光刻工艺认识实验报告

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光刻实验报告小论文

摘要：光刻技术是半导体制造中至关重要的工艺，它决定了芯片的精度和性能。

本实验通过光刻工艺制备了硅片上的微结构，旨在了解光刻的基本原理、操作步骤以及影响光刻质量的关键因素。

本文详细描述了实验过程、结果分析及结论。

关键词：光刻；半导体；硅片；微结构；工艺1. 引言光刻技术是利用光学原理在硅片上形成微小图案的过程，是半导体制造的核心技术之一。

随着集成电路尺寸的不断缩小，光刻技术面临着越来越大的挑战。

本实验旨在通过实际操作，加深对光刻工艺的理解，并探讨影响光刻质量的因素。

2. 实验材料与设备2.1 实验材料：- 硅片（晶圆）- 光刻胶- 光刻掩模- 光刻机- 显微镜- 洗片机- 烘箱- 紫外线光源2.2 实验设备：- 光刻机- 显微镜- 洗片机- 烘箱- 紫外线光源3. 实验步骤3.1 光刻胶涂覆：1. 将硅片清洗干净，并干燥。

2. 将光刻胶均匀涂覆在硅片表面。

3. 将涂覆好的硅片放入烘箱中，进行前烘处理。

3.2 光刻掩模：1. 将光刻掩模放置在涂覆好光刻胶的硅片上。

2. 使用紫外线光源照射硅片，使光刻胶在掩模图案处发生交联反应。

3.3 曝光与显影：1. 将曝光后的硅片放入显影液中，使未曝光的光刻胶溶解。

2. 清洗硅片，去除未曝光的光刻胶。

3.4 后处理：1. 将显影后的硅片放入烘箱中，进行后烘处理。

2. 使用腐蚀液腐蚀硅片，去除未被光刻胶保护的部分。

4. 结果分析本实验成功制备了硅片上的微结构，观察结果如下：- 光刻胶在紫外线照射下发生交联反应，形成均匀的图案。

- 显影过程中，未曝光的光刻胶被溶解，从而实现了图案的转移。

- 后处理过程中，硅片表面形成了所需的微结构。

5. 结论本实验成功展示了光刻工艺的基本步骤，并验证了光刻技术在半导体制造中的重要性。

实验结果表明，光刻工艺的质量受到多种因素的影响，如光刻胶的选择、曝光时间、显影条件等。

因此，在实际生产中，需要严格控制光刻工艺参数，以确保光刻质量。

6. 讨论本实验中，光刻胶的选择对光刻质量具有重要影响。

光刻工艺实践报告

光刻工艺实践报告一、实践目的本次实践旨在通过实践操作，深入了解光刻工艺的基本原理、流程和设备，提高自己的动手能力和解决问题的能力，为今后的学习和工作打下坚实的基础。

二、实践岗位认识与见解光刻工艺是微电子制造过程中的一种关键技术，它通过将设计好的图形转移到光敏材料上，形成电路、器件等微结构，是制造集成电路、MEMS、OPOS等器件的重要环节。

