX1500 V1800/S5100 S2100/2300 AX150CX300 CX3-10H3CEX1000 EX800V1500S2100S2300S3100 S5300S3200 S5500S6800 S5600page 1服务器产品对应表RH2280 机架式服务器2U，高性能，扩展能力强，适用于要求苛刻的各 类应用程序项目。
类似机型：RH2280IBM——X3650、HP——DL380、DELL——2950 IBM——X3650、HP——DL380、DELL——2950 ——X3650 ——DL380 —— （以上是各厂商2U机架服务器的中高端机型） 以上是各厂商2U机架服务器的中高端机型） 2U机架服务器的中高端机型RH1280 机架式服务器1U，密度高，灵活扩展，采用Intel 最新处理器， 适用于空间有限的数据中心安装。
类似机型： IBM——X3550、HP——DL360、DELL——1950RH1280（以上是各厂商1U机架服务器的中高端机型） 以上是各厂商1U机架服务器的中高端机型） 1U机架服务器的中高端机型page 2。
常用EEPROM存储器
常用EEPROM存储器电路EEPROM存储器AT24C01低压和标准电压工作(Vcc=1.8V—5.5V)，128x8（1k）存储空间，2线串行总线，斯密特触发，噪声抑制滤波输入。
Bi方向传输协议，100kHz （1.8V,2.5V,2.7V）和400kHz（5V）兼容传输速率。
，硬件数据写保护引脚，8位页写模式，允许局部页写操作，器件内部写周期最大10ms，高可靠性，1万次的写周期，100年的保存时间。
8pinPDIP、8pinJEDEC SOIC、8pinMAP和8pinTSSOP等四种封装形式。
AT24C01数据手册[Datasheet]供此芯片，需要请联系我们EEPROM存储器AT24C02低压和标准电压工作(Vcc=1.8V—5.5V)，256x8（2k）存储空间，2线串行总线，斯密特触发，噪声抑制滤波输入。
Bi方向传输协议，100kHz （1.8V,2.5V,2.7V）和400kHz（5V）兼容传输速率。
，硬件数据写保护引脚，8位页写模式，允许局部页写操作，器件内部写周期最大10ms，高可靠性，1万次的写周期，100年的保存时间。
8pinPDIP、8pinJEDEC SOIC、8pinMAP和8pinTSSOP 等四种封装形式。
AT24C02数据手册[Datasheet]供此芯片，需要请联系我们EEPROM存储器AT24C04低压和标准电压工作(Vcc=1.8V—5.5V)，512x8（4k）存储空间，2线串行总线，斯密特触发，噪声抑制滤波输入。
Bi方向传输协议，100kHz （1.8V,2.5V,2.7V）和400kHz（5V）兼容传输速率。
，硬件数据写保护引脚，8位页写模式，允许局部页写操作，器件内部写周期最大10ms，高可靠性，1万次的写周期，100年的保存时间。
8pinPDIP、8pinJEDEC SOIC、8pinMAP和8pinTSSOP 等四种封装形式。
AT24C04数据手册[Datasheet]供此芯片，需要请联系我们EEPROM存储器AT24C08低压和标准电压工作(Vcc=1.8V—5.5V)，1024x8（8k）存储空间，2线串行总线，斯密特触发，噪声抑制滤波输入。