电子技术填空题
电子技术基础试题库(1~6章)
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电子技术基础第一学期试题库(1~6章)一、填空题:(每空1分)1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为,和三类。
答:导体、半导体、绝缘体。
2、半导体具有特性,特性和特性。
答:热敏、光敏、掺杂。
3、PN结具有特性,即加正向电压时,加反向电压时。
答:单向导电、导通、截止。
4、硅二极管导通时的正向管压降约v,锗二极管导通时的管压降约v。
答:0.7V、0.3V。
(中)5、使用二极管时,应考虑的主要参数是和。
答:最大整流电流、最高反向工作电压。
5、在相同的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常锗二极管的反向饱和电流,所以硅二极管的热稳定性。
答:小于、较好。
6、发光二极管将信号转换成信号;光电二极管将信号转换成信号。
答:电、光、光、电。
7、三极管有三个电极,即极、极和极。
答:集电极、基极、发射极。
8、半导体三极管有型和型。
答:NPN、PNP。
(中)9、三极管基极电流I B的微小变化,将会引起集电极电流I C的较大变化,这说明三极管具有作用。
答:电流放大。
10、硅三极管发射结的死区电压约v,锗三极管的死区电压约v。
晶体三极管处在正常放大状态时,硅管的导通电压约为v,锗管约为v。
答:0 .5、0.2、0.7、0.3。
11、三极管工作在放大状态时,其集电极电流与基极电流的关系是。
答:I C=βI B。
(中)25、三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而,硅三极管的穿透电流比锗三极管的。
答:增加、小。
12、三极管的极限参数分别是,,和。
答:集电极最大允许电流、集-射间的反向击穿电压、集电极最大允许耗散功率。
(中)13、工作在放大状态的三极管可作为器件;工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。
答:放大、开关。
14、放大电路按三极管连接方式可分为,和。
答:共基极放大器、共集电极放大器、共射极放大器。
15、放大电路设置静态工作点的目的是。
答:使放大器能不失真地放大交流信号。
16、放大器中晶体三极管的静态工作点是指,和。
模拟电子技术题库参考答案(1-5章) - 副本
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(2) A um
( Rc // Rc )
rbe
30(5 // 15) 75 1
-3-
模拟电子技术试题汇编参考答案
(3)
Ri Rb1 // Rb 2 // rbe rbe 1k R0 Rc 5k
(4) C e 断开, Re 有电流串联负反馈,( Aum 下降), Ri 增加, R0 不变;
(1) 画出直流通路和微变等效电路 (6 分)。 (2)设 U BEQ 0.7V ,求静态工作点
I CQ 、 U CEQ (4 分)
(3)求 Ri 、 Ro 、 Au
.
Uo Ui
.
.
,设 =30,
rbb' =19 4 (6 分)
(4) I CEO 、U CES 忽略不计,估算最大 不失真输出电压峰值 U om
rbe
100 (3 // 3) 50 3
Ri 5 // 15 // 3k 1.66k R0 RC 3k
(3) Aus
. . Ri 1.66 Au (50) 31.2 R s Ri 1 1.66
-4-
模拟电子技术试题汇编参考答案
3、如下图, C1 ~ C4 足够大,
Ri R1 // R3 // rbe rbe rbb ' (1 ) 26 26 194 (1 30) 1K 1 I EQ
(3) R R 10 K 0 4
U ( R4 // R L ) 30(10 // 10) 150 Au 0 1 u rbe
B;A (8)C (9)A (10)B(11)C(12) C
(1)A(2)B;A;C(3)B;C;C (4) C,B (5)C(6) A(7) ① B ② C ③B15、C
模拟电子技术基础模拟综合试卷十套附答案
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模拟综合试卷一一.填充题1.集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ,b 。
2.通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器,其目的是a ,b 。
3.在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下,共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4.一个NPN晶体三极管单级放大器,在测试时出现顶部失真,这是失真。
5.工作于甲类的放大器是指导通角等于,乙类放大电路的导通角等于,工作于甲乙类时,导通角为。
6.甲类功率输出级电路的缺点是,乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7.若双端输入,双端输出理想差动放大电路,两个输入电压u i1=u i2,则输出电压为V;若u i1=1500µV, u i2=500µV,则差模输入电压u id为µV,共模输入信号u ic为µV。
8.由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9.晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降,主要是因为的影响。
10.在共射、共集、共基三种组态的放大电路中,组态电流增益最;组态电压增益最小;组态功率增益最高;组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二.选择题1.晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,I CBO,u BE的变化情况为()。