在实践过程中，我深刻认识到光刻工艺的复杂性和精细性，它要求操作人员具备高度的责任心和严谨的工作态度，以确保制造出的产品具有高度的可靠性和稳定性。

三、发现问题与解决问题的方法在实践过程中，我发现了一些问题，如光刻胶涂布不均匀、曝光过度或不足等。

针对这些问题，我积极向指导老师请教，并查阅相关资料，总结出了一些解决方法。

例如，对于光刻胶涂布不均匀的问题，可以采用多次涂布或调整涂布头位置的方法解决；对于曝光过度或不足的问题，可以通过调整曝光时间和光源的亮度来解决。

四、实践过程总结与收获通过本次实践，我对光刻工艺有了更加深入的了解，掌握了光刻机的基本操作和维护方法，提高了自己的动手能力和解决问题的能力。

同时，我也认识到了光刻工艺中存在的难点和挑战，如设备精度要求高、工艺参数复杂等。

针对这些问题，我认为可以通过加强设备维护和保养、提高操作人员的技能水平等方式来解决。

五、对实践不足之处的建议在实践过程中，我也发现了一些不足之处，如实践时间较短、实验条件不够完善等。

为了提高实践效果和质量，我建议延长实践时间，并加强对操作人员的培训和指导，同时完善实验设备和环境。

六、个人体会与收获通过本次实践，我深刻体会到了理论与实践相结合的重要性。

在今后的学习和工作中，我将继续加强自己的实践能力和动手能力，不断探索和创新，为微电子制造领域的发展做出贡献。

光刻实验

光刻实验一．实验目的了解光刻在集成电路工艺中的作用，熟悉光刻工艺的步骤和操作。

二．实验仪器及材料仪器设备：匀胶机、移液器、URE-2000/17型光刻机、真空泵、烘胶机化学药品：RFJ-210 负性光刻胶、显影液、漂洗液、蚀刻液(CuCl2溶液)、清水，铜片三．实验步骤（过程）1.匀胶匀胶机，RFJ-210 负性光刻胶①打开真空泵电源②将铜片用镊子取出，放在吸盘中央③按下光刻机上“Manual/Suck”按钮或“START”按钮，真空泵工作让硅片被吸紧④在设定时间内涂胶，涂胶完成后将移液器放在架子上⑤待旋转停止后，关闭真空泵电源⑥按“Manual/Suck”键释放硅片，将硅片取出，观察2.前烘用镊子将铜片放在热板（90 ℃）上烘烤90s.图1 前烘图2 后烘3.光刻在URE-2000/17型光刻机上对前烘后的铜片进行曝光①打开光刻机电源，移开光学镜筒，将铜片放在吸盘上并使其工作吸住铜片②拨动仪器右边“硅片”拨钮使铜片固定，旋转Z轴旋钮使铜片向下移动一点③盖上掩模版，按“掩模”键固定掩模版位置④调节Z轴旋钮使铜片与掩模版贴紧，按“气浮”键锁紧球气浮⑤分别调节三个旋钮使铜片与掩模版上图形重合并良好接触⑥拨动“工作台”拨钮使工作台固定⑦移回光学镜筒使其对准掩模位置，按“曝光”键进行曝光（1min）图3 移开光学镜筒图4 盖上掩模版并调节其位置图5 调节铜片位置使其与掩模版贴紧图6 紫外曝光3.显影将曝光后的铜片在显影液中浸渍5min，取出铜片在漂洗液中漂洗2min图7 显影图8 漂洗4.后烘将漂洗后的铜片取出用镊子放在热板（150℃）上烘烤3min5.蚀刻将铜片放入CuCl2溶液中进行蚀刻，10mins6.观察将蚀刻后的铜片取出用清水漂洗，待水分蒸干之后放在显微镜下观察图9 蚀刻后的铜片（裁剪）图10 在显微镜下观察（刻度尺对比）四．工艺参数涂布 23℃，旋涂，膜厚4.5~5.5μm前烘热板90℃×90sec曝光 30-40mJ/cm 2，1min ，紫外光显影 23℃，RFX-2277，5min ，浸渍漂洗 23℃，RFP-2202，2min ，浸渍后烘热板150℃×3min剥离 80℃，RBL-2304五．实验结果图11 显影后的光刻胶六．思考1.光刻胶旋涂质量如何？存在什么问题？原因是什么？答：（1）旋涂质量较好；（2）铜片表面旋涂光刻胶后存在少量呈波纹状发散的区域；存在少量小凸起。

光刻实验报告

光刻实验一．实验目的了解光刻在集成电路工艺中的作用，熟悉光刻工艺的步骤和操作。

二．实验原理光刻是一种复印图象与化学腐蚀相结合的综合性技术，它先采用照像复印的方法，将光刻掩模板上的图形精确地复制在涂有光致抗蚀剂的SiO2层或金属蒸发层上，在适当波长光的照射下，光致抗证剂发生变化，从而提高了强度，不溶于某些有机溶剂中，未受光照射的部分光致抗蚀剂不发生变化，很容易被某些有机溶剂溶解。

然后利用光致抗蚀剂的保护作用，对SiO2层或金属蒸发层进行选择性化学腐蚀，从而在SiO2层或金属层上得到与光刻掩模板相对应的图形。

（一）光刻原理图晶片表面必须有如照相底片般的物质存在，属于可感光的胶质化合物（光刻胶），经与光线作用和化学作用方式处理后，即可将掩膜版上的图形一五一十地转移到晶片上。

因此在光刻成像工艺上，掩膜版、光刻胶、光刻胶涂布显影设备及对准曝光光学系统等，皆为必备的条件。

三、实验药品及设备化学药品：光刻胶（正胶）、显影液：5‰ 氢氧化钠溶液、甲醇、蒸馏水、丙酮；实验仪器：匀胶台、烘胶台、光刻机、真空泵、气泵将掩模板覆盖在光刻胶上在紫外光下曝光在SiO 2衬底上涂覆光刻胶显影后经腐蚀得到光刻窗口四．实验步骤1.清洁硅片：去离子水和有机溶液冲洗，边旋转边冲洗，以去除污染物；2.预烘硅片：在烘胶台商烘干硅片，去除硅片上的水蒸气，使光刻胶可以更加牢固的粘结在硅片表面；3.涂胶：开启气泵，吸盘吸住硅片，在硅片上滴加适量的光刻胶；启动转台利用旋转产生的离心力使光刻胶均匀的涂覆在硅片表面；涂胶时间大约为1分钟左右；4.前烘：将硅片放在烘胶台上烘干，促使胶膜内溶剂充分的挥发掉，使胶膜干燥，增加胶膜与硅片之间的黏附性；5.曝光：接触式曝光，在光刻机上依次操作吸版吸片升降-接触密着曝光；曝光时间结束后取出硅片；6.显影：将曝光后的硅片在% NaOH碱溶液中进行显影操作，将为感光部分的光刻胶溶除，以获得所需的图形；显影后的硅片应立即用去离子水冲洗，之后将硅片放在匀胶机上旋转甩干上面的水渍；7.后烘：将甩干后的硅片在烘胶台上烘干再次烘干，使显影后的光刻胶硬化，提高强度；8.观测：在显微镜下观测拍照。

