多弧离子镀DLC涂层的结构与力学性能文献综述

多弧离子镀DLC涂层的结构与力学性能文献综述

1.1多弧离子镀概述

1.1.1多弧离子镀概念

多弧离子镀与一般的离子镀相比有很大区别。多弧离子镀采用弧光放电，而不是传统离子镀的辉光放电以进行沉积。简单说，多弧离子镀的原理就是将阴极靶作蒸发源，通过靶与阳极壳体之间的弧光放电，使靶材蒸发，从而在空间中形成等离子体，对基体进行沉积。

离子镀技术是结合了蒸发与溅射技术而发展的一种 PVD 技术。它对产品，特别是刃具之类的工具表面起着装饰和提高寿命的作用。多弧离子镀最早起源于苏联，美国于1980 年由 Multi-arc 公司引进，是上世纪 80 年代兴起的高新表面处理技术，Multi-arc 公司推广并使之实用化，它的发明使薄膜技术进入了一个崭新的阶段。在随后的几十年的时间里，该技术有了突飞猛进的发展。至今欧美国家仍然大力发展多弧离子镀膜技术。[1]

1.1.2多弧离子镀的基本结构

多弧离子镀的基本组成包括真空镀膜室，阴极弧源，基片，负偏压电源，真空系统等。阴极弧源是多弧离子镀的核心，它所产生的金属等离子体自动维持阴极和镀膜室之间的弧光放电。微小狐班在阴极靶面迅速徘徊，狐班的电流密度很大，电压为20V左右。由于微弧能量密度非常大，狐班发射金属蒸汽流的速度可达到10的8次方m/s.阴极靶本身既是蒸发源，又是离化源。外加磁场可以改变阴极狐班在靶面的移动速度，并使狐班均匀，细化，以达到阴极靶面的均匀烧蚀，延长靶的使用寿命。[1]

在靶面前方附近形成的金属等离子体，有电子，正离子，液滴和中性金属蒸汽原子组成，由于金属蒸汽原子仅占很小部分（低于百分之二），因而在基片上沉积的粒子束流中几乎全部由粒子和液滴组成。

为了解释这种高度离化的过程，已建立了一种稳态的蒸发离化模型。该模型认为，由于阴极狐班的能流密度非常大，在阴极的表面上形成微小熔池，这些微小熔池导致阴极靶材的剧烈蒸发。热发射和场至发射共同导致电子发射，而且电子被阴极表面的强电场加速，以极高的速度飞离阴极表面，在大约一个均匀自由程之后，电子与中性原子碰撞，并使之离化，这个区域称之为离化区。在这一区域内，高度的热等离子体被形成了。由于电子比离子轻得多，所以电子飞离离化区的速度要比重离子高得多，这样在离化区就出现正的空间电荷云。

离化区域的空间电荷，是导致加速区电场的主要原因，该电场一方面使电子加速离开阴极表面，另一方面也使得离子回归阴极表面，该回归的离子流可能导致阴极表面温度在一定程度上的增加。此外，回归的离子流对熔池表面的冲击作用可能是液滴喷溅的原因，这可以与一杯水在表面收到冲击时产生的喷溅现象相类比。按照这种解释，在阴极表面附近只有离子和液滴向外空间发射，即在基片上只能接收到离子和液滴，而无中心原子。

1.1.3多弧离子镀工艺参数

多弧离子镀所要确定的工艺参数有工作电流、反应气体压强、基体负偏压和基体沉积温度

工作电流

靶源电流与弧斑的数目成正比关系，随着电弧电流的增加阴极斑点的数目增加，而且大电流工作可以使阴极靶源的蒸发速率提高，沉积速率增大。试验研究发现，在一定的膜层厚度范围内及一定的工艺下，弧电流与膜层厚度呈正比关系，同时硬度也随着弧电流的增加而增加。但是对于一定的靶材，增加弧电流，意味着靶材整体温度的升高，相应的液滴的产生会随之增多，而且液滴的尺寸也会增大，在沉积的过程中会形成大颗粒，大大降低了薄膜的各种性能。因此，工业应用时，用于装饰镀工作电流小些，而镀制刀具时电流稍微大些。

