电力电子技术选择题和判断题
电力电子技术试题及答案
德州科技职业学院机电系14级机电专业期末考试试题《电力电子技术》试卷一、选择（每题1。
5分，共60分）1、晶闸管内部有（）个PN结.A、1B、2C、3D、42、晶闸管在电路中的门极正向偏压（）越好.A、越大B、越小C、不变D、越稳定3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的( ）来表示的。
A、有效值B、最大值C、平均值D、瞬时值4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）个电极。
A、一个B、两个C、三个D、四个5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT器件电路符号的是（）6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO7、比较而言,下列半导体器件中开关速度最慢的是( ) A、IGBT B、MOSFET C、GTR D、GTO8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是( )A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是( )A、IPMB、MOSFETC、IGBTD、GTO11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（）A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作A、直流B、低频C、中频D、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率（）电力场效应管A、稍高于B、低于C、远高于D、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压为（ )A、700VB、750VC、800VD、850V16、下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.3V才导通D、超过0。
电力电子技术复习总结(判断题答案)
电力电子技术复习一、选择题（每小题10分,共20分）1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A度。
A、180°，B、60°，c、360°，D、120°2、α为C度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
`A，0度，B，60度，C，30度，D，120度，3、晶闸管触发电路中，若改变B的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。
A、同步电压，B、控制电压，C、脉冲变压器变比。
4、可实现有源逆变的电路为A。
A、三相半波可控整流电路，B、三相半控桥整流桥电路，C、单相全控桥接续流二极管电路，D、单相半控桥整流电路。
5、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理A。
A、30º-35º，B、10º-15º，C、0º-10º，D、0º。
6、在下面几种电路中，不能实现有源逆变的电路有哪几种BCDA、三相半波可控整流电路。
B、三相半控整流桥电路。
C、单相全控桥接续流二极管电路。
D、单相半控桥整流电路。
7、在有源逆变电路中，逆变角的移相范围应选B为最好。
A、=90º∽180º，B、=35º∽90º，C、=0º∽90º，8、晶闸管整流装置在换相时刻（例如：从U相换到V相时）的输出电压等于C。
A、U相换相时刻电压u U，B、V相换相时刻电压u V，C、等于u U+u V的一半即：9、三相全控整流桥电路，如采用双窄脉冲触发晶闸管时，下图中哪一种双窄脉冲间距相隔角度符合要求。
请选择B。
10、晶闸管触发电路中，若使控制电压U C=0，改变C的大小，可使直流电动机负载电压U d=0，使触发角α=90º。
达到调定移相控制范围，实现整流、逆变的控制要求。
B、同步电压，B、控制电压，C、偏移调正电压。
电力电子技术知识复习题
电⼒电⼦技术知识复习题⼀、判断题1、晶闸管串联使⽤时，必须注意均流问题。
均压（×）2、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。
（√）3、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。
（×）4、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。
（×）有源逆变电路——交流侧和电⽹连结。
5、变频调速实际上是改变电动机内旋转磁场的速度达到改变输出转速的⽬的。
（√）6、逆变失败，是因主电路元件出现损坏，触发脉冲丢失，电源缺相，或是逆变⾓太⼤造成的。
（×）7、变流装置其功率因数的⾼低与电路负载阻抗的性质，⽆直接关系。
（√）8、并联与串联谐振式逆变器属于负载换流⽅式，⽆需专门换流关断电路。
（√）9、变频调速装置是属于⽆源逆变的范畴。
（√）10、有源逆变装置是把逆变后的交流能量送回电⽹。
（√）11、双向晶闸管额定电流的定义，与普通晶闸管的定义相同。
（√）12、半控桥整流电路，⼤电感负载不加续流⼆极管，电路出故障时可能会出现失控现象。
（√）.13、⽆源逆变指的是不需要逆变电源的逆变电路。
（×）14、在触发电路中采⽤脉冲变压器可保障⼈员和设备的安全。
（√）15、在三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最⼤反压为2倍相电压U2。
（×）16、雷击过电压可以⽤RC吸收回路来抑制。
（×）吸收晶闸管瞬间过电压，限制电流上升率，动态均压作⽤。
17、为防⽌过电流，只须在晶闸管电路中接⼊快速熔断器即可。
（×）快速熔断器过电流保护通常是⽤来作为“最后⼀道保护”⽤的。
18、采⽤正弦波移相触发电路的可控整流电路⼯作稳定性较差。
（√）19、对低电压⼤电流的负载供电，应该⽤带平衡电抗器的双反星型可控整流装置。
（√）20、晶闸管触发电路与主电路的同步，主要是通过同步变压器的不同结线⽅式来实现的（√）⼆、填空1、请在正确的空格内标出下⾯元件的简称：电⼒晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT是 MOSFET和GTR的复合管。
电力电子技术习题库(附答案)
电力电子技术习题库（附答案）一、单选题（共25题，每题1分，共25分）1.三相桥式全控整流电路，大电感负载，当α＝（）时整流平均电压Ud=0。