A.β增加,I CBO,与u BE减小 B. β与I CBO增加,u BE减小C.β与u BE减小,I CBO增加 D. β、I CBO与u BE都增加2.反映场效应管放大能力的一个重要参数是()A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3.双端输出的差分放大电路主要()来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4.典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出,共模电压放大倍数()。
A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5.差分放大电路的共模抑制比K CMR越大,表明电路()A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6.负反馈放大电路以降低电路的()来提高嗲路的其他性能指标。
电子技术试题及答案
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电子技术试题及答案一、选择题1. 以下哪个不是模拟信号的特点?A. 连续性B. 可量化C. 可放大D. 可滤波答案:B2. 在数字电路中,逻辑“与”门的输出为高电平时,输入条件是什么?A. 所有输入均为高电平B. 至少有一个输入为高电平C. 至少有一个输入为低电平D. 所有输入均为低电平答案:A二、填空题1. 电子电路中,_______ 是指电路中电流的流动方向不随时间变化的电流。
答案:直流电2. 在半导体材料中,_______ 是指在室温下导电性能介于导体和绝缘体之间的材料。
答案:半导体三、简答题1. 请简述什么是晶体管的放大作用?答案:晶体管的放大作用是指利用晶体管的电流控制特性,将输入的微弱信号电流放大成较大的输出电流,从而实现信号放大的功能。
2. 什么是数字信号?请简述其特点。
答案:数字信号是一种用数字形式表示的信号,其特点是离散的,即信号的取值是离散的,而非连续的。
数字信号具有抗干扰能力强、易于存储和传输等优点。
四、计算题1. 假设有一个串联电路,电阻R1=100Ω,R2=200Ω,总电压U=300V,请计算通过R1的电流I1。
答案:首先计算总电阻R_total = R1 + R2 = 100Ω + 200Ω =300Ω。
根据欧姆定律,电流I = U / R_total = 300V / 300Ω = 1A。
由于是串联电路,通过R1的电流I1等于总电流I,即I1 = 1A。
2. 一个数字逻辑电路中,有一个逻辑“或”门,输入A和B,当A=1,B=0时,求输出Y的值。
答案:根据逻辑“或”门的真值表,当A=1,B=0时,输出Y为1。
五、论述题1. 论述集成电路的发展对电子技术的影响。
答案:集成电路的发展极大地推动了电子技术的革新。
通过将多个电子元件集成在一个小型的硅芯片上,集成电路不仅减小了电子设备的体积和重量,还提高了电路的可靠性和性能。
此外,集成电路的广泛应用降低了生产成本,促进了电子设备在各个领域的普及。
模拟电子技术基础填空题及答案
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模拟电子技术基础填空题及答案模拟电子技术基础填空题及答案1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V;锗二极管的门槛电压约为_0.1_V,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。
2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。
3、二极管的最主要特性是单向导电性。
PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。
4、二极管最主要的电特性是单向导电性,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为模拟电子技术。
6、PN结反向偏置时,PN结的内电场增强。
PN具有具有单向导电特性。
7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为0.7伏;其门坎电压Vth约为0.5伏。
8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。
9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。
10、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为空穴(P)半导体和电子(N)半导体两大类。
11、二极管的最主要特性是单向导电性,它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。
12、在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V。
13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下,输出随频率连续变化的稳态响应。
15、N型半导体中的多数载流子是电子,少数载流子是空穴。
16、按一个周期内一只三极管的导通角区分,功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。
17、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是耦合和旁路电容,影响高频信号放大的是结电容。
18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变,三极管的β增加,则IBQ增大,ICQ增大,UCEQ减小。
电子技术复习题
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第一章二极管及直流稳压电源一、填空题1.二极管P区接电位端,N区接电位端,称正向偏置,二极管导通;反之,称反向偏置,二极管截止,所以二极管具有性。
