单片机FLASH与RAM、ROM的关系
单片机中的ROM,RAM和FLASH的作用
单⽚机中的ROM,RAM和FLASH的作⽤ROM,RAM和FLASH的区别，下⾯主要是具体到他们在单⽚机中的作⽤。
⼀、ROM,RAM和FLASH在单⽚中的作⽤ROM——存储固化程序的（存放指令代码和⼀些固定数值，程序运⾏后不可改动）c⽂件及h⽂件中所有代码、全局变量、局部变量、’const’限定符定义的常量数据、startup.asm⽂件中的代码（类似ARM中的bootloader或者X86中的BIOS，⼀些低端的单⽚机是没有这个的）通通都存储在ROM中。
RAM——程序运⾏中数据的随机存取（掉电后数据消失）整个程序中，所⽤到的需要被改写的量，都存储在RAM中，“被改变的量”包括全局变量、局部变量、堆栈段。
FLASH——存储⽤户程序和需要永久保存的数据。
例如：现在家⽤的电⼦式电度表，它的内核是⼀款单⽚机，该单⽚机的程序就是存放在ROM⾥的。
电度表在⼯作过程中，是要运算数据的，要采集电压和电流，并根据电压和电流计算出电度来。
电压和电流时⼀个适时的数据，⽤户不关⼼，它只是⽤来计算电度⽤，计算完后该次采集的数据就⽤完了，然后再采集下⼀次，因此这些值就没必要永久存储，就把它放在RAM⾥边。
然⽽计算完的电度，是需要永久保存的，单⽚机会定时或者在停电的瞬间将电度数存⼊到FLASH⾥。
⼆、ROM,RAM和FLASH在单⽚中的运作原理1、程序经过编译、汇编、链接后，⽣成hex⽂件；2、⽤专⽤的烧录软件，通过烧录器将hex⽂件烧录到ROM中注：这个时候的ROM中，包含所有的程序内容：⼀⾏⼀⾏的程序代码、函数中⽤到的局部变量、头⽂件中所声明的全局变量，const声明的只读常量等，都被⽣成了⼆进制数据。
疑问：既然所有的数据在ROM中，那RAM中的数据从哪⾥来？什么时候CPU将数据加载到RAM中？会不会是在烧录的时候，已经将需要放在RAM中数据烧录到了RAM中？答：（1）ROM是只读存储器，CPU只能从⾥⾯读数据，⽽不能往⾥⾯写数据，掉电后数据依然保存在存储器中；RAM是随机存储器，CPU既可以从⾥⾯读出数据，⼜可以往⾥⾯写⼊数据，掉电后数据不保存，这是条永恒的真理，始终记挂在⼼。
各类ROM.FLASH,RAM,内存芯片理解
接口ROM Real Only Memory，EEPROM .flash现在俗称都可以算ROMNAND FLASH 仅有IO口，地址和数据复用IO口，其他片选,时钟等类似，掉电保持。
可以将程序写在NAND中，ARM中有控制器会将NAND中的程序引导至片上RAM然后运行，读写是按扇区NOR FLASH 地址口，数据口分开，同时可以EIP,execute in place片上执行，听说是作为启动FLASH的好东西，读取方式和SDRAM是一样的EEPROM 在FLASH之前，统治ROM很久，目前使用的，最大区别是，读写简单，很多使用SPI或者I2C接口，存储用字节，很适合在程序运行过程中，存储一些运行数据，而FLASH更多用于存程序而不是运行数据，因为写入EEPROM写入要比FLASH简单RAM 各类SDRAM,SRAM,DRAM等都属于RAM。
RamdomAccessMemory，指能够在任意时刻在任意存储位置进行读写，读写速度与数据位置无关，区别于早期的顺序存储Sequential Access，如磁带等。
这里的随机，我个人觉得意思接近于随意，任意的意思，而不是随机的不定SRAM Static RAM，不需要刷新，既可以保持数据，掉电丢失。
贵，通常用于CPU内部的片上内存-Cache缓存DRAM dynamic RAM，区别于SRAM，需要刷新电路才可以保持数据，否则数据就会丢失。
掉电一样丢数据,一般以SDRAM形式出现。
SDRAM Synchronous Dynamic RAM，同步的DRAM，注意S是同步，不是静态！同步意思之前已经了解了，即通讯时双方需要建立时钟同步，CLK引脚实现。
时钟片选读写许可，地址口，数据口DDR SDRAM 有的时候会简称DDR，因为现在基础速度的SDRAM已经很落后，DDR-Dual Date Rate SDRAM,双倍速度，在CLK上升沿和下降沿均传输一次数据。
ROM,PROM,EPROM,EEPROM及FLASH存储器的区别
ROM,PROM,EPROM,EEPROM及FLASH存储器的区别在微机的发展初期，BIOS都存放在ROM（Read Only Memory，只读存储器）中。
ROM内部的资料是在ROM的制造⼯序中，在⼯⼚⾥⽤特殊的⽅法被烧录进去的，其中的内容只能读不能改，⼀旦烧录进去，⽤ 户只能验证写⼊的资料是否正确，不能再作任何修改。
如果发现资料有任何错误，则只有舍弃不⽤，重新订做⼀份。
ROM是在⽣产线上⽣产的，由于成本⾼，⼀般 只⽤在⼤批量应⽤的场合。
由于ROM制造和升级的不便，后来⼈们发明了PROM（Programmable ROM，可编程ROM）。
最初从⼯⼚中制作完成的PROM内部并没有资料，⽤户可以⽤专⽤的编程器将⾃⼰的资料写⼊，但是这种机会只有⼀次，⼀旦写⼊后也 ⽆法修改，若是出了错误，已写⼊的芯⽚只能报废。
PROM的特性和ROM相同，但是其成本⽐ROM⾼，⽽且写⼊资料的速度⽐ROM的量产速度要慢，⼀般只 适⽤于少量需求的场合或是ROM量产前的验证。
EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可编程ROM）芯⽚可重复擦除和写⼊，解决了PROM芯⽚只能写⼊⼀次的弊端。
EPROM芯⽚有⼀个很明显的特征，在其正⾯的陶瓷封装上，开有⼀个玻璃窗⼝，透过该窗⼝，可以看到其内部的集成电路，紫外线透过该孔照射内部芯⽚就可以擦除其内的数据，完成芯⽚擦除的操作要⽤到EPROM擦除器。
EPROM内资料的写⼊要⽤专⽤的编程器，并且往芯⽚中写内容时必须要加⼀定的编程电压（VPP=12—24V，随不同的芯⽚型号⽽定）。
EPROM的型号是以27开头的，如27C020(8*256K)是⼀⽚2M Bits容量的EPROM芯⽚。
EPROM芯⽚在写⼊资料后，还要以不透光的贴纸或胶布把窗⼝封住，以免受到周围的紫外线照射⽽使资料受损。
鉴于EPROM操作的不便，后来出的主板上的BIOS ROM芯⽚⼤部分都采⽤EPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦除可编程ROM）。
单片机存储器类型介绍
单片机存储器类型详解分为两大类RAM和ROM，每一类下面又有很多子类：RAM：SRAMSSRAMDRAMSDRAMROM：MASK ROMOTP ROMPROMEPROMEEPROMFLASH MemoryRAM：Random Access Memory随机访问存储器存储单元的内容可按需随意取出或存入，这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。
它的特点就是是易挥发性（volatile），即掉电失忆。
我们常说的电脑内存就是RAM的。
ROM：Read Only Memory只读存储器ROM 通常指固化存储器(一次写入，反复读取)，它的特点与RAM相反。
RAM和ROM的分析对比：1、我们通常可以这样认为，RAM是单片机的数据存储器，这里的数据包括内部数据存储器（用户RAM区，可位寻址区和工作组寄存器）和特殊功能寄存器SFR，或是电脑的内存和缓存，它们掉电后数据就消失了（非易失性存储器除外，比如某些数字电位器就是非易失性的）。
ROM是单片机的程序存储器，有些单片机可能还包括数据存储器，这里的数据指的是要保存下来的数据，即单片机掉电后仍然存在的数据，比如采集到的最终信号数据等。