A、60度B、30度C、90度D、120度正确答案：C2.1957年美国通用电气（GE）公司研制出第一只（），它标志着电力电子技术的诞生。
A、电子管B、晶闸管C、MOSFETD、IGBT正确答案：B3.逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成（）A、可关断晶闸管B、双向晶闸管C、逆阻型晶闸管D、大功率三极管正确答案：C4.IGBT是一个复合型的器件，它是（）A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO正确答案：B5.晶闸管的伏安特性是指()A、门极电压与门极电流的关系B、阳极电压与阳极电流的关系C、门极电压与阳极电流的关系D、阳极电压与门极电流的关系正确答案：B6.单相全控桥式整流电路大电感性负载中，控制角的最大移相范围是（）A、180°B、120°C、90°D、150°正确答案：C7.三相半波可控整流电路的自然换相点是（）A、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°B、本相相电压与相邻电压正半周的交点处C、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°D、交流相电压的过零点正确答案：B8.逆变电路是一种（）变换电路。
A、AC/ACB、DC/ACC、DC/DCD、AC/DC正确答案：B9.采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为()。
A、增大输出幅值B、减小输出谐波C、减小输出幅值D、减小输出功率正确答案：B10.三相全波可控整流电路电阻性负载中，控制角的最大移相范围是（）。
A、90°B、120°C、150°D、180°正确答案：B11.目前，在中小型变频器中普遍采用的电力电子器件是（）。
电力电子技术试卷及答案
电力电子技术一、单项选择题（本大题共50分，共 20 小题，每小题 2.5 分）1. 图1所示的图形符号表示的电力电子器件是（）。
A. A、普通晶闸管B. B、电力场效应管C. C、门极可关断晶闸管D. D、绝缘栅双极晶体管2. 当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( ) A. 导通状态 B. 关断状态 C. 饱和状态 D. 不定3. 利用附加的换流电路对晶闸管施加反向电压或反向电流的换流方式，称为（）。
A. A、电网换流B. B、强迫换流C. C、负载换流D. D、器件换流4. 无源逆变指的是（）。
A.A、将直流电能转变为某一频率或频率可调的交流电能，送给负载B.B、将直流电能转变为某一频率或频率可调的交流电能，送给电网C. C、将交流电能转变为某一频率或频率可调的交流电能，送给负载D.D、将交流电能转变为某一频率或频率可调的交流电能，送给电网5. 晶闸管的额定电流是用一定条件下流过的最大工频正弦半波（）来确定。
A. 电流有效值B. 电流峰值C. 电流瞬时值D. 电流平均值6. 晶闸管工作过程中，管子本身的损耗等于管子两端的电压乘以（）。
A.阳极电流 B. 门极电流 C. 阳极电流与门极电流之差 D. 阳极电流与门极电流之和7. 晶闸管导通后，要使晶闸管关断，必须（）A. 在门极施加负脉冲信号B. 使控制角应该大于90度C. 使阳极电流小于维持电流D. 使控制角小于90度8. 单相桥式全控整流电路带反电势负载，串联电感L，工作在有源逆变状态，的工作范围是（） A. B. C. D.9. 三相半波可控整流电路的自然换相点是( )。
A. 交流相电压的过零点B. 本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C. 比三相不控整流电路的自然换相点超前30°D. 比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°10. 可控整流电路输出直流电压可调，主要取决于晶闸管触发脉冲的（） A. 幅值 B. 移相 C. 形状 D. 脉宽11. 单相半控桥整流电路中续流二极管作用（）。
电力电子技术试题及答案
德州科技职业学院机电系14级机电专业期末考试试题《电力电子技术》试卷一、选择（每题1.5分，共60分） 1、晶闸管内部有（ ）个PN 结。
A 、1B 、2C 、3D 、42、晶闸管在电路中的门极正向偏压（ ）越好。
A 、越大 B 、越小 C 、不变 D 、越稳定3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（ ）来表示的。
A 、有效值B 、最大值C 、平均值D 、瞬时值 4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（ ）个电极。
A 、一个B 、两个C 、三个D 、四个、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT 器件电路）、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（ ） 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（ ）A、IPMB、MOSFETC、IGBTD、GTO11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（）A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作A、直流B、低频C、中频D、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率（）电力场效应管A、稍高于B、低于C、远高于D、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压为（）A、700V B、750V C、800V D、850V 16、下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.3V 才导通D、超过0.7V才导通18、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO器件电路符号的是（）19、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR器件电路符号的是（）20、下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET器件电路符号的是（）21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（）工作特性设计的A、截止区B、负阻区C、饱和区D、任意区域22、在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（）就能改变直流电动机的转速。