SPM光刻工艺的研究报告

SPM光刻工艺的研究报告2022/4/23在这篇文章中，我们华林科纳演示了在钛薄膜上形成纳米尺度阳极氧化物的设备，以及在接触或半接触模式下使用NTMDT公司的求解器PROTM AFM对其进行表征。

众所周知，在电场的影响下，当不同材料的表面相对于带负电的电极带正电时，氧化膜在表面上生长，这种电化学反应被称为阳极氧化，在图1中，显示了老挝的原理方案，在空气或任何潮湿的大气中，探针和样品表面通常被一层吸水薄膜覆盖。

当尖端足够接近表面时，这些被吸收的层接触并通过毛细作用形成电解质桥。

在尖端施加负电压时，尖端下方的钛表面将发生电化学反应。

为了减小尖端和表面之间的水桥直径，我们建议根据W和TI的耐火化合物选择特殊的硬涂层，为了达到所需的特性，开发了用于老挝的硅悬臂梁的TIOx和W2C涂层，使用了阴极电弧沉积技术，这种方法允许沉积表面粗糙度约为0.1nm 的超薄连续非晶薄膜，低粗糙度是非常重要的，因为在氧化过程中表面形貌在几纳米内发生变化，其他低粗糙度薄膜沉积技术，如分子束外延也可以使用。

为了获得老挝表面的尖端，我们使用了我们的标准，能够执行定位软件及其光刻选项。

光刻窗口的一般视图如图所示3，使用我们的光刻软件，可以使用网格板，用电脑鼠标点击选择不同的几何图形，并绘制点、线、正方形、矩形、圆形和弧形，偏置电压及其脉冲持续时间也可以在很宽的范围内变化，高达4096×4096点的高级分辨率模式允许用户在大面积上书写复杂的图案，也可以加载位图文件或商用文件。

图4显示了使用NANOLITHTM软件的光栅模式老挝的典型示例，在加载位图掩模之后，在扫描期间，在最小和最大掩模色调之间成比例地施加电压，并且阳极氧化物生长到不同的高度，以给出几纳米尺度的浮雕。

传统的压电管扫描仪具有较大的残余非线性和蠕变效应，这些干扰极大地影响了光刻操作的性能，在求解器PRO™AFM中，我们解决了这一关键问题，为了提高扫描性能，扩大仪器功能，增加了使用等效扫描仪技术的闭环控制，闭环等效器(CLE)扫描仪是工作扫描仪的外部双胞胎，它有电容传感器，可以记录扫描仪在X、Y和Z尺寸上的实际运动。

