研究光伏探测器的光电特性
光电探测器的特性与制备方法
光电探测器的特性与制备方法光电探测器是一种能够将光信号转换为电信号的器件，广泛应用于通信、能源、环保等领域。
本文将从特性和制备方法两个方面来介绍光电探测器。
一、光电探测器的特性1. 响应速度快光电探测器的响应速度非常快，一般在纳秒到微秒的时间范围内。
这使其在高速通信、激光雷达等领域拥有广泛应用。
2. 灵敏度高光电探测器的灵敏度非常高，能够探测到微弱的光信号。
可以说，光电探测器是探测光信号最为灵敏的一种器件，这使其在光通信、医学成像等领域有重要的应用。
3. 线性度好光电探测器的输出信号与输入光信号之间存在一一对应的关系。
因此，光电探测器的线性度非常好，使得其在科学研究、工业制造等领域有广泛的应用。
4. 可靠性强光电探测器的制造工艺相对简单，而且器件结构稳定，故其可靠性比较强。
这使得光电探测器在一些高要求可靠性领域如航天、国防等有重要的应用。
二、光电探测器的制备方法光电探测器有多种制备方法，这里介绍其中三种。
1. 硒化镉光敏焊盘法该方法主要是采用硒化镉晶体作为光电探测器的敏感元件。
制备时，将硒化镉晶体制成薄片，并使用焊盘将薄片和支撑底片连接。
这样，就形成了硒化镉光电探测器器件。
这种方法简单易行，制备成本低，但敏感度和可靠性方面稍有不足。
2. 硅材料光电探测器制备方法硅材料是一种非常常见的材料，其也可以被用于制备光电探测器。
制备时，将硅材料进行特殊处理，制成具有光敏电性能的硅晶体。
然后，将制成的硅晶体集成到探测器中，形成最终的硅材料光电探测器。
硅材料光电探测器灵敏度较高，响应时间快，但成本较高。
3. 纳米材料光电探测器制备方法纳米材料具有很特殊的结构和性能，因此近年来也被广泛应用于光电探测器的制备中。
纳米材料光电探测器的制备需要先将纳米材料制成具有半导体特性的纳米粒子。
然后，利用电沉积、溶涂法等技术将纳米材料覆盖在探测器表面，最终形成纳米材料光电探测器。
纳米材料光电探测器具有灵敏度非常高，响应速度快，但制备工艺较为复杂。
光电探测器的特性与技术要点
光电探测器的特性与技术要点光电探测器是一种具有光电转换功能的设备，可将光信号转化为电信号。
它在许多领域中具有广泛的应用，如光通信、光电子技术、激光技术等。
本文将介绍光电探测器的特性和其中一些关键技术要点。
首先，了解光电探测器的特性能帮助我们更好地理解其性能和适用范围。
光电探测器具有以下几个重要特性。
首先，灵敏度是光电探测器的一个重要特性，它反映了探测器对光信号的敏感程度。
灵敏度通常用光电流或光功率来表示。
高灵敏度的光电探测器对于弱光信号的检测非常有效，因此在低光照条件下具有优势。
其次，光电探测器的响应速度也是一个关键特性。
响应速度通常是指光电探测器从暗态到亮态或从亮态到暗态的转换时间。
这个时间决定了探测器对快速变化的光信号的响应能力。
光电探测器的响应速度在许多应用中都是至关重要的，如高速通信和激光雷达等。
此外，光电探测器的线性范围也是一个重要特性。
线性范围指的是光电探测器能够在该范围内线性地将光信号转化为相应的电信号。
在超出线性范围的情况下，光电探测器会发生非线性失真，从而对信号的准确性产生影响。
最后，光电探测器的噪声性能也是需要考虑的因素。
噪声影响着光电探测器的信号检测能力，所以降低噪声是保证光电探测器性能的关键。
常见的光电探测器噪声源包括光子噪声、暗电流噪声和电路噪声等，需要通过调节电路设计和降低工作温度等手段来减少噪声。
接下来，我们将关注一些光电探测器的关键技术要点。
首先，半导体光电探测器是应用最广泛的一类光电探测器。
其中，有机半导体光电探测器是近年来兴起的一种新型光电探测器。
与传统的无机半导体光电探测器相比，有机半导体光电探测器具有较低的制造成本、较高的灵活性和较宽的吸收光谱范围等优点，适用于一些特殊应用场景。
其次，光电探测器的增益技术也是一个重要的研究方向。
增益技术可以提高光电探测器的灵敏度和信噪比。
常见的增益技术包括光电子倍增管（Photomultiplier Tube，PMT）、电子轰击和共振增强等。
《光电检测技术》课件-光电探测器的特性
光电探测器性能研究
光电探测器性能研究一、引言近年来，光电技术得到了越来越广泛的应用，光电探测器是其中的关键元器件。
随着人们对精度和灵敏度要求的提高，对光电探测器性能的研究也变得愈加重要。
二、基本原理光电探测器是通过将光能转化为电能来进行光信号检测和转化的器件，其基本原理是光电效应。
在物质中，当外加电场强度足够大时，会使材料中的电子产生能隙跃迁，从而产生光电流并将光信号转化为电信号。
三、性能指标光电探测器的主要性能指标如下：1. 光谱响应性能：光电探测器的光谱响应范围是指所能够响应的光波波长范围。
对于不同的光电探测器，其光谱响应范围有所不同，这取决于其探测材料的能带结构和其他特性。
2. 器件响应速度：光电探测器的响应速度是指在光信号到达之后，光电流的响应速度。
该指标通常由材料内部载流子运输速度和器件处理电路响应速度所决定。
3. 量子效率：光电探测器的量子效率是指其将光信号转化为电信号的效率。
通常通过比较器件响应电流与光信号辐射功率之间的比值来衡量。
4. 器件噪声：器件噪声是指在光电探测器工作时，产生的电流信号的噪声。
这些噪声来源于材料内部的热噪声和电子器件本身的噪声等。
四、性能测试方法1. 器件响应特性测试：在测试器上提供光源并进行光电流和电压的采集、分析和比对，以评估光电探测器的响应速度。
2. 光谱响应性能测试：在一个宽波段的光源上测量光电探测器的响应，从而获得其光谱响应性能。
3. 量子效率测试：通常使用标准光源来检测光电探测器的量子效率。
4. 器件噪声测试：使用谱分析仪等设备，将获取的信号进行分析，检测光电流信号中的噪声。
五、性能优化方法1. 优化器件结构和材料：通过调整材料结构和化学状态，改善光电探测器的光子捕获效率和量子效率，进而提升其性能。
