关于热阻设计参考

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建筑热工设计计算公式及参数

建筑热工设计计算公式及参数

建筑热⼯设计计算公式及参数附录⼀建筑热⼯设计计算公式及参数(⼀)热阻的计算1.单⼀材料层的热阻应按下式计算:式中R——材料层的热阻,㎡·K/W;δ——材料层的厚度,m;λc——材料的计算导热系数,W/(m·K),按附录三附表3.1及表注的规定采⽤。

2.多层围护结构的热阻应按下列公式计算:R=R1+R2+……+Rn(1.2)式中R1、R2……Rn——各材料层的热阻,㎡·K/W。

3.由两种以上材料组成的、两向⾮均质围护结构(包括各种形式的空⼼砌块,以及填充保温材料的墙体等,但不包括多孔粘⼟空⼼砖),其平均热阻应按下式计算:(1.3)式中——平均热阻,㎡·K/W;Fo——与热流⽅向垂直的总传热⾯积,㎡;Fi——按平⾏于热流⽅向划分的各个传热⾯积,㎡;(参见图3.1);Roi——各个传热⾯上的总热阻,㎡·K/WRi——内表⾯换热阻,通常取0.11㎡·K/W;Re——外表⾯换热阻,通常取0.04㎡·K/W;φ——修正系数,按本附录附表1.1采⽤。

图3.1 计算图式修正系数φ值附表1.1/λ1注:(1)当围护结构由两种材料组成时,λ2应取较⼩值,λ1应取较⼤值,然后求得两者的⽐值。

(2)当围护结构由三种材料组成,或有两种厚度不同的空⽓间层时,φ值可按⽐值/λ1确定。

(3)当围护结构中存在圆孔时,应先将圆孔折算成同⾯积的⽅孔,然后再按上述规定计算。

4.围护结构总热阻应按下式计算:Ro=Ri+R+Re(1.4)式中Ro——围护结构总热阻,㎡·K/W;Ri——内表⾯换热阻,㎡·K/W;按本附录附表1.2采⽤;Re——外表⾯换热阻,㎡·K/W,按本附录附表1.3采⽤;r——围护结构热阻,㎡·K/W。

内表⾯换热系数αi及内表⾯换热阻Ri值附表1.2注:表中h为肋⾼,s为肋间净距。

5.空⽓间层热阻值的确定(1)不带铝箔,单⾯铝箔、双⾯铝箔封闭空⽓间层的热阻值应按附表1.4采⽤。

元器件热设计:热阻和散热的基础知识

元器件热设计:热阻和散热的基础知识

元器件热设计:热阻和散热的基础知识现在让我们进入热设计相关的技术话题。

热设计所需的知识涵盖了广泛的领域。

首先介绍一下至少需要了解的热阻和散热基础知识。

什么是热阻热阻是表示热量传递难易程度的数值。

是任意两点之间的温度差除以两点之间流动的热流量(单位时间内流动的热量)而获得的值。

热阻值高意味着热量难以传递,而热阻值低意味着热量易于传递。

热阻的符号为Rth和θ。

Rth来源于热阻的英文表达“thermal resistance”。

单位是℃/W(K/W)。

热欧姆定律可以用与电阻几乎相同的思路来考虑热阻,并且可以以与欧姆定律相同的方式来处理热计算的基本公式。

因此,就像可以通过R×I来求出电位差⊿V一样,可以通过Rth ×P来求出温度差⊿T。

关键要点:・热阻是表示热量传递难易程度的数值。

・热阻的符号为Rth和θ,单位为℃/W(K/W)。

・可以用与电阻大致相同的思路来考虑热阻。

热量通过物体和空间传递。

传递是指热量从热源转移到他处。

三种热传递形式热传递主要有三种形式:传导、对流和辐射。

・传导:由热能引起的分子运动被传播到相邻分子。

・对流:通过空气和水等流体进行的热转移・辐射:通过电磁波释放热能散热路径产生的热量通过传导、对流和辐射的方式经由各种路径逸出到大气中。

由于我们的主题是“半导体元器件的热设计”,因此在这里将以安装在印刷电路板上的IC为例进行说明。

热源是IC芯片。

该热量会传导至封装、引线框架、焊盘和印刷电路板。

热量通过对流和辐射从印刷电路板和IC封装表面传递到大气中。

可以使用热阻表示如下:上图右上方的IC截面图中,每个部分的颜色与电路网圆圈的颜色相匹配(例如芯片为红色)。

芯片温度TJ通过电路网中所示的热阻达到环境温度TA。

采用表面安装的方式安装在印刷电路板(PCB)上时,红色虚线包围的路径是主要的散热路径。

具体而言,热量从芯片经由键合材料(芯片与背面露出框架之间的粘接剂)传导至背面框架(焊盘),然后通过印刷电路板上的焊料传导至印刷电路板。

功率MOSFET封装热阻测试及其优化设计

功率MOSFET封装热阻测试及其优化设计

功率MOSFET封装热阻测试及其优化设计刘志红莫亭亭摘要:功率半导体器件是集成电路的重要组成部分,是电力电子技术的基础。

本文对功率MOSFET的热阻进行了测试,得到了SOP8封装的功率MOSFET器件的结壳热阻和结到环境热阻。

使用有限元热仿真分析,分析了影响SOP8热阻的因素,在分析结果基础上改善了SOP8封装的功率MOSFET器件的热阻性能。

为后续芯片封装结构优化提供参考。

关键词:封装热阻;功率器件;有限元仿真;热阻测试;结温Abstract:Power semiconductor device is an important part of integrated circuit,and it is the foundation of power electronic technology.I In this paper,the thermal resistance of power MOSFET is tested,and get the thermal resistance of junction to case and junction to ambient for SOP package.Finite element thermal simulation was used to analyze the factors affecting SOP8 thermal resistance.Based on the analysis,thermal resistance of SOP8packaged MOSFET was improved.It provides a reference for the subsequent optimization of chip packaging structure.KEY WORDS:thermal resistance of package,power device,finite element simulation,thermal resistance test,junction temperature1引言自从进入20世纪以来,人类正式迈入信息时代。