电力电子技术习题及答案 第1章
8、试说明 IGBT 、GTR、GTO 和电力 MOSFET 各自的优缺点。 解：对 IGBT 、GTR 、GTO 和电力 MOSFET 的优缺点的比较如下表： 器件 IGBT 优 点 缺 点 开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流 开 关 速 度 低 于 电 力 冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高， MOSFET ，电压，电流容 为电压驱动，驱动功率小 量不及 GTO 开关速度低，为电流驱动， 耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强 ， 所需驱动功率大，驱动电 饱和压降低 路复杂，存在二次击穿问 题 电流关断增益很小，关断 时门及负脉冲电流大，开 关速度 低， 驱动 功率 大， 驱动电路复杂，开关频率 低 电流容量小，耐压低，一 般中 适 用 于 功 率 不 超 过 10kw 的电力电子装置
过流
二、判断题 1、“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。 （ √ ） 2、某晶闸管，若其断态重复峰值电压为 500V ，反向重复峰值电压为 700V ，则该晶闸管的 额定电压是 700V 。 （ × ） 3、晶闸管导通后，流过晶闸管的电流大小由管子本身电特性决定。 （ × ） 4、尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可以作为晶闸管的门极控制信号。 （ √ ） 5、 在晶闸管的电流上升至其维护电流后， 去掉门极触发信号， 晶闸管级能维护导通。 （×
） ）
1、图中阴影部分晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为 Im，试计算各 波形的电流平均值 Id1、Id2、Id3 与电流有效值 I1、I2、I3 。
解：a ） I d1
1 2
m 4
I sin td (t )
1m 2 ( 1) 0.2717I m 2 2
2 220 311.13V ；取晶闸管的安全裕量为 2 ，则晶闸管额定电压不低于 2× 311.13 ≈
电力电子技术选择判断
选择题1．功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为(B)。
（A）一次击穿（B）二次击穿（C）临界饱和（D）反向截止2．逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成(B)。
（A）大功率三极管（B）逆阻型晶闸管（C）双向晶闸管（D）可关断晶闸管3．在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是(C)。
（A）干扰信号（B）触发电压信号（C）触发电流信号（D）干扰信号和触发信号4．当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在(B)。
（A）导通状态（B）关断状态（C）饱和状态（D）不定5．单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是(D)。
（A）90°（B）120°（C）150°（D）180°6．单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为(B)。
（A）U2 （B）U2 （C）2U2 （D） U27．单相全控桥电阻性负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为(C)。
（A） U2 （B）2U2 （C） U2 （D） U28．电力二极管的工作特性可概括为(A)。
（A）单向导通（B）单相运行（C）全控器件（D）单相逆变9．快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是(D)。
（A）功率晶体管（B）IGBT （C）功率MOSFET （D）晶闸管 10．三相半波可控整流电路的自然换相点是(B)。
（A）交流相电压的过零点（B）本相相电压与相邻相电压正半周的交点处（C）比三相不控整流电路的自然换相点超前30°（D）比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°11．单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是(A)。
（A）0°～90°（B）0°～180°（C）90°～180°（D）180°～360° 12．对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关(A)。
《电力电子技术》测试题及其答案
《电力电子技术》测试题及其答案一、判断题1、表示各种电力半导体器件的额定电流，都是以平均电流表示的。
（错）2、对于门极可关断晶闸管，当门极上加正触发脉冲时可使晶闸管导通，当门极加上足够的负触发脉冲时又可使导通着的晶闸管关断。
（对）3、晶闸管由正向阻断状态变为导通状态所需要的最小门极电流，称为该管的维持电流。
（错）4、在规定条件下，不论流过晶闸管的电流波形如何，也不论晶闸管的导通角是多大，只要通过管子的电流的有效值不超过该管额定电流的有效值，管子的发热就是允许的。
（错）5、三相半波可控整流电路的最大移相范围是0°～180°。
（错）6、无源逆变是将直流电变换为某一频率或可变频率的交流电供给负载使用。
（错）7、正弦波脉宽调制（SPWM）是指参考信号为正弦波的脉冲宽度调制方式。
（对）8、直流斩波器可以把直流电源的固定电压变为可调的直流电压输出。
（错）9、斩波器的定频调宽工作方式，是指保持斩波器通端频率不变，通过改变电压脉冲的宽度来使输出电压平均值改变。
（对）10、电流型逆变器抑制过电流能力比电压型逆变器强，适用于经常要求起动、制动与反转拖动装置。
（对）11、三相桥式全控整流大电感负载电路工作于整流状态时，其触发延迟角的最大移相范围为0°～90°。
（对）12、额定电流为100A的双向晶闸管与额定电流为50A两只反并联的普通晶闸管，两者的电流容量是相同的。
（错）13、晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门极断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