2. 优化器件制造工艺：增加探测区域的面积、控制表面粗糙度等可以提升器件响应速度和量子效率。
3. 引入前置放大器和滤光器：这些部件可以起到降噪和增益等作用，提升光电探测器的整体性能。
光伏特探测器
IL ID IP Is0 (eqv/KT 1) IP
以p-n结的正向电流的方向为正方向
处于反偏的PN结：
无光照时，反向电阻很大，反向电流很小； 有光照时，光子能量足够大产生光生电子—空穴对，
在PN结电场作用下，形成光电流， 电流方向与反向电流一致，光照越大光电流越大。
Isc＝Ip＝Se·E
硅单晶光电池短路电流可达35~40mA源自cm2➢照度-电流电压特性
硅光电池的Uoc、Isc与照度的关系
光电池的短路光电流Isc与入射光照度成正比，而 开路电压UOC与光照度的对数成正比。
开路电压UOC和短路电流Isc与光电池受光面积也有关系。 在光照度一定时，UOC与受光面积的对数成正比，短路 电流Isc与受光面积成正比。
④温度特性
光电池的参数随 工作环境温度改变 而变化。
开路电压具有负 温度系数，而短路 电流具有正温度系 数。
4.3.3 光电池偏置电路 自给偏置电路
(a)基本形式 (b)等效电路 (c)图解法 图4-14 硅光电池无偏置电路
最佳负载线 最大输出功率
光电池偏置电路
根据所选负载电阻的数值不同可以把光电池的工作曲线分作四 个区域，分别如下图中Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ表示，对应的四个工作 状态为短路或线性电流放大、线性电压放大、空载电压输出和 功率放大。
➢ 开路电压与入射光通量的对数成正比，即随入射
光通量增大按对数规律增大，但开路电压并不会无限增大， 它的最大值受PN结势垒高度的限制，通常光电池的开路 电压为0.45~0.6 V。在入射光强从零到某一定值作跳跃变 化的光电开关等应用中，简单地利用UOC电压变化，不需 加任何偏置电源即可组成控制电路，这是它的一个优点。
光伏型自驱动光电探测器性能的研究
光伏型自驱动光电探测器性能的研究光伏型自驱动光电探测器性能的研究摘要：随着太阳能的广泛应用，光伏型自驱动光电探测器作为一种重要的太阳能利用设备，具有自动转换太阳能为电能的能力，在各种光照环境下均能正常工作。
本文通过实验研究，探讨了光伏型自驱动光电探测器的性能表现，并分析了其优缺点和未来发展方向。
在研究中，我们使用了一种基于光伏效应的太阳能电池，将其作为自驱动光电探测器的核心元件。
在实验中，我们分别在室内和室外环境下对其性能进行测试。
首先，我们测试了设备的光暴发响应能力。
实验结果表明，光伏型自驱动光电探测器具有快速响应的特点，能够在短时间内将光信号转换为电信号，并输出到外部电路中。
此外，我们还测试了该设备在不同光照强度下的工作状态。
实验结果显示，光伏型自驱动光电探测器在强光照射下工作稳定，具有较高的输出功率；而在弱光照射下，其输出功率较低，但仍能保持一定的工作能力。
这说明光伏型自驱动光电探测器具有较好的光电转换效率和适应不同光照条件的能力。
通过以上实验数据的分析，我们可以得出以下结论：光伏型自驱动光电探测器具有快速响应、较高的光电转换效率以及适应不同光照条件的特点。
然而，也存在一些不足之处。
首先，该设备对光源的定向性要求较高，对于均匀光照条件下的应用具有一定限制；其次，光伏型自驱动光电探测器在弱光照射下输出功率较低，需要进一步提高其低光照工作能力。
针对这些问题，我们提出了一些解决方案和优化措施。
首先，可以通过优化太阳能电池的结构和材料，提高其光吸收能力和光电转换效率，使其在较低光照条件下仍能正常工作。
其次，可以引入聚光系统，将光线集中到太阳能电池表面，增强其接收光能力。
此外，还可以开发智能光伏型自驱动光电探测器，利用传感器和控制器实现对光照条件的自动调节，以适应不同应用环境下的光照变化。
最后，还可以加强对光电探测器性能的仿真和模拟研究，为进一步优化设备提供理论支持。
综上所述，光伏型自驱动光电探测器作为一种具有自动转换太阳能为电能能力的太阳能利用设备，具有快速响应、较高的光电转换效率和适应不同光照条件的优点。
光电探测器特性测试
光电探测器特性测试王凤鹏编写实验教学目的：1、学习常见光电光电探测器的工作原理和使用方法；2、掌握光电二极管、光电池的光照度特性及其测试方法；3、掌握光电二极管、光电池的伏安特性并其测试方法；4、了解光照度的基本知识和测量原理、方法。
学生实验内容：1、光电二极管的光照度特性测试2、光电二极管伏安特性测试3、光电池的光电特性测试4、光电池负载特性测试实验教学仪器：光电二极管，电压源，发光二极管，光电池，照度计，电流表，电压表。
实验教学课时：4学时（其中讲授及演示1学时，学生实验及指导3学时）实验教学方式：理论讲授、指导学生实验，以指导为主，培养学生动手操作能力、独立思考能力和创新能力。
教学重点：光电效应及其分类、光电探测器特性的测试方法、光电探测器特性的意义。
实验教学内容：一、实验原理1、光电效应光电探测器件的物理基础是光电效应。
光电效应分为外光电效应和内光电效应两大类。
在光线作用下，物体的电子逸出物体表面、向外发射的现象称为外光电效应。
基于外光电效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。
内光电效应是指光与物体内的电子作用后，电子不逸出物体外，而是在物体内使导电率发生变化（光电导效应）或产生电动势（光生伏特效应）的现象。
光敏电阻就是基于光电导效应的。
本实验所研究的光电二极管和光电池则是基于光生伏特效应的光电探测器。
2、光电二极管工作原理和特性光敏二极管是一种PN结单向导电性的结型光电器件，在电路中通常工作在反向偏压状态，其原理电路如图5.1所示。
图5.1 光电二极管工作原理当无光照时，处于反偏的光电二极管工作在截止状态，这时只有少数载流子在反向偏图5.2 光电二极管光照特性 图5.3 光电二极管伏安特性 当光电二极管受到光照时，PN 结附近受光子轰击，吸收光子能量后产生电子-空穴对，从而使P 区和N 区的少数载流子浓度大大增加。