反应气体压强

反应气体分压的大小直接影响薄膜的化学成分、组织结构及性能，是镀膜工艺中较为重要的参数之一。

对于TiAlN薄膜的沉积来说，试验证明提高氮分压，有明显细化和减少颗粒的效果。气压过低，反应不完全。气压过大，溅射增强，反而不能形成表面质量较好和厚度达到要求的膜层，所以应选取合适的反应气体压强。

基体负偏压

在多弧离子镀过程中，镀膜真空室内为等离子体气氛所填充，等离子体中含有大量的离子、电子及中性粒子。当基体被施加负偏压时，等离子体中的离子将受到负偏压电场的作用而加速飞向基体。到达基体表面时，离子轰击基体，并将从电场中获得的能量传递给基体，导致基体温度升高。所以基体负偏压在离子镀中有举足轻重的作用，调整基体负偏压可以调整沉积离子的能量，以控制薄膜质量。薄膜硬度随基体负偏压的增大先增后减。镀前预先轰击时，高的负偏压在给基体加热的同时高能量离子的溅射作用也有利于清除工件表面吸附的气体和污染物。在沉积期间，负偏压又为离子提供能量使膜层与基底紧密结合。

基体温度

基体温度的高低可以影响到基体对气体杂质的吸附、基体的硬度、渗透层的深度、膜层硬度及附着力等。根据吉布斯的吸附原理可知温度越高，基体对气体杂质的吸附越少。若基体的温度过低，则膜层的结合力会降低，而且薄膜硬度也会降低。多弧离子镀成膜温度一般较低，在镀制刀具时，为使膜层与基体结合牢固，提高膜层质量，需在镀前将基体加热到一定温度，镀制高速钢刀具一般为50 ℃左右。

1.1.4涂层PVD技术

增强型磁控阴极弧：阴极弧技术是在真空条件下，通过低电压和高电流将靶材离化成离子状态，从而完成薄膜材料的沉积。增强型磁控阴极弧利用电磁场的共同作用，将靶材表面的电弧加以有效地控制，使材料的离化率更高，薄膜性能更加优异。

过滤阴极弧：过滤阴极电弧(FCA )配有高效的电磁过滤系统，可将离子源产生的等离子体中的宏观粒子、离子团过滤干净，经过磁过滤后沉积粒子的离化率为100%，并且可以过滤掉大颗粒，因此制备的薄膜非常致密和平整光滑，具有抗腐蚀性能好，与机体的结合力很强。

磁控溅射：在真空环境下，通过电压和磁场的共同作用，以被离化的惰性气体离子对靶材进行轰击，致使靶材以离子、原子或分子的形式被弹出并沉积在基件上形成薄膜。根据使用的电离电源的不同，导体和非导体材料均可作为靶材被溅射。

离子束DLC：碳氢气体在离子源中被离化成等离子体，在电磁场的共同作用下，离子源释放出碳离子。离子束能量通过调整加在等离子体上的电压来控制。碳氢离子束被引到基片上，沉积速度与离子电流密度成正比。星弧涂层的离子束源采用高电压，因而离子能量更大，使得薄膜与基片结合力很好；离子电流更大，使得DLC膜的沉积速度更快。离子束技术的主要优点在于可沉积超薄及多层结构，工艺控制精度可达几个埃，并可将工艺过程中的颗料污染所带来的缺陷降至最小。

1.2DLC概述

1.2.1DLC概念

“DLC”是英文“DIAMOND-LIKE CARBON”一次的缩写。DLC是一种由碳元素构成、在性质上和钻石类似，同时又具有石墨原子组成结构的物质。类金刚石薄膜（DLC）是一种非晶态薄膜，由于具有高硬度和高弹性模量，低摩擦因数，耐磨损以及良好的真空摩擦学特性，很适合于作为耐磨涂层，从而引起了摩擦学界的重视。目前制备DLC薄膜的方法很多，不同的制备方法所用的碳源以及到达基体表面的离子能量不同，沉积的DLC 膜的结构和性能存在很大差别，摩擦学性能也不相同。