模拟电子技术基础简明教程第三版习题答案
模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行版 答案全面解析
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。
模拟电子技术基础简明教程[第三版]习题答案解析1
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第一章习题参考答案100B i Aμ=80Aμ60Aμ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区FD 、EABC图P1-14(g)DS =15V ，u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V由图可得，开启电压U GS(th)=2V ，I DO =2.5mA ，4 1.22.84.53.5D m GS i g mS u ∆-===∆-习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线，分别判断各相应的场效应管的类型（结型或绝缘栅型，P 型沟道或N 型沟道，增强型或耗尽型）。
如为耗尽型，在特性曲线上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ；如为增强型，标出其开启电压U GS(th)。
(a)绝缘栅型N 沟道增强型；(b)结型P 沟道耗尽型；(c)绝缘栅型N 沟道耗尽型；(d)绝缘栅型P 沟道增强型。
习题1-18已知一个N 型沟道增强型MOS场效应管的开启电压U GS(th)= +3V ，I DO =4mA ，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-19已知一个P 型沟道耗尽型MOS 场效应管的饱和漏极电流I DSS = -2.5mA ，夹断电压U GS(off)=4V ，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-18图习题1-19图R b R e i U +oU R i U +oU R 1i U '+2i i N U U N '=L R '=定电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数将增u A ↑。
u A ，↓。
u A ↓。
u A ④增大β，则I BQ 基本不变u A完美WORD 格式编辑i U +oU +(b)解：①可先用近似估算法求I BQ100.70.0220510CC BEQb V U mA AR μ--==≈=Q 1完美WORD 格式编辑Q 1Q 1Q 2Q 1Q 2=2mA ，u CE =2V 的一点与横坐标上u CE =10V 因此，需减小R c 和R b ，可减为R c ＝4k Ω，R b ＝250Q 3R b 211k Ωi U oU (b)P2-7()153CE CC C c e C V i R R i ≈-+=-(b)mA的一条水平线， 2.67.2点，且斜率为，其中1LR -'R b 211k Ωi U oU图P2-6(b)C2-10 设图P2-10电路中三极管的β=60，V ，R b =530k Ω，R L =5M Ω，试：①估算静态工作点；值；，输入电阻u A R b C 1R iU o U ++_(u R A β=-( u RAβ=-?ouiUAU==o ii i oU RU R R=+iU o U+_(uRAβ=-iU o U +R e 2k Ω(u A r β=-+R b 1-i U sU oU +-i UR b-sU +-R oU iU (1(1u A r +=+(1(1u A r +=+R -1o U iU 2o U r beR cR biU 1o U 2o U -+-1o i be U U r =-+2(1(1o i be U U r +=+12o o U U ≈-oU R b 2=10R =3k(//c u R A r β=R 1i U oU -m (1)i gs d s m s gs U U I R g R U =+=+(//)o m gs d L U g U R R =-(1o m i U g R U =-+R SgsU o m gs sU g U R =(1)i gs o m s gsU U U g R U =+=+1o m i m U g R U g =+12u be A r =-22k =ΩCR E1Us习题2-27P110答：①测静态工作点Q ：直流稳压电源、万用表(直流电压档)：直流稳压电源、正弦波信号发生②测电压放大倍数Au器、示波器、交流毫伏表。
第三版模拟电子技术基础简明教程及答案
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=benasda习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区假设有两个三极管，已知第一个管子的，当该管的时，其I C1199β=110B I A μ=习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行版_(第一章的课后习题答案)