微电子光刻实习报告

一、实习背景随着科技的飞速发展，微电子技术已成为当今世界最具活力和竞争力的领域之一。

光刻技术作为微电子制造的核心环节，其精度和效率直接影响到集成电路的性能和成本。

为了深入了解光刻技术在微电子制造中的应用，提高自身实践能力，我于20xx年xx月至20xx年xx月在某知名半导体公司进行了为期一个月的微电子光刻实习。

二、实习单位及部门简介实习单位为我国某知名半导体公司，成立于20xx年，主要从事集成电路设计、制造和销售业务。

公司占地面积约1000亩，员工人数超过2000人，是我国半导体行业的重要力量。

实习部门为公司光刻实验室，负责光刻工艺的研发、生产和质量控制。

实验室拥有国际一流的光刻设备，包括光刻机、显影机、清洗机等，具备年产百万片12英寸晶圆的能力。

三、实习内容1. 光刻原理及设备操作实习期间，我首先学习了光刻的基本原理，包括光刻工艺流程、光刻胶的特性、光刻机的结构及工作原理等。

随后，在导师的指导下，我亲自操作了光刻机，掌握了光刻机的基本操作方法。

2. 光刻工艺流程光刻工艺流程主要包括以下几个步骤：（1）晶圆清洗：使用去离子水和化学清洗剂对晶圆进行彻底清洗，去除表面的污垢、氧化物等杂质。

（2）光刻胶涂覆：将光刻胶均匀涂覆在晶圆表面，形成光刻胶膜。

（3）光刻：将涂覆光刻胶的晶圆放置在光刻机中，利用紫外光将光刻胶曝光，形成图案。

（4）显影：将曝光后的晶圆放入显影液中，使光刻胶发生溶解，形成图案。

（5）刻蚀：将显影后的晶圆放入刻蚀机中，利用刻蚀液将图案以外的材料刻蚀掉。

（6）清洗：将刻蚀后的晶圆放入清洗液中，去除残留的光刻胶和刻蚀液。

3. 光刻质量检测实习期间，我学习了光刻质量检测的方法和标准，包括光学显微镜、扫描电子显微镜等检测设备的使用。

通过对实际光刻晶圆的检测，我掌握了光刻质量的影响因素和改进措施。

四、实习收获1. 理论与实践相结合通过本次实习，我深刻认识到理论知识与实际操作的重要性。

在实习过程中，我将所学理论知识应用于实际工作中，提高了自己的实践能力。

光刻实验报告范文

光刻实验报告范文光刻技术是一种利用光的照射和反应来制作微纳米结构的制造技术。

光刻技术是微电子技术中最关键的技术之一，广泛应用于集成电路制造、光学元器件制造以及微纳米器件制造等领域。

本文主要介绍了光刻实验的目的、原理、实验步骤、结果与分析，并总结了实验过程中的问题和改进措施。

一、实验目的1.了解光刻技术的原理和应用。

2.学习掌握光刻胶的制备与涂覆技术。

3.熟悉光刻曝光机的操作方法及曝光参数的设置。

4.掌握光刻显影技术并获得良好的光刻图案。

二、实验原理光刻技术的基本原理是利用光敏感的光刻胶对光的照射产生化学或物理反应，然后通过显影处理使得被照射的区域得到显影和蚀刻，形成所需的微纳米结构。

三、实验步骤1.光刻胶的制备与涂覆准备好二甲苯、光刻胶、旋涂机等材料和设备，按照实验要求准备光刻胶溶液并进行涂覆。

2.光刻曝光将涂有光刻胶的硅片放入光刻曝光机中，设置好曝光参数，并进行曝光。

3.显影处理将曝光后的硅片放入显影液中，根据所需的蚀刻深度和图案要求控制显影时间。

4.蚀刻将显影后的硅片放入蚀刻机中，使用特定的蚀刻液对显影后的图案进行蚀刻，形成所需的微纳米结构。

5.清洗与检验清洗蚀刻后的硅片，去除掉多余的光刻胶和蚀刻液，并使用显微镜或扫描电子显微镜对微纳米结构进行检验。

四、实验结果与分析在光刻实验中，我们制备了硅片上的微纳米结构，并根据实验要求进行了显影处理和蚀刻。

最终得到的微纳米结构清晰可见，形状规整，大小符合设计要求。

通过显微镜观察，我们可以看到各个结构之间的间隔很小，达到了高分辨率的要求。

五、实验中遇到的问题与改进措施在实验过程中，我们遇到了涂覆光刻胶时出现的气泡和划痕等问题，可能是由于操作不当或设备问题导致。

为了解决这些问题，我们可以在涂覆前进行适当的气泡去除和清洗工作，确保涂覆的光刻胶均匀无气泡。

另外，我们也应该注意加强设备的维护和保养，确保设备的正常运行。

光刻技术是一种高精度、高分辨率的微纳米结构制造技术。

光刻研究报告

光刻研究报告光刻研究报告一、研究背景光刻技术是一种制造微电子器件的关键工艺之一，也是集成电路制造中不可或缺的技术。

通过使用光刻机，可以将电路图案光绘在硅片上，从而实现微电子元器件的制造。

随着芯片制造工艺的进一步提高和集成度的增加，对光刻技术的要求也越来越高。

因此，深入研究光刻技术，提高其分辨率和精度，对于推动微电子领域的发展具有重要意义。

二、研究内容本次研究主要围绕光刻技术的分辨率提高和精度控制展开。

通过对现有光刻机的改进和优化，结合新材料和工艺的研究，以及对光刻机参数的调整和优化，旨在提高光刻技术的精度和分辨率，并探索其在微电子器件制造中的应用。

三、研究方法1. 理论分析：通过光刻技术的基本原理和光学模型，对光刻过程进行分析，提出优化方案；2. 实验研究：通过搭建实验平台，对不同材料和参数进行光刻实验，获取实验数据并进行分析；3. 参数调整：根据实验结果，对光刻机的参数进行调整，以获得更好的光刻效果；4. 评估和验证：通过对比实验得到的结果与理论模型的预测结果进行比较，评估和验证研究成果的可行性和有效性。

四、预期成果1. 提高光刻技术的分辨率：通过改进光刻机设计和参数调整，预计能够实现更高的分辨率，满足微电子器件制造的需求；2. 改进光刻技术的精度控制：通过对光掩膜材料和工艺的研究，预计能够实现更好的精度控制，减少制造过程中的误差；3. 探索光刻技术在微电子器件制造中的应用：通过对光刻技术的改进和优化，预计能够拓展其在微电子领域的应用领域，提高芯片制造的效率和性能。