而RAM 这个数据存储器只是在单片机运行时，起一个暂存数据的作用，比如对采集的数据做一些处理运算，这样就产生中间量，然后通过RAM暂时存取中间量，最终的结果要放到ROM的数据存储器中。
如下图所示：2、ROM在正常工作状态下只能从中读取数据，不能快速的随时修改或重新写入数据。
它的优点是电路结构简单，而且在断电以后数据不会丢失。
缺点是只适用于存储那些固定数据的场合。
RAM与ROM的根本区别是RAM在正常工作状态下就可以随时向存储器里写入数据或从中读取数据。
SRAM：Static RAM静态随机访问存储器它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
不像DRAM内存那样需要刷新电路，每隔一段时间，固定要对DRAM刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。
什么是ROM,RAM,EPROM,EEPROM,DRAM,Flash,MRAM,RDRAM,各有什么作用
一、什么是ROM，RAM，EPROM，EEPROM，DRAM，Flash，MRAM，RDRAM，各有什么作用什么是ROM，有什么作用简称：ROM 标准：Read Only Memory 中文：只读存储器只读存储器，这种内存 (Memory ) 的内容任何情况下都不会改变，计算机与使用者只能读取保存在这里的指令，和使用储存在ROM的数据，但不能变更或存入资料。
ROM被储存在一个非挥发性芯片上，也就是说，即使.Yco688 { display:none; } 简称：ROM标准：Read Only Memory中文：只读存储器只读存储器，这种内存 (Memory ) 的内容任何情况下都不会改变，计算机与使用者只能读取保存在这里的指令，和使用储存在ROM的数据，但不能变更或存入资料。
ROM被储存在一个非挥发性芯片上，也就是说，即使在关机之后记忆的内容仍可以被保存，所以这种内存多用来储存特定功能的程序或系统程序。
ROM储存用来激活计算机的指令，开机的时候ROM提供一连串的指令给中央处理单元进行测试，在最初的测试中，检查RAM位置(location)以确认其储存数据的能力。
此外其它电子组件包括键盘 (Keyboard ) 、计时回路(timer circuit)以及CPU本身也被纳入CPU的测试中。
什么是RAM，有什么作用简称：RAM标准：Random Access Memory中文：随机存储器随机存取内存，是内存(Memory)的一种，由计算机CPU控制，是计算机主要的储存区域，指令和资料暂时存在这里。
RAM是可读可写的内存，它帮助中央处理器 (CPU ) 工作，从键盘 (Keyboard ) 或鼠标之类的来源读取指令，帮助CPU 把资料 (Data) 写到一样可读可写的辅助内存 (Auxiliary Memory) ，以便日后仍可取用，也能主动把资料送到输出装置，例如打印机、显示器。
RAM的大小会影响计算的速度，RAM越大，所能容纳的资料越多，CPU读取的速度越快。
寄存器概念整理
寄存器、RAM、ROM、Flash相关概念区别整理寄存器寄存器是中央处理器内的组成部份。
它跟CPU有关。
寄存器是有限存贮容量的高速存贮部件，它们可用来暂存指令、数据和位址。
在中央处理器的控制部件中，包含的寄存器有指令寄存器(IR)和程序计数器(PC)。
在中央处理器的算术及逻辑部件中，包含的寄存器有累加器(ACC)。
存储器存储器范围最大，它几乎涵盖了所有关于存储的范畴。
你所说的寄存器，内存，都是存储器里面的一种。
凡是有存储能力的硬件，都可以称之为存储器，这是自然，硬盘更加明显了，它归入外存储器行列，由此可见——。
内存内存既专业名上的内存储器，它不是个什么神秘的东西，它也只是存储器中的沧海一粟，它包涵的范围也很大，一般分为只读存储器和随即存储器，以及最强悍的高速缓冲存储器（CACHE），只读存储器应用广泛，它通常是一块在硬件上集成的可读芯片，作用是识别与控制硬件，它的特点是只可读取，不能写入。
随机存储器的特点是可读可写，断电后一切数据都消失，我们所说的内存条就是指它了。
CACHE高速缓冲存储器（Cache）其原始意义是指存取速度比一般随机存取记忆体（RAM）来得快的一种RAM，一般而言它不像系统主记忆体那样使用DRAM技术，而使用昂贵但较快速的SRAM技术，也有快取记忆体的名称。
CACHE是在CPU中速度非常块，而容量却很小的一种存储器，它是计算机存储器中最强悍的存储器。
由于技术限制，容量很难提升，一般都不过兆。
ROM、RAM的区别：ROM（只读存储器或者固化存储器）RAM（随机存取存储器）ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。
ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），当数据被存入其中后不会消失。
RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash存储器区别
RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash存储器区别常见存储器概念：RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash存储器可以分为很多种类，其中根据掉电数据是否丢失可以分为RAM（随机存取存储器）和ROM（只读存储器），其中RAM的访问速度比较快，但掉电后数据会丢失，而ROM掉电后数据不会丢失。
在单片机中，RAM主要是做运行时数据存储器,FLASH主要是程序存储器,EEPROM主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据.FLASH:单片机运行的程序存储的地方。
SRAM：存储单片机运行过程中产生的了临时数据。
EEPROM：视用户的需要而定，一般用来存储系统的一些参数，这些参数可能需要修改，也可能不会修改。
ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。
ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
另外，一些变量，都是放到RAM里的，一些初始化数据比如液晶要显示的内容界面，都是放到FLASH区里的（也就是以前说的ROM区），EEPROM可用可不用，主要是存一些运行中的数据，掉电后且不丢失RAM 又可分为SRAM（Static RAM/静态存储器）和DRAM（Dynamic RAM/动态存储器）。
SRAM 是利用双稳态触发器来保存信息的，只要不掉电，信息是不会丢失的。
DRAM是利用MOS（金属氧化物半导体）电容存储电荷来储存信息，因此必须通过不停的给电容充电来维持信息，所以DRAM 的成本、集成度、功耗等明显优于SRAM。
SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。
DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
Flash、RAM、ROM的区别
一、ROM(Read Only Memory)ROM(Read Only Memory),只读存储器。
用来存储和保存数据。
ROM数据不能随意更新，但是在任何时候都可以读取。
即使是断电，ROM也能够保留数据。
ROM也有很多种:PROM是可编程一次性(无法修改)的ROM;EPROM是紫外线可擦除可编程的ROM；EEPROM是电可擦除可编程的ROM,按字节进行删除和重写,写入时间很长，写入很慢;现在多用作非易失的数据存储器。
