1N5819中文资料_数据手册_参数
贴片二极管型号、参数
相关型号
IS2836 IS2838 ISS223
ISS221
ISS123
Vr Min Vde
IF mA
VF
Vde
Min
IF mA
Ir
Max uA
VR
Trr ns
80 100
300
80
80 100
300
80
80 100
300
80
80 100
300
80
80 100
300
80
80 100
300
80
80 100
70 200
250
70
40 200 1 40
35
70 200 1 15
50
30 200 1 100 2 25
75 200 1 50
75
内部结构 STYLE
12 9
18 8 18 11 18 8 8 8 8 9 9 11 11 9 12 12 89 11 12 89 11 12 89 11 12 8
创作时间：二零二一年六月三十日
Trr (US)
封装方式 NOTE
1
30 1
1
4 SMA(D0214AC)
1
30 1
1
4 SMA(D0214AC)
1
30 1
1
4 SMA(D0214AC)
1
30 1
1
4 SMA(D0214AC)
1
30 1
1
4 SMA(D0214AC)
1
30 1
1
4 SMA(D0214AC)
30 1
20MA 4
D0214
55 55 55
in5819中文资料_数据手册_参数
TJ = 75oC TJ = 25oC
1N5819
Reverse Voltage (Volts)
Forward Voltage (Volts)
Reverse Voltage (VR) - Volts Page 7-3
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IN5817 20 20 20 14
IN5818 30 30 30 21
IN5819
40
Volts
40
Volts
40
Volts
28
Volts
Average Forward Rectified Current...IF(av) @ TA = 55°C
............................................. 1.0 ............................................... Amps
Typical Junction Capacitance...CJ
110
< ...................... .70 .................... > pF
Operating & Storage Temperature Range...TJ, TSTRG
....................................... -65 to 125 ............................................ °C
SS5819-1中文资料
STYLE
φB
φD
G
L
.028/.034 .08/.107 .160/.205 1.00/1.30
DO-41
0.71/0.86 2.03/2.72 4.06/5.21 25.4/33.02
SCHOTTKY BARRIER
1N5819UR-1
PACKAGE DIMENSIONS - INCHES ( MILLIMETERS)
UNIT Volts
µAmps mAmps
pF
• 221 West Industry Court Deer Park, NY 11729-4681 Phone (631) 586 7600 Fax (631) 242 9798 • • World Wide Web - • E-mail Address - sales@ •
MAXIMUM RATINGS RATING
CONDITIONS
All ratings are at TA = 25oC unless otherwise specified.
MIN
TYP
MAX
UNIT
Peak Inverse Voltage
←
(PIV)
-
-
45
Vdc
Average DC Output
100 125 °C
10-1
10-2
100 °C 25 °C
10-3 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 Forward Voltage Drop - V F (V)
Junction Capacitance - C T (pF)
Instantaneous Reverse Current - I R (mA)
电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印
电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印二极管是电子电路中常用的元件之一，其在电子电路中可以作为整流、检波、钳位保护等用途。
本文介绍一下电子爱好者搞电子制作时经常用到的一些二极管的主要电参数及封装丝印。
1、常用的整流二极管电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印1N4001整流二极管1N4001整流二极管是1N40xx系列中常用的管子，其耐压值为50V，整流电流为1A，在一些低压稳压电源中很常见。
对于直插的1N4001二极管，带有白色色环的那一端为负极（其它型号的直插二极管亦然）。
贴片封装的1N4001的丝印为M1，其参数与直插的1N4001的参数一样。
电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印贴片1N4001二极管电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印▲1N4007整流二极管1N4007二极管可以说是1N40xx系列中最常用的二极管，该管耐压值为1000V，整流电流为1A，其广泛用于电子镇流器、LED驱动器中作为低频高压整流。
