模拟电子技术基础填空题及答案

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模拟电子技术题库答案

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模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9第一章半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子,则多数载流子应是电子,少数载流子应是空穴。

2、在N型半导体中,电子浓度大于空穴浓度,而在P 型半导体中,电子浓度小于空穴浓度。

3、结反向偏置时,空间电荷区将变宽。

4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是饱和区、放大区、截止区。

5、场效应管分为两大类:一类称为_结型场效应管,另一类称为绝缘栅场效应管。

6、结外加反向电压,即电源的正极接N区,电源的负极接P区,这种接法称为反向接法或_反向偏置。

7、半导体二极管的基本特性是单向导电性,在电路中可以起整流和检波等作用。

8、双极型半导体三极管按结构可分为型和型两种,它们的符号分别为和。

9、结中进行着两种载流子的运动:多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动。

10、硅二极管的死区电压约为0.5,锗二极管的死区电压约为0.1。

11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的1+β倍,在选用晶体管的时候,一般希望CBO I 尽量小。

12、场效应管实现放大作用的重要参数是跨导m g 。

13、结具有单向导电特性。

14、双极型三极管有两个结,分别是集电结和_发射结。

15、为了保证三极管工作在放大区,应使发射结正向偏置,集电路反向偏置。

16、场效应管是电压控制型元件,而双极型三极管是电流控制型元件。

17、本征硅中若掺入3价元素的原子,则多数载流子应是 空穴 ,少数载流子应是 电子 。

18、P 型半导体的多数载流子是 空穴 ,少数载流子是 电子 。

19、结外加正向电压,即电源的正极接P 区,电源的负极接N 区,这种接法称为 正向接法 或_正向偏置。

20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极,分别是_集电极、发射极和基极。

21、双极型三极管起放大作用的外部条件是:(1)发射结外加_正向电压;(2)集电结外加反向电压。

22、N 型半导体可用正离子和等量的负电子来简化表示。

模拟电子技术填空题

模拟电子技术填空题

模拟电子技术基础(答案在最后)一、填空题(每题1分)1.在工程估算中,硅二极管的正向导通电压取()V , 锗二极管的正向导通电压取()V。

2.直流负反馈是指()通路中有负反馈;交流负反馈是指()通路中有负反馈。

3. FET工作在可变电阻区时,i D与u GS基本上是()关系,所以在这个区域中,FET的d、s极间可以看成一个由u GS控制的()。

4.差模输入信号电压是两个输入信号的(差)值;共模输入信号电压是两个输入信号的()值;当u I1 = 18 mV,u I2 = 6 mV时,u Id =()mV,u Ic =()mV5.功率放大电路输出较大的功率来驱动负载,因此其输出的()和()信号的幅度均较大,可达到接近功率管的()参数。

6.已知输入信号的频率为10 kHz ~15kHz,为了防止干扰信号的混入,应选用()滤波电路。

7.理想二极管的正向电阻为(),反向电阻为()8.差分放大电路具有电路结构()的特点,因此具有很强的()零点漂移的能力。

它能放大()信号,而抑制()信号。

9.反相比例运算电路与同相比例运算电路中,()相比例运算电路输入电阻大,而()相比例运算电路的共模信号为0。

10.图示单管共射放大电路中晶体管的输出特性和直流、交流负载线,由此可以得出:1. 电源电压V CC = ( ) ;2. 静态集电极电流I CQ = ( ) ,管压降U CEQ = ( ) ;3. 集电极电阻R C = ( ) ;负载电阻R L = ( ) ;4.晶体管的电流放大系数 = ( ) ;进一步计算可得到电压放大倍数A = ( ) ;();1填空题图230111.放大电路的幅频特性是指()随信号频率而变;相频特性是指输出信号与输入信号的()随信号频率而变。

12.积分运算电路可以将方波电压转换为()电压。

13.常用小功率直流稳压电源系统由()、()、()、()等四部分组成。

14.场效应管的类型按沟道分为()型和()型;按结构分有()型和()型;按u GS = 0时有无导电沟道分为()型和()型。

模拟电子技术基础模拟综合试卷十套附答案

模拟电子技术基础模拟综合试卷十套附答案

模拟综合试卷一一.填充题1.集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ,b 。

2.通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器,其目的是a ,b 。

3.在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下,共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。

4.一个NPN晶体三极管单级放大器,在测试时出现顶部失真,这是失真。

5.工作于甲类的放大器是指导通角等于,乙类放大电路的导通角等于,工作于甲乙类时,导通角为。

6.甲类功率输出级电路的缺点是,乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。

7.若双端输入,双端输出理想差动放大电路,两个输入电压u i1=u i2,则输出电压为V;若u i1=1500µV, u i2=500µV,则差模输入电压u id为µV,共模输入信号u ic为µV。