特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1。
这是最传统的一种EEPROM，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。
具有较高的可靠性，但是电路复杂/成本也高。
因此目前的EEPROM都是几十千字节到几百千字节的，绝少有超过512K的。
二、RAM(Random Access Memory)RAM(Random Access Memory),随机存取存储器。
是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫内存。
它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介,当电源关闭时RAM不能保留数据。
RAM可以进一步分为静态RAM（SRAM）和动态内存（DRAM）两大类。
静态RAM（Static RAM/SRAM）:SRAM速度非常快，不需要刷新电路即能保存数据，是目前读写最快的存储设备了，但是集成度较低，非常昂贵，多用于CPU的一级缓存，二级缓存(L1/L2Cache)。
动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短(需要内存刷新电路，每隔一段时间，刷新充电一次，否则数据会消失)，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。
ROM RAM Flash区别
ROM和RAM区别ROM（Read Only Memory，只读存储器）在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，RAM（Random Access Memory，随机存取存储器）通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
ROM、PROM、EPROM、EEPROM区别ROM（Read Only Memory，只读存储器）：生产过程中烧录程序，用户无法更改。
在微机的发展初期，BIOS都存放在ROM中。
ROM内部的资料是在ROM的制造工序中，在工厂里用特殊的方法被烧录进去的，其中的内容只能读不能改，一旦烧录进去，用户只能验证写入的资料是否正确，不能再作任何修改。
如果发现资料有任何错误，则只有舍弃不用，重新订做一份。
ROM是在生产线上生产的，由于成本高，一般只用在大批量应用的场合。
PROM（Programmable ROM，可编程ROM）：用户可以烧录程序，但只能烧录一次。
由于ROM制造和升级的不便，后来人们发明了PROM。
最初从工厂中制作完成的PROM 内部并没有资料，用户可以用专用的编程器将自己的资料写入，但是这种机会只有一次，一旦写入后也无法修改，若是出了错误，已写入的芯片只能报废。
PROM的特性和ROM相同，但是其成本比ROM高，而且写入资料的速度比ROM的量产速度要慢，一般只适用于少量需求的场合或是ROM量产前的验证。
EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可编程ROM）：可重复擦除和写入，但操作不方便。
EPROM芯片有一个很明显的特征，在其正面的陶瓷封装上，开有一个玻璃窗口，透过该窗口，可以看到其内部的集成电路，紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据，完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。
EPROM内资料的写入要用专用的编程器，并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压（VPP=12~24V，随不同的芯片型号而定）。
EPROM的型号是以27开头的，如27C020(8*256K)是一片2M Bits容量的EPROM芯片。
rom、ram、flashmemory的区别(表格版)
存储设备存储器特点RAM Flash Memory ROM中文名称（Random Access Memory）的全名为随机存取器FLASH存储器又称闪存ROM（Read Only Memory）的全名为只读存储器电源关闭数据是否保留否是是主要分类SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）NOR Flash和NAND Flash型PROM、EPROM、E2PROM 速度较快较慢1ROM不同ROM 特点Mask ROMPROMEPROM E2PROM Flash ROM写入次数一次性由厂家写入数据，用户无法修改出厂并未写入数据，由用户编程一次性写入数据通过紫外光的照射，擦掉原先的程序。
芯片可重复写入通过加电擦出原数据，通过高压脉冲可以写入数据。
使用方便但价格较高，而且写入时间较长，写入较慢结构简单、控制灵活、编程可靠、加电擦写快捷的优点、而且集成度可以做得很高，它综合了：不会断电丢失（NVRAM），快速读取，点可擦写编程（E2PROM）产品实例Intel的28系列、Winbond公司的W27-29系列及AMD公司的29系列等U盘（NAND Flash）2Flash ROM存储器特点NOR Flash NAND Flash性能比较1、NOR Flash的读速度比NAND Flash的读速度；2、NAND Flash的写入速度比NOR Flash快很多；3、NAND Flash的4ms擦出速度远比NOR Flash的5s快。
大多数写入操作需要先进行擦除操作。
4、NAND Flash的随机读取能力差，适合大量数据的连续读写。
接口差别1、NOR Flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。
NAND Flash地址、数据和命令共用8位总线(Samsung公司某些新的NAND Flash有16位总线)，每次读写都要使用复杂的I/O接口串行地存储数据，8个引脚用来传送控制、地址和资料信息。
嵌入式学习之彻底搞清ROM、RAM、DRAM和FLASH
嵌入式学习之彻底搞清ROM、RAM、DRAM和FLASHROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。
ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
RAM有两大类，一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。
另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。
DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。
这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准-Rambus DRAM。
在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
内存工作原理：内存是用来存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存(即DRAM)，动态内存中所谓的“动态”，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。
具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。