热阻湿阻标准

热阻湿阻标准

热阻湿阻标准全文共四篇示例,供读者参考第一篇示例:热阻湿阻标准是指用来评估或描述材料、构件或系统对热量和湿气传递的阻力程度的一种标准。

热阻湿阻标准在建筑、电子产品、食品加工等领域中都有着重要的应用,对于保持室内舒适度、提高设备效率、确保食品质量等方面都起着至关重要的作用。

首先我们来了解一下热阻湿阻的概念。

热阻是指材料或构件对热量传递的阻力,单位是温度差与传热率的比值。

通俗来讲,热阻就是材料或构件对热量的阻碍程度。

而湿阻则是指材料或构件对湿气传递的阻力,单位是湿度差与湿气传递率的比值。

热阻湿阻标准就是根据这两个指标来评估材料、构件或系统的性能。

在建筑领域,热阻湿阻标准是非常重要的。

建筑材料的热阻湿阻性能直接影响着建筑的节能性能和舒适度。

比如在冬季,如果建筑材料的热阻不好,就会导致室内外温度的快速传递,从而增加采暖能源的消耗。

而在夏季,如果建筑材料的湿阻性能不佳,就会导致室内湿度变大,影响人们的舒适度。

建筑材料的热阻湿阻标准必须符合国家建筑节能标准和环保要求。

在电子产品领域,热阻湿阻标准同样至关重要。

电子产品工作时会产生大量的热量,如果散热不好,就会导致电子元器件过热,影响设备的性能和寿命。

电子产品的散热设计必须考虑材料的热阻性能。

湿度对电子产品的影响也非常大,过高或过低的湿度都会导致电子元器件的损坏。

电子产品的湿阻标准也至关重要。

在食品加工领域,热阻湿阻标准同样起着非常关键的作用。

食品加工过程中需要控制温度和湿度来保证食品的品质和安全。

如果加工环境的热阻湿阻性能不佳,就会导致食品腐败或者失去营养价值。

在食品加工车间或者食品储存环境中,必须符合相关的热阻湿阻标准。

热阻湿阻标准是各行业中非常重要的技术参数,对于保证材料、构件或系统的性能具有至关重要的作用。

通过符合相关的热阻湿阻标准,可以提高设备的效率、降低能源消耗、保障产品的质量和安全。

工程师和科研人员在设计和研发过程中必须重视热阻湿阻标准的要求,不断提高材料和构件的热阻湿阻性能,以满足不同行业的需求。

pcb,热阻,散热设计

pcb,热阻,散热设计

pcb,热阻, 散热设计散热设计(二)降低IC封装热阻的封装设计方法随着IC封装轻薄短小以及发热密度不断提升的趋势,散热问题日益重要,如何降低封装热阻以增进散热效能是封装设计中很重要的技术。

由于构造不同,各种封装形式的散热效应及设计方式也不尽相同,本片文中将介绍各种封装形式,包括导线架(Leadframe)形式、球状格子数组形式(BGA)以及覆晶(Flip Chip)形式封装的散热增进设计方式及其影响。

前言随着电子产品的快速发展,对于功能以及缩小体积的需求越来越大,除了桌上型计算机的速度不断升级,像是笔记型计算机、手机、迷你CD、掌上型计算机等个人化的产品也成为重要的发展趋势,相对的产品所使用的IC功能也越来越强、运算速度越来越快、体积却越来越小,如<图1>所示。

整个演进的趋势正以惊人的速度推进,而对这种趋势能造成阻碍的一个主要因素就是「热」。

热生成的主要因素是由于IC中百万个晶体管计算时所产生的功率消耗,这些热虽然可藉由提升IC 制程能力来降低电压等方式来减少,但是仍然不能解决发热密度增加的趋势,以CPU为例,如<图2>所示,发热瓦数正逐年增加。

散热问题如不解决,会使IC因过热而影响到产品的可靠性,造成寿命减低甚至损毁的结果。

图1 电子产品及IC尺寸演进图2 Intel CPU发热功率趋势封装发展的趋势从早期PCB穿孔的安装方式到目前以表面黏着的型式,PCB上可以安装更多更密的IC,使得组装的密度增高,散热的问题也更为严重。

针对于IC封装层级的散热问题,最基本的方式就是从组件本身的构造来做散热增强的设计。

而采用多层板的设计等方式,对PCB层级的散热也有明显的帮助,而当发热密度更大时,则需要近一步的系统层级的散热设计如散热片或风扇的安装等,才能解决散热问题。

就成本的角度来看,各层级所需的费用是递增的,因此IC封装层级的散热问题就特别重要了。

IC封装的型式很多,如<图1>所示,包括了以导线脚或是以锡球连接于印刷电路板上的方式,以导线脚连接的方式像是TSOP、QFP、LCC等封装,是由金属导线架支撑封装结构,借着两面或四边的接脚和PCB连接。

基于Pt100_热电阻的简易温度测量系统毕业设计论文1 精品

基于Pt100_热电阻的简易温度测量系统毕业设计论文1 精品

基于PT100热电阻的简易温度测量仪摘要:本文首先简要介绍了铂电阻PT100的特性以及测温的方法,在此基础上阐述了基于PT100的温度测量系统设计。

在本设计中,是以铂电阻PT100作为温度传感器,采用恒流测温的方法,通过单片机进行控制,用放大器、A/D转换器进行温度信号的采集。

通过对电路的设计,减小了测量电路及PT100自身的误差,使温控精度在0℃~100℃范围内达到±0.1℃。

本文采用STC89C52RC单片机,TLC2543 A/D转换器,AD620放大器,铂电阻PT100及液晶系统,编写了相应的软件程序,使其实现温度及温度曲线的实时显示。