因此在外加反偏电压和内电场的作用下，P 区少数载流子（电子）渡过势垒区进入N 区，同样N 区的少数载流子（空穴）也渡过势垒区进入P 区，从而形成光电流。
光电探测器的特性分析与应用研究
光电探测器的特性分析与应用研究随着现代科技的不断发展，人类在探索光电工程方面取得了很大的进展。
其中，光电探测器就是一种关键的装置，它可以将光能转化为电能，实现光学信号到电学信号的转换，被广泛应用于通信、半导体、医疗等领域。
本文旨在对光电探测器的特性进行分析，并探讨其在实际应用中的一些研究。
一、光电探测器的种类及其特性光电探测器在一定的波长范围内可以感受到光的存在并将其解析成信号输出。
根据其电性和物理结构的不同，光电探测器可以分为如下几种。
1. 光电二极管（Photodiode）光电二极管是最常用的一种光电探测器。
它使用p-n结构，当有光照射时，光子被吸收后会使得载流子浓度增加，产生光电流。
光电二极管具有响应速度快、灵敏度高、噪声小等特点，因此被广泛用于通信、光学测量等领域。
2. 热释电探测器（Thermal Infrared Detector）热释电探测器利用敏感元件的温度变化来检测光辐射，并转换为电压信号。
其响应时间快、灵敏度高、动态范围大、噪声小等性能，使得热释电探测器在红外应用领域中占有重要地位。
3. 光电多晶硅（Polysilicon Photodetector）多晶硅光电探测器是一种利用多晶硅薄膜制备的探测器，其响应波长范围宽、制造工艺和成本都较为简单，因此应用范围广泛。
4. 唐纳雪晶体（DOS）唐纳雪晶体是一种在可见光到中红外光波段中均有响应的光电探测器。
它的响应速度快、低温运行，但也存在着制造成本高、可靠性差等问题。
5. 光纤传感器（Optical Fiber Sensor）光纤传感器是一种可以将光信号引导到特定区域的探测器。
它可以检测光强度变化并转换为电信号输出，适用于温度、光强度、压力等测量领域。
二、光电探测器在实际应用中的研究光电探测器在现代科学技术中的应用非常广泛。
下面简要介绍几个典型应用领域。
1. 通信领域随着网络技术的不断升级，光通信技术已经成为了现代通讯的主流技术之一。
《基于二维钙钛矿的光伏型光电探测器性能研究》范文
《基于二维钙钛矿的光伏型光电探测器性能研究》篇一一、引言随着科技的进步，光电探测器在众多领域中发挥着越来越重要的作用。
其中，基于二维钙钛矿的光伏型光电探测器因其高灵敏度、低成本和可调谐性等优点，成为了光电探测器领域的研究热点。
本文旨在研究基于二维钙钛矿的光伏型光电探测器的性能，以期为该领域的研究和应用提供理论支持。
二、二维钙钛矿材料概述二维钙钛矿材料是一种新型的半导体材料，具有优异的电子和光学性能。
其结构特点为在三维钙钛矿结构的基础上，通过引入有机阳离子或无机层状结构，形成二维层状结构。
这种结构使得二维钙钛矿材料在光电探测器应用中具有较高的灵敏度和较低的制备成本。
三、光伏型光电探测器工作原理光伏型光电探测器是一种利用光生电效应将光信号转换为电信号的器件。
在基于二维钙钛矿的光伏型光电探测器中，当光照射到二维钙钛矿材料上时，光子激发出电子-空穴对，形成光电流。
通过测量光电流的大小和响应速度，可以评估光电探测器的性能。
四、实验方法与性能指标本文采用实验和仿真相结合的方法，研究基于二维钙钛矿的光伏型光电探测器的性能。
实验中，我们制备了不同组分的二维钙钛矿光电探测器，并采用光谱响应、响应速度等性能指标进行评估。
此外，我们还利用仿真软件对光电探测器的性能进行模拟，以便更深入地理解其工作原理和性能特点。
五、实验结果与分析1. 光谱响应实验结果表明，基于二维钙钛矿的光伏型光电探测器具有优异的光谱响应性能。
在可见光范围内，光电探测器的响应度较高，且随着波长的增加，响应度呈现先增后减的趋势。
此外，通过调整二维钙钛矿的组分，可以实现对光谱响应的调控。
2. 响应速度在响应速度方面，基于二维钙钛矿的光伏型光电探测器表现出较快的响应速度。
在纳秒级别内，光电探测器即可完成对光信号的响应和恢复。
这主要得益于二维钙钛矿材料优异的电子传输性能和光伏效应。
3. 稳定性此外，我们还对光电探测器的稳定性进行了研究。
实验结果表明，基于二维钙钛矿的光伏型光电探测器具有良好的稳定性。
光电电路光伏探测器
反向偏压:
外加电场
负离子数增加
正离子数增加
反向偏压作用下，耗尽区宽度变大
反向偏压:
外加电场
负离子数增加
正离子数增加
反向电流: －－ 数值较小？？？
正向电流和反向电流：
电流方程：
I I（0 eeU / kT 1） I（0 eU /UT 1）
扩散==漂移 平衡 PN结
PN结能带与势垒 结合前
费米能级与导带或价带的相对位置由材料掺杂决定
结合后
一个平衡系统只能有一个费米能级
PN结能带与势垒*
E
电场力
偏压：外加在PN结两端的电压
正向电流：
方向由P区指向N区
正向偏压:
外加电场
负离子数减少
正离子数减少
正向偏压作用下，耗尽区宽度变小
正向偏压 继续增大，耗尽层越来越薄·······
Isc Ip S E
--开路电压短路电流
3. 暗电流
4.1 光伏探测器的原理和特性
电流方程 I I0 eeU / kT 1 Ip Id Ip
暗电流
Id I0 eeU / kT 1
常温条件下，暗电流 硅光电二极管 ～100nA 硅PIN光电二极管～1nA
硅光电二极管暗电流 的温度特性
4.2.1 硅光电池
工作区域：第四象限：
4.2 常用光伏探测器
4.2.1 硅光电池
结构：
4.2 常用光伏探测器
分类： 太阳能光电池 －－主要用作电源，转换效 (Solar Cells) 率高、成本低
测量光电池 －－主要功能是作为光电探 测用，光照特性的线性度好
光电材料及其光电探测器特性分析
光电材料及其光电探测器特性分析光电材料是指具有光电转换特性的材料，通过吸收光能而产生电荷的材料。