电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印▲贴片1N4007二极管电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印▲1N5408整流二极管1N40xx系列二极管的整流电流为1A，若需要大电流整流，可以选用整流电流为3A的1N54xx的整流二极管。
其中1N5408是该系列中最常用的二极管。
该管的耐压值可达1000V。
电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印▲6A10整流二极管电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印▲10A10整流二极管若需要更大电流的整流二极管，可以选用6A10及10A10，它们的耐压值皆为1000V，整流电流分别为6A和10A。
2、常用的肖特基二极管肖特基二极管高频性能良好，正向压降小，多用于开关电源及逆变器中作高频整流。
电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印▲1N5819肖特基二极管1N5819肖特基二极管高频性能良好，正向压降低（在0.3V左右），在一些输出电流1A 以下的锂电池充电器中很常见。
肖特基二极管常用参数大全
肖特基二极管常用参数大全肖特基二极管常用参数大全肖特基二极管常用参数大全型号制造商封装 If/A Vrrm/V 最大Vf/V1SS294 TOS SC-59 0.1 400.60BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.5010MQ060N IR SMA 0.77 90 0.65 10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.9610BQ015 IR SMB 1.00 150.34SS12 GS DO214 1.00 20 0.50MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0.39 10BQ040 IR SMB 1.00 40 0.53RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 SS14 GS DO214 1.00 40 0.50MBRS140T3 ON - 1.00 40 0.6010BQ060 IR SMB 1.00 60 0.57 SS16 GS DO214 1.00 60 0.75 10BQ100 IR SMB 1.00 100 0.78MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.7510MQ040N IR SMA 1.10 40 0.51 15MQ040N IR SMA 1.70 40 0.55PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.4530BQ015 IR SMC 3.00 15 0.35 30BQ040 IR SMC 3.00 40 0.51 30BQ060 IR SMC 3.00 60 0.58 30BQ100 IR SMC 3.00 100 0.79 STPS340U STM SOD6 3.00 40 0.84MBRS340T3 ON - 3.00 40 0.52 RB051L-40 ROHM PMDS 3.00 40 0.45 MBRS360T3 ON - 3.00 60 0.7030WQ04FN IR DPAK 3.30 40 0.62 30WQ06FN IR DPAK 3.30 60 0.70 30WQ10FN IR DPAK 3.30 100 0.9130WQ03FN IR DPAK 3.50 30 0.52 50WQ03FN IR DPAK 5.50 30 0.53 50WQ06FN IR DPAK 5.50 60 0.576CWQ06FN IR DPAK 6.60 60 0.586CWQ10FN IR DPAK pr 6.60 100 0.811N5817 ON 轴向 1.00 20 0.751N5818 ON 轴向 1.00 30 0.55SB130 GS 轴向 1.00 30 0.501N5819 ON 轴向 1.00 40 0.60 MBR150 ON 轴向 1.00 50 1.00 MBR160 ON 轴向 1.00 60 1.00 11DQ10 IR 轴向 1.10 100 0.8511DQ04 IR 轴向 1.10 40 0.55 11DQ05 IR 轴向 1.10 50 0.58 11DQ06 IR 轴向 1.10 60 0.58MBRS340TR IR SMC 3.00 40 0.431N5820 ON 轴向 3.00 20 0.851N5821 ON 轴向 3.00 30 0.381N5822 ON 轴向 3.00 40 0.52MBR360 ON 轴向 3.00 60 1.00 SS32 GS DO214 3.00 20 3.00SS34 GS DO214 3.00 40 0.50 31DQ10 IR DO201 3.30 100 0.85SB530 GS 轴向 5.00 30 0.57 SB540 GS DO201 5.00 40 0.57 50SQ080 IR 轴向 5.00 80 0.66 50SQ100 IR 轴向 5.00 100 0.66 MBR735 GS TO220 7.50 35 0.84 MBR745 GS TO220 7.50 45 0.84 MBR745 IR TO220 7.50 45 0.84 80SQ040 IR 轴向 8.00 40 0.53 STQ080 IR TO220 8.00 80 0.72 8TQ100 TO220 8.00 100 0.72 80SQ040 IR 轴向 8.00 40 0.5380SQ035 IR DO204AR 8.00 35 0.53 HFA16PA60C IR TO247CT 8.00 600 1.70 95SQ015 轴向 9.00 15 0.3190SQ040 轴向 9.00 40 0.48 10TQ045 TO220 10.00 45 0.57 MBR1035 GS TO220 10.00 35 0.84MBR1045 ON TO220 10.00 45 0.84 STPS1045F ON ISO220 10.00 45 0.64MBR2060CT ON TO220 10.00 60 0.85 <P style="TEXT-INDE。