8.由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。

9.晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降,主要是因为的影响。

10.在共射、共集、共基三种组态的放大电路中,组态电流增益最;组态电压增益最小;组态功率增益最高;组态输出端长上承受最高反向电压。

频带最宽的是组态。

二.选择题1.晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,I CBO,u BE的变化情况为()。

A.β增加,I CBO,与u BE减小 B. β与I CBO增加,u BE减小C.β与u BE减小,I CBO增加 D. β、I CBO与u BE都增加2.反映场效应管放大能力的一个重要参数是()A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3.双端输出的差分放大电路主要()来抑制零点飘移。

A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4.典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出,共模电压放大倍数()。

A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5.差分放大电路的共模抑制比K CMR越大,表明电路()A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6.负反馈放大电路以降低电路的()来提高嗲路的其他性能指标。

电子技术基础(模拟部分)习题答案

电子技术基础(模拟部分)习题答案

一、填空1.杂质半导体分为N型和P型两种类型。

2.在下述电路中,能使二极管导通的电路是a。

3.在电路管、Ve=0.6V、Vc=5V,则该三极管处于放大工作状态。

4.衡量双极型三极管放大能力的参数是β,衡量其温度稳定性的参数是__I CBO ___。

5.N沟道J型FET工作在恒流区的条件是_u ds>U GS(OFF)__,它的截止条件为__ u Gs≤U GS(OFF)__。

6.在基本OCL功放电路中,设电源电压为±15V,负载电阻R L=8Ω,则理想情况最大输出功率为_ 14.06 _ W,理想效率为78.5%_。

7.在集成电路中广泛采用的恒流源电路,在实际电路中,经常作为偏置电路和有源负载广泛使用。

8.通用型集成运放的输入级一般采用_差分放大电路_电路,其主要目的是抑制0点漂移。

9.为了稳定放大电路的静态工作点,可以引入直流负反馈_,为了稳定放大倍数应引人__交流负反馈_。

10.正弦波振荡电路就是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大电路。

要使正弦波振荡电路产生持续振荡,必须满足的振幅平衡条件是_∣AF∣=1_,相位平衡条件是_ΦA+ΦF =0_。

11.在放大电路的设计中,主要引入_负__反馈以改善放大电路的性能。

此外,利用这种反馈,还可增加增益的恒定性,减少非线性失真,抑制噪声,扩展频带以及控制输入和输出阻抗,所有这些性能的改善是以牺牲_放大倍数__为代价的。

11.N型半导体是在单晶硅中掺入五价的微量元素而形成的,多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴。

12.半导体PN结具有单相导电性特性。

13.在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5 V,锗二极管的开启电压约为0.1 V,14.晶体三极管基本放大电路有共射极、共集电极和共基极三种组态。

15.在差动式放大电路中,差模输入信号等于两个输人端信号的_之差_;共模输入信号等于两个输入信号的__和的一半_。

16.设计一个负反馈放大电路,若要稳定输出电压,应引入电压负反馈;若要稳定输出电流,应引入电流负反馈;若要增加输入电阻,应引入串联负反馈。

模拟电子技术基础考试试题答案

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空(共20空,每空1分,共20分,所有答案均填写在答题纸上)1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为。

2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,只有当三极管工作在区时,关系式Ic Ib才成立。

3、场效应管可分为结型场效应管和型场效应管两种类型。

4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共基本放大电路既能放大电流又能放大电压。

5、在绘制放大电路的交流通路时,视为短路,视为短路,但若有内阻则应保留其内阻。

6、多级放大电路级间的耦合方式有、、变压器耦合和光电耦合等。

7、场效应管是利用极和极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。

8、放大电路的直流通路用于研究。

9、理想运放的两个输入端虚短是指。

10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈,通常令输出电压为零,看反馈是否依然存在。

若输出电压置零后反馈仍然存在则为。

11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为。

12、通用集成运放电路由输入级、中间级、和四部分组成。

13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的和的相位关系。

14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解,三极管的放大工作区可与场效应管的区相类比,而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的相类比。

二、单项选择题(共10题,每题2 分,共20分;将正确选项的标号填在答题纸上)1、稳压二极管的反向电流小于Izmin时,稳压二极管。

A:稳压效果变差 B :仍能较好稳压,但稳定电压变大C:反向截止 D :仍能较好稳压,但稳定电压变小2、如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结反向偏置,则此管的工作状态为。

A:饱和状态B:截止状态C:放大状态D:不能确定3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。

关于这两只三极管,正确的说法是。

图1(a) 图1(b) 图2A:(b)图中电流为5.1mA的电极为发射极。

(完整版)模拟电子基础的复习题及答案

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模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路:①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下,上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ,输入电阻最 ,频带最宽 的电路是 ;只能放大电流,小 的电路是②,输出电阻最小 的电路是③② ;既能放大电流,又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③;只能放大电压,不能放大电流 的电路是②。

2、如图 1所示电路中,已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ,电流放大系BEQ数为β,B- E 间动态电阻为 r 。