2.二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型,型二极管适用于高频、小电流的场合,型二极管适用于低频、大电流的场合。
3.普通二极管工作时通常要避免工作于,而稳压管通常工作于。
4.单相电路用来将交流电压变换为单相脉动的直流电压。
5.直流电源中,除电容滤波电路外,其它形式的滤波电路包括、等。
6.W7805的输出电压为,额定输出电流为;W79M24的输出电压为,额定输出电流为。
7.开关稳压电源的调整管工作在状态,脉冲宽度调制型开关稳压电源依靠调节调整管的的比例来实现稳压。
8.发光二极管能将电信号转换为信号,它工作时需加偏置电压;光电二极管能将信号转换为电信号,它工作时需加偏置电压9.判断大容量电容器的质量时,应将万用表拨到挡,倍率使用。
当万用表表笔分别与电容器两端接触时,看到指针有一定偏转,并很快回到接近于起始位置的地方,则说明该电容器;如果看到指针偏转到零后不再返回,则说明电容其内部。
二、判断题(填“是”或“否”)1.加在二极管两端的反向电压高于最高反向工作电压时,二极管会损坏。
()2.稳压二极管在电路中只能作反向连接。
()3.电容滤波电路适用于小负载电流,而电感滤波电路适用于大负载电流。
()4.在单相桥式整流电容滤波电路中,若有一只整流管断开,输出电压平均值变为原来的一半。
()5.二极管的反向漏电流越小,其单向导电性能就越好。
()三、选择题1.下列符号中表示发光二极管的为()。
A. B. C. D.2.从二极管伏安特性曲线可以看出,二极管两端压降大于()时处于正向导通状态A.0 B.死区电压 C.反向击穿电压 D.正向压降3.用万用表欧姆挡测量小功率二极管性能好坏时,应把欧姆挡旋到()位置A.Ω B.Ω C.Ω D.Ω4.直流稳压电源中滤波电路的作用是()。
电子技术复习题及答案
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一、填空题1、右图中二极管为理想器件,V1工作在_导通__ 状态;V2工作在__截止___状态。
2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力,对共模信号有较强的__抑制__能力。
3、三级管工作在放大区时,发射结__正向__偏置,集电结__反向__偏置,工作在饱和区时,发射结__正向_偏置,集电结_正向__偏置。
4、根据反应的分类方式,负反应电路有4种组合形式,即_串联负反应、_并联负反应__、_电流负反应_、电压负反应。
5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用,他们分别是虚短、虚断。
6、逻辑函数的表示形式有四种:逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。
7、将十六进制〔0BF〕转换成十进制= __191________。
8、计数器、存放器、编码器、译码器中,属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___,属于时序逻辑电路的是_____计数器、存放器_________ 。
9、共阳接法的发光二极管数码显示器,应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。
1、数字信号只有 0 和 1 两种取值。
2、十进制123的二进制数是 1111011 ;八进制数是 173 ;十六进制数是7B 。
3、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。
4、有一A/D转换器,其输入和输出有理想的线性关系。
当分别输入0V和5V电压时,输出的数字量为00H和FFH,可求得当输入2V电压时,电路输出的数字量为:66H 。
5、设ROM容量为256字×8位,那么它应设置地址线 8 条,输出线 8 条。
6、用256字×4位RAM,扩展容量为1024字×8位RAM,那么需要 8 片1、在常温下,锗二极管的门槛电压约为 0.1 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2 V。
2、三极管须使发射结正向偏置,集电结反向偏置才能工作在放大区。
3、一般直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路四个局部组成。
电子技术复习题及参考答案.
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中南大学网络教育课程考试复习题及参考答案电子技术一、填空题:1.在本征半导体中掺入微量三价元素形成型半导体,掺入微量五价元素形成型半导体。
2.晶体管工作在截止区时,发射结向偏置,集电结向偏置。
3.硅稳压管的工作为 _ 区。
4.为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用滤波电路。
5.已知输入信号的频率为10kHz~12kHz,为了防止干扰信号的混入,应选用滤波电路。
6.为了获得输入电压中的低频信号,应选用滤波电路。
7.为了稳定静态工作点,应引入负反馈。
8.为了稳定放大倍数,应引入负反馈。
9.为了使放大电路的输出电阻增大应引入负反馈;深度负反馈的条件是。
10.为了减小放大电路的输入电阻,应引入负反馈。
11.为了减小放大电路的输出电阻,应引入负反馈。
12.当集成运放组成运算电路时中,运放一般工作在状态。
13.在运放组成的电压比较器中,运放一般工作在或状态。
14.在图1所示电路中,调整管为,采样电路由组成,基准电压电路由组成,比较放大电路由组成。
图115.在整流电路的输入电压相等的情况下,半波与桥式两种整流电路中,输出电压平均值最低的是整流电路。
16.直流电源由、、和四部分组成。
17.串联型稳压电路由、、和四部分组成。
18.欲将方波电压转换成三角波电压,应选用运算电路。
19.NPN型共集电极放大电路中的输出电压顶部被削平时,电路产生的是失真;乙类功放电路的主要缺点是输出有失真。
20. 比例运算电路的比例系数大于1,而比例运算电路的比例系数小于零。
21.正弦波自激振荡的幅值平衡条件为,相位平衡条件为。
22.存储器按功能不同可分为存储器和存储器;23.RAM按存储单元结构特点又可分为和。
24.半导体存储器的结构主要包含三个部分,分别是、、。