该系统的特点是:使用简便;测量精确、稳定、可靠;测量范围大;使用对象广。

关键词:PT100 单片机温度测量 AD620 TL431AbstractThis article briefly describes the characteristics of PT100 platinum resistance and temperature measurement method, on the basis it describes the design of temperature measurement system based on PT100. In this design, it is use a PT100 platinum resistance as temperature sensor, in order to acquisition the temperature signal, it use of constant-current temperature measurement method and use single-chip control, Amplifier, A / D converter. It can still improve the perform used two-wire temperature circuit and reduce the measurement eror. The temperature precision is reached ±0.1℃ between 0℃~100℃.The system contains SCM(STC89C52), analog to digital convert department (TLC2543), AD620 amplifier, PT100 platinum, LCD12864, write the corresponding software program to achieve real-time temperature display. The system is simple , accurate , stable and wide range. Keywords:PT100 MCU Temperature Measures AD620 TL431目录前言 (4)第一章方案设计与论证 (6)1.1 传感器的选择 (6)1.2 方案论证 (7)1.3 系统的工作原理 (8)1.4 系统框图 (9)第二章硬件设计 (9)2.1 PT100传感器特性和测温原理 (9)2.2 硬件框图以及简要原理概述 (11)2.3 恒流源模块测温模块设计方案 (11)2.4 信号放大模块 (12)2.5 A/D转换模块 (15)2.6 单片机控制电路 (18)2.7 显示模块 (19)第三章软件设计 (19)3.1系统总流程的设计 (19)3.2 主函数的设计 (20)3.3 温度转换流程图的设计 (21)3.4 显示流程图 (21)3.5 按键流程的设计 (22)第四章数据处理与性能分析 (23)4.1采集的数据及数据处理 (23)4.2 性能测试分析 (23)第五章结论与心得 (24)1 结论 (24)2 心得 (24)附录1 原理图 (25)附录2 元器件清单 (26)附录3 程序清单 (27)前言随着科技的发展和“信息时代”的到来,作为获取信息的手段——传感器技术得到了显著的进步,其应用领域越来越广泛,对其要求越来越高,需求越来越迫切。

热敏电阻温度计的设计与标定

热敏电阻温度计的设计与标定

热敏电阻温度计的设计与标定一、实验内容与实验要求1.电阻温度计包括金属电阻温度计和半导体温度计,本实验要求利用半导体材料制备的热敏电阻设计出能够测量常温的温度计,测温范围“实验室室温-75℃”2.对温度计进行定标,绘制T-I(温度-电流)定标曲线。

3.用标定后的温度计,测量人体手心的温度,并与标准温度计所测量结果进行比较。

二、实验前应考虑并回答的问题1. 金属、半导体电阻随温度变化大致有怎么样的规律?2. 金属或半导体材料制成的热敏电阻随温度变化是线性的吗?3. 传感器为什么要定标?4. 非平衡电桥有什么用途?三、实验室可以提供的主要仪器1. 负温度系数半导体热敏电阻一支[25℃时电阻约5KΩ,B值3950/℃]2. 可调温压电源、微安表、万用表(不能当电压表用)。

3. 电加热水壶、金属水杯。

4. 玻璃温度计一支(0~100℃,准确度1℃)。

5. 电阻箱3个、塑料清洗瓶1个、开关和导线等。

四、实验设计报告和实验报告的要求(1). 实验设计报告的要求:1.实验目的;2.实验仪器[含仪器参数];3.实验原理[热敏电阻、非平衡电桥测温原理,有电流-电阻关系公式,实验设计思路解释];4. 电路中仪器的可调物理量数值预先选定和计算[电桥上三个电阻阻值、电源总电压等],5. 实验步骤[结合预先选择和计算的的数据,准确写出“把电阻箱阻值调到xxΩ,电源电压调到x.xxV”],6. 数据表[结合测量量和自变量,此外,电路中所用仪器的数值量都要记录;7. 实验注意事项。

(2) 实验报告的要求:在实验设计报告的基础上,增加实验中测量到的数据,完成数据处理和分析,实验总结和感受。

五、实验原理:1. 半导体热敏电阻半导体热敏电阻随温度变化典型特性可分为三种类型:负温度系数热敏电阻(NTC );正温度系数热敏电阻(PTC )和特定温度下电阻值发生突变电阻器(CTR )。

具有负温度系数的热敏电阻,电阻值随温度升高而迅速下降,这是因为热敏电阻由一些金属氧化物如Fe 3O 4、MgCr 2O 4等半导体制成,在这些半导体内部,自由电子数目随温度的升高增加得很快,导电能力很快增强;虽然原子振动也会加剧并阻碍电子的运动,但这种作用对导电性能的影响远小于电子被释放而改变导电性能的作用,所以温度上升会使电阻值迅速下降。

电子电路设计实验(热电阻温度测量系统的设计与实现)

电子电路设计实验(热电阻温度测量系统的设计与实现)

北京邮电大学电子电路综合设计实验课题名称:热电阻温度测量系统的设计与实现索引一、概要二、设计任务要求三、设计思路与总体结构图四、分块电路和总体电路的设计1、温度传感器电路设计2、集成三运放差分设计3、滤波器电路设计4、A/D转换与显示电路设计……….........五、功能说明 (9)六、实际测试数据七、所用元器件及测试仪表清单 (11)八、故障及问题分析九、实验总结与结论十、原理图及PCB板图十一、参考文献一、概要1.1、课题名称热电阻温度测量系统的设计与实现1.2、报告摘要为了实现利用热敏电阻测量系统温度,设计实验电路。