随着科技的不断发展，光电材料在各个领域的应用越来越广泛，尤其是在光电探测技术中起着关键作用。
光电探测器是通过光电材料的特性将光信号转化为电信号的装置，因此对光电材料及其特性进行深入分析对于光电探测器的优化设计和性能提升至关重要。
一、光电材料的特性1. 光吸收特性：光电材料的光吸收特性是指材料对不同波长光的能量吸收程度。
光电材料的吸收系数和波长范围决定了它在不同光谱区域的应用。
一般来说，光电材料在可见光波段吸收系数较高，而在红外、紫外等波段的吸收能力较弱。
2. 光电转换效率：光电材料的光电转换效率是指材料将吸收的光能转化为电能的能力。
对于光电探测器来说，高转换效率意味着更高的灵敏度和响应速度。
提高光电材料的光电转换效率是光电探测器研究的重要目标之一。
3. 器件制备工艺：光电材料的合成和器件制备工艺对光电探测器的性能和稳定性有重要影响。
常见的工艺方法包括溶液法、化学气相沉积法、物理气相沉积法等。
合理的材料选择和制备工艺可以提高光电探测器的性能和稳定性。
二、常见光电材料的特性分析1. 硅(Si)光电材料硅是最常见的光电材料之一，主要用于光伏应用。
硅具有较高的光吸收系数，在可见光波段有较好的吸收能力。
然而，硅的带隙宽度较大，传统的晶体硅电池仅能转换可见光的一部分能量，其光电转换效率有限。
近年来，通过控制硅材料的微观结构和引入掺杂等方法，提高了硅材料的光电转换效率。
2. 硒化镉(CdSe)光电材料硒化镉是一种半导体材料，在光电器件中具有广泛应用。
硒化镉的能带宽度较小，吸收可见光和近红外光的能力较强。
它具有较高的光电转换效率和响应速度，成为制备高性能光电探测器的理想材料之一。
3. 碳化硅(SiC)光电材料碳化硅在高温和强辐射环境下具有优异的性能，因此在高温光电探测领域得到广泛应用。
碳化硅可以吸收可见光、紫外光和红外光，具有很高的光吸收系数。
光电探测器的波长响应特性及光电转换机理研究
光电探测器的波长响应特性及光电转换机理研究光电探测器是一种能将光信号转换成电信号的检测器，广泛应用于光电信息处理、光通信、光计量、环境监测、医疗检测等领域。
在研究光电探测器的性能时，其中之一很重要的指标是波长响应特性，也就是探测器的响应范围及响应强度在不同波长光下的表现。
本文将介绍光电探测器的波长响应特性及其光电转换机理的研究进展。
一、光电探测器的波长响应特性光电探测器的波长响应特性是指探测器在吸收光的波长范围及吸收光的强度所对应的输出电信号的特性。
不同类型的光电探测器的波长响应特性会有所不同，例如光电二极管的响应范围通常在400nm至1200nm之间，而光电倍增管的响应范围要更宽一些，可以达到200nm至900nm。
对于近年来广泛研究的光伏探测器（如硅太阳电池）而言，其响应范围通常为300nm至1100nm，在某些情况下可以延伸至2000nm。
同时，不同探测器在各自波长范围内的灵敏度也不一样。
有些光电探测器在某些波长范围内具有特别高的灵敏度，如光电倍增管对于波长为500nm至600nm的光具有较高的灵敏度；而对于光伏探测器而言，其光电转换效率可以在不同波长下有不同的表现。
二、光电探测器的光电转换机理光电探测器的基本工作原理是将光子吸收后通过内部的电子机构转化为电子或能电离子等运载者。
不同类型的光电探测器光电转换机理也有所不同。
以硅太阳电池为例，其基本光电转换原理是将吸收的光子激发到价带上电子的状态向导带上跃迁，从而形成电子空穴对。
利用正、负极的吸引作用，可在硅太阳电池正、负面引出电极上分别收集电子和空穴，达到转换光信号为电信号的目的。
硅太阳电池的主要性能指标是开路电压、短路电流密度等，它们的大小与光子能量是否大于硅带隙（1.12eV）有关。
而光电倍增管的工作原理则是通过光电效应将入射光子转换为光电子，再经过二次发射产生二次光电子，逐级放大最后输出电信号。
光电倍增管可以达到极高的增益，但其比较突出的问题是噪声、暗电流以及失真等非理想效应的影响，为光电检测应用带来了限制。
[光电信号检测]第5章 光伏探测器
![[光电信号检测]第5章 光伏探测器](https://img.taocdn.com/s3/m/36c96b06482fb4daa58d4bbc.png)
d ( n ) J D ( q ) n n dx
d ( p ) Jp D q p dx
hν
总的扩散电流密度为 J J J q ( D D ) n p n p 扩
hνd ( p ) dxVhνhνV
Dn、Dp分别表示电子和空穴扩散系数。由于电子和空穴带电的符号
§5-1 光生伏特效应
光生伏特效应是光照使不均匀半导体或均匀半导体 中光生电子和空穴在空间分开而产生电位差的现象。 对于不均匀半导体，由于同质的半导体不同的掺杂 形成的pn结、不同质的半导体组成的异质结或金属 阻挡层 E 与半导体接触形成的肖特基势垒都存在内建电场。 当光照这种半导体时，由于半导体对光的吸收而产 生了光生电子和空穴，它们在内建电场的作用下就 会向相反的方向移动和积聚而产生电位差，这种现 P N 象是最重要的一类光生伏特效应。
相反，如果Dn＝Dp则二者的扩散电流完全抵消。 事实上一般Dn>>Dp，即电子扩散得比空穴快，并且扩散到较深的半 导体内部。 总的扩散电流将沿光照的负方向，引起电荷局部累积而打破电中性 状态，从而使半导体光照表面带正电而内部带负电，形成了沿x方向的 光生电动势。
如果将均匀半导体放在与光辐照方向相垂直的磁场中，将有 洛仑兹力作用于扩散的电子和空穴，使它们向垂直于扩散方 向的不同方向偏转，从而在半导体的两侧端面间产生电位差， 这种效应称为光磁电效应。
光电信号检测
第五章 光伏探测器
概述
光伏探测器是利用半导体的光生伏特效应制成的探 测器。分为有结型（常用）和无结型（不常用）。 有结型光伏探测器。按照 “结”的种类不同，又可 分为pn结型、pin结型、金属－半导体结型（肖特基 势垒型）和异质结型等。 最常用的光伏探测器有光电池、光电二极管、光电 三极管、pin管、雪崩二极管等。