五、研究意义本研究可为微电子器件制造提供更先进的工艺技术支持，提高芯片制造的效率和性能，推动微电子领域的发展。

同时，研究成果还可为相关领域的研究和应用提供参考，促进光刻技术在其他领域的创新和应用。

光刻技术调研报告

光刻技术调研报告光刻技术调研报告光刻技术，是一种重要的微电子制造工艺，用于在光刻胶上转移光刻胶模板上的图形，进而定义芯片的图案。

本文将对光刻技术进行调研，探讨其基本原理、应用领域以及发展趋势。

一、光刻技术基本原理光刻技术主要基于光照物理的原理。

在光刻过程中，首先将感光胶涂布在半导体材料表面，在通过掩模板的光照作用下，光线通过透射或反射的方式将掩膜上的图形转移到感光胶表面。

随后进行显影、退火等一系列工艺步骤，最终得到所需的微米级芯片图案。

二、光刻技术应用领域光刻技术广泛应用于半导体制造、光学器件制造等领域。

1. 半导体制造：在集成电路的制造过程中，光刻技术起到关键作用。

通过光刻技术可以在硅片表面定义出细微的结构，如晶体管、电容器等。

这些结构对于芯片的电子性能非常重要。

2. 光学器件制造：光学器件制造也需要借助光刻技术。

例如，光通信器件中的波导、滤波器、光阈元件等都需要使用光刻技术进行微米级图案定义，以实现高精度的光学性能。

三、光刻技术发展趋势1. 技术精度的提高：随着芯片制造工艺的不断进步，对于光刻技术的要求也越来越高。

未来的光刻技术将更加注重精度的提升，以实现更小尺寸、更高集成度的芯片制造。

2. 多层次刻蚀技术的应用：为了满足芯片的多功能需求，多层次刻蚀技术逐步应用于光刻工艺中。

通过多次光刻、刻蚀的方式，可以实现芯片各个层次的图案定义，拓展了光刻技术的应用范围。

3. 高分辨率光刻技术的发展：随着科学技术的进步，高分辨率光刻技术也得到了快速发展，不断提高图案的分辨率。

这将为微电子制造提供更高的制造精度和效率。

总之，光刻技术是微电子制造中至关重要的一环，其应用广泛且日益发展。

随着科技的不断进步，光刻技术将在制造工艺、精度提升、应用领域拓展等方面继续发展，为微电子产品的制造提供更多可能性。

_光刻技术与工艺

实验九光刻技术与工艺一、实验内容与目的本实验通过光刻技术与工艺的学习，初步掌握制造微细图案的基本原理与技术工艺。

二、实验原理1.光刻原理自从1959年光刻技术（photolithography）诞生以来，它已成为微米和纳米制造领域里最成功和成熟的一项技术，迄今为止世界上所有的大规模集成电路如电脑的处理器、存储器等均是通过这一技术工艺生产制造的，近年来又成为平板显示器如液晶、等离子显示器生产的关键技术。

光刻技术是指通过紫外光、电子束、准分子激光束、X射线、离子束等曝光光源的照射或辐射，使光刻胶的溶解度发生变化，经显影等过程，在光刻胶上形成微细图案，并通过等离子刻蚀、金属蒸镀等后续工艺将所需要的微细图形转移至待加工的衬底上，最终获得半导体器件。

集成电路在制造过程中经历了材料制备、掩膜、光刻、清洗、刻蚀、掺杂、化学机械抛光等多个工序，其中尤以光刻工艺最为关键，决定着制造工艺的先进程度。

随着集成电路由微米级向纳米级发展，光刻采用的光波波长也从近紫外区间的436nm、365nm波长进入到深紫外区间的248nm、193nm波长。

目前大部分芯片制造工艺采用了248nm和193nm技术。

光刻工艺是选用一定的曝光波长的光和适当的光致抗蚀剂，通过光刻掩膜版在薄膜或衬底材料表面进行有选择性的曝光成像，从而获得所需要的微细几何图形。

2.光刻工艺在微电子与光电子等微型器件的制备中，虽然各自光刻的目的要求和工艺条件有所差别，但其基本工艺过程是相同的，一般都要经过衬底清洗，涂胶，曝光，显影，坚模，腐蚀和去胶等工艺步骤。

由于光刻的环境和步骤对光刻质量有直接影响，因此必须严格按照工艺要求进行，使刻蚀出来的图案重叠精度高，清晰，没有钻蚀，毛刺，针孔和小岛等缺陷。

小面以正性光刻胶为例，说明在单晶硅衬底上的SiO2薄膜表面通过光刻工艺制备微细光刻图形，具体的光刻工艺流程包括八个步骤：衬底准备与清洗、镀膜；涂胶；前烘；曝光；后烘；显影；坚膜；检测。