51单片机的程序存储器和数据存储器
51单片机的程序存储器和数据存储器51单片机是一种常见的嵌入式微控制器，具备程序存储器和数据存储器，广泛应用于各个领域。
程序存储器用于存储和执行程序，而数据存储器用于储存运行过程中的变量和数据。
本文将详细介绍51单片机的程序存储器和数据存储器的特点和使用方法。
一、程序存储器程序存储器是51单片机中用于存储程序代码的地方。
它通常在芯片内部，有多种形式，常见的有ROM（只读存储器）和Flash（闪存）两种。
1. ROM存储器ROM存储器可以被写入一次，之后不能再改变。
它通常用于存储经常使用的不变的代码，例如启动程序、中断向量表等。
ROM存储器具有较高的稳定性和可靠性，在操作过程中不易出错。
但是，由于其只能被写入一次，因此对于频繁需要修改的程序代码来说，使用ROM存储器并不方便。
2. Flash存储器Flash存储器是一种可擦写的存储器，它可以多次写入和擦除。
这使得在51单片机的开发过程中，可以方便地修改和更新程序代码。
Flash存储器的优点是灵活性高，容易更新，但相对而言，稳定性较差，可能会出现擦除错误或写入错误的情况。
在使用Flash存储器时，需要注意以下几点：（1）在写入过程中，应该保证电源的稳定性，避免写入过程中电压异常导致写入错误。
（2）应该合理规划Flash存储器的中存储空间的物理布局，以方便程序的定位和管理。
（3）由于Flash存储器的写入次数是有限的，因此要尽量减少对其频繁的擦写。
二、数据存储器数据存储器是51单片机中用于存储程序运行中的变量和数据的地方。
它可以读取和写入，是程序运行和数据处理的重要组成部分。
数据存储器通常分为RAM（随机访问存储器）和SFR（特殊功能寄存器）两种。
1. RAM存储器RAM存储器是一种易读写的存储器，其存储空间较大，可以存储较多的变量和数据。
RAM存储器的读写速度较快，对于频繁读写的数据可以更快地进行处理。
但是，RAM存储器对电源的稳定性要求较高，断电会导致存储的数据丢失。
ROMRAMFLASH知识汇总
ROMRAMFLASH知识汇总ROM（只读存储器）：ROM是一种只能读取数据的存储器，它是一种非易失性存储器，不断电时数据不会丢失。
ROM是在制造时被写入数据的，因此它的内容在使用时不能被修改或删除。
ROM广泛应用于电子设备中，如计算机、手机、电视等。
ROM主要有以下几种类型：1. Mask ROM：也称为固化ROM，它是在制造过程中使用工艺将数据硬编码到存储芯片中的。
Mask ROM具有稳定的性能和可靠性，但其数据无法改变。
2.PROM（可编程只读存储器）：PROM可以在生产时由用户自行编程，但一旦编程完成，数据便无法修改或删除。
3.EPROM（可擦除可编程只读存储器）：EPROM在编程前需要先擦除数据，擦除方式可以通过紫外线照射或电子擦除。
擦除后，EPROM的存储单元可以重新编程，但编程次数有限。
4.EEPROM（电可擦可编程只读存储器）：EEPROM与EPROM相似，但擦除和编程过程可以在电子设备中进行，无需移除芯片。
EEPROM可以通过电压调节存储单元的电荷来编程和擦除数据。
5. Flash ROM：它是一种使用闪存技术的ROM，具有电可擦可编程的特性。
Flash ROM主要用于存储固件、操作系统和用户数据。
Flash ROM可以通过特定的技术和算法擦除和重新编程数据。
RAM（随机存取存储器）：RAM是一种适于读写操作的存储器，它可以读取或写入数据，并且数据可以随机访问，也能够将数据保存在电源关闭时。
RAM是一种易失性存储器，当断电时数据将丢失，因此通常需要一个电源来保持数据的持久性。
RAM有两种主要类型：1.SRAM（静态随机存取存储器）：SRAM使用触发器电路来存储每个位的数据。
SRAM速度快，存取时间短，但它的功耗较高，在相同容量下会占用较多的芯片面积。
2.DRAM（动态随机存取存储器）：DRAM使用电容来存储每个位的数据，每个位都需要不断刷新来保持数据的持久性。
DRAM速度相对较慢，但它的功耗低，在相同容量下占用较少的芯片面积。
ROM、RAM、Flash memory的区别
NAND Flash
性能比较
1、NOR Flash的读速度比NAND Flash的读速度；
2、NAND Flash的写入速度比NOR Flash快很多；
3、NAND Flash的4ms擦出速度远比NOR Flash的5s快。大多数写入操作需要先进行擦除操作。
4、NAND Flash的随机读取能力差，适合大量数据的连续读写。
PROM、EPROM、E2PROM
速度
较快
较慢
ROM
不同ROM
特点
Mask ROM
PROMEPROME2 NhomakorabeaROMFlash ROM
写入次数
一次性由厂家写入数据，用户无法修改
出厂并未写入数据，由用户编程一次性写入数据
通过紫外光的照射，擦掉原先的程序。芯片可重复写入
通过加电擦出原数据，通过高压脉冲可以写入数据。使用方便但价格较高，而且写入时间较长，写入较慢
2、NAND Flash读和写操作采用512B的块，有点像硬盘管理操作。因此基于NAND Flash结构可以取代硬盘或其他设备。
容量和成本
1、NAND Flash的单元尺寸几乎是NOR Flash的一半，由于生产过程更为简单，NAND Flash结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也相应地降低了价格。
接口差别
1、NOR Flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND Flash地址、数据和命令共用8位总线(Samsung公司某些新的NAND Flash有16位总线)，每次读写都要使用复杂的I/O接口串行地存储数据，8个引脚用来传送控制、地址和资料信息。
ram和rom和flashrom...
ram和rom和flash rom的区别（The difference between ram andROM and flash ROM）The difference between RAM and ROM and Flash ROM 2009-08-12 16:31:50| computer | classification: Tags: | fontinSmall subscriptionRAM (Random Access Memory) the full name for random access memory, it is equivalent to the PC machine on the mobile storage, used for storage and preservation of data. It can read and write at any time, RAM is often used as an operating system or other temporary storage medium is running a program (called system memory).However, when the RAM data can not keep power off, if you need to save the data, you must write them to a long-term memory (such as disk). Because of this, sometimes called RAM "variable memory". RAM memory can be further divided into static RAM (SRAM) and dynamic