利用热电阻Pt100为温度测量单元,系统主要包括传感电路、放大电路、滤波电路、A/D转换电路和显示电路五个单元构成。

通过包含热敏电阻的电桥电路实现温度信号向电信号的转换,利用三运放差分电路实现放大差模信号抑制共模信号并通过二极管显示二进制数来显示温度值。

此电路可以定量的显示出温度的与A/D转换器输入电压的关系,再通过量化就可以实现温度测量的功能。

报告中首先给出设计目标和电路功能分析,然后讨论各级电路具体设计和原理图,最后总结本次实验并给出了电路图。

1.3、关键字测量温度热敏电阻差分放大低通滤波 A/D转换二、设计任务要求(1)了解掌握热电阻的特性和使用方法。

(2)了解数模转换电路的设计和实现方法。

(3)了解电子系统设计的方法和基本步骤。

(4)设计一个利用热电阻Pt100 为温度测量元件设计一个电子测温系统,用发光二极管显示A/D的输出状态,并模拟测温(实际上实验室给的是Pt300),用Altium Designer软件绘制完整的电路原理图(SCH)。

三、设计思路与总体结构图图1:热电阻温度测量的系统原理框图如图将系统划分为传感器电路、放大电路、滤波电路、A/D转换电路显示器和电源电路共六个单元。

传感器是由Pt100及若干精密电阻和电位器构成的电桥电路组成;放大器是有运放LM324构成仪表放大器,具有较高的共模抑制比和输入阻抗;滤波电路采用高精度OP07二阶低通有源滤波器;模数转换电路是用ADC0804进行设计,并利用NE555N产生频率为1KHz到1.3KHz的时钟信号来使数模转换电路实现实时同步;显示电路由发光二极管构成;电源电路采用变压器、稳压模块和整流桥等器件进行设计。