填空:beV CC U BEQ( 1)静态时, I 的表达式为BQ, I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ;,U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L (2)电压放大倍数 的表达式为A u,输入电阻 的表达式为r be,输出电阻 的表达式为R R // r be R R ;0 Ci B(3)若减小 R ,则 I 将 A ,r 将 C ,将 C ,R 将iC ,A B CQ bc u R 将 B 。

oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时, R 减小到一定程度,输出将产生 BA 失真。

A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中,(1)若测得输入电压有效值为 10mV ,输出电压有效值为 1.5V ,则其电压放 大倍数 = 150 ;若已知此时信号源电压有效值为 20mV ,信号源内阻A u为 1k Ω,则放大电路 的输入电阻 R = 1 。

i(2)若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ,带 5 k Ω负载时变为 0.75V , 则放大电路 的输出电阻 Ro(3)若输入信号增大引起电路产生饱和失真,则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真;若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。

增大或将截止失真,则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。

《模拟电子技术基础》复习资料及答案.doc

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《模拟电子技术》复习资料答案一、填空题1.半导体不同于导体利绝缘体的三大独特件质为掺杂性、热敏性、光敏性;其电阻率分別受佳质、温度、光照的增加而下降。

2.用于制造半导体器件的材料通常是_硅、错和帥化稼。

3.当外界温度、光照等变化时,半导体材料的导电能力会发生很大的变化。

4.纯净的、不含杂质的半导体,称为本征半导体。

5.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。

6.本征半导体中掺入III族元素,例如B、A1 ,得到P型半导体。

7.木征硅中若掺入五价元素的原了,则多数载流了应是一电子,掺杂越多,则其数量一定越一多,而少数载流子应是—空穴,掺杂越多,则其数量一定越一少。

8.半导体中存在着两种载流子:带正电的空穴和带负电的.电子。

9.N型半导体小的多数载流子是_电子,少数载流子是一空穴。

10.杂质半导体分N型(电子)和P型(空穴)两大类。

11.N型半导体多数载流了是一电了,少数载流了是_空穴。

P型半导体多数载流了是一空穴,少数载流子是_电子。

12.朵质半导体中,多数载流子浓度主要取决于掺杂浓度,而少数载流子则与温度有很大关系。

13.PN结的主要特性是一单向导电性。

14.PN结是多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动处于动态平衡而形成的,有时又把它称为空间电荷区(势垒区)或耗尽区(阻挡层)。

15.PN结加正向电压时,空间电荷区变窄;PN结加反向电压时,空间电荷区变宽。

16.PN结在无光照、无外加电压吋,结电流为零°17.PN结两端电压变化时,会引起PN结内电荷的变化,这说明PN结存在电容效应。

18.二极管是由—个PN结构成,因而它同样具有PN结的单向导电特件。

19.二极管的伏安特性可川数学式和Illi线來描述,其数学式是上去屋佟LL,其曲线又口J分三部分:1I-:向特性、反向特性、击穿特性。

20.品体二极管的正向电阻比其反向电阻小,稳压二极管的反向击穿电压通常比一般二极管的止,击穿区的交流电阻乂比正向区的小o21.有两个晶体三极管A管的[3二200, /CEO=200M A; B管的卩二50, /CEO=10M A,其他参数人致相同,相比之下旦管的性能较好。

第1章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)

第1章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)

《模拟电子技术基础》第4版习题解答第1章半导体二极管及其基本应用电路一、填空题1.1 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于,而少数载流子的浓度则与有很大关系。

1.2 在N型半导体中,多子是,少子是;在P型半导体中,多子是,少子是。

1.3二极管具有性;当时,二极管呈状态;当时,二极管呈状态。

1.4 2APl2型二极管是由半导体材料制成的;2CZ52A型二极管是由半导体材料制成的。

1.5在桥式整流电路中接入电容C(与负载并联)滤波后,输出电压较未加C时,二极管的导通角,输出电压随输出电流的增大而。

二、选择正确答案填空(只需选填英文字母)1.6二极管正向电压从0.7 V增大15%时,流过的电流增大(a.15%;b.大于15%;c.小于15%)。

1.7当温度升高后,二极管的正向压降将,反向电流将(a.增大;b.减小;c.不变)。

1.8利用二极管的组成整流电路(a1.正向特性;b1.单向导电性;c1.反向击穿特性)。

稳压二极管工作在状态下,能够稳定电压(a2.正向导通;b2.反向截止;c2.反向击穿)。

三、判断下列说法是否正确(用√或×号表示)1.9在N型半导体中,掺入高浓度的三价杂质,可以改型为P型半导体。

( )1.10 PN结的伏安特性方程可以描述PN结的正向特性和反向特性,也可以描述其反向击穿特性。

( )1.11 在桥式整流电路中,如用交流电压表测出变压器二次侧的交流电压为40 V,则在纯电阻负载两端用直流电压表测出的电压值约为36 V。

( ) 1.12光电二极管是受光器件,能将光信号转换为电信号。

( ) 解答:1.1 杂质浓度温度1.2 电子空穴空穴电子1.3 单向导电性 正向偏置 导通 反向偏置 截止1.4 N 型锗材料 N 型硅材料1.5 增大 减小 减小1.6 (b )1.7 (b ) (a )1.8 (b 1) (c 2)1.9 (√)1.10 (×)1.11 (√)1.12 (√)1.13某硅二极管在室温下的反向饱和电流为910-A ,求外加正向电压为0.2 V 、0.4 V 时二极管的直流电阻R D 。