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示：①如在二极管两端通过1k Ω的电阻加上1.5V 的电压，如图(b)，此时二极管的电流I 和电压U 各为多少？②如将图(b)中的1.5V 电压改为3V ，则二极管的电流和电压各为多少？U/VI/mA 0 0.5 1 1.52123(a )+ U -I 1.5V 1k Ω(b )解：根据图解法求解①电源电压为1.5V 时1.5U I=+0.8,0.7I A U V≈≈②电源电压为3V 时3U I =+2.2,0.8I A U V≈≈可见，当二极管正向导通后，如电源电压增大，则二极管的电流随之增大，但管子两端的电压变化不大。
习题1-4已知在下图中，u I = 10sin ωt (V)，R L =1k Ω，试对应地画出二极管的电流i D 、电压u D 以及输出电压u O 的波形，并在波形图上标出幅值。
设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。
+ u D -R L(a )+u D-i D +u I -u I /V ωt 010i D /m A ωt 100ωt 0u I /V -10u o /V ωt10习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行版 答案全面解析
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。
模拟电子技术基础简明教程第三版课后练习题含答案
模拟电子技术基础简明教程第三版课后练习题含答案第一章电子元件选择题1.在下列元器件中，最早被发明的是（）。
A. 电容器B. 电感器C. 晶体管D. 电阻器答案：B2.电子元器件中的电容器，按其结构可分为（）。
A. 稳电容和电解电容B. 变电容和稳电容C. 活电容和稳电容D. 电解电容和金属电容答案：D3.直流电阻通常用（）表示。
A. RB. LC. CD. F答案：A填空题1.何为有源元件？有什么作用？答：具有放大作用的电子元器件称为有源元件。
有源元件可以实现信号的放大、变化、增强等功能。
2.何为稳压电源？答：稳压电源是一种能输出稳定电压的电源。
稳压电源可以在电压波动或负载变化时，自动调节输出电压，保证稳定不变。
3.何为金属电阻？答：金属电阻是应用金属材料制成的电子元器件。
金属电阻通过电阻值大小表示电流经过它时所受到的阻力。
计算题1.某稳压电源额定输出电压为12V，输出电流为5A，直流输入电压为220V，输入电流为2A。
求稳压电源的效率。
（效率定义为输出电功率与输入电功率之比）答：输入电功率为220×2=440W，输出电功率为12×5=60W。
稳压电源的效率为60/440×100%=13.6%。
2.已知电路中串联的两个电阻R1=100Ω，R2=200Ω，电源电压为12V，求电路中的电流大小和总电阻。
（请使用以下两个公式：电阻的串联公式：R=R1+R2；串联电路中电流大小公式：I=U/R）答：总电阻为R=100+200=300Ω，电流大小为I=12/300=0.04A。
简答题1.稳定电源的分类及其优缺点答：稳定电源按照控制方式可以分为线性稳压电源和开关稳压电源两种。
线性稳压电源的优点是输出电压稳定，调节范围大，输出纹波较小；缺点是效率比较低，对大功率应用场合不适用。
开关稳压电源的优点是效率高、体积小，适用于大功率应用场合；缺点是输出纹波较高。
2.金属电阻与电位器的区别答：金属电阻与电位器都是电阻器的一种，但二者的区别在于应用场合和阻值调节的方式。
第三版模拟电子技术基础简明教程及答案
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=benasda习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区假设有两个三极管，已知第一个管子的，当该管的时，其I C1199β=110B I A μ=习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
第三版模拟电子技术基础简明教程及答案
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=benasda习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区假设有两个三极管，已知第一个管子的，当该管的时，其I C1199β=110B I A μ=习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)_杨素行_课后答案