（对）14、在SPWM调制方式的逆变器中，只要改变参考信号正弦波的幅值，就可以调节逆变器输出交流电压的大小。
（错）15、在SPWM调制方式的逆变器中，只要改变载波信号的频率，就可以改变逆变器输出交流电压的频率16、若加到晶闸管两端电压的上升率过大，就可能造成晶闸管误导通。
（对）17、晶闸管整流电路中的续流二极管只是起到了及时关断晶闸管的作用，而不影响整流输出电压值及电流值。
(完整版)电力电子技术试题20套及答案
1.考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。
4、面积等效原理指的是，_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，应用最为广泛的是___________。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
电力电子技术 第3版习题答案完整版
一、选择题1-1、晶闸管内部有（C）PN结。
选择项：A一个；B二个；C三个；D四个1-2、普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（C ）来表示的。
选择项：A有效值；B最大值；C平均值1-3、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（B）。
选择项：A700V；B745V；C800V；D850V。
1-4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（C ）电极。
选择项：A一个；B两个；C三个；D四个。
二、判断题1-1、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。
（╳）1-2、双向晶闸管额定电流的定义，与普通晶闸管的定义相同（╳）1-3、KP2-5表示的是额定电压200V，额定电流500A的普通型晶闸管。
（╳）1-4、双向晶闸管额定电流的定义与普通晶闸管不一样，双向晶闸管的额定电流是用电流有效值来表示的。
（√）1-5、双向晶闸管的结构与普通晶闸管不一样，它是由五层半导体材料构成的。
（√）1-6、普通晶闸管外部有三个电极，分别是基极、发射极和集电极。
（╳）1-7、只要让加在晶闸管两端的电压减小为零，晶闸管就会关断。
（√）1-8、型号为KS50—7的半导体器件，是一个额定电流为50A的普通晶闸管。
（╳）1-9 、双向触发二极管中电流也只能单方向流动。
（╳）1-10、两只反并联的50A的普通晶闸管可以用一只额定电流为100A的双向晶闸管来替代。
（╳）三、填空题1-1、普通晶闸管内部有PN结，外部有三个电极，分别是极极和极。
1、三个、阳极A、阴极K、门极G。
1-2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时，门极上加上电压，晶闸管就导通。
2、正向、正向触发。
1-3、某半导体器件的型号为KP50-7的，其中KP表示该器件的名称为，50表示，7表示。
3、普通晶闸管、额定电流50A、额定电压700V。
1-4、晶闸管的工作状态有正向状态，正向状态和反向状态。
4、阻断、导通、阻断。
《电力电子技术 》复习资料
一卷一、选择题1．单相半控桥电感性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的作用是（ D ）。
A、增加晶闸管导电能力；B、抑制温漂；C、增加输出稳定性；D、防止失控现象产生。
2．三相桥式PWM逆变电路中的六个光耦需要隔离电源的个数为（ C ）A．6个 B． 3个 C．4个D．1个3．三相桥式可控整流电路带阻感负载时角α的移相范围是（ B ）A．0-120° B．0-90° C．0-180° D．0-150°4．对于IGBT为功率器件的两电平电压型三相逆变电路，当控制其各相对直流电源中点电压波形为方波时，其换流方式为（ A ）A．纵向换流 B．横向换流 C．强迫换流 D．电网换流5．基本DC-DC斩波电路中，功率开关器件与输入直流电源共地的是（ B ）A．BUCK斩波电路 B．Cuk斩波电路 C．升降压斩波电路 D．Zeta斩波电路6．单相交流调压电路，阻感负载参数为R=0.5Ω，L=2mH，其α移相范围为（ D ）A．0－180° B．27.62°－180° C．30°－180° D．51.49°－180°7．PN结正向电流较小时表现为较高的欧姆电阻，正向电流较大时，由于载流子浓度骤升表现为很小的非线性电阻，PN结的这种特性称为（ C ）A．齐纳击穿 B．雪崩击穿 C．电导调制D．电容效应8．下列器件属于电压驱动型功率器件的是（ D ）A．SCR B．GTO C．GTR D．IGBT9．同步整流电路中通常利用具有低导通电阻性质的（ B ）来替代高频整流二极管。
A．IGBT B．MOSFET C．肖特基二极管D．快恢复二极管10．在PWM逆变电路的正弦波调制信号为鞍形波的目的在于（ B ）。
A、消除谐波分量；B、提高直流电压利用率；C、减少开关次数；D、削弱直流分量。
二、填空题1．请在空格内写出下面元件的字母简称：晶闸管SCR；绝缘栅双极晶体管IGBT ；智能功率模块 IPM ；功率因数校正 PFC 。
电力电子技术试题库(附答案)
电力电子技术试题库（附答案）一、判断题（共100题，每题1分，共100分）1.触发脉冲具有一定的脉宽，前沿要陡。
（）A、正确B、错误正确答案：A2.有源逆变装置是把逆变后的交流能量送回电网。
（）A、正确B、错误正确答案：A3.在DC/DC变换电路中，可以采用电网换流方法。
（）A、正确B、错误正确答案：B4.单结晶体管触发电路结构简单、抗干扰能力强和运行可靠。
（）A、正确B、错误正确答案：A5.双向晶闸管的额定电流的定义与普通晶闸管不一样，双向晶闸管的额定电流是用电流有效值来表示的。
（）A、正确B、错误正确答案：A6.电流的波形系数是电流的有效值与平均值之比。
（）A、正确B、错误正确答案：A7.快速熔断器必须与其它过电流保护措施同时使用。
（）A、正确B、错误正确答案：A8.单相半波可控整流电路带电阻负载时的移相范围为0.5π。
（）A、正确B、错误正确答案：B9.直流变换电路输出的电压都小于输入电压。
（）A、正确B、错误正确答案：B10.单相半波可控整流电路带电阻负载时输出电压平均值的最大值为U2。
（）A、正确B、错误正确答案：B11.有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回电网的逆变电路。