25.某存储器容量为8K×8位,则它的地址代码应取位。
26.将Intel2114(1K*4位)RAM扩展成为8K*4位的存储器,需要Intel2114芯片数是,需要增加的地址线是条。
电子技术基础试题及答案
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电子技术基础试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 在数字电路中,逻辑“与”门的输出为“1”的条件是:A. 所有输入都为“1”B. 至少有一个输入为“0”C. 至少有一个输入为“1”D. 所有输入都为“0”答案:A2. 下列哪个元件不是半导体器件?A. 二极管B. 三极管C. 电容D. 场效应管答案:C3. 在模拟电路中,放大器的增益通常指的是:A. 输入电压与输出电压之比B. 输入电流与输出电流之比C. 输入功率与输出功率之比D. 输出电压与输入电流之比答案:A4. 以下哪种波形不是周期性波形?A. 正弦波B. 方波C. 锯齿波D. 随机噪声答案:D5. 在数字电路中,逻辑“或”门的输出为“0”的条件是:A. 所有输入都为“1”B. 所有输入都为“0”C. 至少有一个输入为“1”D. 至少有一个输入为“0”答案:B6. 以下哪种材料通常用于制作二极管的PN结?A. 硅B. 铜C. 铁D. 铝答案:A7. 一个理想的运算放大器具有以下哪个特性?A. 有限的输入阻抗B. 有限的输出阻抗C. 无限的输入阻抗D. 无限的输出阻抗答案:C8. 在数字电路中,D触发器的输出状态取决于:A. 当前时钟脉冲B. 上一个时钟脉冲C. 初始状态D. 外部输入答案:B9. 以下哪种波形的频率是固定的?A. 正弦波B. 随机噪声C. 锯齿波D. 方波答案:A10. 在模拟电路中,滤波器的作用是:A. 放大信号B. 抑制噪声C. 产生振荡D. 转换信号答案:B二、多项选择题(每题3分,共15分,每题至少有两个正确选项)1. 下列哪些元件可以用于整流电路?A. 二极管B. 三极管C. 电容D. 电感答案:A D2. 在数字电路中,下列哪些逻辑门可以实现逻辑“与”功能?A. 与门B. 或门C. 非门D. 异或门答案:A3. 以下哪些因素会影响二极管的正向导通电压?A. 材料B. 温度C. 电流D. 反向电压答案:A B C4. 在模拟电路中,以下哪些元件可以用于信号放大?A. 运算放大器B. 电阻C. 电容D. 二极管答案:A D5. 以下哪些波形属于非周期性波形?A. 正弦波B. 方波C. 锯齿波D. 随机噪声答案:D三、填空题(每题2分,共20分)1. 在数字电路中,逻辑“非”门的输出是输入的________。
电子技术试题答案
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电子基础测试题姓名:一.填空(每题 2 分,共 44 分。
)1.PN结具有(单向导电)特性,即加正向电压时PN结(导通),加反向电压时PN结(截止)。
2.三极管的三个电极分别为(基极B)(集电极C)和(发射极E)。
3.三极管从结构上可分为(NPN )和(PNP)两种类型,根据使用的材料可分为(硅)管和(锗)管。
4.放大电路中的三极管有(共发射极)(共集电极)(共基极)三种接法,其中电压、电流放大倍数都比较大的是(共发射极)接法。
5.晶体三极管有(PNP)型和(NPN)型之分。
6.当晶体三极管的发射极(正偏),集电极(反偏)时,工作在放大区;发射极(正偏),集电极(正偏)时,工作在饱和区;发射极(反偏),集极(反偏)时,工作在截止区。
7.场效应管是一种(电压)控制器件,输入电阻(高)栅极电流(小)。
8.发光二极管是将(电)转变成(光);光电二极管是将(光)转变成(电)。
9.工作在放大状态的三极管可作为(放大)器件,截止、饱和状态的三极管可作为(开关)器件。
10.PNP型三极管处于放大状态时,三个电极中(集电)极电位最高,(发射)极电位最低。
1.硅二极管导通时的正向压降为( 0.7 )伏,锗二极管导通时的正向压降为(0.2 )伏。
12.放大器的输入电阻越(大)越好,输出电阻越(小)越好。
13.三极管各电极的电流分配关系是(IE=IC+IB )14.在基本放大电路中,如果静态工作点过高,容易出现(饱和)失真,如果静态工作点过低,容易出现(截止)失真。
15.利用半导体二极管的(单向导电)特性,将交流电压变换成(直流)电压的电路称整流电路。
16.三极管是(电流)控制器件,场效应管是(电压)控制器件。
17.一个100UF/16V 的滤波电容可以用(原型号电容)或(电压容量更大)的电容代换;一个2200PF/100V 的振荡电容只能用(同容量)的电容代换。
18.一个103M 的电容是(10000 )PF;一个474 的电容是(0.47 )UF。
电子技术试题及答案
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电子技术试题及答案一、选择题(每题2分,共20分)1. 在数字电路中,以下哪个符号表示逻辑与门?A. ∨B. ∧C. ⊕D. ⊃答案:B2. 以下哪个选项是二进制数1011对应的十进制数?A. 10B. 11C. 12D. 13答案:B3. 在模拟电路中,晶体管通常用于实现以下哪种功能?A. 放大B. 计算C. 存储D. 显示答案:A4. 以下哪个选项是电子电路中常用的电源电压?A. 3.3VB. 5VC. 12VD. 所有选项答案:D5. 以下哪个元件是数字电路中常用的存储元件?A. 电阻B. 电容C. 二极管D. 触发器答案:D6. 在电子电路中,以下哪个符号表示地线?A. VccB. VddC. GndD. Vss答案:C7. 以下哪个选项是电子电路中常用的逻辑门?A. 与门B. 或门C. 非门D. 所有选项答案:D8. 在数字电路中,以下哪个符号表示逻辑非门?A. ∨B. ∧C. ⊕D. ¬答案:D9. 以下哪个元件是模拟电路中常用的放大元件?A. 电阻B. 电容C. 晶体管D. 二极管答案:C10. 以下哪个选项是电子电路中常用的信号频率?A. 1MHzB. 100MHzC. 1GHzD. 所有选项答案:D二、填空题(每题2分,共20分)1. 在数字电路中,一个逻辑高电平通常表示为______。
答案:12. 在模拟电路中,一个信号的频率为1MHz,其周期为______秒。