memory (DRAM) two categories. Because DRAM has the unit capacity of low price, so it is widely adopted as the main memory system.ROM (Read Only Memory) the full name is read only memory, it is equivalent to the PC machine on the hard disk, used for storage and preservation of data. ROM data can not be updated, but can be read at any time. Even if it is off, ROM will be able to retain data. But data but write only with special method or no change, so ROM used in embedded systems use as storageoperating system. Now on the market mainstream PDA ROM size is 64MB and 128MB.Compared to RAM and ROM, the biggest difference is the RAM in the power after stored in the above data will disappear, and will not be ROM.Because of the characteristics of ROM is not easy to change to update the information becomes quite troublesome, so was the development of Flash Memory, Flash Memory ROM has no power to maintain the benefits of data, and can change the data when needed, but the price is higher than the ordinary ROM.SRAM is very fast, read and write the fastest storage devices at present, but it is also very expensive, so only in very demanding place, such as a CPU buffer, two level buffer. Dynamic RAM (Dynamic RAM/DRAM) to retain data in a very short time, speed is slower than SRAM, but it is faster than any ROM DRAM, but from the price is much cheaper than SRAM, the computer memory is DRAM.DRAM is divided into many kinds, there are FPRAM/FastPage, EDORAM, SDRAM, DDR, RAM, RDRAM, SGRAM and WRAM are common, this paper introduced a DDR RAM the.DDR RAM (Date-Rate RAM) also known as DDR SDRAM, the improved RAM and SDRAM are basically the same, the difference is that it can read and write data two times in a clock, so the data transmission speed is doubled. This is the most used in computer memory, and it has a cost advantage, in fact beat another memory standard Rambus Intel DRAM. In many high-end graphics card,equipped with high-speed DDR RAM to improve the bandwidth, pixel shader can greatly improve the ability of the 3D accelerator.The working principle of memory: memory is used to store the currently in use (i.e., implementation) data and programs, we usually mentioned in the computer's memory refers to dynamic memory (DRAM), dynamic memory in the so-called "dynamic" refers to when we write data to DRAM, after a period of time the data will be lost, therefore, the need for an additional set of memory refresh operation circuit.Specific process is this: the storage unit of a DRAM storage is 0 or 1 depending on whether there is a charge capacitor charge, on behalf of the 1, no charge on behalf of the 0. But for a long time, representing the 1 capacitor will discharge the capacitor will charge 0 absorption, which is why the loss of data; the refresh operation on a regular basis to check if the capacitor, power is greater than 1 / 2 of full power, that on behalf of the 1, and the capacitor charged; if the electricity is less than 1 / 2. Is that on behalf of the 0, and the capacitor discharge, in order to maintain the continuity of data.There are also many ROM, PROM is a programmable ROM, PROM and EPROM (erasable programmable ROM) the difference is, PROM is a one-time, is poured into the software, it can not be modified, this is an early product, is