1n5819二极管参数
1n5819二极管参数1N5819是一种高效的快速恢复二极管，它具有以下参数：1. 最大正向电压（Vf）：0.6V2. 最大反向电压（Vr）：40V3. 最大正向电流（If）：1A4. 最大反向漏电流（Ir）：5μA5. 正向电阻（Rf）：0.25Ω这些参数可以帮助我们了解1N5819二极管的性能和用途。
下面将详细介绍每个参数的含义和作用：1. 最大正向电压（Vf）最大正向电压是指在正向工作状态下，二极管能够承受的最大电压。
对于1N5819二极管来说，最大正向电压为0.6V。
这意味着当正向工作时，如果超过了0.6V的电压，二极管就会被击穿而失去保护作用。
2. 最大反向电压（Vr）最大反向电压是指在反向工作状态下，二极管能够承受的最大电压。
对于1N5819二极管来说，最大反向电压为40V。
这意味着当反向工作时，如果超过了40V的反向电压，二极管就会被击穿而失去保护作用。
3. 最大正向电流（If）最大正向电流是指在正向工作状态下，二极管能够承受的最大电流。
对于1N5819二极管来说，最大正向电流为1A。
这意味着当正向工作时，如果超过了1A的电流，二极管就会被烧毁而失去保护作用。
4. 最大反向漏电流（Ir）最大反向漏电流是指在反向工作状态下，二极管能够承受的最大漏电流。
对于1N5819二极管来说，最大反向漏电流为5μA。
这意味着当反向工作时，如果超过了5μA的漏电流，二极管就会失去保护作用。
5. 正向电阻（Rf）正向电阻是指在正常工作状态下，1N5819二极管的导通状态时所具有的内部阻力。
对于1N5819二极管来说，正向电阻为0.25Ω。
这个参数可以帮助我们计算出在特定条件下二极管内部的功率损耗和发热量。
总之，以上五个参数是评估1N5819快速恢复二极管性能和应用的重要参考指标。
在实际应用中，我们需要根据具体的需求和条件来选择合适的二极管，以保证其稳定性和可靠性。
常用二极管型号及参数手册
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1N5817,1N5758,1N5819(中文)
V V 21℃1N58171N5818AV A mA 301.00.5500.875251.0101N581920401428110pF 0.4500.7500.6000.900@IF = 1.0A @IF = 3.0A 单位UnitV V R(RMS)·正向压降低。
Low Forward Voltage Drop最大正向平均整流电流最大峰值反向电压最大反向有效值电压- 50 --- +150V RRM I FM ·大电流承受能力。
High Current Capability塑封肖特基二极管最大正向电压降V F 正向峰值浪涌电流 8.3mS单一正弦半波I FSM 最大反向漏电流IR 典型热阻工作温度和存储温度Tj, T STG典型结电容 V R = 4.0V, f = 1.0MHzCj @TA = 25℃@TA = 100℃·高温焊接保证 High temperature soldering guaranteed:250℃/10 秒, 0.375" (9.5mm)引线长度。
250℃/10 seconds, 0.375" (9.5mm) lead length,·引线可承受5 磅(2.3kg) 拉力。
5 lbs. (2.3kg) tension机械数据 Mechanical Data·端子: 镀锡轴向引线 Terminals: Plated axial leads·极性: 色环端为负极 Polarity: Color band denotes cathode end ·安装位置: 任意 Mounting Position: Any特征 FeaturesPLASTIC SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERMaximum repetitive peak reverse voltageMaximum RMS voltage最大直流阻断电压Maximum DC blocking voltageMaximum average forward rectified currentMaximum forward voltage Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-waveMaximum reverse current Typical thermal resistanceOperating junction and storage temperature rangeType junction capacitance极限值和电参数 TA = 25℃ 除非另有规定。
肖特基二极管1n5819ws sl参数
肖特基二极管1N5819WS SL是一种常用的低压降肖特基二极管，具有高效、快速和可靠的特性。
该二极管适用于各种类型的电子设备和电路中，广泛应用于电源管理、逆变器、功率因数校正和开关电源等领域。
以下是1N5819WS SL的参数：1. 耐压：1N5819WS SL的正向工作电压为40V，反向工作电压为40V。
这一特性使得该二极管在低压电路中具有良好的稳定性和可靠性。
2. 电流：1N5819WS SL的最大正向电流为1A，最大反向电流为25uA。