关于光刻的实习报告

关于光刻的实习报告实习目的是，通过光刻技术领域专利审查相关工作岗位实习使我了解以后再光刻技术领域专利审查相关工作岗位工作的特点、性质，学习体验光刻技术领域专利审查相关岗位工作的实际情况，学习与积累工作经验，为以后真正走上光刻技术领域专利审查相关工作岗位做好岗前准备。

同时通过光刻技术领域专利审查相关工作岗位的实习，熟悉实际工作过程的运作体系和管理流程，把自己所学光刻技术领域专利审查工作岗位理论知识应用于实际，锻炼光刻技术领域专利审查工作岗位业务能力和社会交际实践能力，并在工作中学习光刻技术领域专利审查相关工作岗位的新知识，对自己所学的知识进行总结并提升，以指导未来在光刻技术领域专利审查相关工作岗位的学习重点和发展方向。

201×年03月01日～201×年06月15日(修改成自己光刻技术领域专利审查相关工作岗位实习时间)苏州市经济开发区江南大道(修改成自己光刻技术领域专利审查工作岗位实习地点) 江苏省苏杭教育集团(修改成自己光刻技术领域专利审查相关工作岗位实习单位)此处可以继续添加具体你光刻技术领域专利审查工作岗位实习单位的详细介绍我很荣幸进入江苏省苏杭教育集团(修改成自己光刻技术领域专利审查相关工作岗位实习单位)开展光刻技术领域专利审查岗位实习。

为了更好地适应从没有光刻技术领域专利审查岗位工作经验到一个具备完善业务水平的工作人员，实习单位主管领导首先给我们分发光刻技术领域专利审查相关工作岗位从业相关知识材料进行一些基础知识的自主学习，并安排专门的老前辈对光刻技术领域专利审查岗位所涉及的相关知识进行专项培训。

在实习过程，单位安排的了杜老师作为实习指导，杜老师是位非常和蔼亲切的人，他从事光刻技术领域专利审查相关工作岗位领域工作已经有二十年。

他先带领我们熟悉实习工作环境和光刻技术领域专利审查相关工作岗位的工作职责和业务内容，之后他亲切的和我们交谈关于实习工作具体性质以及光刻技术领域专利审查相关工作岗位容易遇到的问题。

《电子封装技术工艺综合实验》实验讲义实验一半导体光刻实验

《电子封装技术工艺综合实验》实验讲义实验一半导体光刻实验一、实验目的1、掌握基本的半导体光刻实验步骤；2、利用光刻和刻蚀将掩模板上的图形转移到衬底，完成图形转移；3、掌握相关光刻实验的设备的使用。

二、实验原理2.1光刻原理及其作用光刻就是将掩膜上的几何图形转移到覆盖在半导体晶片表面的对光照敏感的薄膜材料（光致刻蚀剂）上去的工艺过程。

这些图形确定集成电路中的各个区域，如注入区、接触窗口区、压焊区等。

由光刻工艺确定的抗蚀剂图形并不是最后器件的构成部件，仅是电路图形的印模，为了制备出实际的电路图形，还必须再一次把抗蚀剂图形转移至抗蚀剂下面组成器件的材料层上，也就是使用能够对非掩膜部分进行选择性去除的蚀刻工艺来实现图形转移。

因此光刻工艺是蚀刻工艺的前道工序，光刻对象是光照敏感的光致抗蚀剂，而蚀刻对象是能与蚀刻剂发生反应的器件材料层，如下图的光刻流程图所示。

光刻原理与照相相似，不同的是半导体晶圆代替了照相底片，光刻胶代替了感光涂层。

光刻胶主要成分是高分子有机物，在光照下有机物分子结构发生变化，进而使光刻胶性质发生变化，在与显影液接触时发生不同的反应，部分被溶解，部分被保留下来，由此完成图形由掩膜板向光刻胶的转移。

图1光刻工艺步骤2.2光刻胶的介绍光刻胶是一种有机化合物，受紫外曝光后，在显影溶液中的溶解度会发生变化。

晶片制造中所用的光刻胶通常以液态涂在硅片表面，而后被干燥成胶膜。

主要有正负两种性质的光刻胶。

负性光刻胶：负性光刻胶在曝光后硬化变得不能溶解。

正性光刻胶：正性光刻胶曝光后软化变得可溶。

2.3 光刻主要流程介绍1、表面处理晶圆容易吸附潮气到它的表面。

光刻胶黏附要求要严格的干燥表面，所以在涂胶之前要进行脱水烘焙和黏附剂的涂覆。

脱水烘焙的温度通常在140度到200度之间。

有时还要用到黏附剂，黏附剂通常使用HMDS （六甲基二硅胺脘）。

表面处理的主要作用是提高光刻胶与衬底之间的粘附力，使之在显影过程中光刻胶不会被液态显影液渗透。

光刻工艺认识实验报告(word文档良心出品)