now impossible to use, while EPROM is out of the original program through the irradiation of ultraviolet light clean, is a common memory. Another EEPROM is through the electronic wipe out, the price is very high, writing for a long time, write very slow.For example, mobile phone software on the EEPROM, we call some of the last dialed number, temporarily exist in SRAM, not immediately written by recording (call records stored in EEPROM), because there was a very important job (call) to do, if the write, the long wait is to let users No.FLASH flash memory is known, it combines ROM and RAM strengths, not only with the electronic erasable programmable (EEPROM) performance, not the power loss of data at the same time can quickly read data (NVRAM, U and MP3 disk advantage) used in the memory. In the past 20 years, the embedded system has been using ROM (EPROM) as their storage devices, but in recent years Flash instead of a comprehensive ROM (EPROM) in embedded system status, for the storage of Bootloader and operating system or program code or directly when the hard disk (U disk).At present, there are mainly two kinds of Flash NOR Flash and NADN Flash. NOR Flash read and our common SDRAM read is the same, the user can run directly loaded in NOR FLASH inside the code, it can reduce the capacity of SRAM so as to save costs. NAND Flash did not take the random access memory technology, it is to read a read block form, usually a read 512 bytes, using this technology, Flash is cheap. The user cannot run NAND code on the Flash development board directly, so use a lot of NAND Flash in addition to the use of NAND Flah, also on a small NOR Flash to run boot code.General small capacity with NOR Flash, because the speed of reading,How to store important information such as the operating system, and large capacity with NAND FLASH, the most common NAND FLASH application is DOC using embedded system (Disk On Chip) and we usually use the "flash", can erase online. Currently on the market mainly from Intel AMD, FLASH, Fujitsu and Mxic, the main manufacturers producing NAND Samsung and Flash Toshiba and Hynix.This article from the CSDN blog, please indicate the source: /zhang810413/archive/2008/07/14/2651106.aspxNow the MCU, RAM is mainly to do the runtime data memory, FLASH is the main program memory, EEPROM is mainly used to save some non-volatile data in the program.In addition, some variables are in RAM, some initialization data such as LCD to display the content of the interface, are in the FLASH district (formerly known as ROM EEPROM, said the district) available, mainly to save some operation data, after power off and not loseSave the temporary data and procedures SRAM, SDRAM are used to program work, because in the system after power is stored in the data will be lost.FLASH for the long-term preservation of data, such as: system configuration information, procedures etc..The SRAM interface circuit is simple, commonly used in small systems, the SDRAM interface is relatively complex, need thecorresponding controller support, but because of large capacity, low price, fast access speed, so it is commonly used in applications where high demands on memory capacity and processing speed, in this field, the corresponding processor (CPU) is with