答案:1×10^-63. 一个完整的数字电路通常由______、______和输出三部分组成。
答案:输入,处理4. 在电子电路中,一个5V的电源电压可以提供______毫安的电流给一个10欧姆的电阻。
答案:5005. 一个二进制数10110转换为十进制数是______。
答案:226. 在电子电路中,一个电容的容值为0.1F,其存储的电荷量为100C,则其电压为______伏特。
答案:17. 一个晶体管的放大倍数为100,当基极电流为1mA时,集电极电流为______安培。
电子技术基础试题
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电子技术基础试题库(第四版)第一章:半导体二极管一、填空题1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。
导体、绝缘体、半导体2、PN节具有__________特性,即加正向压时__________,加反向压时__________。
单向导电特性、导通、截止3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V,锗二极管导通时的正向管压降约__________V。
0.7、0.34、使用二极管时,应考虑的主要参数是__________、__________。
最大整流电流、最高反向工作电压5、在相同的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流,所以硅二极管的热稳定性较__________小、好6、根据导电能力来衡量,自然界的物质可分为 _______ 、_________和__________三类。
导体,绝缘体,半导体7、PN结具有 _____________性能,即加正向电压时PN结________,加反向电压时的PN结_________。
单向导电性,导通,截止二,判断题1、半导体随温度的升高,电阻会增大。
()N2、二极管是线性元件。
()N3、不论是哪种类型的半导体二极管,其正向电压都为0.3V左右。
()N4、二极管具有单向导电性。
()Y5、二极管的反向饱和电流越大,二极管的质量越好。
()N6、二极管加正向压时一定导通()N7、晶体二极管是线性元件。
()N8、一般来说,硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。
()Y三、选择题1、PN结的最大特点是具有()CA、导电性B、绝缘性C、单相导电性2、当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管()CA、立即导通B、到0.3V才开始导通C、超过死区压才开始导通D、不导通3、当环境温度升高时,二极管的反向电流将()AA、增大B、减少C、不变D、先变大后变小4、半导体中传导电流的载流子是()。
电子技术填空题
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s填空题1、杂质半导体有_________半导体和_________半导体,它们在电路中导电时只起_______作用。
N型、P型、电阻;2、当二极管加正向电压时,二极管就,而当二极管加反向电压时,二极管就,这叫二极管的特性。
导通、截止、单向导电3、半导体是一种导电能力介于_________ 与________之间的物体,其导电载流子有和两种。
4、二极管具有特性;当加电压时,二极管呈截止状态。
5、半导体中的载流子有______与_______两种,载流子的运动方式有运动和运动两种。
6、三极管是控制器件,具有作用,当其工作在放大区时发射结需要加偏置,集电结需要加偏置。
7、三极管是一种________型控制器件,具有_________作用,其工作状态分为________状态、________状态和________状态。
8、基本放大电路有共________,________,________三种组态,其中Au=1的是____________电路。
9、放大电路在静态工作点不合适时,会产生失真和失真,当输入信号过大时会产生失真。
饱和、截止、截顶(双向)10、在三极管多级放大电路中,已知Au1=0.99,Au2=40,Au3=-30,则其组态分别为:Au1是放大器,Au2是放大器,Au3是放大器。
(共基极或共集电极或共发射极)11、负反馈使放大电路的增益下降,但它可以放大倍数的稳定性、通频带和非线性失真。
12、基本逻辑运算有,,三种。
13、(9)D=()B,(1011)B=()D。
14、构成放大电路时,三极管的极不能作为输入端,极不能作为输出端。
15、集成运算放大器是一种(电压或电流)放大倍数很大、输入电阻高和输出电阻低的多级耦合放大电路,具有放大和_______作用。
16、理想运算放大器工作在线性区时有和两个重要结论。
17、乙类互补功放存在失真,可利用类互补功放来克服。
18、组合逻辑电路的输出只与当时有关,而与电路的无关。
电子技术基础考试必备(十套试题,有答案)
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电子技术基础试题(八)一.填空题:(每题3分,共30分)1、PN结具有__________性能。
2、一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_______.3、射极输出器放在中间级是兼用它的____________大和____________小的特点,起阻抗变换作用.4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻r s______时,负载获得的功率最大,这种现象称为______________。
5、运算放大器的输出是一种具有__________________的多级直流放大器。
6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有:______类功放,______类功放和_______类功放电路.7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较,前者加了偏置电路向功放管提供少量__________,以减少__________失真。