模拟电子技术基础课后答案(完整版)

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第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ,而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。

2、当PN 结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。

当外加反向电压时,扩散电流 小于 漂移电流,耗尽层 变宽 。

3、在N 型半导体中,电子为多数载流子, 空穴 为少数载流子。

二.判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子,N 型半导体中含有大量电子载流子,所以P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。

( × )2、在N 型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P 型半导体。

( √ )3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。

(× )4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。

( × )5、PN 结在无光照无外加电压时,结电流为零。

( √ )6、温度升高时,PN 结的反向饱和电流将减小。

( × )7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将变宽。

(× )三.简答题1、PN 结的伏安特性有何特点?答:根据统计物理理论分析,PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。

式中,I D 为流过PN 结的电流;I s 为PN 结的反向饱和电流,是一个与环境温度和材料等有关的参数,单位与I 的单位一致;V 为外加电压; V T =kT/q ,为温度的电压当量(其单位与V 的单位一致),其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810,电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=,则)V (2.11594T V T =,在常温(T=300K )下,V T =25.875mV=26mV 。

当外加正向电压,即V 为正值,且V 比V T 大几倍时,1eTV V>>,于是TV V s eI I ⋅=,这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大,PN 结为正向导通状态.外加反向电压,即V 为负值,且|V|比V T 大几倍时,1eTV V <<,于是s I I -≈,这时PN 结只流过很小的反向饱和电流,且数值上基本不随外加电压而变,PN 结呈反向截止状态。

模拟电子技术试题(含答案)

模拟电子技术试题(含答案)

模拟电子技术基础试卷及答案一、选择正确答案填空(20分)1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V ,-9.3 V ,则这只三极管是( A )。

A .NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。

A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。

A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。

A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i5.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。

A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路6.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。

A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器7.与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是( C )。

a .不用输出变压器b .不用输出端大电容c .效率高d .无交越失真 8.稳压二极管稳压时,其工作在( C ),发光二极管发光时,其工作在( A )。

a .正向导通区 b .反向截止区 c .反向击穿区9.理想集成运放具有以下特点:( B )。

A. 开环差模增益A u d =∞,差模输入电阻R i d =∞,输出电阻R o =∞B. 开环差模增益A u d =∞,差模输入电阻R i d =∞,输出电阻R o =0C. 开环差模增益A u d =0,差模输入电阻R i d =∞,输出电阻R o =∞D. 开环差模增益A ud =0,差模输入电阻R id =∞,输出电阻R o =010.在输入量不变的情况下,若引入反馈后( D ) ,则说明引入的是负反馈。

模拟电子技术基础试卷及答案(期末)

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模拟电子技术基础试卷及答案一、填空(18分)1.二极管最主要的特性是2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为V,桥式整流后(不滤波)的输出电压为,经过电容滤波后为,二极管所承受的最大反向电压为 14 V。

3.差分放大电路,若两个输入信号uI1 uI2,则输出电压,uOu I1=100μV,u I2=80μV则差模输入电压uId μV;共模输入电压uIcV。

4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz时,可选用滤波器;有用信号频率高于10 kHz时,可选用高通滤波器;希望抑制50 Hz的交流电源干扰时,可选用带阻滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用带通滤波器。

5.若三级放大电路中Au1 Au2 30 dB,Au3 20 dB,则其总电压增益为dB,折合为4倍。

6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQPDC=效率在理想情况下,可达到 78.5% ,但这种功放有交越失真。

7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为V。

二、选择正确答案填空(20分)1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是( A )。

A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。

A.P沟道增强型MOS管 B、P沟道结型场效应管 C、N沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。

A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大4.在图示电路中,Ri 为其输入电阻,RS 为常数,为使下限频率fL 降低,应( D )。

A.减小C,减小Ri B. 减小C,增大RiC. 增大C,减小 RiD. 增大C,增大 Ri 5.如图所示复合管,已知V1的β1 = 30,V2的β2 = 50,则复合后的β约为( A )。