the SDRAM controller.DRAM is a dynamic memory (Dynamic RAM) is an abbreviation of SDRAM SynchronousDRAM English acronym, translated into Chinese is synchronous dynamic memory means. From a technical point of view, synchronous dynamic random access memory (SDRAM) is a synchronous control logic is added in the existing standard dynamic memory in (a state machine), using a single system clock synchronization of all address data and control signals. The use of SDRAM can not only improve the system performance, but also simplify the design, to provide high-speed data transmission. In function, it is similar to the conventional DRAM, and also need to refresh clock. It can be said that SDRAM is a kind of improved reinforced DRAM structure. At present, the SDRAM 10ns and 8NSWhat is the DRAM?DRAM (Dynamic RAM): dynamic random access memory.What is the SDRAM?SDRAM (Synchronous DRAM): synchronous dynamic random access memory. The 168 line 64bit memory bandwidth are basically using SDRAM chip, working voltage of 3.3V, the access speed of up to 7.5ns, and the fastest 15ns EDO memory. And RAM and CPU at the same clock frequency control, RAM synchronization and CPU FSB,cancel the waiting time. So the transmission rate of DRAM is faster than EDO.What is DDR SDRAM?DDR (Double Data Rate) SDRAM. Its core is based on SDRAM, but the speed has been improved. SDRAM only at the rising edge of the clock signal to read the data, while DDR in the rising and falling edge of the clock signal to read the data, therefore, it is more than 2 times faster than standard SDRAM.What is the RDRAM?RDRAM (Rambus DRAM): bus type dynamic random memory, is a patented technology of RAMBUS company and INTEL company put forward, its data transfer rate of up to 800MHZ, and its bus width is only 16bit, far less than the current SDRAM 64bit.What is the SPD?SPD (Serial Presence Detect): SPD is a 8 pin EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM electrically erasable programmable read-only memory), the capacity is 256 bytes, which mainly holds the relevant information in memory, such as capacity, chip manufacturers, memory module manufacturers, operating speed etc.. The contents of SPD in general by the memory module manufacturer writes. Support SPD motherboard automatic detection in SPD data at startup, and set the parameters of working memory.。
单片机指令的存储和读取方法
单片机指令的存储和读取方法单片机是一种集成了微处理器、存储器和各种输入输出接口的微型计算机系统，其核心是通过运行指令集来完成各种任务的。
在单片机系统中，指令的存储和读取是至关重要的环节。
本文将介绍单片机指令的存储方式和读取方法，并简要探讨其特点和应用。
一、指令的存储方式1. 随机存取存储器（RAM）随机存取存储器是单片机系统中常用的指令存储方式之一。
它具有读写速度快、容量大、易于编程等优点，在单片机中常用来存储程序。
RAM的存储空间以字节为单位，每个字节可存放一个指令。
2. 只读存储器（ROM）只读存储器是一种只能读取而不能修改的存储器，用于存放固定的指令或数据。
常见的ROM包括只读存储器（ROM、PROM、EPROM、EEPROM）和闪存存储器。
其中，ROM和PROM一旦程序/数据被烧写，就无法修改；而EPROM和EEPROM可以通过特定操作实现多次修改。
3. 快闪存储器（Flash）快闪存储器是一种常见的固态存储器，具有读取速度快、擦写次数多、体积小等特点。
它被广泛应用于单片机系统中，主要用于存储程序和数据。
二、指令的读取方法1. PC（程序计数器）方式PC方式是指单片机按顺序读取指令，并根据指令执行的需要，自动递增程序计数器的值，以读取下一个指令。
2. JMP（跳转）方式JMP方式是指单片机根据特定的条件跳转到指定的指令地址，以实现程序的非顺序执行。
常见的跳转指令有条件跳转和无条件跳转。
3. 子程序调用方式子程序调用方式是指通过CALL指令将程序执行的控制权转移到指定的子程序，并在子程序执行完毕后，通过RET指令返回到调用处，继续执行原程序。
三、指令存储与读取的特点和应用1. 特点指令的存储和读取在单片机系统中具有以下特点：- 存储方式多样：单片机支持多种存储方式，如RAM、ROM和Flash等，以满足不同场景下的存储需求。
- 读取方式灵活：单片机支持顺序读取、跳转和子程序调用等多种读取方式，以实现程序的高效执行。
单片机flash和ram-ROM的区别
单片机flash和ram/ROM的区别常规上ROM是用来存储固化程序的，RAM是用来存放数据的。