8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由__________ 、和___________四个部分组成。
9.逻辑代数的三种基本运算是 _________ 、___________和___________。
10.主从触发器是一种能防止__________现象的实用触发器。
二.选择题(每题3分,共30分)1.晶体管二极管的正极的电位是-10V,负极电位是-5V,则该晶体二极管处于:( ).A。
零偏 B.反偏 C。
正偏2.若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时,使该三极管:()。
A.集电极电流减小B.集电极与发射极电压V CE上升 C。
集电极电流增大3.某三级放大器中,每级电压放大倍数为Av,则总的电压放大倍数:()。
A.3A V B。
A3V C.A V3/3 D。
A V4.正弦波振荡器中正反馈网络的作用是:()。
A.保证电路满足振幅平衡条件B。
提高放大器的放大倍数,使输出信号足够大C。
使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激振荡5.甲类单管功率放大电路中结构简单,但最大的缺点是:().A。
电力电子技术填空题(附录)
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1、电子技术包括信息电子技术和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在开关状态。
当器件的工作频率较高时,开关损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为载波比,当它为常数时的调制方式称为同步调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为恒定的调制方式称为分段同步调制。
4、面积等效原理指的是,冲量相等而面积不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是电力MOSFET,单管输出功率最大的是GTO ,应用最为广泛的是IGBT。
6、设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即6U2,其承受的最大正向电压为2U2。
7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为有源逆变,如果接到负载,则称为无源逆变。
8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内,电流的通路为___VD1_;(2) t1~t2时间段内,电流的通路为__V1;(3) t2~t3时间段内,电流的通路为__VD2;(4) t3~t4时间段内,电流的通路为V2_;(5) t4~t5时间段内,电流的通路为__VD1;1、GTR存在二次击穿现象,IGBT存在擎住现象。
2、功率因数由基波电流移相和电流波形畸变这两个因素共同决定的。
3、晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R是均压_措施。
4、同一晶闸管,维持电流I H与擎柱电流I L在数值大小上有I L_ =(2~4) I H。
125、电力变换通常可分为: AC 变DC (整流) 、 DC 变AC (逆变) 、 AC 变AC 和 DC 变DC (斩波) 。
(完整版)数字电子技术-复习选择填空题汇总(精简)
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(完整版)数字电⼦技术-复习选择填空题汇总(精简)⼀、选择题:1、在下列逻辑电路中,不是组合逻辑电路的是(D)A、译码器B、编码器C、全加器D、寄存器2、下列触发器中没有约束条件的是(D)A、基本RS触发器B、主从RS触发器C、同步RS触发器D、边沿D触发器3、555定时器不可以组成D。
A.多谐振荡器B.单稳态触发器C.施密特触发器D.J K触发器4、编码器(A)优先编码功能,因⽽(C)多个输⼊端同时为1。
A、有B、⽆C、允许D、不允许5、(D)触发器可以构成移位寄存器。
A、基本RS触发器B、主从RS触发器C、同步RS触发器D、边沿D触发器6、某触发器的状态转换图如图所⽰,该触发器应是( C )A. J-K触发器B. R-S触发器C. D触发器D. T触发器7、⼗进制数6在8421BCD码中表⽰为-------------------------------------------------( B )A.0101B.0110C. 0111D. 10008、在图所⽰电路中,使__AY 的电路是---------------------------------------------( A )A. ○1B. ○2C. ○3D. ○49、接通电源电压就能输出矩形脉冲的电路是------------------------------------------( D )A. 单稳态触发器B. 施密特触发器C. D触发器D. 多谐振荡器10、多谐振荡器有-------------------------------------------------------------------------------( C )A. 两个稳态B. ⼀个稳态C. 没有稳态D. 不能确定11、已知输⼊A、B和输出Y的波形如下图所⽰,则对应的逻辑门电路是-------( D )A. 与门B. 与⾮门C. 或⾮门D. 异或门12、下列电路中属于时序逻辑电路的是------------------------------------------------------( B )A. 编码器B. 计数器C. 译码器D. 数据选择器13、在某些情况下,使组合逻辑电路产⽣了竞争与冒险,这是由于信号的---------( A )A. 延迟B. 超前C. 突变D. 放⼤14、电路和波形如下图,正确输出的波形是-----------------------------------------------( A )A. ○1B. ○2C. ○3D. ○415.在何种输⼊情况下,“与⾮”运算的结果是逻辑0。