这使得该二极管能够适应各种电路的工作需求，同时保证其稳定性和可靠性。
3. 封装：1N5819WS SL采用SOD-123封装，尺寸为2.1mm×1.4mm×1.1mm。
这种小型封装使得该二极管在各种电路中都能够灵活布局和设计，节省空间，提高电路的集成度和稳定性。
4. 温度特性：1N5819WS SL的工作温度范围为-65℃至+150℃。
这一特性使得该二极管适用于各种恶劣的工作环境，能够稳定工作并保持良好的性能。
5. 应用领域：1N5819WS SL广泛应用于各种类型的低压电源管理和开关电源中，如逆变器、电源适配器、稳压器、电池充电器等领域。
同时也广泛应用于电子设备、通讯设备和汽车电子等领域。
肖特基二极管1N5819WS SL具有低压降、快速响应、高效稳定的特性，适用于各种低压电路中，并具有良好的温度特性和封装特性。
在各种电子设备和电路中都有着广泛的应用前景。
肖特基二极管1N5819WS SL作为一种高性能的电子元件，在当前的电子行业中扮演着至关重要的角色。
其优秀的参数使得它在各种低压电路中有着广泛的应用，并且在电源管理、逆变器、功率因数校正和开关电源等领域中都有着出色的表现。
1N5819WS SL的低压降特性使得它在电路中能够提供高效稳定的性能。
与普通的整流二极管相比，肖特基二极管的正向压降更低，能够减少功耗、提高效率，特别是在一些对性能要求较高的电源管理和功率控制领域中，这一特性表现得尤为突出。
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1n5819修订：08年11月6日 1肖特基整流器，1.0 A. 1N5819 Vishay高功率产品特征 ?低轮廓，轴向引线轮廓 ?高频操作 ? 1n5819非常低的 正向压降 ?高纯度，高温环氧树脂封装增强机械强度和耐湿性 ?保护环增强耐用性和长期可靠性 ?无铅（Pb）电镀 ? 1n5819设计和合 格的工业水平描述 1N5819轴向引线肖特基整流器已经针对非常低的正向电压下降进行了优化泄漏.典型的应用是在开关电源电源， 转换器，续流二极管和反向电池保护.产品摘要 我 （AV） 1.0 A V R 40 V 我 RM在125°C时为12 mA DO-204AL阴极阳极主要额定值 和特性符号特性 VALUES单位 我 （AV）矩形波形 1.0一个 V RRM 40 V 我 FSM t p = 5微秒正弦 225一个 V F 1 Apk，T J = 25℃ 0.55 V T J范围 - 40至150 C额定电压参数符号 1N5819单位大直流反向电压 V R 40 V大工作峰值反向电压 V RWM绝对大额定值参数符号测试条 件 VALUES单位大平均正向电流见图. 4 我 （AV） T L = 90°C时 为50％占空比 ，矩形波形 1.0一个一个周期的大峰值不重复的浪涌 电流见图. 6 我 FSM 5μs正弦或3μs直流.脉冲在任何额定负载之后条件和额定 V RRM 应用 225 10 ms正弦或6 ms rect.脉冲 35 （1） 1n5819安装1“方形印刷电路板，1n5819热探头连接引线距离封装2毫米电气规格参数符号测试条件 VALUES单位大正向压降见 图. 1 V FM（1） 1 A T J = 25℃ 0.6 V 2 A 0.73 3 A 0.9 1 A T J = 125℃ 0.55 2 A 0.63 3 A 0.79大反向漏电流见图. 2 我 RM（1） T J = 25℃ V R =额定V R 1.0嘛 T J = 100℃ 6 T J = 125℃ 12大结电容 C T V R = 5 V DC （测试信号范围100 kHz至1 MHz）25°C 60 pF的典型的串联电 感 L S测量导线从包装体引出5 mm 8 nH的大电压变化率的dV / dt 额定V R 10 000 V /μs的热机械规格参数符号测试条件 VALUES单位 大的路口和存储温度范围 T J ，T Stg - 40至150 C大热阻，交界处 （1）直流操作见图. 4 80 °C / W大概的重量 0.33 G 0.012盎司标记设 备案例式DO-204AL（DO-41） 1N5819 1N5819肖特基整流器，1.0 A. Vishay高功率产品图1 - 大正向压降特性图2 - 反向电流的典型值与反向电压图3 - 1n5819典型结电容与反 向电压图4 - 1n5819典型允许的铅温度与平均正向电流图5 - 正向功率损耗特性注意 （1） 使用的公式：T C = T J - （Pd + Pd REV ）× R thJC ; （I F（AV） / D） 处的 Pd =正向功率损耗= I F（AV） ×V FM （见图6）; Pd REV =逆功率损耗= V R1 ×I R （1-D）; I R 在V R1 = 80％额定V R正向电压降 - V FM （V） 0.1 1 10 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 Tj =150?C Tj =125?C Tj =25?C反向电压 - V R （V） 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 010 20三十 40 125?C 25°C T =150?C ? 10 100 0 10203040 50 T =25?C ?反向电压 - V R （V）平均正向电流 - I F（AV） （一个） 40 60 80 100 120 140 160 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 DC方波（D = 0.50）额定Vr适用见注（1） 0 0.2 0.4 0.6 0.8 0 0.5 1 1.5 DC RMS限制 D = 0.20 D = 0.25 D = 0.33 D = 0.50 D = 0.75 DC平均正向电流 - I F（AV） （A）
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