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习题1-3 某二极管的伏安特性如图(a)所示�
①如在二极管两端通过1kΩ的电阻加上1.5V的电压�如图 (b)�此时二极管的电流 I 和电压U各为多少�
②如将图(b)中的1.5V电压改为3V�则二极管的电流和电
压各为多少�
I/mA
解�根据图解法求解 3
②
I � U �U Z � 30mA R
� IZ � I � I RL � 30 � 6 � 24mA
③
I RL
� UZ RL
� 3mA
� IZ � I � I RL � 20 � 3 � 17mA
习题1-8 设有两个相同型号的稳压管�稳压值均为6V� 当工作在正向时管压降均为0.7V�如果将他们用不同的方 法串联后接入电路�可能得到几种不同的稳压值�试画出
2kΩ 20kΩ
10V
(c)
IB � 0.465mA IC � 23.25mA U CE � �36.5V
以上算出的IC 与UCE值是荒谬 的�实质上此时三极管巳工作 在饱和区�故IB=0.465 mA� IC≈ VCC/ RC=5mA� UC E=UC ES ≈0.3V�见图P1-14(g)中C点。
习题1-16 已知一个N沟道增强型MOS场效应管的输出特性 曲线如图P1-16所示。试作出uDS=15V时的转移特性曲线�并 由特性曲线求出该场效应管的开启电压 UGS(th )和 IDO值�以及 当 uDS =15V� uGS =4V时的跨导 gm。
uDS=15V
由图可得�开启电压 UGS(th )=2V� IDO =2.5mA�
(b)交流通路
习题1-4 已知在下图中�uI = 10sinωt (V)�RL=1kΩ�试 对应地画出二极管的电流 iD、电压uD以及输出电压uO的波 形�并在波形图上标出幅值。设二极管的正向压降和反向
模拟电子技术基础简明教程(第三版)习题答案1-3
第一章习题参考答案100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区FD 、EABC图P1-14(g)DS =15V ，u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V由图可得，开启电压U GS(th)=2V ，I DO =2.5mA ，4 1.22.84.53.5D m GS i g mS u ∆-===∆-习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线，分别判断各相应的场效应管的类型（结型或绝缘栅型，P 型沟道或N 型沟道，增强型或耗尽型）。
如为耗尽型，在特性曲线上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ；如为增强型，标出其开启电压U GS(th)。
(a)绝缘栅型N 沟道增强型；(b)结型P 沟道耗尽型；(c)绝缘栅型N 沟道耗尽型；(d)绝缘栅型P 沟道增强型。
习题1-18已知一个N 型沟道增强型MOS场效应管的开启电压U GS(th)= +3V ，I DO =4mA ，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-19已知一个P 型沟道耗尽型MOS 场效应管的饱和漏极电流I DSS = -2.5mA ，夹断电压U GS(off)=4V ，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-18图习题1-19图R b R e i U +--oU R i U +--oU R 1i U '+-21i i N U U N '=L R '=定电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数将增u A ↓，↑。
u A ，↓。
u A ↓。
u A ④增大β，则I BQ 基本不变，r be ↑，基本不变u A.i U +--oU +(b)解：①可先用近似估算法求I BQ100.70.0220510CC BEQb V U mA AR μ--==≈=Q 1Q 1Q 2Q 1Q 2=2mA ，u CE =2V 的一点与横坐标上u CE =10V 因此，需减小R c 和R b ，可减为R c ＝4k Ω，R b ＝250Q 3R b 211k Ω2i U oU +(b)P2-7()153CC C c e C V i R R i ≈-+=-(b)mA的一条水平线， 2.67.2点，且斜率为，其中1LR -'R b 211k Ω2i U oU ++图P2-6(b)C2-10 设图P2-10电路中三极管的β=60，V ，R b =530k Ω，R L =5M Ω，试：①估算静态工作点；值；，输入电阻。
模拟电子技术基础简明教程(第三版) 杨素行 课后答案
+习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行版_答案全面解析
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)习题答案1-3