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

模拟电子技术基础期末考试试题及答案一、选择题1. 下列选项中,哪种元器件可以将一个信号的幅度提高到较高水平?A. 电感B. 二极管C. 发射管D. 收音机答案:C. 发射管2. 以下哪个不是模拟电子技术中常见的电子元器件?A. 电阻B. 电容C. 电子管D. 电池答案:D. 电池3. 在模拟电子技术中,下面哪个元器件常用于放大电压信号?A. 开关B. 反射器C. 放大器D. 混频器答案:C. 放大器4. 下面哪个元器件可以将直流电信号转换成交流电信号?A. 容器B. 反射器C. 变压器D. 调制器答案:D. 调制器5. 在模拟电子技术中,以下哪个元器件常用于对电流进行控制?A. 电流计B. 混频器C. 电容D. 二极管答案:D. 二极管二、填空题6. 电阻的单位是________。

答案:欧姆(Ω)7. 二极管有两个基本电极,分别是阳极(A)和________。

答案:阴极(K)8. 在放大器中,输入信号的强度被放大器增大到预期的输出水平,这个功能叫做________。

答案:放大9. 电容存储的电荷量与其电压的关系是________。

答案:线性关系10. 以下哪个元器件可以将交流信号转换成相同频率的直流信号?答案:整流器三、解答题11. 请简要阐述电子管的工作原理及其在模拟电子技术中的应用。

答案:电子管是一种由真空或带有特殊气体的封闭空间中的电子流控制器件。

电子管工作原理基于热电子发射和电子聚焦的原理,通过在电子管中加入电场和磁场,可以控制电子流的流动和放大信号。

在模拟电子技术中,电子管经常用于放大电压信号。

它具有高放大系数和低噪声的特点,因此在音频放大器、射频放大器等方面得到广泛应用。

同时,电子管还常用于整流、调制和混频等电路中。

12. 请列举并简要介绍两种常见的放大器类型。

答案:两种常见的放大器类型分别是:a. 甲类放大器:甲类放大器是一种线性放大器,输出信号的整个周期都以较小的偏置电流进行放大,即电流在整个传输特性曲线上运行。

模拟电子技术基本概念题--填空题及答案

模拟电子技术基本概念题--填空题及答案

填空题二极管:1. 在半导体中.漂移电流是在 作用下形成的,扩散电流是在 作用下形成的。

(电场,浓度差)2. 二极管最主要的特点是 ;确保二极管安全工作的两个主要参数分别是 和 。

(单向导电性,IF ,UR )3. 在室温(27度)时,锗二极管的死区电压约 V ,导通后在较大电流下的正向压降约 V ;硅二极管的死区电压约 V ,导通后在较大电流下的正向压降约 V 。

(0.1, 0.3, 0.5, 0.7)4. 二极管的交流等效电阻rd 随静态工作点的增大而 。

(减小)5. 硅稳压管稳压电路正常工作时,稳压管工作在 状态。

(反向击穿区)晶体管及放大电路基础:6. 晶体管从结构上可分成 和 两种类型:根据使用的半导体材料不同可分成 和 管。

它们工作时有 和 两种载流子参与导电,常称之为双极型晶体管。

(NPN ,PNP ;硅,锗;电子,空穴)7. NPN 型和PNP 型晶体管的区别是 (P 区和N 区的位置不同)8. 晶体管的穿透电流ICEO 是集—基反向饱和电流ICBO 的 倍。

—般希望尽量选用ICEO 的管子(1+β,小)9. 晶体管的电流放大作用是指基极或发射极电流对 电流的控制作用。

(集电极)10. 已知晶体管β=99,IE=1mA ,ICBO=0,则IB= ,IC= 。

(0.01mA ,99mA )11. 晶体管在放大电路中三种接法分别是 、 和 。

(共射,共集,共基)12. 当温度上升时.晶体管的管压降UBE 、电流放大系数β及反向饱和电流ICBO 分别将 、 和 。

(降低,增大,增大)13. 从晶体管的输入特性可知,晶体管存在死区电压。

硅管的死区电压约为 ,锗管约为 ;晶体管在导通之后,管压降UBE 变化不大,硅管的UBE 约为 .锗管的UBE 约为 。

(0.5 0.1 0.7 0.2)14. 从晶体管的输出特性可知,当基极电流增大,集电极和发射极之间的击穿电压会随着基极电流的增大而 。

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。

2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。

3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。

6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集)放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(串联)负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=(1/F )。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF )BW,其中BW=(),()称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。

13、OCL电路是()电源互补功率放大电路;OTL电路是()电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为()。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。

二、选择题(每空2分共30分)1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须(),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。

《模拟电子技术基础》期末考试试题参考答案(A)

《模拟电子技术基础》期末考试试题参考答案(A)