由于FLASH ROM比普通的ROM读写速度快，擦写方便，一般用来存储用户程序和需要永久保存的数据。
譬如说，现在家用的电子式电度表，它的内核是一款单片机，该单片机的程序就是存放在ROM里的。
电度表在工作过程中，是要运算数据的，要采集电压和电流，并根据电压和电流计算出电度来。
电压和电流时一个适时的数据，用户不关心，它只是用来计算电度用，计算完后该次采集的数据就用完了，然后再采集下一次，因此这些值就没必要永久存储，就把它放在RAM里边。
然而计算完的电度，是需要永久保存的，单片机会定时或者在停电的瞬间将电度数存入到FLASH里。
--ROM存放指令代码和一些固定数值，程序运行后不可改动；RAM用于程序运行中数据的随机存取，掉电后数据消失..code就是指将数据定义在ROM区域，具只读属性，例如一些LED显示的表头数据就可以定义成code存储在ROM。
ROM：（Read Only Memory）程序存储器在单片机中用来存储程序数据及常量数据或变量数据，凡是c文件及h文件中所有代码、全局变量、局部变量、’const’限定符定义的常量数据、startup.asm文件中的代码（类似ARM中的bootloader或者X86中的BIOS，一些低端的单片机是没有这个的）通通都存储在ROM中。
RAM：（Random Access Memory）随机访问存储器用来存储程序中用到的变量。
凡是整个程序中，所用到的需要被改写的量，都存储在RAM中，“被改变的量”包括全局变量、局部变量、堆栈段。
程序经过编译、汇编、链接后，生成hex文件。
用专用的烧录软件，通过烧录器将hex文件烧录到ROM中（究竟是怎样将hex文件传输到MCU内部的ROM中的呢？），因此，这个时候的ROM中，包含所有的程序内容：无论是一行一行的程序代码，函数中用到的局部变量，头文件中所声明的全局变量，const声明的只读常量，都被生成了二进制数据，包含在hex文件中，全部烧录到了ROM里面，此时的ROM，包含了程序的所有信息，正是由于这些信息，“指导”了CPU的所有动作。
RAM、ROM和FLASH三大类常见存储器简介
最近因为在找实习工作,做了一些大公司的硬件笔试题,发现很多公司都有
对存储器的考察,从来没有系统的整理过存储器的种类，是时候来一波整理了
以下主要讲了：RAM、ROM和FLASH三大类。
RAM包括：SRAM、DRAM、SDRAM、DDRSDRAM、DDR2SDRAM
和DDR3SDRAM
ROM包括：PROM、EPROM和EEPROM
FLASH包括：NORFLASH和NANDFLASH
RAM
速度最快，掉电丢失数据，容量小，价格贵
RAM英文名randomaccessmemory，随机存储器，之所以叫随机存储器
是因为：当对RAM进行数据读取或写入的时候，花费的时间和这段信息所
EEPROM：升级版，可以多次编程更改，使用电擦除
FLASH
掉电不丢失数据，容量大，价格便宜
FLASH：存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电
子可擦ห้องสมุดไป่ตู้可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读
取数据。分为NANDFLASH和NORFLASH，NORFLASH读取速度比
ROM
掉电不丢失数据，容量大，价格便宜
ROM英文名Read-OnlyMemory，只读存储器，里面数据在正常应用的时
候只能读，不能写，存储速度不如RAM。
PROM：（P指的programmable）可编程ROM，根据用户需求，来写入
内容，但是只能写一次，就不能再改变了
EPROM：PROM的升级版，可以多次编程更改，只能使用紫外线擦除
SDRAM是同步（S指的是synchronous）DRAM，同步是指内存工作需要
单片机中的ROM,RAM和FLASH的作用
单片机中的ROM,RAM和FLASH的作用一、ROM，RAM和FLASH在单片中的作用ROM存储固化程序的（存放指令代码和一些固定数值，程序运行后不可改动）c文件及h文件中所有代码、全局变量、局部变量、const限定符定义的常量数据、startup.asm 文件中的代码（类似ARM中的bootloader或者X86中的BIOS，一些低端的单片机是没有这个的）通通都存储在ROM中。
RAM程序运行中数据的随机存取（掉电后数据消失）整个程序中，所用到的需要被改写的量，都存储在RAM中，被改变的量包括全局变量、局部变量、堆栈段。
FLASH存储用户程序和需要永久保存的数据。
例如：现在家用的电子式电度表，它的内核是一款单片机，该单片机的程序就是存放在ROM里的。
电度表在工作过程中，是要运算数据的，要采集电压和电流，并根据电压和电流计算出电度来。
电压和电流时一个适时的数据，用户不关心，它只是用来计算电度用，计算完后该次采集的数据就用完了，然后再采集下一次，因此这些值就没必要永久存储，就把它放在RAM里边。
然而计算完的电度，是需要永久保存的，单片机会定时或者在停电的瞬间将电度数存入到FLASH里。
常规上ROM是用来存储固化程序的，RAM是用来存放数据的。
由于FLASH ROM比普通的ROM读写速度快，擦写方便，一般用来存储用户程序和需要永久保存的数据。
譬如说，现在家用的电子式电度表，它的内核是一款单片机，该单片机的程序就是存放在ROM 里的。
电度表在工作过程中，是要运算数据的，要采集电压和电流，并根据电压和电流计算出电度来。
电压和电流时一个适时的数据，用户不关心，它只是用来计算电度用，计算完后该次采集的数据就用完了，然后再采集下一次，因此这些值就没必要永久存储，就把它放在RAM里边。
然而计算完的电度，是需要永久保存的，单片机会定时或者在停电的瞬间将电度数存入到FLASH里。
--ROM存放指令代码和一些固定数值，程序运行后不可改动;RAM用于程序运行中数据的。
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单片机FLASH主要用作程序存贮器,就是替代以前的ROM,最大的有有点是降低了芯片的成本并且可以做到电擦写,目前市场上单片机的FALSH寿命相差比较大,擦写次数从1000~10万的都有,但存储时间可以保证40年,在选用时要注意.还有一些廉价的单片机为了集成可掉电的数据存储器,没有选用价格昂贵的EEPROM,而用FALSH来做的,但要注意其寿命最多就10万次,而且擦写不能字节擦写,这要注意使用的场合其寿命是否满足要求.
RAM是数据存储器,跟计算机里面的内存差不多,主要是用来存放程序运行中的过程数据,掉电后就会丢失之前的数据,所以程序在上电时需要进行初始化,否则上电后的数据是一个随机数,可能导致程序奔溃.
ROM就是程序存储器,掉电后数据不会丢失,但在程序运行过程中其数据不会改变.早期的单片机的ROM因为擦写修改麻烦,价格昂贵或者价格低廉的OTP型无法修改数据等原因已经被现在的FLASH存储器替代了.因为FLASH的擦写很容易,现在的部分单片机支持在线内部编程,通过特定的程序执行方式可以修改FALSH 的内容,而实现在线修改程序存储器.这与上面说的程序存储器的内容在运行的时候不可被改变是不冲突的,因为在程序正常运行时,其内容不会改变,只工作在只读状态下的.
现在的单片机,RAM主要是做运行时数据存储器,FLASH主要是程序存储
器,EEPROM主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据. 楼上说的很好
另外，一些变量，都是放到RAM里的，一些初始化数据比如液晶要显示的内容界面，都是放到FLASH区里的（也就是以前说的ROM区），EEPROM可用可不用，主要是存一些运行中的数据，掉电后且不丢失。