光伏探测器详解
为了更好的使用方便及更好发挥光电二极管 在系统中的最佳性能，设计和制作PIN-FET微 型组件是发展趋势。这种器件是含有小面积、 小电容的光电二极管与高输入阻抗的场效益 管前置放大器组合体，其中所有引线长度及 杂散电容都做得非常小。由于电容小，，输 入阻抗高，可以大大降低热噪声，这种组件 还具有供电电压低，工作十分稳定，使用方 便的特点。PIN光电二极管的上述优点，使它 在光通信、光雷达及其它要求快速光电自动 控制系统中得到非常广泛的应用。
光电子技术课堂展示 ——光电探测器
光伏探测器
利用半导体PN结光伏效应制成的器件 称为光伏探测器，也称结型光电器件。探 测器主要用于测量检查, 控制跟踪, 图像测 量和分析等方面。
这类器件品种众多，但它们的原 理都是相同的，所以在性质上有许多 相近的地方。这类器件品种很多，其 中包括：光电池、光电二极管、光电 晶体管、光电场效应管、PIN管、雪崩 光电二极管、光可控硅、阵列式光电 器件、象限式光电器件、位置敏感探 测器（PSD）、光电耦合器件等。
一、三种工作模式 （1）零偏置的光伏工作模式 若p-n结电路接负载电阻RL，如图，有光照射 时，则在p-n结内出现两种相反的电流：
光激发产生的电子－空穴对，在内建电 场作用下形成的光生电流Ip，它与光照有 关，其方向与p-n结反向饱和电流I0相同； 光生电流流过负载产生电压降，相当于 在p-n结施加正向偏置电压，从而产生电 流ID。 流过负载的总电流是两者之差：
应用：无基极引线的光电三极管。它是依靠光的 “注入”，把集电结光电二极管的光电流加以放 大，从而在集电极回路中得到一个被放大的光生 电流。“注入”的光强不同，得到的光生电流不 同。无基极引线光电三极管实际应用时有电流控 制和电压控制两种电路。在无光照的情况下，其 暗电流很小，对于相应速度要求不高的开关电路， 可以直接将灵敏的继电器串联在基极回路上。即 可以比较方便地实现光电自动控制。 有基极引线 的光电三极管。有基极引线的光电三极管适用于 高速开关电路和调制光的探测。
光电探测器的制备与性能研究
光电探测器的制备与性能研究一、引言光电探测器是指将光信号转化为电信号的一种器件，广泛应用于通信、医疗、军事、航天等领域。
随着科学技术的不断发展，光电探测器的制备和性能研究也不断深入。
本文将介绍光电探测器的制备方法和性能研究进展。
二、光电探测器的制备方法1.硅基光电探测器制备方法硅基光电探测器是应用最广泛的一种光电探测器。
其制备方法主要包括刻蚀、化学气相沉积和光刻技术。
刻蚀工艺是一种用化学酸或碱蚀刻硅片的方法，创造单元器件和金属电极间的联系。
其中，离子束刻蚀是制备高分辨率硅基光电探测器的选择。
化学气相沉积是在气相中沉积多层化合物薄膜的一种方法。
另外还有溅射沉积和金属有机化学气相沉积。
光刻技术主要包括照相、光刻生产和精密光刻等。
其中最常用的是照相法。
2.复合材料光电探测器制备方法复合材料光电探测器是近年来兴起的一种新型光电探测器，制备方法包括化学方法、物理合成法、溶胶凝胶法等。
化学方法主要是将有机物、无机物或其它有机-无机杂化体在溶液中分散，经过不同的反应制备出含有某些光电特性物质的纳米复合材料。
这种方法具有简单、容易控制反应条件等优点。
物理合成法是通过物理方法将单晶、纳米颗粒或其他物质与基质分散制备的材料。
溶胶凝胶法是通过溶胶和凝胶两个步骤合成的方法，具有透明度高、成本低等优点。
三、光电探测器的性能研究光电探测器的性能主要包括响应时间、光灵敏度、谱响应特性和噪声等。
1.响应时间响应时间是指光电探测器从接收到光信号到输出电信号的时间。
响应时间长的光电探测器很难满足高速传输的要求。
因此，响应时间是衡量光电探测器性能的重要指标之一。
目前，响应时间已经达到了纳秒级别。
2.光灵敏度光灵敏度是指光电探测器对光信号的灵敏程度。
目前，光电探测器的光灵敏度已经达到了瓦级别。
3.谱响应特性谱响应特性是指光电探测器对不同波长的光信号的响应情况。
对于不同需求，可以选择不同波长的激光器或光源激活光电探测器。
4.噪声光电探测器的噪声主要来自于电子热噪声和射线噪声等。
《基于二维钙钛矿的光伏型光电探测器性能研究》范文
《基于二维钙钛矿的光伏型光电探测器性能研究》篇一一、引言在当下高科技光电探测器技术迅猛发展的背景下，新型光电探测器的开发成为了关键技术。
作为一种颇具潜力的光电器件，二维钙钛矿光伏型光电探测器凭借其出色的光响应和材料稳定性等特点，日益成为光电研究领域的焦点。
本篇论文主要就基于二维钙钛矿的光伏型光电探测器的性能展开深入研究，探究其特性、优化和应用。
二、二维钙钛矿光电探测器的工作原理和特点二维钙钛矿光电探测器的工作原理主要基于光生电效应。
当光照射到钙钛矿材料上时，会激发出电子-空穴对，这些电子和空穴在电场作用下分离，并在器件两端产生电势差，即形成光电流。
而由于其结构上的优势，如分子层面的光电转化能力，使其能够在短波长的光谱范围内响应，同时具有高灵敏度、高响应速度等特点。
三、性能研究（一）光谱响应首先，我们研究了基于二维钙钛矿的光伏型光电探测器的光谱响应特性。
实验结果显示，该类探测器在可见光至近红外波段内具有广泛的光谱响应范围，并且具有较高的外量子效率。
（二）响应速度和灵敏度其次，我们通过实验测试了该类探测器的响应速度和灵敏度。
实验结果表明，该类探测器具有极快的响应速度和较高的灵敏度，能够满足实际应用中的快速检测和高灵敏度要求。
（三）稳定性分析另外，我们还对该类探测器的稳定性进行了分析。
结果表明，基于二维钙钛矿的器件具有较高的稳定性，能够在多种环境下长时间工作而不发生明显的性能退化。
四、优化和应用（一）性能优化为了进一步提高基于二维钙钛矿的光伏型光电探测器的性能，我们提出了一种新的结构优化方案。
该方案主要通过改善钙钛矿层的制备工艺和器件结构设计等方式来提高器件的电性能和光谱响应特性。
通过实验验证，这种优化方案显著提高了探测器的性能。