建筑外墙热阻性能与节能设计研究

建筑外墙热阻性能与节能设计研究

建筑外墙热阻性能与节能设计研究建筑外墙的热阻性能对于节能设计是至关重要的。

随着能源的日益紧缺和环境问题的日益突出,节能已经成为当今社会对建筑设计的迫切要求。

在建筑物中,外墙是能量流失的主要通道之一,因此提高外墙的热阻性能是节能设计中至关重要的一环。

首先,建筑外墙的热阻性能能够有效地防止能量的传导。

建筑外墙的热传导主要是通过墙体的材料和结构来实现的。

一般来说,热传导越快,墙体的热阻性能越差。

因此,选用具有较低导热系数的材料,采用合理的结构设计,能够有效地减少热传导。

此外,外墙的热阻性能还会受到外墙材料的厚度、密度、导热系数等因素的影响。

研究表明,在保持建筑结构安全的前提下,增加外墙的厚度、提高材料的密度以及降低导热系数,能够显著提高热阻性能,减少能量的传导。

其次,建筑外墙的热阻性能对于建筑物的节能效果有着直接的影响。

随着人们对节能意识的不断提高,建筑行业对外墙热阻性能的要求也越来越高。

在冬季,通过提高外墙的热阻性能,可以减少室内热量向外部环境的流失,从而减少供暖的能量消耗。

而在夏季,通过提高外墙的热阻性能,可以阻止外界热量进入室内,减少空调的使用,进而减少能源的浪费。

因此,建筑外墙的热阻性能的提升对于建筑物的节能效果具有重要作用。

最后,建筑外墙的热阻性能还涉及到建筑物的舒适性和健康性。

一般来说,热阻性能较好的外墙能够减少热桥的产生,减少温度差异对人体的影响,提供一个更加舒适的室内环境。

同时,外墙的热阻性能也能够减少湿气的渗透和积聚,避免室内空气的污染和霉菌的滋生,保证建筑物的健康性。

综上所述,建筑外墙的热阻性能与节能设计密切相关。

通过提高外墙的热阻性能,能够有效地减少建筑物的能量流失,进而节约能源,减少能源消耗,降低环境污染。

在建筑设计中,应根据不同地区的气候条件、建筑物的用途和功能要求,选择合适的外墙材料和结构,以达到最佳的热阻性能。

同时,建筑师和设计师还应注重外墙的施工质量和建筑物的维护保养,确保外墙的热阻性能长期保持在设计要求的水平上。

石墨片的热阻

石墨片的热阻

石墨片的热阻1. 引言石墨片是一种具有优良导热性能的材料,广泛应用于电子器件、热管理系统等领域。

了解和掌握石墨片的热阻特性对于设计和优化这些系统至关重要。

本文将介绍石墨片的热阻概念、计算方法以及影响因素,以便更好地理解和应用这一材料。

2. 热阻的概念与计算热阻是指材料或结构对热量传输的阻碍程度,通常用单位面积上单位温度差下传导的功率表示。

在考虑稳态条件下,可以使用如下公式计算石墨片的表面热阻:R=t k其中,R表示表面热阻,t表示石墨片厚度,k表示材料的导热系数。

3. 影响因素3.1 材料厚度材料厚度是影响表面热阻的重要因素之一。

根据上述公式可知,材料厚度越大,表面热阻越大。

因此,在设计热管理系统时,需要合理选择石墨片的厚度,以满足系统对热量传输的要求。

3.2 材料导热系数材料导热系数是指材料单位温度梯度下单位距离内传导的热量。

石墨片具有较高的导热系数,因此在许多高温应用中得到了广泛应用。

选择具有较高导热系数的石墨片可以降低表面热阻,提高系统的散热效率。

3.3 界面接触阻抗界面接触阻抗是指两个相邻材料之间由于不完全接触而产生的阻碍传热的现象。

在实际应用中,界面接触阻抗往往成为限制传热效率的主要因素之一。

为了减小界面接触阻抗,可以采取一些措施,如增加接触面积、使用导热胶等。

4. 石墨片的优化设计为了进一步提高系统的散热效率,可以通过优化设计来降低表面热阻。

以下是一些常见的优化设计方法:4.1 增加散热面积增加散热面积可以有效提高热量的传导和辐射。

可以通过增加石墨片的尺寸或设计散热片等方式来增加散热面积,从而降低表面热阻。

4.2 优化材料导热性能选择具有较高导热系数的石墨片可以显著降低表面热阻。

可以通过改变材料的组分、晶体结构等方式来提高其导热性能。

4.3 减小界面接触阻抗减小界面接触阻抗是提高系统散热效率的关键。

可以采取一些措施,如使用导热胶、优化接触表面粗糙度等,来减小界面接触阻抗,从而降低表面热阻。

半导体器件的热阻和散热器设计

半导体器件的热阻和散热器设计

Rtd =
T jm − Ta Pd
− Rt1 =
125 − 35 − 3 = 4.2°C / W 12.5
ΔT fa = T jm − Ta − Pd Rt1 = 125 − 35 − 12.5 X 3 = 52.5°C
可选用 SRZ105 型叉指式散热器。
注:散热片制成圆形或正方形时散热效果比较理想,若制成长方形则长宽比不要超过 2:1 器件尽量安装在散热板中心处, 如要求绝缘需加云母衬垫和绝缘套管, 也可选聚酯薄膜作绝 缘衬垫。散热片应尽量远离工频变压器、功率管等热源。 (本文主要摘自《新型单片开关电源的设计与应用》沙占友等编著 电子工业出版社 2001 年版 dwenzhao 整理)
图中给出铝板和铁板的曲线,板厚均为 2mm,散热板垂直放置,自然冷却,器件装在散热板中心位置。可 见,散热板的面积越大热阻越小,二者近似成反比,在相同表面积和厚度情况下,铝板的热阻较小,且其
密度仅为铁板的 1/3,又不易生锈,所以铝板性能优于铁板。紫铜板的散热性能更好,但密度大,价格高。
五、散热板的设计步骤:
=
T jm − Tam Pdd
− Rta
根据 Rtd 值查曲线确定散热板表面积:实际面积应留出 1/3 余量,并由面积确定外形尺寸 计算效率:总功率 P 为器件消耗 Pd 功率和输出功率 Po 之和 P=Pd+Po 效率:k=Po/P
六、成品散热器的选择:常见成品散热器有筋片式、叉指式两种
基本计算公式: Rtd
TO-220 S-7 3 10 62.5 7 1 1.8 7800 7900
TO-3 F-2 3 20 40 6 1 1.8 7800 7900
TO-66 F-1 3 10 50 6.5 1 1.8 78M00 79M00

夏季服装热阻参考值_概述及解释说明

夏季服装热阻参考值_概述及解释说明

夏季服装热阻参考值概述及解释说明1. 引言1.1 概述本文旨在对夏季服装热阻参考值进行概述和解释说明。

在夏季高温天气中,合适的服装材料和设计可以提供舒适度和保护身体免受过热的功能。

了解夏季服装的热阻参考值是确保选择合适的服装来实现最佳舒适度与保护的关键。

1.2 文章结构本文章包括五个主要部分:引言、夏季服装热阻参考值的意义、夏季服装材料对热阻的影响、测量和计算夏季服装热阻参考值以及结论。

通过这些部分,我们将全面讨论夏季服装热阻参考值相关的概念、原理及其应用。

1.3 目的本文的目标是提供读者一个清晰详细且准确理解夏季服装热阻参考值以及其重要性的视角。

鉴于高温环境中穿着合适衣物对人们健康和舒适感扮演着重要角色,了解并合理运用夏季服装热阻参考值将有助于我们做出明智的服装选择,确保在炎热的天气中享受凉爽和舒适的感觉。

以上是文章“1. 引言”部分的详细内容,请根据需求进行修改、完善。

2. 夏季服装热阻参考值的意义2.1 夏季服装热阻的定义夏季服装热阻是指衡量衣物对热量传递能力的一个指标。

它反映了在特定条件下,衣物材料对热量流动的障碍程度。

通常使用单位面积上单位时间内通过衣物的热量流动来表示。

夏季服装热阻值越大,说明该衣物对热量传递的阻力越高。

2.2 夏季服装热阻与舒适性的关系夏季服装热阻值直接影响着人体在不同温度环境下的舒适感受。

在高温环境中,身体会散发出大量的热量,而合适的夏季服装需要具备一定程度的透气性和湿气调节功能,使人体能够顺利排汗和散热,以保持身体温度平衡。

过低或过高的夏季服装热阻值都可能导致身体无法有效调节温度,从而引起不适甚至健康问题。

2.3 为何需要夏季服装热阻参考值夏季服装热阻参考值的存在有以下几个重要原因:首先,它能够帮助人们选择合适的夏季服装。

不同的工作环境和活动强度需要不同的热阻值来保证舒适度和安全性。

了解服装的热阻参考值可以使消费者更好地选择适合自己活动强度和环境温度的衣物。

其次,它对于制造商来说也是一个重要指导。

半导体器件的热阻和散热器设计资料

半导体器件的热阻和散热器设计资料

半导体器件的热阻和散热器设计一、半导体器件的热阻:功率半导体器件在工作时要产生热量,器件要正常工作就需要把这些热量散发掉,使器件的工作温度低于其最高结温Tjm 。

