整流二极管基本原理PPT

有几只二极管并联，流经每只二极管的电流就等于总电流 的几分之一
整流元件的使用
有几只管子串联，每只管子承受的反向电压就应等于总电 压的几分之一。
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1 III.输出电压平均值： U SC 2

2
0
2 E2 u sc d (t ) 0.45E2
全波整流电路（单向桥式整流电路）
该电路可以看作是 由两个半波整流电 路组合而成的。变 压器次级线圈中间 需要引出一个抽头 把次级线圈分成两个对称的绕组，从而引出两个 大小相等，极性相反的两个电压，两个通路。
整流二极管主要用于各种低频整流电路。
整流电路的主要参数
一．整流输出电压的平均值与脉动系数 （衡量整流电路性能）
整流输出电压平均值：
1 Uo 2
比。

2
0
u o d (t )
U o1m
与平均值 U 之
O
脉动系数S： 定义为整流输出电压的基波峰值
整流电路的主要参数
二、平均电流与反向峰值电Fra Baidu bibliotek：
M
2 2E2
1 IR 2
0.9E2
桥式整流电路
其波形图和全波整流 是一样的，但该电路 每只二极管承受的反 向电压等于变压器次 级电压的最大值，比 全波整流电路小一半。
桥式整流电路
几种常见的硅整流桥外形：
整流元件的使用
在高电压或大电流的情况下，若手头没有承受高电压或整 定大电滤的整流元件，可以把二极管串联或并联起来使用
半导体物理器件
——整流二极管
基础知识
晶体二极管是一个由P型半导体和N型半导体烧结 而成的PN结面，在其界面的两侧形成的空间电荷 层，构成内建电场 因浓度差
多子的扩散运动 由杂质离子形成空间电荷区 阻止多子扩散 空间电荷区形成内建电场 动态平衡 利于少子漂移
基础知识
晶体二极管结构及其电路符号：
晶体二极管的主要特性：单向导电性 PN结正偏（P接+，N接-），二极管导通 即 PN结反偏（P接-，N接+），二极管截止 主要应用：整流、稳压、开关、限幅等。
整流二极管
将交流电能转变为直流电流电能的半导体器件
可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的 击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通 常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造。 这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达 上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以 下。
平均电流（ I D ）与反向峰值电压（ U M ） 是选择整流管的主要依据。
半波整流电路
该电路以“牺牲”一半交流为代价而换取整流的 效果，电流利用率很低，常用在高电压、小电流 的场合。
半波整流电路
I. 二极管上的平均电流： I D I R II. 二极管上承受的最高电压： U M 2E2
全波整流电路（单向桥式整流电路）
全波整流巧妙的利用了正 负半周，提高了整流效率 但需变压器有一个使两端 对称的次级中心抽头，制 作麻烦，且每只二极管承 受的最大反向电压，是变 压器次级电压最大值的两 倍，因此需用能承受较高 电压的二极管。
全波整流电路（单向桥式整流电路）
I. 二极管上承受的最大的电压： U II. 二极管上平均电流： I D III.输出电压的平均值： U sc