（二）应用前景基于二维钙钛矿的光伏型光电探测器在许多领域都有广泛的应用前景。
例如，它可以应用于光通信、光电传感、太阳能电池等领域。
同时，由于其在可见光至近红外波段的高效响应能力，其在生物成像、生物传感器和生物医学诊断等领域也具有广泛的应用前景。
《基于二维钙钛矿的光伏型光电探测器性能研究》
《基于二维钙钛矿的光伏型光电探测器性能研究》篇一一、引言近年来，随着新能源科技的发展，光电探测器技术正受到广泛关注。
作为一种具有出色光响应性能的半导体材料，二维钙钛矿在光伏型光电探测器中得到了广泛的应用。
本篇论文将就基于二维钙钛矿的光伏型光电探测器的性能进行深入的研究与探讨。
二、二维钙钛矿光伏型光电探测器概述二维钙钛矿是一种新型的半导体材料，具有高光吸收系数、长载流子寿命、可调谐的带隙等优点，这些特性使其在光伏领域具有广泛的应用前景。
光伏型光电探测器是一种能够直接将光信号转换为电信号的器件，其核心材料为光伏材料。
而二维钙钛矿作为光伏材料，能够有效地将光能转化为电能，从而提高光电探测器的性能。
三、二维钙钛矿光伏型光电探测器的性能研究（一）光响应性能二维钙钛矿光伏型光电探测器具有优异的光响应性能。
其高光吸收系数使得探测器能够在较弱的入射光下产生较大的光电流。
此外，其长载流子寿命和可调谐的带隙也有助于提高探测器的响应速度和灵敏度。
实验结果表明，基于二维钙钛矿的光伏型光电探测器在可见光波段具有较高的响应度，响应速度也较快。
（二）稳定性与可靠性在光电探测器的实际应用中，材料的稳定性与可靠性至关重要。
经过一系列的稳定性实验发现，二维钙钛矿材料在光照、湿度等环境因素下表现出良好的稳定性。
此外，其结构稳定性也有助于提高光电探测器的使用寿命。
因此，基于二维钙钛矿的光伏型光电探测器在长期运行过程中表现出较高的可靠性。
（三）制备工艺与成本二维钙钛矿光伏型光电探测器的制备工艺相对简单，成本较低。
这有助于实现大规模生产和降低产品成本，从而推动其在光电探测器市场的应用。
此外，通过优化制备工艺，还可以进一步提高探测器的性能。
四、结论综上所述，基于二维钙钛矿的光伏型光电探测器具有优异的光响应性能、良好的稳定性与可靠性以及较低的制备成本等优点。
这些优点使得其在新能源科技领域具有广泛的应用前景。
未来，随着研究的深入和技术的进步，基于二维钙钛矿的光伏型光电探测器将有望在光电探测器市场中占据更大的份额。
《基于二维钙钛矿的光伏型光电探测器性能研究》
《基于二维钙钛矿的光伏型光电探测器性能研究》篇一一、引言随着科技的发展，光电探测器已成为光电技术的重要组件。
特别是近年来，基于二维钙钛矿材料的光伏型光电探测器因其高效的光电转换性能和低成本的制备工艺，受到了广泛的关注。
本文旨在研究基于二维钙钛矿的光伏型光电探测器的性能，包括其工作原理、制备方法以及性能指标的优化等方面。
二、二维钙钛矿光伏型光电探测器的工作原理二维钙钛矿光伏型光电探测器的工作原理主要基于光生电效应。
当光照射在钙钛矿材料上时，钙钛矿材料会吸收光子并激发出电子-空穴对。
这些电子和空穴在电场的作用下分别向电极移动，从而产生电流。
通过这种方式，二维钙钛矿光伏型光电探测器能够将光信号转换为电信号。
三、制备方法与实验过程（一）制备方法二维钙钛矿光伏型光电探测器的制备主要包括钙钛矿层的制备和电极的制备。
首先，通过溶液法或气相沉积法制备出高质量的钙钛矿层。
然后，在钙钛矿层上制备电极，形成光伏结构。
（二）实验过程在实验过程中，我们采用了不同的制备工艺参数，如钙钛矿层的厚度、电极材料等，以探究这些参数对光电探测器性能的影响。
同时，我们还对光电探测器的光谱响应、响应速度等性能进行了测试和分析。
四、性能指标与优化（一）性能指标二维钙钛矿光伏型光电探测器的性能指标主要包括光谱响应、响应速度、量子效率等。
光谱响应表示光电探测器在不同波长下的响应能力；响应速度表示光电探测器对光信号的响应速度；量子效率表示光电探测器将光子转换为电子-空穴对的效率。
（二）性能优化为了进一步提高二维钙钛矿光伏型光电探测器的性能，我们采取了多种优化措施。
首先，通过优化钙钛矿层的厚度和成分，提高光吸收效率和载流子传输效率。
其次，采用高性能的电极材料，降低电极与钙钛矿层之间的界面电阻。
此外，我们还通过改善制备工艺和后处理工艺，提高光电探测器的稳定性和可靠性。
五、结果与讨论（一）实验结果通过实验，我们发现优化后的二维钙钛矿光伏型光电探测器在光谱响应、响应速度和量子效率等方面均得到了显著提高。
光伏材料的光电特性研究
光伏材料的光电特性研究光伏技术作为一种可再生能源，近年来备受关注。
而光伏材料的光电特性研究则成为提高光伏效率的关键。
光伏材料的光电特性主要包括吸光谱、光电流、光电压等方面，研究这些特性有助于优化光伏材料的设计和制备，提高光伏系统的能量转换效率。
研究人员通过对光伏材料的吸光谱进行测量和分析，可以了解材料对太阳光的吸收程度和能量转化效率。
光伏材料的吸光谱通常具有较宽的光谱范围，能够吸收从紫外线到可见光的大部分波长。
吸光谱的形状和峰值位置与光伏材料的能带结构和缺陷态有关。
通过调控光伏材料的能带结构和优化制备工艺，可以实现更好的光谱响应和更高的光伏效率。
光伏材料的光电流是在光照条件下产生的电流，是衡量光伏材料光电转换效率的重要参数之一。
通过对光电流的测试，可以评估光伏材料对光的响应能力。
光伏材料的光电流主要由光生载流子产生，载流子在光电场的作用下运动并贡献电流。
光电流的大小与光伏材料的吸收能力、载流子的寿命以及二次寿命等因素有关。
通过优化材料的能带结构、增加载流子寿命等手段，可以提高光伏材料的光电流输出。
光伏材料的光电压是在光照条件下产生的电压，也是评估光伏材料光电转换效率的重要指标之一。
光电压与光伏材料的光电流以及材料的内电场有关。
内电场可以促使光生载流子经过分离和收集过程，最终产生电压。
光电压的大小和材料的内电场强度以及光生载流子的分离效率相关。
通过优化材料的结构、调控内电场，可以提高光伏材料的光电压输出。