光刻工艺认识实验报告一、光刻工艺操作1・硅片清洗和表面处理这个步骤由助教老师完成。

所用硅片尺寸：2英寸，厚度为400 Pm,单面抛光。

掺杂类型：p型。

2•涂胶匀胶机第一、二级转速和各转速的运转时间由助教提前设置好。

分別为:第…级转速500n/min,时间为3秒;第二级转速为4000n/min, 时间为60秒。

把处理好的硅片放在承片台正屮，按下吸片按钮，硅片被吸住。

检查确定被吸住后，开始滴加光刻胶，确保光刻胶覆盖整个硅片表面后停止。

之后，按下开始按钮，开始匀胶。

等匀胶结束后，按下吸片按钮。

取出硅片，检查匀胶效果。

光刻胶：KMPC5315（北京科华微电了材料有限公司）；匀胶机：SC-1B匀胶机，（北京金盛微纳科技有限公司）。

3•前烘检查确定匀胶效果符合要求后，将硅片放在热板上烘干2分钟, 温度为100°Co烘干结束后，取下硅片。

4•曝光将硅片放在曝光机内，设置好曝光时间9秒，开始曝光。

曝光结束后，取下硅片。

5•显影曝光结束后，将硅片浸没在显影剂中，左右晃动，时间为8秒。

8秒后，取出硅片放入去离子水屮清洗。

Z后，用氮气吹干表面残留的水。

6•镜检将显影结束后的硅片放在显微镜下，调节显微镜，知道看到清晰的光刻图案。

检查光刻质量。

二、光刻工艺中所用到的试剂及其作用1・光刻胶光刻胶：KMPC5315 （北京科华微电子材料有限公司）又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。

感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。

经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像。

作用主要有两个：一是将掩膜板上的图形转移到硅片表面的氧化层中；二是在后续工序中，保护下面的材料。

2•显影液正胶显影液（北京科华微电子材料有限公司），作用是使经曝光后产生的潜影显现成可见影像。

三、光刻工艺中的安全问题1 •匀胶过程光刻胶有刺激性气味，对皮肤也有腐蚀，操作必须在通风橱中进行，并戴好手套。

复制光刻技术实验报告(3篇)

第1篇一、实验目的1. 了解复制光刻技术的原理和过程。

2. 掌握复制光刻实验的操作步骤。

3. 分析实验结果，评估复制光刻技术的优缺点。

二、实验原理复制光刻技术是一种利用光刻胶作为感光材料，通过光照射在光刻胶上，使光刻胶发生化学反应，从而在半导体硅片上形成所需图案的工艺。

实验中，通过曝光、显影、刻蚀等步骤，将光刻胶上的图案转移到硅片上。

三、实验器材与材料1. 器材：紫外线光源、硅片、光刻胶、显影液、刻蚀液、刻蚀槽、显微镜等。

2. 材料：光刻胶、显影液、刻蚀液、硅片等。

四、实验步骤1. 准备工作：将硅片清洗干净，确保表面无尘埃、油脂等杂质。

2. 光刻胶涂覆：将光刻胶均匀涂覆在硅片表面，厚度约为10μm。

3. 烘干：将涂覆光刻胶的硅片放入烘箱中，烘干至光刻胶表面无液滴。

4. 曝光：将烘干后的硅片放入曝光机中，根据实验要求调整曝光参数，如曝光时间、功率等。

5. 显影：将曝光后的硅片放入显影液中，根据显影液的要求控制显影时间。

6. 观察与分析：用显微镜观察硅片表面的图案，分析光刻胶的感光性能和显影效果。

7. 刻蚀：将显影后的硅片放入刻蚀槽中，用刻蚀液进行刻蚀，根据刻蚀液的要求控制刻蚀时间。

8. 洗涤与干燥：将刻蚀后的硅片用清水冲洗干净，然后用吹风机吹干。

9. 实验数据记录与分析：记录实验过程中各参数，如曝光时间、显影时间、刻蚀时间等，并对实验结果进行分析。

五、实验结果与分析1. 光刻胶的感光性能：通过调整曝光参数，观察光刻胶的感光性能。

实验结果表明，光刻胶的感光性能良好，能够在曝光区域发生化学反应。

2. 显影效果：通过控制显影时间，观察硅片表面的图案。

实验结果表明，显影效果较好，图案清晰。

3. 刻蚀效果：通过控制刻蚀时间，观察硅片表面的图案。

实验结果表明，刻蚀效果较好，图案边缘整齐。

4. 优缺点分析：复制光刻技术具有以下优点：（1）工艺简单，易于操作；（2）图案精度高，可达到纳米级别；（3）成本低，适合大规模生产。

光刻实验

实验：光刻工艺一、引言光刻是一种复印图象和化学腐蚀相结合的综合技术。

它采用照相复印的方法，先将光刻掩模版上的图形精确地复印在涂有感光胶的二氧化硅或金属薄层表面，然后利用光刻胶的保护作用，对二氧化硅层(或金属薄层)进行选择性化学腐蚀，从而在二氧化硅(或金属薄层)上得到与光刻掩模版相应的图形。