第一章习题参考答案100B i Aμ=80Aμ60Aμ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区假设有两个三极管，已知第一个管子的，当该管的时，其I C1199β=110B I A μ=FD 、EABC图P1-14(g)DS =15V ，u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V由图可得，开启电压U GS(th)=2V ，I DO =2.5mA ，4 1.2 2.84.5 3.5D m GS i g mSu ∆-===∆-习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线，分别判断各相应的场效应管的类型（结型或绝缘栅型，P 型沟道或N 型沟道，增强型或耗尽型）。
如为耗尽型，在特性曲线上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ；如为增强型，标出其开启电压U GS(th)。
(a)绝缘栅型N 沟道增强型；(b)结型P 沟道耗尽型；(c)绝缘栅型N 沟道耗尽型；(d)绝缘栅型P 沟道增强型。
习题1-18已知一个N 型沟道增强型MOS 场效应管的开启电压U GS(th)= +3V ，I DO =4mA ，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-19已知一个P 型沟道耗尽型MOS 场效应管的饱和漏极电流I DSS = -2.5mA ，夹断电压U GS(off)=4V ，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-18图习题1-19图R bR e i U +o U R i U +oU R 1i U '+2i i N U U N '=L R '=定电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数将增u A ↑。
u A ，↓。
u A ↓。
u A ④增大β，则I BQ 基本不变u Ai U +oU +(b)解：①可先用近似估算法求I BQ100.70.0220510CC BEQb V U mA AR μ--==≈=直流负载线方程：10CE CC C C u V i R =-=-Q 1静态工作点Q 点处，0.5,U V I ≈≈Q 1Q 2Q 1Q 2=2mA ，u CE =2V 的一点与横坐标上u CE =10V 因此，需减小R c 和R b ，可减为R c ＝4k Ω，R b ＝250Q 3R b 211k Ωi U oU (b)P2-7()153CE CC C c e C V i R R i ≈-+=-(b)mA的一条水平线， 2.67.2点，且斜率为，其中1LR -'R b 211k Ωi U oU图P2-6(b)C2-10 设图P2-10电路中三极管的β=60，V ，R b =530k Ω，R L =5M Ω，试：①估算静态工作点；值；，输入电阻u A R b C 1R iU o U ++_(u R A β=-( u RAβ=-?ouiUAU==o ii i oU RU R R=+iU o U+_(uRAβ=-iU o U +R e 2k Ω(u A r β=-+R b 1-i U sU oU +-i UR b-sU +-R oU iU (1(1u A r +=+(1(1u A r +=+R -1o U iU 2o U r beR cR biU 1o U 2o U -+-1o i be U U r =-+2(1(1o i be U U r +=+12o o U U ≈-oU R b 2=10R =3k(//c u R A r β=R 1i U oU -m (1)i gs d s m s gs U U I R g R U =+=+(//)o m gs d L U g U R R =-(1o m i U g R U =-+R SgsU o m gs sU g U R =(1)i gs o m s gsU U U g R U =+=+1o m i m U g R U g =+12u be A r =-22k =ΩCR E1Us习题2-27P110答：①测静态工作点Q ：直流稳压电源、万用表(直流电压档)：直流稳压电源、正弦波信号发生②测电压放大倍数Au器、示波器、交流毫伏表。
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第一章习题参考答案习题1-1 欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2 假设一个二极管在50 C时的反向电流为10 口 A ,试问它在20 C和80 C时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10 C,反向电流大致增加一倍。