器件的散热能力越强,其实际结温就越低,能承受的功耗越大,输出功率也越大。

器件的散热能力取决于热阻,热阻用来表征材料的热传导性能,以单位功耗下材料的温升来表示,单位是℃/W 。

材料的散热能力越强则热阻越小,温升高则表示散热能力差,热阻大。

二、半导体器件热阻的分布:Rt1表示从结到外壳的热阻 Rt2表示外壳到器件表面的热阻Rta 表示从结到器件表面的热阻,即Rta=Rt1+Rt2 Rtd 为散热板到周围空气的热阻设未加散热板时的总热阻为Rt ,加散热板后的总热阻为Rts ,则有:Rts=Rta+Rtd<<Rt设半导体器件的最高允许结温为Tjm ,最高环境结温为Tam ,加散热板后器件的实际功耗为Pd :tdta amjm ts d R R T T R T P −−=Δ=令Pdd 为设计功耗,Pdm 为最大允许功耗,则:Pd ≤Pdd ≤Pdm 可以得到Rtd:ta ddamjm tdR P T T R −−=在确定散热板面积时要用到Rtd 值。

三、常见功率器件封装的热学参数:国外封装 TO-220 TO-3 TO-66 TO-39国内封装S-7 F-2 F-1 B-4 结到外壳的热阻Rt1(℃/W ) 3 3 3 11 最大允许功耗Pdm (W )10 20 10 0.7 不加散热片时结到周围空气的总热阻Rt (℃/W ) 62.5 40 50 210 直接与散热板接触 7 6 6.5 26 涂导热硅脂1 1 1 加散热片后结到器件表面的热阻Rta (℃/W ) 加0.05mm 厚的云母绝缘衬垫1.8 1.8 1.8 常见器件型号780079007800 790078M00 79M0079L00 79L00四、自然冷却下散热板热阻与表面积的关系:图中给出铝板和铁板的曲线,板厚均为2mm ,散热板垂直放置,自然冷却,器件装在散热板中心位置。

《民用建筑热工设计规范》GB50176-2016

《民用建筑热工设计规范》GB50176-2016

民用建筑热工设计规范Code for thermal design of civil building自2017年4月1日起实施GB 50176-2016规范的主要技术内容是:1.总则;2.术语和符号;3.热工计算基本参数和方法;4.建筑热工设计原则;5.围护结构保温设计;6.围护结构隔热设计;7.围护结构防潮设计;8.自然通风设计;9.建筑遮阳设计。

规范修订的主要技术内容是:1.细化了热工设计分区;2.细分了保温、隔热设计要求;3.修改了热桥、隔热计算方法;4.增加了透光围护结构、自然通风、遮阳设计的内容;5.补充了热工设计计算参数。

1 总则1.0.1 为使民用建筑热工设计与地区气候相适应,保证室内基本的热环境要求,符合国家节能减排的方针,制定本规范。

1.0.2 本规范适用于新建、扩建和改建民用建筑的热工设计。

本规范不适用于室内温湿度有特殊要求和特殊用途的建筑,以及简易的临时性建筑。

1.0.3 民用建筑的热工设计,除应符合本规范的规定外,尚应符合国家现行有关标准的规定。

2 术语和符号2.1 术语2.1.1 建筑热工 building thermal engineering研究建筑室外气候通过建筑围护结构对室内热环境的影响、室内外热湿作用对围护结构的影响,通过建筑设计改善室内热环境方法的学科。

2.1.2 围护结构 building envelope分隔建筑室内与室外,以及建筑内部使用空间的建筑部件。

2.1.3 热桥 thermal bridge围护结构中热流强度显著增大的部位。

2.1.4 围护结构单元 building envelope unit围护结构的典型组成部分,由围护结构平壁及其周边梁、柱等节点共同组成。

2.1.5 导热系数 thermal conductivity,heat conduction coeffi-cient 在稳态条件和单位温差作用下,通过单位厚度、单位面积匀质材料的热流量。

热阻设计方法

热阻设计方法

一般,热阻公式中,Tcmax =Tj - P*Rjc的公式是在假设散热片足够大而且接触足够良好的情况下才成立的,否则还应该写成Tcmax =Tj - P*(Rjc+Rcs+Rsa)。

Rjc表示芯片内部至外壳的热阻,Rcs表示外壳至散热片的热阻,Rsa表示散热片的热阻。

没有散热片时,Tcmax =Tj - P*(Rjc+Rca)。

Rca表示外壳至空气的热阻。

一般使用条件用Tc =Tj - P*Rjc的公式近似。

厂家规格书一般会给出,Rjc,P等参数。

一般P是在25度时的功耗。

当温度大于25度时,会有一个降额指标。

举个实例:一、三级管2N5551规格书中给出25度(Tc)时的功率是1.5W(P),Rjc是83.3度/W。

此代入公式有:25=Tj-1.5*83.3可以从中推出Tj为150度。

芯片最高温度一般是不变的。

所以有Tc=150-Ptc*83.3,其中Ptc表示温度为Tc时的功耗。

假设管子的功耗为1W,那么,Tc=150-1*83.3=66.7度。

注意,此管子25度(Tc)时的功率是1.5W,如果壳温高于25度,功率就要降额使用。

规格书中给出的降额为12mW/度(0.012W/度)。

我们可以用公式来验证这个结论。

假设温度为Tc,那么,功率降额为0.012*(Tc-25)。

则此时最大总功耗为1.5-0.012*(Tc-25)。

把此时的条件代入公式得出:Tc=150-(1.5-0.012*(Tc-25))×83.3,公式成立。

一般情况下没办法测Tj,可以经过测Tc的方法来估算Ttj。

公式变为:Tj=Tc+P*Rjc同样与2N5551为例。

假设实际使用功率为1.2W,测得壳温为60度,那么:Tj=60+1.2*83.3=159.96此时已经超出了管子的最高结温150度了!按照降额0.012W/度的原则,60度时的降额为(60-25)×0.012=0.42W,1.5-0.42=1.08W。