（）A、正确B、错误正确答案：A12.两个以上晶闸管串联使用，是为了解决自身额定电压偏低，不能胜用电路电压要求，而采取的一种解决方法，但必须采取均压措施。
（）A、正确B、错误正确答案：A13.在GTO、GTR、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是MOSFET，单管输出功率最大的是GTO，应用最为广泛的是IGBT。
（）A、正确B、错误正确答案：A14.触发脉冲必须具有足够的功率。
（）A、正确B、错误正确答案：A15.在三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反压为2倍相电压U2。
（）A、正确B、错误正确答案：B16.三相半波可控整流电路也必需要采用双窄脉冲触发。
（）A、正确B、错误正确答案：B17.降压斩波电路斩波开关关断时，电感充电。
电力电子技术试题及答案
德州科技职业学院机电系14级机电专业期末考试试题《电力电子技术》试卷一、选择（每题1.5分，共60分）1、晶闸管内部有（）个PN结。
A、1B、2C、3D、42、晶闸管在电路中的门极正向偏压（）越好。
A、越大B、越小C、不变D、越稳定3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。
A、有效值B、最大值C、平均值D、瞬时值4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）个电极。
A、一个B、两个C、三个D、四个5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT器件电路符号的是（）6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO 7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）A、IPMB、MOSFETC、IGBTD、GTO11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（）A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作A、直流B、低频C、中频D、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率（）电力场效应管A、稍高于B、低于C、远高于D、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压为（）A、700VB、750VC、800VD、850V16、下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.3V才导通D、超过0.7V才导通18、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO器件电路符号的是（）19、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR器件电路符号的是（）20、下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET器件电路符号的是（）21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（）工作特性设计的A、截止区B、负阻区C、饱和区D、任意区域22、在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（）就能改变直流电动机的转速。
电力电子技术课程复习题及答案
一、选择练习题1.晶闸管导通的条件是（ A ）。
A.阳极加正向电压，门极有正向脉冲B.阳极加正向电压，门极有负向脉冲C.阳极加反向电压，门极有正向脉冲D.阳极加反向电压，门极有负向脉冲2.由门极控制导通的晶闸管导通后，门极信号( A )。
A.失去作用B.需维持原值C.需降低D.需提高3.晶闸管门极触发信号刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为（ B ）。
A.维持电流B.擎住电流C.浪涌电流D.额定电流4.电力电子器件功率损耗的主要原因是（ A ）。
A 、通态损耗B 、断态损耗C 、开通损耗D 、关断损耗5.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( B ) 。
A 、导通状态B 、关断状态C 、饱和状态D 、开关状态6.晶闸管串联时，为达到静态均压，可在晶闸管两端并联相同的（ A ）。
A ．电阻B ．电容C ．电感D ．阻容元件7.下面哪个是绝缘栅双极晶体管的简称（ C ）。
A ．GTO B.GTR C.IGBT D.MOSFET8.单相半控桥式整流大电感负载电路中，为了避免出现一个晶闸管一直导通，另两个整流二极管交替换相导通的失控现象发生，采取的措施是在负载两端并联一个（ D ）A.电容B.电感C.电阻D.二极管9.在大电感负载三相全控桥中，当α>60°时，在过了自然换相点之后和下一个晶闸管被触发之前，整流输出u d 为负值，交流电源接受回馈的能量，电感( A )A.释放储能B.既不释放能量也不储能C.吸收能量D.以储能为主10.晶闸管变流器主电路要求触发电路的触发脉冲前沿( C )A.应缓慢上升B.不要太大C.尽可能陡D.有较大负电流11. 出现换相重叠角γ的原因是（ C ）A 晶闸管换相B 有源逆变C 变压器漏感D 谐波12.带平衡电抗器的双反星形可控整流电路使用在（ C ）场合中。
A. 高电压大电流B. 高电压小电流C. 低电压大电流D. 低电压小电流13.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位互差（ C ）A.150°B.60°C.120°D.90°14.可在第二象限工作交流电路是（ C ）。
电力电子技术试题及答案
德州科技职业学院机电系14级机电专业 期末考试试题《电力电子技术》试卷一、选择（每题分，共60分） 1、晶闸管内部有（ ）个PN 结。
A 、1B 、2C 、3D 、4 2、晶闸管在电路中的门极正向偏压（ ）越好。
A 、越大B 、越小C 、不变D 、越稳定3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（ ）来表示的。
A 、有效值 B 、最大值 C 、平均值 D 、瞬时值4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（ ）个电极。