1《模拟电子技术基础》期末考试试题参考答案(A )一、填空(18分,每空1分)1、实现放大作用的外部条件是外加电源的极性应保证发射结正偏 ;而集电结 反偏 。

针对放大电路的基本分析方法有两种,分别为 微变等效法 和 图解法 。

3、基本放大电路有三种组态,即 共发射极 、 共基极 和 共集电极 。

多级放大电路常用的耦合方式有三种,分别为 直接耦合、阻容耦合 和变压器耦合。

4、电压负反馈使输出电压 稳定 ,因而降低了放大电路的 输出电阻;串联负反馈增大 放大电路的输入电阻,并联负反馈则减小输入电阻。

在实际的负反馈放大电路中,有以下四种基本的组态,分别为 电压串联负反馈、电压并联负反馈 、电流串联负反馈、电流并联负反馈。

二、选择正确答案填空(20分 每空2分)ADCDA DBDCC三. (15分)解:(1)静态分析:V 7.5)(A μ 101mA 1 V 2e f c EQ CEQEQ BQ ef BEQ BQ EQ CC b2b1b1BQ =++-≈≈+=≈+-==⋅+≈R R R I V U I I R R U U I V R R R U CC β 动态分析: Ω==Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5k 7.3])1([7.7)1()(k 73.2mV 26)1(c o f be b2b1i fbe L c EQbb'be R R R r R R R R r R R A I r r u ββββ∥∥∥ (2)R i 增大,R i ≈4.1k Ω;u A 减小,ef 'L R R R A u+-≈ ≈-1.92。

四. (4分)解:(a )可能 (b )不能 五. (20分)7V ;-333;0;6 k Ω;20 k Ω六.(15分)8o 213i 2be 82be2764m )()]([R R R R R R r R r R R R g A u =+=-⋅-=∥∥∥∥β2。

模拟电子技术基础试卷及其参考答案

模拟电子技术基础试卷及其参考答案

模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷一专升本试卷及其参考答案试卷一(总分150分)(成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一)一、选择题(本大题10个小题,每小题4分,共40分。

在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的,把所选项前的字母填在题后的括号内。

)1. 用万用表的R×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω,若改用R×1k档,测量同一二极管,则其正向电阻值()a. 增加b. 不变c. 减小d. 不能确定2. 某三极管各电极对地电位如图2所示,由此可判断该三极管()a. 处于放大区域b. 处于饱和区域c. 处于截止区域d. 已损坏图23. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V,当接入2kΩ负载后,其输出电压降为4V,这表明该放大电路的输出电阻为()a. 10kΩb. 2kΩc. 1kΩd. 0.5kΩ4. 某放大电路图4所示.设VCC>>VBE,LCEO≈0,则在静态时该三极管处于()a.放大区b.饱和区c.截止区d.区域不定图45. 图5所示电路工作在线性放大状态,设R'L=RD//RL,则电路的电压增益为()'gmRL' b.1+gmRs C.-gmRL' d.-RL'/gm a.gmRL-图56. 图5中电路的输入电阻Ri为()a. Rg+(Rg1//Rg2)b. Rg//(Rg1+Rg2)c. Rg//Rg1//Rg2d.[Rg+(Rg1//Rg2)]//(1+gm)RS7. 直流负反馈是指()a. 存在于RC耦合电路中的负反馈b. 放大直流信号时才有的负反馈c. 直流通路中的负反馈d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是()a. 输入信号所包含的干扰和噪声b. 反馈环内的干扰和噪声c. 反馈环外的干扰和噪声d. 输出信号中的干扰和噪声9. 在图9所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为()a. -2.5Vb. -5Vc. -6.5Vd. -7.5V图910. 在图10所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为()a. 10mVb. 20mVc. 70mVd. 140mV图10二、填空题(本大题共7个小题,18个空,每空2分,共36分。

《模拟电子技术基础》习题参考答案

《模拟电子技术基础》习题参考答案

《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题:1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。

2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流,它由少数载流子形成,其大小决定于温度,而与外电场无关。

3.PN结的P型侧接高电位,N型侧接低电位称为正向偏置(正偏),反之称为反向偏置(反偏)。

4.PN结最重要的特性是单向导电性,它是一切半导体器件的基础。

在NPN型三极管中,掺杂浓度最大的是发射区。

5.晶体三极管因偏置条件不同,有放大、截止、饱和三种工作状态。

6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。

7.工作在放大区的晶体管,当IB 从10μA增大到20μA,IC从1mA增大到2mA,它的β为100,α为1。

8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时,就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区,而使输出信号的波形产生失真。

9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏,则可判断出x、y、z分别为三极管的集电(C)极、基(B)极、发射(E)极。

10.一只晶体管在放大电路中,用万用表测出管脚对地电压分别是:A脚为12伏,B脚为11.7伏,C脚为6伏,则该管为PNP型锗管,A为发射(E)极,B为基(B)极,C为集电(C)极。

11.稳压二极管工作在反向击穿区,主要用途是稳压。

12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态,而二极管导通时是处于正向偏置状态。

13.晶体管电流放大系数是频率的函数,随着频率的升高而下降。

共基极电路比共射极电路高频特性好。

14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区:分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。

15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。

16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级,与负载相连接的末级放大电路称为输出级,它们之间的放大电路称为中间级。