解：在20 C时的反向电流约为： 2 310 A 1.25 A在80 C时的反向电流约为：2310 A 80 A习题1-3某二极管的伏安特性如图（a）所示:①如在二极管两端通过1k?的电阻加上1.5V的电压，如图（b），此时二极管的电流I和电压U各为多少?②如将图（b）中的1.5V电压改为3V，贝「极管的电流和电压各为多少？解：根据图解法求解①电源电压为1.5V时1.5 U II 0.8A, U 0.7V②电源电压为3V时3 U II 2.2A, U 0.8V可见，当二极管正向导通后，如电源电压增大，贝V二极管的电流随之增大，但管子两端的电压变化不大T |~~1.5V 1 k?(b)习题1-4 已知在下图中，U| = 10sin w t (V), R L=1 k?，试对应地画出二极管的电流i D、电压u D以及输出电压U。
的波形，并在波形图上标出幅值。
设二极管的正向压降和反向习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流l Z、动态电阻r Z以及温度系数a u，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数a u的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，贝y稳压性能愈好。
习题1-6某稳压管在温度为20C,工作电流为5 mA时，稳定电压U Z=10V，已知其动态内阻r Z=8?，电压的温度系数a u=0.09%/ C,试问：①当温度不变，工作电流改为20 mA时，U Z约为多少？②当工作电流仍为5 mA，但温度上升至50C时，U Z约为多少？解：① U Z I Z r Z(20 5) 10 38 0.12VU Z10 0.12 10.12V②U z U z U T 0.09% (50 20) 2.7%U Z 10 1 2.7% 10.27习题1-7 在下图中，已知电源电压 U 二10V , R = 200?,R L = 1k?，稳压管的U z 二6V ，试求：① 稳压管中的电流I z = ?② 当电源电压U 升高到12V 时，I z 将变为多少?② | U U z30mAR③ I R —— 3mAR LR L习题1-8设有两个相同型号的稳压管，稳压值均为 6V ，当工作在正向时管压降均为 0.7V ，如果将他们用不同的方 法串联后接入电路，可能得到几种不同的稳压值？试画出 各种不同的串联方法。
(1) 12V (1) 6.7V(1) 1.4V③当U 仍为10V ，但R L 改为2k?时, 解：①R LI zUz -6 mAR LU U z z 20 mA RI I R 20 l z 将变为多少?R+u ()D zR LR L14mA I z I I R L 30 6 24 mAI z I I R L 20 3 17mAI z习题1-9 一个三极管的输出特性如图所示，①试在图中求出u CE =5V , i C =6mA 处的电流放大系数 和，并进行比较。
②设三极管的极限参数为 & =20mA ，U （B R ）CEO =15V ，P CM =100mW ，试在特性曲线图中画出三极管的安全工作区。
习题1-10假设有两个三极管，已知第一个管子的!99，则一1 ?当该管的 咕10 A 时，其I C1和I E1各等于多少？已 知第二个管子的 2 0.95,则其 2 ?若该管的l E2=1mA ， 则I C2和l B2各等于多少?解：①1! —.99当 I B 1 10 A 时，I C1 0.99mA, I E1 1mA解：① i c匚i c i si Ci E由图可得:150, 匕_6_i E 6.04 9 3.20.06 0.02 9 3.2 145, 0.9939.06②0.993^c/ltLA.+0.3V+ 12V-5.3V0V + 10.3Vd d Q0V + 12V -6V + 10V(b) (c) (d)-5V +4.7V -10V +8V0V(e)②_2 ! 2219习题1-11设某三极管在20C时的反向饱和电流I C BO=1卩A, B =30;试估算该管在50C的I C BO和穿透电流I C EO大致等于多少。
已知每当温度升高10C时，I CBO大约增大一倍，而每当温度升高1C 时，B大约增大1% 。
解：20 C时，1 CEO 1 |CBO31 A50 C 时，l CBO 8 At t o 50 200 1 1% 30 1 1%30 1 30 1% 391 CEO 1 I CBO 320 A 0.32mA习题1-12 一个实际PNP型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流l C Eo约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP型三极管工作在放大区，其U BE和u BC的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN型三极管进行比较。
