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1n5819修订:08年11月6日 1肖特基整流器,1.0 A. 1N5819 Vishay高功率产品特征 ?低轮廓,轴向引线轮廓 ?高频操作 ? 1n5819非常低的 正向压降 ?高纯度,高温环氧树脂封装增强机械强度和耐湿性 ?保护环增强耐用性和长期可靠性 ?无铅(Pb)电镀 ? 1n5819设计和合 格的工业水平描述 1N5819轴向引线肖特基整流器已经针对非常低的正向电压下降进行了优化泄漏.典型的应用是在开关电源电源, 转换器,续流二极管和反向电池保护.产品摘要 我 (AV) 1.0 A V R 40 V 我 RM在125°C时为12 mA DO-204AL阴极阳极主要额定值 和特性符号特性 VALUES单位 我 (AV)矩形波形 1.0一个 V RRM 40 V 我 FSM t p = 5微秒正弦 225一个 V F 1 Apk,T J = 25℃ 0.55 V T J范围 - 40至150 C额定电压参数符号 1N5819单位大直流反向电压 V R 40 V大工作峰值反向电压 V RWM绝对大额定值参数符号测试条 件 VALUES单位大平均正向电流见图. 4 我 (AV) T L = 90°C时 为50%占空比 ,矩形波形 1.0一个一个周期的大峰值不重复的浪涌 电流见图. 6 我 FSM 5μs正弦或3μs直流.脉冲在任何额定负载之后条件和额定 V RRM 应用 225 10 ms正弦或6 ms rect.脉冲 35 (1) 1n5819安装1“方形印刷电路板,1n5819热探头连接引线距离封装2毫米电气规格参数符号测试条件 VALUES单位大正向压降见 图. 1 V FM(1) 1 A T J = 25℃ 0.6 V 2 A 0.73 3 A 0.9 1 A T J = 125℃ 0.55 2 A 0.63 3 A 0.79大反向漏电流见图. 2 我 RM(1) T J = 25℃ V R =额定V R 1.0嘛 T J = 100℃ 6 T J = 125℃ 12大结电容 C T V R = 5 V DC (测试信号范围100 kHz至1 MHz)25°C 60 pF的典型的串联电 感 L S测量导线从包装体引出5 mm 8 nH的大电压变化率的dV / dt 额定V R 10 000 V /μs的热机械规格参数符号测试条件 VALUES单位 大的路口和存储温度范围 T J ,T Stg - 40至150 C大热阻,交界处 (1)直流操作见图. 4 80 °C / W大概的重量 0.33 G 0.012盎司标记设 备案例式DO-204AL(DO-41) 1N5819 1N5819肖特基整流器,1.0 A. Vishay高功率产品图1 - 大正向压降特性图2 - 反向电流的典型值与反向电压图3 - 1n5819典型结电容与反 向电压图4 - 1n5819典型允许的铅温度与平均正向电流图5 - 正向功率损耗特性注意 (1) 使用的公式:T C = T J - (Pd + Pd REV )× R thJC ; (I F(AV) / D) 处的 Pd =正向功率损耗= I F(AV) ×V FM (见图6); Pd REV =逆功率损耗= V R1 ×I R (1-D); I R 在V R1 = 80%额定V R正向电压降 - V FM (V) 0.1 1 10 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 Tj =150?C Tj =125?C Tj =25?C反向电压 - V R (V) 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 010 20三十 40 125?C 25°C T =150?C ? 10 100 0 10203040 50 T =25?C ?反向电压 - V R (V)平均正向电流 - I F(AV) (一个) 40 60 80 100 120 140 160 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 DC方波(D = 0.50)额定Vr适用见注(1) 0 0.2 0.4 0.6 0.8 0 0.5 1 1.5 DC RMS限制 D = 0.20 D = 0.25 D = 0.33 D = 0.50 D = 0.75 DC平均正向电流 - I F(AV) (A)
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