除了上述的光电特性，还有一些其他的光电特性也是光伏材料研究中的重要方面。
例如，光伏材料的能带结构、光生载流子的寿命、载流子的迁移率等都是影响光伏材料光电转换效率的重要因素。
研究人员通过物理实验和数值模拟等手段，可以深入探究这些光电特性的机理，为光伏材料的设计和制备提供有益的参考。
总之，光伏材料的光电特性研究是提高光伏效率的重要一步。
通过对光伏材料的吸光谱、光电流、光电压等方面进行研究和分析，可以优化材料的设计和制备，提高光伏系统的能量转换效率。
研究光伏探测器的光电特性
光伏器件用作探测器时，需要加反偏压或是不加偏压。 不加偏压时，光伏器件工作在图4的第四象限，称为光伏工作模式。 加反偏压时，光伏器件工作在图4的第三象限。 无光照时，电阻很大，电流很小，有光照时，电阻变小，电流变大，
而且电流随光照变化，光照特性类似于光敏电阻，称作光电导工作
模式。但是光伏器件和光敏电阻的工作机理不同，特性也有很大差
二次函数关系增大，电流
30
4
d em o d em o d em o d em o d em o
2
d em o d em o d em o d em o d em o
0 0 10 20
变化越明显。 光强即是光电二极管到电 源的距离X。
X/cm
P (mW)
短路电流与入射光强的关系曲线图
U
d em o
光电二极管可以按光电伏型模式
工作（即不加外偏压），也可以
按光电导型模式工作（外加反向 偏压）。硅光电二极管通常 用 作检测元件，工作在负偏压下， 其光电线性好，而且响应快。基
本应用电路如图7所示。
【实验内容】
1. 观察光电二极管的光电特性。
（1） 用数字万用电表二极管测试档确定光电二极管的正负
极。
称为光伏效应，如图2所示。 利用半导体pn结光伏效应可制成光伏探测器，常用的光伏探测器
有光电池、光电二极管、光电三极管等。
光电池是根据光伏效应制成的pn结光电器件。不需要加偏压就可以 把光能转化为电能。光电池的用途，一是用作 探测器；二是作为 太阳能电池，将太阳能转化为电能。光电池的结构示意图及应用电 路如图3所示。
由输出电压和电流数据可计算得到光电池的输出功率rl作输出功率与负载电阻rl的关系曲线即可得到光电池的最大输出功率pmax及相应的负载电阻rlmax光电二极管光电二极管的结构与一般二极管相似管子封装在透明玻璃外壳中它的pn结装在管顶便于接受光的照射
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【仪器用具】
光电二极管，光电池，直流电源，小灯泡（6V，0.15A），
数字万用表2块（其中一块表有直流电流200μA量程），
电阻箱（电位器），实验暗箱等如下图所示。
【实验原理】
1.光伏效应 当光照射在pn结上时，由光子所产生 的电子与空穴将分别向n区和p区集结， 使pn结两端产生 电动势。这一现象
U/mV X/cm 230 21 235 22 242 23 249 24 257 25
I/μA 1.12 1.68 2.77 5.33 13
U/mV 267 280 295 319 352
表二数据关系曲线分别如下： 结论:短路电流Isc与入射
I
14 12
d em o d em o d em o d em o d em o d em o d em o d em o d em o d em o
研究光伏探测器的光电特性
班级：电科132 姓名：高加庆 学号：13461210
研究光伏探测器的光电特性
概述 仪器简介 技术指标 注意事项 目的要求 仪器用具 实验原理 实验内容 思考与讨论
一、概述
FD-PPD-A光伏探测器光电特性实验仪 光电二极管与光电池是根据光伏效应制成的pn结光电器件， 短路电流与入射光强成正比是其一个突出优点，在精确测 量光强时常用作探测器。光敏电阻是基于光电导效应原理 工作的半导体光电器件，灵敏度高，体积小，重量轻，常 用于自动化技术中的光控电路。 FD-PPD-A型光伏探测器光电特性实验仪是上海复旦天欣科 教仪器有限公司专门针对全国中学生物理竞赛的实验内容 开发的一款实验仪器。该仪器融合了“测量光敏电阻的光 电特性”与“研究光伏探测器的光电特性”两组实验内容， 且概念清晰、稳定可靠，结构设计合理、测量结果准确度 高。
d em o
d em o
d em o
d em o
350
d em o d em o d em o d em o d em o
结论：开路电压 与入射光强呈二 次函数关系，光
300
d em o
d em o
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d em o
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U (mV)
d em o
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d em o
d em o
d em o
二次函数关系增大，电流
30
4
d em o d em o d em o d em o d em o
2
d em o d em o d em o d em o d em o
0 0 10 20
变化越明显。 光强即是光电二极管到电 源的距离X。
X/cm
P (mW)
短路电流与入射光强的关系曲线图
U
d em o
称为光伏效应，如图2所示。 利用半导体pn结光伏效应可制成光伏探测器，常用的光伏探测器
有光电池、光电二极管、光电三极管等。
光电池是根据光伏效应制成的pn结光电器件。不需要加偏压就可以 把光能转化为电能。光电池的用途，一是用作 探测器；二是作为 太阳能电池，将太阳能转化为电能。光电池的结构示意图及应用电 路如图3所示。
I/μA 0.08 0.09 0.1 0.11 0.13
U/mV X/cm 190 11 193 12 196 13 199 14 202 15