A 、一个B 、两个C 、三个D 、四个5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT 器件电路符号的是（ ）6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（ ）、GTR D 、A 、IGBTB 、MOSFETC 、GTRD 、GTO8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（ ）A 、IGBTB 、MOSFETC 、GTRD 、GTO9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（ ）A 、IGBTB 、MOSFETC 、GTRD 、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（ ）A 、IPMB 、MOSFETC 、IGBTD 、GTO11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（）A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作A、直流B、低频C、中频D、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率（）电力场效应管A、稍高于B、低于C、远高于D、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压为（）A、700VB、750VC、800VD、850V 16、下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过才导通D、超过才导通18、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO器件电路符号的是（）19、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR器件电路符号的是（）20、下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET器件电路符号的是（）21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（）工作特性设计的A、截止区 B、负阻区 C、饱和区 D、任意区域22、在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（）就能改变直流电动机的转速。
电力电子技术题库含参考答案
电力电子技术题库含参考答案一、单选题（共30题，每题1分，共30分）1、下面选项中属于晶闸管派生器件的是（）。
A、电力场效应晶体管B、绝缘栅双极晶体管C、门极可关断晶闸管D、电力晶体管正确答案：C2、带中心抽头变压器的逆变电路,变压器匝比为( )时，uo和io波形及幅值与全桥逆变电路完全相同。
A、1:2:1B、1:1:2C、3:1:1D、1:1:1正确答案：D3、单相半波可控制整流电路阻感负载需要（）续流。
A、晶闸管B、二极管C、GTRD、IGBT正确答案：B4、（）不属于换流技术。
A、整流B、电力电子器件制造C、逆变D、斩波正确答案：B5、单相桥式全控整流阻感性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )。
A、0º-180°B、0º-150°C、0º-120°D、0º-90°正确答案：D6、电压型逆变电路输出的电流波形为（）。
A、因负载不同而不同B、锯齿波C、正弦波D、矩形波正确答案：A7、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )A、0º-150°B、0º-180°C、0º-120°D、0º-90°正确答案：B8、目前所用的电力电子器件均由（）制成，故也称电力半导体器件。
A、绝缘体B、金属C、半导体D、导体正确答案：C9、采用调制法得到PWM波形，把希望输出的波形作为（）。
A、载波B、锯齿波C、调制信号D、正玄波正确答案：C10、斩波电路中，输出电压高于输入电压的电路称为（）。
A、降压斩波B、升压斩波C、升降压斩波D、CUK斩波正确答案：B11、晶闸管额定电压一般取正常工作时晶闸管所承受峰电压的( )。
A、3～4倍B、4～5倍C、2～3倍D、1～2倍正确答案：C12、与单相全波可控整流电路功能相同的电路是（）。
A、斩波电路B、单相半波可控整流电路C、三相桥式整流电路D、单相桥式整流电路正确答案：D13、逆导晶闸管是将（）反并联在同一管芯上的功率集成器件。
电力电子技术考试复习资料
一、单选题1.单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断答案： B2.要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）。
A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压答案： A3.单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差（）度。
A、180°B、60°C、360°D、120°答案： A4.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为( )A、一次击穿B、二次击穿C、临界饱和D、反向截止答案： B5.快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是( )A、功率晶体管B、IGBTC、功率MOSFETD、晶闸管答案： D6.二极管两端加上正向电压时（）。
A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.3V才导通D、超过0.7V才导通答案： B7.为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（）A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路答案： B8.电流型逆变器中间直流环节贮能元件是( )A、电容B、电感C、蓄电池D、电动机答案： B9.可在第一和第四象限工作的变流电路是( )A、三相半波可控变电流电路B、单相半控桥C、接有续流二极管的三相半控桥D、接有续流二极管的单相半波可控变流电路答案： A10.逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成( )A、大功率三极管B、逆阻型晶闸管C、双向晶闸管D、可关断晶闸管答案： B11.比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFET答案： C12.对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关( )A、α、负载电流Id以及变压器漏抗XCB、α以及负载电流IdC、α和U2D、α、U2以及变压器漏抗XC答案： A13.在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理。