纺织品 热阻要求

纺织品 热阻要求

纺织品热阻要求
纺织品热阻是指纺织品的热传导能力,也可以称为纺织品的保温性能。

在选择和设计纺织品时,热阻是一个非常重要的因素,特别是在冬季保暖服装的设计中。

热阻的数值越大,代表着纺织品的保暖性能越好。

纺织品的热阻值可以通过对纺织品的材料、厚度、密度等因素进行控制来实现。

对于户外运动服装、工作服装等具有保暖要求的纺织品,其热阻值需要满足相应的标准要求。

例如,在欧洲,EN 342标准规定了户外保暖服装的热阻要求,要求服装的总热阻值不低于1.0mK/W,同时要求服装的表面热阻不低于0.15mK/W。

在设计纺织品时,需要考虑纺织品的使用环境和使用场景,从而确定热阻的要求。

同时,还需要注意纺织品的透气性能和舒适性,避免过高的热阻值导致用户出现不适的情况。

- 1 -。

热阻设计方法

热阻设计方法

一般,热阻公式中,Tcmax=Tj - P*Rjc 的公式是在假设散热片足够大而且接触足够良好的情况下才成立的,否则还应该写成Tcmax =Tj - P* (Rjc+Rcs+Rsa) Rjc表示芯片内部至外壳的热阻,Res表示外壳至散热片的热阻,Rsa表示散热片的热阻。

没有散热片时,Tcmax=Tj - P*(Rjc+Rca> Rea表示外壳至空气的热阻。

一般使用条件用Tc =Tj - P*Rjc 的公式近似。

厂家规格书一般会给出,Rjc,P 等参数。

一般P 是在25度时的功耗。

当温度大于25度时,会有一个降额指标。

举个实例:一、三级管2N5551规格书中给出25度(Tc)时的功率是1.5W(P), Rjc是83・3度/W。

此代入公式有:25=Tj-1.5*83・3可以从中推出Tj为150度。

芯片最高温度一般是不变的。

所以有Tc=150-Ptc*83.3其中Ptc表示温度为Tc时的功耗。

假设管子的功耗为1W,那么,Tc=150-1*83.3=66.7度。

注意,此管子25度(Tc)时的功率是1.5W,如果壳温高于25度,功率就要降额使用。

规格书中给出的降额为12mW/度(0.012W度)。

我们可以用公式来验证这个结论。

假设温度为Tc,那么,功率降额为0.012*(Tc-25) 则此时最大总功耗为1.5-0.012*(Tc-25) 把此时的条件代入公式得出:Tc=150- (1.5-0.012*(Tc-25))83.3,公式成立。

般情况下没办法测Tj,可以经过测Tc的方法来估算Ttj。

公式变为:Tj=Tc+P*Rjc同样与2N5551为例。

假设实际使用功率为1.2W,测得壳温为60度,那么:Tj=60+1.2*83.3=159.96此时已经超出了管子的最高结温150度了!按照降额0.012W度的原则,60度时的降额为(60-25)X).012=0.42W 1・5-0.42=1.08W 也就是说,壳温60度时功率必须小于1.08W,否则超出最高结温。

[汇总]热阻系数

[汇总]热阻系数

中华人民共和国行业标准(21)-民用建筑电气设计规范2006-4-27 11:16:21 【文章字体:大中小】打印收藏关闭第六部分8.4 导体的选择8.4.1 电线、电缆应按低压配电系统的额定电压、电力负荷、敷设环境及其与附近电气装置、设施之间能否产生有害的电磁感应等要求,选择合适的型号和截面。

8.4.2 电线、电缆导体截面的选择应符合下列要求:(1)按照敷设方式、环境温度及使用条件确定导体的截面,其额定载流量不应小于预期负荷的最大计算电流;(2)线路电压损失不应超过允许值;(3)导体最小截面应满足机械强度的要求,绝缘导线的最小截面不应小于表8.4.2的规定。

(4)电线、电缆导体截面应按本章第8.6节的有关规定进行校验;(5)固定敷设的硬导体应能承受预期短路电流的电动机械应力。

8.4.3 配电线路有下列情况之一时,应采用铜芯电线或电缆:(1)特等建筑(具有重大纪念、历史或国际意义的各类建筑)。

(2)重要的公共建筑和居住建筑。

(3)重要的资料室(包括档案室、书库等),重要的库房。

(4)影剧院等人员聚集较多的场所。

(5)连接于移动设备或敷设于剧烈震动的场所。

(6)特别潮湿场所和对铝材质有严重腐蚀性的场所。

(7)易燃、易爆的场所。

(8)有特殊规定的其他场所8.4.4 用于长期连续负荷的电线、电缆,其截面应按电力负荷的计算电流及其他的规定条件选择。

各种常用的电线、电缆的长期连续负荷额定载流量,应以国家指定有关部门公布的数值8.4.5 电线、电缆的载流量,应按以下不同的基准条件乘以不同的校正系数。

8.4.5.1 各种类型的电线、电缆敷设于空气中(或土壤中)的连续载流量仅从发热特性方面(非经济方面)考虑,是在给定的基准条件下确定的,当实际敷设条件不同于基准条件时,应对载流量表中的载流量数据进行校正。

表8.4.5.1-1和表8.4.5.1-2分别给出了空气中和土壤中的校正系数值。

电线、电缆线芯的长期允许最高工作温度和短路时的允许最高温度见表8.5.4.1-3。

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2775
[Ψjt 计算公式]
jt
Tj Ta TC1 K VF Ta
VH IH
VH IH
[用语说明] VH:加在 TEG 芯片内部电阻的电压 IH:稳定时在 TEG 芯片内部电阻流动的电流
TC1 [℃/W] VF
VF 0 VFSS
Ver.2013-07-23
-4-
关于热阻
[最大容许功率 Pd] IC 在常温(25℃以下)时的最大容许损失是用各 IC 的绝对最大定额消耗功率(Pd)来规定的。 环境温度超过 25℃时,就需变为对应各 IC 封装的热下降曲线(Derating Curve)。 以下显示的是一般的热下降曲线。