I/μA 0.14 0.16 0.19 0.22 0.26
U/mV X/cm 207 16 211 17 215 18 219 19 224 20
I/μA 0.31 0.38 0.48 0.62 0.81
-0.5
d em o d em o d em o d em o d em o
0
2
4
6
P (mW)
电压与电源功率变化的关系曲线图
P=2.50mW，只改变小灯泡和光探测器的距离X时，数据如表二所示：
X/cm 1 2 3 4 5
I/μA 0.06 0.06 0.06 0.07 0.07
U/mV X/cm 179 6 178 7 182 8 184 9 187 10
光电池的光照特性主要有伏安特性、入射光强-电流（电压）特性
和入射光功率-负载特性。 光电池的结构示意图及应用电路如图3 所示。
2. 光照下的pn结特性
光照下pn结的伏安特性曲线如
图4所示。无光照时，pn结的 伏安特性曲线和普通二极管的 一样。 有光照时，pn结吸收光能，产
生反向光电流，光照越强，光
光强近似呈二次函数关系，
距离X 越远，电流越大；
电流在X为20cm之前，在
10
d em o d em o d em o d em o d em o
8
I (uA)
d em o
d em o
d em o
d em o
d em o
6
d em o d em o d em o d em o d em o
变化不明显，X>20cm时呈
结论:光电二极管的电压 变化与电源功率无关。
0.5
d em o
d em o
d em o
d em o
d em o
U (V)
d em o
d em o
d em o
d em o
d em o
0.0
d em o
d em o
d em o
d em o
d em o
d em o
d em o
d em o
d em o
d em o
围愈宽。
4. 光电池的输出功率和负载特性
光电池作为电源使用时，其输出功率与负 载电阻RL有关。光电池工作在零偏压下， 因此其伏安曲线（图6）是在某一光照下，
取不同负载电阻RL测得的输出电压和输出
电流绘制而成。 由输出电压和电流数据，可计算得到光电池的输出功率P和负载电 阻RL，作输出功率P与负载电阻RL的关系曲线，即可得到光电池的
dem o
dem o
dem o
dem o
dem o
1.0
dem o dem o dem o dem o dem o
结论:光电二极管的电流 变化与电源功率无关。
0.5
dem o
dem o
dem o
dem o
dem o
I (uA)
dem o
dem o
dem o
dem o
dem o
0.0
dem o
dem o
3. 光电池的开路电压和短路电流
在pn结开路时，总电流为零，光电池的输出电压称为开路电压 Uoc。 将I=0代入式（1），即可得到开路电压Uoc与光照E的对数成正比。 如果将pn结短路，输出电压为零，将U=0代入式（1），即可得到
短路电流Isc与入射光照度E成正比。
从图4的伏安曲线上也可以得到Uoc和Isc，伏安曲线与电压轴的 交点为开路电压Uoc，与电流轴的交点为短路电流Isc。
二、仪器简介
FD-PPD-A型光伏探测器光电特性实验仪主要由光电二 极管、光电池、光敏电阻、直流电源、小灯泡、数字 万用表1块、电阻箱、实验暗箱组成，如下图1所示。
三、技术指标
1.直流电源 0-4V连续可调，显示分辨率0.01V； 2.电阻箱 0-99999.9可调，分辨率0.1Ω； 3.数字万用表电流测量分辨率0.01μA（20μA档）; 4.光敏电阻暗电阻大于4mΩ； 5.小灯泡额定电压6.3V，额定电流0.1A。 6.传感器移动范围约17cm
四、注意事项
1.使用数字万用表电流档前请务必检查表是否正确插在电流 测量的插座，否则易造成损坏； 2.光电池加反向偏压时，若串联电阻箱阻值过小，则反向偏 压可能无法到达4V； 3.当代工艺下生产的光敏电阻暗电阻阻值一般都非常大，可 能无法用数字万用表准确测得暗电阻的阻值大小。
【目的要求】
1.观测光电二极管的光电特性；
别。光电池按照光伏模式工作在图4的第四象限。有光照时光电池
的电流为
（ 1） （1）式中q为电子电荷量，k为玻尔兹曼常数，T为结温（单位为K），
I为总电流，U为光电池的输出电压，Is为反向饱和电流，IL为光电流。
光生电流IL与光照有关，随光照的增大而增大，呈线性关系。
光伏探测器的等效电路如下图
一个暗电流为ID的普通二极管和 一个光电流为Is的电流源的并联 RL—负载电阻；VA---外接偏置电 源
（1） 测量光电二极管的短路电流与入射光照度的关系。实验电
路图如下所示。
（2） 测量光电二极管的开路电压与入射光照度的关系。
实验电路图如下所示。
当P=3.00mW，X=24cm时，测量光电二极管的光电线性，数据如表 三所示：
R/kΩ 0 2.5 5 7.5 10 12.5 15
U/V 0 0.013 0.027 0.04 0.053 0.067 0.08
电流越大。
光伏器件用作探测器时，需要加反偏压或是不加偏压。 不加偏压时，光伏器件工作在图4的第四象限，称为光伏工作模式。 加反偏压时，光伏器件工作在图4的第三象限。 无光照时，电阻很大，电流很小，有光照时，电阻变小，电流变大，
而且电流随光照变化，光照特性类似于光敏电阻，称作光电导工作
模式。但是光伏器件和光敏电阻的工作机理不同，特性也有很大差
（2） 使用数字万用表直流电压量程开路电压Uoc。改变光照
条件，观察Uoc的变化。用数字万用电表直流电流200μA量程
（200μA档内阻约为1000Ω）粗测光电流I。改变光照条件， 观察光电流I的变化。
2. 测量光电二极管处于光伏型模式的光电特性。
令光电二极管工作在零偏压下，用电阻箱作为负载电阻， 光源使用小灯泡（6.3V，0.15A）。固定小灯泡的工作电流， 使灯泡的发光强度不变。改变小灯泡和光探测器的距离， 利用照度与r^2成反比的关系，测量光电二极管的光电线性