电力电子技术
《电力电子技术》综合复习资料一、填空题1、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时，门极上加上电压，晶闸管就导通。
2、开关型DC/DC变换电路的3个基本元件是、和。
3、逆变指的是把能量转变成能量。
4、逆变角β与控制角α之间的关系为。
5、GTO的全称是。
6、整流指的是把能量转变成能量。
7、只有当阳极电流小于电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
8、脉宽调制变频电路的基本原理是：控制逆变器开关元件的和时间比，即调节来控制逆变电压的大小和频率。
9、在电流型逆变器中，输出电压波形为波，输出电流波形为波10、GTO的关断是靠门极加出现门极来实现的11、当电源电压发生瞬时与直流侧电源联，电路中会出现很大的短路电流流过晶闸管与负载，这称为或。
12、晶闸管的工作状态有正向状态，正向状态和反向状态。
13、在电力电子器件驱动电路的设计中要考虑强弱电隔离的问题，通常主要采取的隔离措施包括：和。
14、逆变角β与控制角α之间的关系为。
二、判断题1、KP2—5表示的是额定电压200V，额定电流500A的普通型晶闸管。
（）2、增大晶闸管整流装置的控制角α，输出直流电压的平均值会增大。
（）3、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。
（）4、普通晶闸管外部有三个电极，分别是基极、发射极和集电极。
（）5、普通晶闸管额定电流的定义，与其他电气元件一样，是用有效值来定义的。
（）6、三相桥式全控整流电路，输出电压波形的脉动频率是150H Z。
（）7、MOSFET属于双极型器件。
（）8、同一支可关断晶闸管的门极开通电流和关断电流是一样大的。
（）2U。
（）9、单相桥式可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为210、电力场效应晶体管属于电流型控制元件。
（）11、晶闸管采用“共阴”接法或“共阳”接法都一样。
（）12、只要让加在晶闸管两端的电压减小为零，晶闸管就会关断。
（）13、普通晶闸管内部有两个PN结。
（）14、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。
（）15、逆变失败，是因主电路元件出现损坏，触发脉冲丢失，电源缺相，或是逆变角太小造成的。
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选择题一、选择题（每题1分）1．（）晶闸管额定电压一般取正常工作时晶闸管所承受峰电压的( )。
A. 1～2倍B. 2～3倍C. 3～4倍D. 4～5倍2．（）选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以（）。
A. 1.5～2倍B. 2～2.5倍C. 2.5～3倍D. 3～3.5倍3.（）晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持通态所需要的最小电流是（）。
A. 维持电流I HB. 擎住电流I LC. 浪涌电流I TSMD. 最小工作电流I MIN4.（）对同一只晶闸管，擎住电流I L约为维持电流I H的( )。
A. 1～2倍B. 2～4倍C. 3～5倍D. 6～8倍5.( )普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定，而双向晶闸管通常用在交流电路中，因此其额定电流用( )标定。
A. 平均值B. 最大值C. 最小值D. 有效值6.( )晶闸管属于A. 全控型器件B.场效应器件C.半控型器件D.不可控器件7.( )晶闸管可通过门极( )。
A. 既可控制开通，又可控制关断B.不能控制开通，只能控制关断C.只能控制开通，不能控制关断D.开通和关断都不能控制8.（）使导通的晶闸管关断只能是( )。
A. 外加反向电压B.撤除触发电流C. 使流过晶闸管的电流降到接近于零D. 在门极加反向触发9．（）在螺栓式晶闸管上有螺栓的一端是( )。
A. 阴极KB. 阳极AC. 门极KD. 发射极E10. （）晶闸管导通的条件是（）。
A. 阳极加正向电压，门极有正向脉冲B. 阳极加正向电压，门极有负向脉冲C. 阳极加反向电压，门极有正向脉冲D. 阳极加反向电压，门极有负向脉冲11. ( )可关断晶闸管（ GTO ）是一种（ ）结构的半导体器件。
A. 四层三端B. 五层三端C. 三层二端D. 三层三端12 . （ ）晶闸管的三个引出电极分别是（ ）。
A.阳极、阴极、门极B.阳极、阴极、栅极C.栅极、漏极、源极D.发射极、基极、集电极13. （ ）已经导通了的晶闸管可被关断的条件是流过晶闸管的电流（ ）。
A.减小至维持电流I H 以下B.减小至擎住电流I L 以下C.减小至门极触发电流I G 以下D.减小至5A 以下14. ( )单相半波可控整流电路，阻性负载，控制角α的最大移相范围是（ ）。
A ．0～90°B. 0～120°C. 0～150°D. 0～180° 15. ( )单相半波可控整流电路，阻性负载，当α=（ ）时，U d = 0。
A ．90° B. 120° C. 150° D. 180°16. ( )单相半波可控整流电路，阻性负载，当α=（ ）时，U d =0.45 U 2。
A ．0° B. 90° C. 150° D. 180°17. ( )单相半波可控整流电路，阻性负载，晶闸管承受的最大正反向电压均为（ ）。
A ．U 2 B. 2 C. 2 D. 2U 2 18. （ ）单相半波可控整流电路，带电阻性负载R ，设变压器二次侧相电压有效值为U 2，则直流输出电流平均值为（ ）。
A. 0.45 2U R (12COSa +) B. 0.225 2U R(1+COSa) C. 0.9 2U R (1+COSa) D. 0.45 2U R (12COSa -)19. ( )单相半波可控整流电路，带电阻性负载，设变压器二次侧相电压有效值为U 2，则直流输出电压平均值为（ ）。
A. 0.45 U 2 (12COSa -) B. 0.9U 2 (1+COSa) C. 0.9 U 2 (12COSa +) D. 0.45 U 2 (12COSa +)20.( )单相半波可控整流电路，阻感性负载时，在负载两端并联续流二极管的作用是（）。