电子技术题库填空
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电子技术题库填空会考电子线路填空1.半导体中参与导电的有和两种载流子。
2.二极管具有特性,此时二极管处于偏状态,所以测得的阻值较。
3.常用的滤波器有、、。
4.晶体三极管是控制型器件。
衡量晶体管放大能力的参数是,三极管的极限参数有、和。
5.场效应管是控制型器件,它是利用控制 .6.在多级放大器里,前级是后级的,后级是前级的。
7.射极输出器的特性归纳为电压放大倍数,电压跟随性好,输入阻抗,输出阻抗,而且具有一定的和功率放大能力。
8.直流放大器的两个特殊问题是和零点漂移问题,引起零点漂移问题的主要原因是,解决的办法是。
9.差动放大器中有用的信号是,需要抑制的信号是。
1.P型半导体中,是少数载流子,是多数载流子。
2.PN结具有性,即加电压时导通,加电压时截止。
3.要想使三极管能够进行正常的放大,则必须在发射结上加电压,集电结上加电压。
4.三极管属于控制型器件,而场效应管则属于控制型器件。
5.对于放大电路进行分析,常用的方法是、、。
6.若三极管的集电极电流为9毫安,该管的电流放大倍数为50,则其输入电流为毫安。
7.晶体三极管中,当输入电流一定时,静态工作点设置太低,将产生失真;静态工作点设置太高将产生失真。
8.多级放大器之间一般有三种耦合方式,即耦合、耦合、耦合。
9.负反馈对放大器性能主要有下列影响:使放大倍数,放大倍数的稳定性;波形非线性失真;通频带,并且了输入输出电阻。
10.射极输出器的特性归纳为:电压放大倍数,电压跟随特性好,输入阻抗,输出阻抗,且具有一定的放大能力和放大能力。
11.在固定偏置电路中,如实测出三极管的V C≈V G,则此三极管一定工作在状态。
12.只有当负载电阻R L和信号源的内阻r s 时,负载获得的功率最大,这种现象称为。
13.用于放大或的放大器,称为直流放大器。
14.在差动放大器中,共模信号的主要来源于和。
15.为了有效地抑制零点漂移,多级直流放大器的第一级一般采用电路。
1.最常用的半导体材料有和。
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电子技术填空题1.硅二极管导通时的正向压降为______。
2 .放大电路的失真分______ ﹑ ____两种。
3.三极管的直流电流放大倍数随着温度的升高而______。
4.已知某处于放大状态的三极管集电极电流为2mA ,发射极电流为2.02mA ,则该三极管的电流放大系数β为______.5.射极输出器的电压放大倍数近似等于______. 6.图示电路中,已知i 2V u =,则o u =______V .7.组合逻辑电路当前的输出状态与原来状态无关,仅由______的组合状态来决定。
8.硅二极管的死区电压约为__________V 。
9.图示为某放大电路的直流通路,I B 为0.03mA ,三极管的β为50,管压降U CE 为_________V 。
3.10 已知门电路的输入端A 、B 、C 及输出端F 的波形如图所示,则F 的逻辑表达式为_________。
11.用万用表的欧姆档测量二极管的正向电阻时,不同量程测得的电阻值_________。
12.集成运算放大器的输入部分通常是由_________放大电路组成的。
13.二进制数加法1+1=_________。
14.某晶体管电路中,已测得基极电流为10μA ,发射极电流为 1.01mA ,该三极管的电流放大倍数β为___________。
15.题图所示电路的输出电压u o 与输入电压u i 的关系式为 ___________,平衡电阻R b =_____16二进制数1001转换成十进制数=___________。
17.射极输出器的特点之一是输出电阻________。
18.为使运算放大器工作在线性区,必须引入________反馈。
19.逻辑电路如图所示,当输入端ABC 为11l 时,输出端F 为逻辑________。
20. 稳压二极管是工作于________。
21. 三极管的发射结正向压降随温度的升高而________。
22.三极管的某一条输出特性曲线是指当___________为一定值时I C 与U CE 的关系曲线。
23.一处在放大状态的三极管及其三个极的电流如示意图所示,则此三极管的β等于___________. 24.图示放大电路中,静态电流I C =2mA 时,耦合电容C 2上的直流压降等于___________.25.分立元件门电路如图所示,输入端A=B=“1”、C 端悬空,输出端F 的逻辑状态是___________. 26.要使三极管可靠的饱和导通,其基极电流I B 应大于_________.27.锗二极管导通时的正向压降为______。
28.如果放大电路的静态基极电流太小,将产生______失真。
29.射极输出器具有输入电阻高及输出电阻______的特点。
30 .造成固定偏置电压放大电路静态工作点不稳定的主要原因是________.31.某放大电路在负载开路时,输出4V电压;接入1kΩ负载后,其输出电压降为2V,则放大电路的输出电阻为________.32.已知逻辑门电路的输入端A、B、C及输出端F的波形如图所示,F的逻辑函数表达式应为________.33.图示逻辑电路,当A端加一正脉冲时,触发器状态为________.34 .半导体内的载流子越多,导电能力越________。
35.三极管的静态工作点过低,将使输出电压出现________失真。
36.单相桥式整流电路中,流过负载的平均电流为5A,则流过每个二极管的平均电流为________A。
30.题30图所示电路中,输入A与输出F的逻辑关系式为________。
31 .整流是利用二极管的特性。
32. 图示运算放大电路的输出电压u0= V.33.基本R—S触发器的两个输入端都接高电平时,触发器的状态为。
34. 三极管非门电路如图所示,图中二极管V的作用是。
35 .根据三极管结构的不同,有NPN和____________两种。
36.集成稳压器CW7815,其输出端与接“地”端的输出电压为____________。
37.PN结的基本特性是____________。
38 .N型半导体中多数载流子是_____________。
39.理想集成运算放大器同相输入端接地时,则称反相输入端为_____________端。