光刻工艺是硅平面工艺中的关键工艺之一，光刻质量的好坏对半导体器件性能影响极大。

本实验要求同学对光刻工艺的原理及操作步骤有一个初步的了解。

二、光刻工艺的操作步骤及原理图1表示光刻工艺的一般流程，步骤2至步骤4必须在暗室内进行。

下面对整个光刻过程及原理进行简单的介绍。

1.清洗2.涂胶3.前烘4.对准曝光5.显影6.坚膜7.腐蚀 8.去胶图1光刻工艺流程图1.硅片的清洁处理待光刻的硅片表面必须保证清洁干燥，这样才能与光致抗蚀剂(即光刻胶)有很好的粘附，这是影响光刻质量的重要因素。

一般认为刚刚从高温炉内取出的氧化片或蒸发台内取出的蒸Al的片子，表面较清洁、干燥，不必再进行清洗，可直接涂光刻胶。

对已经沾污了的或存放时间较长的氧化片，必须按常规清洗硅片的方法(用І号、II号洗液)清洗，用去离子水冲洗、烘干，最后送入高温炉（700℃~900℃）通干氧5分钟处理后才能取出涂胶。

对于金属表面，就不能用І号、II号洗液清洗，可用有机溶剂丙酮、酒精水浴15分钟，再用去离子水冲洗，然后在红外灯下烘干，待涂胶。

2. 涂胶在待光刻的硅片表面涂上一层—定厚度且厚薄均匀、无灰尘杂物存在的光刻胶。

实验所用的光刻胶是正性光刻胶。

最常用的胶法是自转式旋转涂敷法，如图2所示。

硅片放在园盘转轴中心，采用真空吸附。

在硅片表面滴上光刻胶，开动马达，旋转园盘高速旋转，将胶甩开，在片子表面留下薄薄一层光刻胶。

光刻胶的厚度与光刻胶本身的浓度和园盘的转速有关。

对一定浓度的光刻胶来说，调节转速可以改变光刻胶的厚度。

转速越快，光刻胶膜越薄。

薄的光刻胶膜有利于细线条光刻，但胶膜针孔较多，抗蚀能力差，因而光刻胶的厚度要适当。

光刻实验报告

微加工技术实验报告一、实验名称：光刻二、实验目的：1.加深对光刻基本原理的理解，掌握光刻的基本实验步骤；2.培养自己的实验动手能力；三、实验原理：光刻是通过光化合反应，将掩膜版上的电路图图形暂时转移到覆盖在半导体晶体上的光刻胶，然后利用光刻胶为掩膜，对下方材料选择性加工（刻蚀或注入），从而在半导体晶片上获得相应电路图形。

一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。

1.表面清洗烘干目的是：（1）除去表面的污染物（颗粒、有机物、工艺残余、可动离子）；（2）除去水蒸气，使基底表面由亲水性变为憎水性，增强表面的黏附性。

2.旋涂光刻胶：决定光刻胶涂胶厚度的关键参数：光刻胶的黏度（Viscosity），黏度越低，光刻胶的厚度越薄；旋转速度，速度越快，厚度越薄；影响光刻胶均匀性的参数：旋转加速度，加速越快越均匀；与旋转加速的时间点有关。

一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关。

光刻胶分为正胶和负胶两种。

正胶，不溶于显影液；曝光后，曝光的部分可溶于显影液，从而在光刻胶上得到的图形与掩膜版上的一致。

正胶的优点是分辨率高、对比度高，线条边缘清晰，在深亚微米工艺中占主导地位。

负胶，溶于显影液；曝光后，曝光的部分不溶于显影液，从而在光刻胶上得到的图形与掩膜版上的相反。

负胶和硅片有良好的粘附性和抗蚀性，针孔少，感光度高但显影时会变形和膨胀，分辨率2um左右。

3.软烘（前烘）：通过加热去处光刻胶中的溶剂，改进其于硅片表面的粘附性及缓和光刻胶内部应力。

4.曝光：对光刻胶进行选择性光化学反应，将掩膜版图形转移到光刻胶。

常用的曝光方式有：接触式曝光和非接触式曝光。

接触式曝光具有分辨率高、复印面积大、复印精度好、曝光设备简单、操作方便和生产效率高等特点。

但容易损伤和沾污掩模版和晶片上的感光胶涂层,影响成品率和掩模版寿命,对准精度的提高也受到较多的限制。

一般认为，接触式曝光只适于分立元件和中、小规模集成电路的生产。