17.某放大电路空载输出电压为4V,接入3KΩ负载后,输出电压变为3V,该放大电路的输出电阻为1KΩ。

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模拟电子技术基础填空题及答案模拟电子技术基础填空题及答案1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V;锗二极管的门槛电压约为_0.1_V,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。

2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。

3、二极管的最主要特性是单向导电性。

PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。

4、二极管最主要的电特性是单向导电性,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。

5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为模拟电子技术。

6、PN结反向偏置时,PN结的内电场增强。

PN具有具有单向导电特性。

7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为0.7伏;其门坎电压Vth约为0.5伏。

8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。

9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。

10、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为空穴(P)半导体和电子(N)半导体两大类。

11、二极管的最主要特性是单向导电性,它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。

12、在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V。

13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下,输出随频率连续变化的稳态响应。

15、N型半导体中的多数载流子是电子,少数载流子是空穴。

16、按一个周期内一只三极管的导通角区分,功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。

17、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是耦合和旁路电容,影响高频信号放大的是结电容。

18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变,三极管的β增加,则IBQ增大,ICQ增大,UCEQ减小。

19、三极管的三个工作区域是截止,饱和,放大。

集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路。

20、某放大电路中的三极管,在工作状态中测得它的管脚电压Va=1.2V,Vb=0.5V,Vc=3.6V,试问该三极管是硅管管(材料),NPN型的三极管,该管的集电极是a、b、c中的C。

21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB,则该放大电路总的对数增益为80dB,总的电压放大倍数为10000。

22、三极管实现放大作用的外部条件是:发射结正偏、集电结反偏。

某放大电路中的三极管,测得管脚电压Va=-1V,Vb=-3.2V,Vc=-3.9V,这是硅管(硅、锗),NPN型,集电极管脚是a。

23、三种不同耦合方式的.放大电路分别为:阻容(RC)耦合、直接耦合和_变压器耦合_,其中直接耦合能够放大缓慢变化的信号。

24、在多级放大电路中,后级的输入电阻是前级的负载,而前级的输出电阻可视为后级的信号源的内阻。

多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带要窄。

25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12kΩ的负载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为4kΩ。

26、为了保证三极管工作在放大区,要求:①发射结正向偏置,集电结反向偏置。

②对于NPN型三极管,应使VBC<0。

27、放大器级间耦合方式主要有阻容(RC)耦合、直接耦合和变压器耦合三大类。

28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中,共射和共基组态有电压放大作用,共射组态有电流放大作用,共射和共集组态有倒相作用;共集组态带负载能力强,共集组态向信号源索取的电流小,共基组态的频率响应好。

29、三极管放大电路的三种基本组态是共集、共基、共射。

30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有直接耦合,阻容耦合,变压器耦合。

31、在单级共射放大电路中,如果输入为正弦波形,用示波器观察VO和VI的波形,则VO和VI的相位差为1800;当为共集电极电路时,则VO和VI的相位差为0。

32、放大器有两种不同性质的失真,分别是饱和失真和截止失真。

33、晶体管工作在饱和区时,发射结a,集电结a;工作在放大区时,集电结b,发射结a。

(填写a正偏,b反偏,c零偏)34、在共射、共集和共基三种放大电路组态中,希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相,可选用共射组态;希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相,可选用共集组态。

35、场效应管同双极型三极管相比,其输入电阻大,热稳定性好36、影响放大电路通频带下限频率fL的是隔直电容和极间电容。

37、三极管工作在放大区时,它的发射结保持正向偏置,集电结保持反向偏置。

38、场效应管有共源、共栅、共漏三种组态。

39、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带窄。

40、场效应管从结构上分成结型FET和MOSFET两大类型,它属于电压控制型器件。

41、场效应管属于电压控制电流型器件,而双极型半导体三极管则可以认为是电流控制电流型器件。

42、场效应管是电压控制电流器件器件,只依靠多数载流子导电。

43、根据场效应管的输出特性,其工作情况可以分为可变电阻区、恒流区、击穿区和截止区四个区域。

44、当栅源电压等于零时,增强型FET无导电沟道,结型FET的沟道电阻最小。

45、FET是电压控制器件,BJT是电流控制器件。

46、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中,效率最低的电路为甲类。

47、一个输出功率为10W的扩音机电路,若用乙类推挽功放,则应选额定功耗至少应为2W的功率管2只。

48、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中,效率最低的电路为甲类,为了消除交越失真常采用甲乙类电路。