40.门电路如图所示,当输入端A=1、B=1、C=0时,输出端F应为_____________。
41 .PN结加反向电压时,其空间电荷区将______,使______运动占优势。
42理想运算放大器的开环电压放大倍数A u0的数值为______,差模输入电阻阻值为______。
43.逻辑图和输入A,B的波形如图所示,分析在t1时刻输出F=______,在t2时刻F=______。
44 .不加滤波器的由理想二极管组成的单相桥式整流电路的输出电压平均值为9V,则输入正弦电压有效值应为。
45.触发器两个输出端的逻辑状态在正常情况下总是。
46 .在如图所示电路中,若仅是R L增大,则电压放大倍数的绝对值将___________(增大?减小?或不变?),输出电阻值将___________(增大?减小,或不变?)。
47 电压并联负反馈使放大电路的输入电阻___________,输出电阻___________。
48 .二极管具有单向导电特性,其正向电阻远远___________反向电阻。
当二极管加上正向电压且正向电压大于___________电压时,正向电流随正向电压的增加很快上升。
49 .单相桥式整流电路,负载电阻为100Ω,输出电压平均值为10V,则流过每个整流二极管的平均电流为____________A.50.电路如图示,其输出端F的逻辑状态为____________.51 .或非门电路输入都为逻辑1时,输出为逻辑____________.52.逻辑图和输入A、B的波形如图所示,分析在t1瞬间输出F=_________,在t2瞬间输出F=_________。
53 .半导体二极管导通的条件是加在二极管两端的正向电压比二极管的死区电压________。
54.若给三极管发射结施加反向电压,可使三极管可靠的________。
55.组合逻辑电路当前的输出变量状态仅由输入变量的组合状态来决定,与原来状态________。
56 .放大电路的输出电阻越__________,说明带负载能力越强。
57.集成运算放大器构成减法运算电路时引入了__________(正/负)反馈。
58.自激振荡是指在没有外加__________的条件下,在电路内部自发地持续地产生具有一定频率和幅度的振荡。
59.为了提高放大电路的输入电阻,减小输出电阻,则应引入交流__________负反馈。
60.某单相半波整流电路,用直流电压表测得输出电压U O=18V,则变压器二次测电压的有效值为___________V。
61.逻辑代数中要消去多余变量,可利用公式A+AB=___________。
62.T触发器当输入信号T=0时功能为__________。
63 .已知某放大状态的晶体管 =99,I E=1mA,则I B=__________mA。
64.产生自激振荡的幅值平衡条件为AF=__________。
65.某单相半波整流电路,变压器副边电压的有效值U2=20V,则输出电压的平均值为__________V。
66.十进制数(74.56)10所对应的8421BCD码为(__________)8421BCD。
67 .T触发器的特性方程为__________。
68 .当温度升高时,晶体三极管的I CBO将____________。
69.在共射、共基、共集三种组态的基本放大电路中输出电阻最低的是____________放大电路。
70.负反馈有4种组态,若要求输入电阻高,稳定输出电流,在放大电路中应引入交流____________负反馈。
71 .在甲类、乙类和甲乙类三种类型的功率放大电路中,实际的小功率低频功率放大电路中,是采用的____________类放大电路。
72.十进制数(75)D所对应的二进制数为(____________)B。
73.在RC和LC正弦波振荡电路中,若要求产生50MH E的信号,应选用____________正弦波振荡电路。
74 .以空穴为多数载流子的半导体称为__________。
75.基本共射放大电路,如果静态时减小基极电阻R b,I C将__________。
76.功率放大电路按静态工作点设置不同分为__________类、乙类和甲乙类三种工作方式。
77.理想运放工作在线性区时,同相输入端与反相输入端电压__________。
78.半波整流电路,若输入交流电压有效值为U2,则整流管所承受的最大反向电压为_______。
79.在基本逻辑公式中A·A=______。
80.如果令J=K=1,则J—K触发器就转换成了__________触发器。
81 .在N型半导体中______是多数载流子。
82.基本放大电路的工作点偏高,则输出波形易出现______失真。
83.放大电路引入负反馈后,非线性失真______。
84.模拟集成电路是用来处理在时间上、数值上都______的电路。
85.RC正弦波振荡器振荡频率较低,一般在______Hz以内。
86.桥式整流电路,若输入电压有效值为20V,则整流后电压平均值为______。
87.在基本逻辑公式中A+A=______。
88.数字电路按功能可分为组合逻辑电路和______逻辑电路。
89 .D触发器的特性方程为______。
90 .多级放大器的输出电阻,由_______放大电路的输出电阻决定。
91.在并联型石英晶体振荡器中,石英晶体作为_______使用,组成电容三点式振荡器。
92.逻辑函数Y A BC=+的对偶式Y´_______。
93 .测得某双极型晶体三极管各极对地的电位如题图所示,则可知该晶体管工作在___________状态。
94.某开环放大电路的增益为1000,为使闭环增益降至10,则施加的负反馈深度应为__________。
95.在单相桥式整流电路中,输出电压平均值U o(A V)=10V,负载电阻R L=100Ω,则流过每个整流二极管的电流平均值I D(A V)为________A。
96. 在硅稳压二极管稳压电路中,电阻R的作用是___________。
97 题图所示逻辑电路化简为“与或”形式的逻辑式Y=________98 .晶体二极管的主要特性是正偏导通,反偏________。
100.若测得某双极型晶体管基极电流I B=10μA,集电极电流I C=1mA,则晶体管的电流放大倍数β=________。
101.基本放大电路的开环增益为100,若施加反馈深度为10的负反馈,则闭环增益降为________。