解：①查图可知，I CEO=0.5mA，死区电压约为0.2V ;②为了使三极管工作在放大区，对PNP型：U BE<0，u BC>0;对NPN型：U BE>0，U BC <0。
习题1-13测得某电路中几个三极管各极的电位如图P1-13所示，试判断各三极管分别工作在截止区、放大区还是饱和区。
当I E2 1mA时，I C2 0.95mA, I B2 50 A+5V+0.7Vo-+10.75V+4.7V +11.7V+2Y+5V(f)-1V(g)+12V(h)OV +5V -1V + 12V (e)(f) (g)(h)截止 临界饱和 放大 放大习题1-14 已知图P1-14(a)~(f)中各三极管的 B 均为5O ,U BE 〜O.7V ，试分别估算各电路中的i C 和u CE ，判断它们各自工作在哪个区(截止、放大或饱和)，并将各管子的 i c 和 u CE 对应在输出特性曲线上的位置分别画在图 P1-14(g)上解：判断依据： NPN 型：U BE >0 ,u BE<O , PNP 型：U BE <0 , U BC <O ,放大; U BC <O ,截止。
U BC >0,放大;U BC >0,截止。
U BE >0, u BE<0, U BC >0,饱和;U BC <0，饱和;+ 12VOV+ 1O.3V+O.3V -5VO+4.7V -5.3 V + 1O.75V+4.7V -1.3Vo--6V (c)放大-1OV + 11.7V+8VO放大 ++ 12V (b)截止+ 1OV (d)饱和I B O.O65 mAI C3.25 mAU CE 3.55V三极管工作在放大区，见图P1-14(g)中A点I B O.O465 mAI C2.325 mAU CE 5.35V三极管工作在放大区，见图P1-14(g)中B点2 inA](C) I B 0.465 mA I C 23.25 mA U CE 36.5V以上算出的I C 与U CE 值是荒谬 的，实质上此时三极管巳工作 在饱和区，故I B =0.465 mA ,1CQ VCC / RC =5 mA, UCE = UCES Q 0.3V ，见图 P1-14(g)中 C 点。
I B 0 I C 0 U CE V CC10V三极管工作在截止区， 见图P1-14(g)中D 点。
20 k?[J10V20k? |⑹I B 0I C 0U CE V CC 10VI B 0.0465 mA I C 2.325mA U CE V CC10V三极管工作在放大区， 见图P1-14(g)中F 点-20MA OPA三极管工作在截止区， 见图P1-14(g)中E 点(与D 点重合)。
AF* 610 »CE /VZ B = 100J1A80 MA -6OPA—4OMAC图 P1-14(g)习题1-15分别测得两个放大电路中三极管的各极电位如图P1-15所示。
试识别它们的管脚，分别标上 e 、b 、c ,并判断 这两个三极管是 NPN 型还是PNP 型，硅管还是锗管。
解：本题的前提是两个三极管均工作在放大区。
(a) 1 ――发射极e ，3――基级b ，2――集电极c ,三极管 类型是NPN 锗管。
(b) 2――发射极e ，3――基级b ，1――集电极c ,三极管 类型是PNP 硅管。
(a)g m习题1-16已知一个N 沟道增强型MOS 场效应管的输出特性 曲线如图P1-16所示。
试作出U DS =15V 时的转移特性曲线，并 由特性曲线求出该场效应管的开启电压 U Gs (th )和I DO 值，以及卫4佟2.8mS u GS 4.5 3.5习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线，分别判断各相应的场效应管的类型（结型或绝缘栅型，P型沟道或N型沟道，增强型或耗尽型）。
如为耗尽型，在特性曲线上标注出其夹断电压U G s（0ff）和饱和漏极电流l D ss；如为增强型，标出其开启电压U GS（th）。
（a）绝缘栅型N沟道增强型；（b）结型P沟道耗尽型；（c）绝缘栅型N沟道耗尽型；（d）绝缘栅型P沟道增强型习题1-18已知一个N型沟道增强型MOS场效应管的开启电习题1-19已知一个P型沟道耗尽型MOS场效应管的饱和漏极电流I DSS= -2.5mA，夹断电压U Gs（off）=4V，请示意画出其转移特性曲线。
习题2-1试判断图P2-1中各电路有无放大作用，简单说明理由。
答：(a)无放大作用(发射结反偏)；(b) 不能正常放大(发射结无直流偏置)；(c) 无放大作用(集电结无直流偏置)；(d) 无放大作用(发射结无直流偏置)；(e) 有放大作用(是射极跟随器)；(f) 无放大作用(输出交流接地)；(g) 无放大作用(输入交流接地)；(h) 不能正常放大(栅极无直流偏置)；(i) 无放大作用(电源极性接反)；习题2-2 试画出图P2-2中各电路的直流通路和交流通路。
设各电路中的电容均足够大，变压器为理想变压器CC(b)直流通路(b)交流通路习题2-3在NPN 三极管组成的单管共射放大电路中，假设 电路其他参数不变，分别改变以下某一参数时，试定性说明 放大电路的I B Q 、I C Q 和U C EQ 将增大、减少还是基本不变。