49、乙类功放的主要优点是效率高,但出现交越失真,克服交越失真的方法是采用甲乙类。

50、乙类互补对称功率放大电路产生特有的失真现象叫交越失真。

51、双电源互补对称功率放大电路(OCL)中VCC=8v,RL=8Ω,电路的最大输出功率为4W,此时应选用最大功耗大于0.8W功率管。

52、差动放大电路中的长尾电阻Re或恒流管的作用是引人一个共模负反馈。

53、已知某差动放大电路Ad=100、KCMR=60dB,则其AC=0.1。

集成电路运算放大器一般由差分输入级、中间级、输出级、偏置电路四部分组成。

54、差分式放大电路能放大直流和交流信号,它对差模信号具有放大能力,它对共模信号具有抑制能力。

55、差动放大电路能够抑制零漂和共模输入信号。

56、电路如图1所示,T1、T2和T3的特性完全相同,则I2≈0.4mA,I3≈0.2mA,则R3≈10kΩ。

57、集成运放通常由输入级、中间级;输出级、偏置级四个部分组成。

58、正反馈是指反馈信号增强净输入信号;负反馈是指反馈信号减弱净输入信号。

59、电流并联负反馈能稳定电路的输出电流,同时使输入电阻减小。

60、负反馈对放大电路性能的改善体现在:提高增益的稳定性、减小非线性失真、抑制反馈环内噪声、扩展频带、改变输入电阻和输出电阻。

61、为了分别达到下列要求,应引人何种类型的反馈:①降低电路对信号源索取的电流:串联负反馈。

②当环境温度变化或换用不同值的三极管时,要求放大电路的静态工作点保持稳定:直流负反馈。

③稳定输出电流:电流负反馈。

62、电压串联负反馈能稳定电路的输出电压,同时使输入电阻大。

63、某负反馈放大电路的开环放大倍数A=100000,反馈系数F=0.01,则闭环放大倍数100。

64、负反馈放大电路产生自激振荡的条件是。

65、负反馈放大电路的四种基本类型是电压串联、电压并联、电流串联、电流并联。

66、为稳定电路的输出信号,电路应采用负反馈。

为了产生一个正弦波信号,电路应采用正反馈。

67、理想集成运算放大器的理想化条件是Aud=∞、Rid=∞、KCMR=∞、RO=068、理想运算放大器的理想化条件中有Avd=无穷,KCMR=无穷。

69、电流源电路的特点是,直流等效电阻小,交流等效电阻大。

70、电流源的特点是输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻大。

71、工作在线性区的理想集成运放有两条重要结论是虚断和虚短。

72、理想运算放大器,Ad=无穷大、Ri=无穷大、Ro=0。

73、在构成电压比较器时集成运放工作在开环或正反馈状态。

74、如果有用信号频率高于1000Hz,可选用高通滤波器;如果希望500Hz以下的有用信号,可选用低通滤波器。

75、选取频率高于1000Hz的信号时,可选用高通滤波器;抑制50Hz的交流干扰时,可选用带阻滤波器;如果希望抑制500Hz以下的信号,可选用高通滤波器。

76、有用信号频率高于1000Hz,可选用高通滤波器;希望抑制50Hz的交流电源干扰,可选用带阻滤波器;如果希望只通过500Hz到1kHz的有用信号,可选用带通滤波器。

77、根据工作信号频率范围滤波器可以分为:低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器及带阻滤波器。

78、集成运算放大器在线性状态和理想工作条件下,得出两个重要结论,它们是:虚断和虚短。

79、通用型集成运算放输入级大多采用差分放大电路,输出级大多采用共集电路。

80、正弦波振荡电路是由放大电路、反馈网络、选频网络、稳幅环节四个部分组成。

81、正弦波振荡电路产生振荡时,幅度平衡条件为,相位平衡条件为n=0、1、2…。

82、信号发生器原理是在电路负反馈时=-1,例如自激电路。

在正反馈时=1,例如文氏振荡电路。

83、石英晶体振荡器是LC振荡电路的特殊形式,因而振荡频率具有很高的稳定性。

84、正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的条件是、其中相位平衡条件是,n为整数、为使电路起振,幅值条件是。

85、正弦波振荡电路必须由放大电路、反馈网络、选频网络、稳幅环节四部分组成。

86、RC正弦波振荡电路达到稳定平衡状态时有:=3、=、=。

87、正弦波自激振荡电路振荡的平衡条件是、n为整数。

88、正弦波振荡电路起振的条件是和n为整数。

89、有用信号频率高于1000Hz,可选用高通滤波器。

文氏电桥振荡器中的放大电路电压放大倍数Af≥3,才能满足起振条件。

90、为了稳定电路的输出信号,电路应采用交流负反馈。

为了产生一个正弦波信号,电路应采用正反馈。

91、直流电源是将电网电压的交流电转换成直流电的能量转换电路。

92、三端集成稳压器7805输出电压+5V,7915输出电压-15V。

93、直流电源一般由下列四部分组成,他们分别为:电源变压器、滤波电路、稳压电路和整流电路。

稳压集成电路W7810输出电压+10V。

94、将交流电变换成脉动直流电的电路称为整流电路;半波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压(即变压器副边电压)有效值的0.45倍;全波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压(即变压器副边电压)有效值的0.9倍。

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