A．使α的移相范围加大。
B. 使Ud不再出现负的部分。
C. 保护可控硅不被击穿。
D. 减小可控硅承受的最大反向电压。
21. （）在整流电路的负载两端并联一个二极管，称为（）。
A. 稳压二极管B. 电力二极管C. 整流二极管D. 续流二极管22. ( )在分析整流电路工作时，认为晶闸管（开关器件）为（）。
A. 半导体器件B. 可控硅器件C. 理想器件D. 放大器件23. ( )α称为触发延迟角，θ称为导通角，α和θ的关系为（）。
A. θ-α=πB. θ+α=πC. θ-α=π/2D. θ+α=π/224. ( )单相桥式全控整流电路，阻性负载，控制角α的最大移相范围是（）。
A．0～90° B. 0～120°C. 0～150°D. 0～180°25. ( )单相桥式全控整流电路，阻感性负载，控制角α的最大移相范围是（）。
A．0～90° B. 0～120°C. 0～150°D. 0～180°26. （）单相桥式半控整流电路阻感性负载电路，在负载两端并联一个续流二极管的目的是（）。
A．使α的移相范围加大。
B. 使Ud不再出现负的部分。
C. 保护可控硅不被击穿。
D. 防止可能发生的失控现象。
27.( )单相桥式全控整流电路，阻性负载，晶闸管承受的最大正电压和反向电压分别为（）。
A．U22 B. U22C.2U2 D. 2228.( )单相桥式全控整流电路，阻感性负载，晶闸管承受的最大正电压和反向电压分别为（）。
A．U22 B. U22C.2 U 2 D. 2229.（ ）单相桥式全控整流电路，带电阻性负载R ，设变压器二次侧相电压有效值为U 2，则直流输出电流平均值为（ ）。
A. 0.45 2U R (12COSa +) B. 0.9 2U R(1+COSa) C. 0.9 2U R (12COSa +) D. 0.45 2U R (12COSa -)30.（ ）单相桥式全控整流电路，带阻感性负载，设变压器二次侧相电压有效值为U 2，则直流输出电压平均值为（ ）。
A. 0.45 U 2 (12COSa +) B. 0.9 U 2 COSa C. 0.9 U 2 (12COSa +) D. 0.45 U 2 COSa 31.（ ）单相桥式全控整流电路，带阻感性负载，变压器二次侧相电流有效值为（ ）。
A. I 2d B. I 2= I d C. I 2= d D. I 2 =12I d 32．( )三相半波可控整流电路，电阻性负载，当控制角（ ）时，整流输出电压与电流波形断续。
A ．α≤30 oB ．α＞30 oC ．α＞60 oD ．α＞90 o33. ( )三相半波可控整流电路，电阻性负载，控制角α≤ 30 °，每个周期内输出电压的平均值为 （ ）。
A. U d =0.45U 2COS αB. U d =0.9 Ｕ 2 COS αC. U d =1.17 Ｕ 2 COS αD. U d =2.34 Ｕ 2 COS α34．( )三相半波可控整流电路，电阻性负载，α角的移相范围为（ ）。
A ．0 o ～90 oB ．0 o ～120 oC ．0 o ～150 oD ．0 o ～180 o35．( )三相半波可控整流电路，阻感性负载，α角的移相范围为（ ）。
A ．0 o ～90 oB ．0 o ～120 oC ．0 o ～150 oD ．0 o ～180 o36.( )三相半波可控整流电路中三个晶闸管的触发脉冲相位互差（）。
A. 60°B. 90°C. 120°D. 180°37.( ) 三相半波可控整流电路,电阻性负载，晶闸管可能承受的最大正向电压为（）。
A．2 B. 2 C. U2 D. 2U238.( ) 三相半波可控整流电路,电阻性负载，整流电压的平均值U d最大为（）。
A．0.9 U2 B. 0.45U2 C. 1.17U2 D. 2.45U239．( )三相半波可控整流电路，阻感性负载，当移相角α=（）时，u d 的波形正负面积相等。
A．30 o B．60 o C．90 o D．120 o40.（）三相全控桥式整流电路中，共阳极组的三只晶闸管的触发脉冲相位互差（）A. 60oB. 90 oC. 120 oD.150 o41. ( )三相全控桥式整流电路中同一相上、下两只晶闸管触发脉冲相位差（）度。
A.60B.90C.120D.18042. ( )三相桥式全控整流电路，在交流电源一个周期里，输出电压脉动（）次。
A. 2B. 3C. 4D. 643．( )三相桥式全控整流电路，大电感负载，当α＝（）时整流平均电压U d = 0。
A．30 o B．60 o C．90 o D．120 o44．( )三相桥式全控整流电路，电阻性负载时，触发角α的移相范围为（）度。
A.0～180 oB.0～150 oC.0～120 oD.0～90 o45．( )三相桥式全控整流电路，阻感性负载时，触发角α的移相范围为（）度。
A.0～180 oB.0～150 oC.0～120 oD.0～90 o46．( )三相桥式全控整流电路，电阻性负载时，当触发角（）时，整流输出电压平均值U d=2.34U2 COSα。
A．α≤30 o B．α≤60 o C．α≤90 o D．α= 90 o47．( )当正弦波同步触发电路采用NPN晶体管时，要求同步电压比被触发晶闸管的阳极电压滞后（）。
A．90 o B．120 o C．150 o D．180 o48．( )为了防止逆变失败，最小逆变角限制为（）。
A.10 o～15 oB.20 o～25 oC.30 o～35 oD.40 o～45 o49. ( )三相全控桥式整流电路，控制角α为（）时，整流输出电压为最大值。
A.0°B.90°C.120 °D.18050.（）三相全控桥式整流电路，晶闸管可能承受的最大反向电压为（）。
A．2 B. 2 C. U2 D. 2U251. （）三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态时，触发角α的变化范围应在（）之间。
A. 30 o～90 oB.60 o～90oC.90 o～120 oD.90 o～180o52. （）三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态，输出电压平均值U d的表达式是（）。
A. U d=- 2.34U2cosβB. U d=1.17U2cosβC. U d= 2.34U2cosβD. U d=-0.9U2cosβ53. （）半控桥或有续流二极管的电路，不能实现有源逆变，是因为（）。
A. 整流电压u d不能出现负值B. 整流电压u d不可控制C. 整流电压u d是脉动的D. 整流电压u d的电压值太小54. （）器件换流只适用于（）。