芯片抽象图
等价电路图
図 3 测量电路板概略图
[K系数]
为了求热阻,就必须要知道结温,但是又不能直接测量结温。
可是,利用结温和二极管順方向电压(VF)的温度依赖关系,可以得知结温。 VF 是温度的一次性函数,它的倾斜率称作 K 系数。
K
Tj [℃/mV]
Tj THi TLo
VF
VF
VF VHi VLo
1085
90
15
1110
1385
17
1050
1315
75
15
1330
1665
17
1535
1920
50
15
2000
2500
17
950
1190
80
15
1250
1560
17
1425
1785
50
15
2000
2500
Ver.2013-07-23
-6-
关于热阻
PKG
QFP100-U1 SC-88A SC-82AB SOP8 (EMP8) SOP16-E2 (EMP16-E2) SOP22 SOP28 SOP40 SOT-23-5 (MTP-5) SOT-23-6 (MTP-6) SOT-891)2) SSOP8 SSOP8-A3 SSOP10 SSOP14 SSOP16 SSOP20 SSOP20-C3 SSOP20-B2 SSOP32 SSOP44 TO-2521)2) TSSOP54-N1
的不同而改变。
表 3 热阻值一览
2 层电路板
4 层电路板
PKG
Tj:125℃
θja
Ψjt
Tj:150℃ Pd@Ta=25℃
Tj:125℃
θja
Ψjt
Tj:150℃ Pd@Ta=25℃
(℃/W) (℃/W)
mW
(℃/W) (℃/W)
mW
DFN4-F1 (ESON4-F1)2) 300 DFN6-H1 (ESON6-H1)2) 280 DFN8-U1 (ESON8-U1)2) 280 DFN8-V1 (ESON8-V1)2) 215 DFN8-W2 (ESON8-W2)2) 195
1815 280 270 555 905 830 645 740 380 405 500 370 465 370 440 475 540 765 500 905 905 950 950
mW
2270 350 340 690 1135 1040 805 925 480 510 625 460 580 460 555 595 675 960 625 1135 1135 1190 1190
-1-
关于热阻
■结温(Tj)的验证方法(ψjt 已知)
用以下的方法可以估算结温(Tj)。 ① 先求 IC 的功率(P)。 ② 在实际组装时的环境条件下,用放射温度计或热电偶来测量封装表面温度 Tc1。 ③ 把测得的 Tc1 代入下式后,就可以算出了。
Tj jt P TC1
如之前讲述的、推荐以 Tj 的最高容许温度的 80%为基准来进行热量设计。
DFN6 (SON6)
345
DMP8
235
DMP8-1
170
DMP14
195
DMP16
195
DMP20
150
EPCSP32-L22)
210
EPFFP6-A2
370
EPFFP10-C42)
295
EQFN12-E22)
285
EQFN12-JE2)
215
EQFN14-D72)
295
EQFN16-G22)
255
实装电路板 :EIA/JESD51-3/-5/-7 基准、FR-4
电路板尺寸:2 层
114.3×76.2mm、厚度 1.57mm、
4 层(内有铜箔) 114.3×76.2mm、厚度 1.6mm
注)4 层电路板的里面使用有铜箔 1,2(尺寸:74.2×74.2mm、厚度:35um)。
Ver.2013-07-23
152.4mm
测量用 PKG
304.8mm 139.7mm
25.4mm
Ver.2013-07-23
热电偶
図 4 测量环境概略图
-3-
[测量电路] IM
IM
IH
VF
关于热阻
vH
GND
图 5 测量电路图 [测量时间]
1.在器件加热前,先测量让内部二极管以 IM 电流(1mA)流动时的 VF0 值。 2.然后给内部电阻以加热电压 VH 来加热一段时间,等稳定后再测量 IH 值。 3.这时候再测量内部二极管以 IM 电流流动时的 VFSS 值。
2 层电路板
Tj:125℃
Tj:150℃
θja
Ψjt
Pd@Ta=25℃
(℃/W)
55 355 365 180 110 120 155 135 260 245 200 270 215 270 225 210 185 130 200 110 110 105 105
(℃/W)
5 89 89 34 21 18 37 37 70 70 67 42 36 42 38 35 34 13 34 20 20 17 10
11
1175
1470
65
11
1535
1920
6
1535
1920
50
5
2000
2500
27
465
580
160
23
625
780
27
465
580
160
23
625
780
33
475
595
155
25
645
805
33
475
595
155
25
645
805
40
415
520
140
33
710
890
40
440
555
140
33
(V)
VHi : 高温时的二极管順方向电压 VLo : 常温时的二极管順方向电压
K 系数
0
50
100 150 200
[测量环境]
环境温度 (℃)
测量时,为了排除外部风的影响,在亚克力箱中以无风的状态下进行的(图 4)。
另外,环境温度是用距离 PKG 中心以下 25.4mm 的热电偶来测量的。
304.8mm
EQFN16-JE2)
180
EQFN18-E72)
220
EQFN24-LK2)
145
HSOP82)
160
LQFP48-R3
75
LQFP52-H2
85
LQFP64-H2
65
MSOP8(TVSP8)
215
MSOP10(TVSP10)
215
MSOP8(VSP8)
210
MSOP10(VSP10)
210
PCSP12-C3
865
1085
47
510
640
150
40
665
830
47
510
640
150
40
665
830
37
665
830
120
33
830
1040
29
475
595
95
16
1050
1315
59
270
335
220
53
450
565
64
335
420
160
55
625
780
52
350
435
105
27
950
1190
22
465
580
表1 用語说明
解说 结温(Tj)和周围温度(Ta)之间的热阻 结温(Tj)和封装外壳表面温度(Tc1)之间的热阻 结温(Tj)和封装外壳背面温度(Tc2)之间的热阻 封装外壳温度(Tc)和周围温度(Ta)之间的热阻 结温 周围温度 封装外壳表面(型号面)温度 封装外壳背面温度 最大容许功率
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